JPS5967546A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｓ、又はＳｓにＡｓ、
　Ｔａ、　ｓｂ＃ｔ：ドープした感光体、ＺｎＯ＋Ｃｄ
Ｓを樹脂パイングーに分散させた感光体停が知られてい
る。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機椋的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓ　ｉ　）　ｔ’
　母材トして用いた電子写真感光体が近年になって提案
されている。ａ−ａｔは、５ｉ−８１の結合手が切れた
いわゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に
起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在
する。このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じ
て暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラッ
プされて光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥
を水素原子（ロ）で補償してＳ＋ＫＨｋ結合させること
によって、ダングリングホンドラ埋めることが行なわれ
る。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の賠所での抵抗率は１０６〜１０９
Ω−ｃｍであって、アモルファスＳθと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−８１：）（（７）卑屓か
らなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯
電電位が低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性金屑している。

そこで、このよりなａ−８Ｌ　：　Ｈに電位保持能を付
与するため、ホウｉＡ　ｋドープすることにより抵抗率
を約１０１１０１２Ｏ−まで高めることができるが、ホ
ウ素量をそのように正確に制御することは容易ではない
上に、１０１２Ω−Ｃｕｔ程度の抵抗率でもカールソン
方式による感光プロセスに使用するには光感度が不十分
であシ、電荷保持特性もなお不十分である。また、ホウ
素と共に微量の酸素を導入することによｒ、　１ｏ１５
Ω−ｃｍ程度の高抵抗化が可能であるが、これ全感光体
に用いた場合には光導電性が低下し、裾切れの悪化や残
留電位の発生という問題が生じる。

−１ｆＣ，ａ　−Ｓ　ｌ　：　Ｈを表面とする感光体は
、　長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響
、コロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の
化学的安定性に関して、これ迄十分な検討ンタなされて
いない。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を
受け、受容電位が著しく低下することが分っている。更
に、ａ−８ｌ：）ＩはＡＪやステンレス等の支持体に対
して膜付き（接着性）が悪く電子写真感光体として実用
化する上で問題となる。

この対策として、特開昭５５−８７１５４号における如
きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５７号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
高分子化合物からなる接着層をａ−８ｔ：Ｈ層と支持体
との間に設けることが知られている。

しかしながら、これらの場合、接着層の形成とａ−８１
：Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、そのた
めに新たな製膜装置を用いなければならず、作業性が不
良となる。

しかも、ａ−８１：）を層上光＋８電性の良好なものと
するには、そのｉＲ腹膜時基板（支持体）温度を通常的
２００°Ｃ又はそれ以上に保持すること’ｉ要するが、
このような温度に対し下地の接着層は熱的に耐えること
ができない。

一方、ａ−８１：Ｈに音素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８ｔ：Ｈ（以下、ａ　　ＳＩＮ：Ｈと称するこ
とがある。）によって光導電層を形成することが、特開
昭５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の
各明細ＶＫ記載されている。この公知の＆−８ｉＮｚＨ
層は、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗几が約Ｉ
　Ｘ　１０”Ω−ｃｍに高められ得ると共に、光導電性
（感度）にも優れている。しかしながら、本発明者の検
討によれば、上記の公知の感光体においては、ｈ　−８
１Ｎ　：　Ｈｐ！Ｊへのボロンドーピング量全正確に制
御することは容易ではなく、このためにｉ定電位の保持
能（換言すれば光導電層の高抵抗化）を再現性良く充分
に発揮させることが困難である。更に、ａ　−８１Ｎ　
：　Ｈ層上に表面被覆層を設けた例もあるが、表面被覆
層は合成樹脂から形成されているにすぎないので、耐刷
性をはじめ、耐熱性、繰返し使用時の電子写真特性の安
定性、表面の化学的安定性、機械的強度等が充分ではな
どことも分った。しかも上記の表面被覆層は、ａ−８Ｉ
ＮＳＨ層へ入射すべき光を吸収苦しくは反射し易いため
に、光感度も低下させてしまうという欠点がある。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えばｋｌ等の導電性支持体）と、この
基体上に形成されたアモルファス水素化及び／又は７ン
素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）からなる〆
厚さ２〜８０μｍ　（Ｄ　％荷輸送層と、この電荷輸送
層上に形成された窒素原子含有アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコン（例えばａ　　ＳＩＮ：Ｈ）か
らなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層と、この光導電層
上に形成された無機物質（例えばＳ　１０２）からなる
厚さ１００〜５０００λの表面改質層とからなることを
特徴とする記録体に係るものである。

本発明によれば、光導電層は窒素含有＆−８１で形成し
ているので、窒素量のコントロールによって可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の制
御全窒素量及び不純物ドーピング量で任意に行なえるも
のとなっている。特に、ホウ素等のドーピングで１０１
０Ω−ｃｍ以上のＲ−’ｓ−示すので、光感度と共に電
位保持能にも優れた光導を層となる。

しかも、この光導電層下には、１ｌ−８ＩＣからなる電
荷輸送層を設けているので、これがない場合に比べて、
高抵抗＊−８ＩＣにより、感光体の帯電電位の保持能を
著しく向上させることができ、かつ基体との接着性も充
分となυ、かつ光導電層からのキャリアは大きな移動度
と寿命で以って効率良く支持体側へ移動することができ
る。更に、光導電層上には表面改質層として無機物質層
を設けているが、この無機物質層は耐熱性や表面硬度が
高いため、耐刷性、耐熱性、光感度、繰返し使用時の電
子写真特性の安定性、感光体表面の化学的安定性、機械
的強度、保存中の経時変化の防止作用等を著しく向上さ
せることができる。

以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図に示した感光体は、Ａノ吟の導電性支持体基板１
上に、ａ−ａｌｅ：Ｈからなる電荷輸送層２と、ａ−８
１Ｎ：Ｈからなる光導電層３と、＃１機物質（例えば５
ＩＯ２）からなる表面改質層４とが順次積層され友構造
からなっている。

光導電層３は、特に窒素原子含有：ｌｉｔを１〜３０ａ
ｔｏｍｌａ％（望１しくは１５〜２５　ａｔｏｍｌａ　
％　）とすることによって、第２図に示す如く、暗所抵
抗率Ｒと光照射時の抵抗率λとの比が充分であり、光感
度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好と
なる。また、周期表第■Ａ族元素、例えばホウ素を後述
の流量比（Ｂ２Ｈ６／５ＩＲ４’）冨１〜５００ＰＰ□
でドーピングすることによって、第３図の如く、固有抵
抗’１＝１０１０Ω−ｃｍ以上（更には１０１２Ω−ｃ
ｍ以上）とし、高抵抗化できることが分る。この高抵抗
化によって電荷保持能を向上させることができる。これ
によって、光感度、電位保持能共ＫＱ好な光導電層とす
ることができる。比較のために、第３図中に破線でａ−
８ｌ”、Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を示し
たが、ａ−８ｉ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充分であり
、しかも１０　　Ω−ｃ＋ｎ程度でしか安定した高抵抗
値を得ることができない。また第２図から理解されるよ
うに、ａ　−Ｓ　Ｉ　Ｎ　：　Ｈでは窒素−１ｔｌｃよ
ってもＰＤヲ制御できるし、不純物ドーピングとの組合
せで抵抗制御の範囲を広くとることができる。ま几、第
４図に示す如く、光導電層３は、窒素含有量の増加に伴
なって光学的エネルギーギヤｙプ（ａｓｉ：Ｈの場合に
は約１．６５ｅＶ）を大きくし、入射光に対する吸収特
性をコントロールできることが分る。

上記、電荷輸送層２は、炭素原子含有量を５〜９０　ａ
ｔｏｍｉｃ　％　（望ましくは１０〜５０　ａｔｏ＋ｕ
ｌｃ％）とすることによって、ＰＤ　＝　１０１２〜１
０”Ω−ｃｍと：３−’ｉ抗化され、感光体の帯電電位
保持能を向上嘔せることができる。感光層３から注入さ
れる元キャリアは、電荷輸送Ｊｔ！２中を大きな移動度
とνＪ　６にで以って移動し、効率良く支持体１へ到達
できるから、電荷輸送性が大幅に向上する。また、第５
図に示す如く、不純物として周期表第■人族元素、例え
はボａ　７　ｆ流量比Ｂ　２　Ｈ６／　８　ｌ　Ｈ４＝
　１０〜５００　ｐｐｍでドーグすると、ＦＤ＊　１ｏ
　１３Ω−０１１１以上とすることができ、これによっ
てＷＩ電電位及び電荷輸送能を一層向上させることがで
きるＯ また、上記表面改質層４については、その固有抵抗ｅ　
１０　＋　３Ω−０１１１以上とすることが、表面電位
保持能を向上させる上で望ましい。使用可能な構成材料
は、８１０．　Ｓ　ｊＯ□、Ａ　１２０．、Ｍ、ｉｉ’
ｏ、ＺｎＯ１ｐｂｏ。

ＣａＯ，ＢａＯ１ＢａＯ１Ｚ　ｎ　０２、Ｔ　Ｉ　Ｏ２
、Ｔａ２０５、Ｃａ　０２、Ｓｎ　０２からなる群より
選ばれた少なくとも１釉が挙けられる。

上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光導電層３は０．３〜５μｒｎ（望ましくは０．５
〜３μｍ）、電荷輸送層２は２〜８０μｍ（望ましくは
５〜３０μｍ）表面改質層４は１００〜５０００Ｋ（望
ましくは４００〜２０００　Ｘとすべきである。）光導
［Ｊｔｉ３の厚みが、０．３μｍ未満であると光を充分
に吸収できず、光感度が低下し、また、５μｍｔ越える
ことは実用上不適当である０電荷輸送層２も２μｍ未満
であると、効果がなく、また８０ｍを越えると実用上不
適当でおり、Ｍ膜に時間がかかる。また、表面改質層４
も１００１未満であると効果がなく、逆に５０００″ｋ
を越えると光感度が低下し、残留電位が増える等、不適
当となる。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。このため、水素含
有値は１〜４０ａｔｏｍｌｃ％（更には１０〜３０ａｔ
ｏｒｎｌｃチ）とするのが望ましい。特に、光４電層３
中の水素含有量は、ダングリングボンド金補償して光導
を性及び電荷保持性全向上させる光めに必須不可欠であ
うで、通常は１〜４０ａｔｏｍＬｃ％であり、３．５〜
２０　ａｔｏｒｎ（ａ％であるのがより望ましい。また
、ドーピング不純物として−ボａｙ以外にもＡＪ、　Ｇ
ａ、　Ｉ　ｎ、　Ｔｊｌ等の周期表第１１［Ａ族元素を
使用でき、リン以外にもλｍ、Ｓｂ、Ｂｔ等の周期表第
ＶＡ族元素ｔドープできる。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
たＨの代りに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ
　　Ｓ　ｉ　Ｎ　ａ　Ｆ、　ｈ−８Ｉ　Ｎ　：　Ｈ：　
Ｆ−、ａ　Ｓ　Ｉｃ　：　Ｆ。

ａ　　ＳＩＣ：Ｉ（：Ｆとすることもできる。この場合
の７〕索量は０．０１〜２０　ａｔｏｒｎｌｃ　％がよ
く、０．５〜１０ａｔｏｍｉａチがよシ望ましい。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装［）を第６図について説明すゐ。

この装置１１の真空［１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている〇基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生ぜしめられる。なお、図中の２０．２１．２ム２３
．２似２５．２７．２曳２λ３０．３Ｌ３７．３ａ、　
４０は各バルブ、３２は５ＩＨ４又はガス状シリコン化
合物の供給源、３３はＮＨ３又はＮ２等の窒素の供給源
、３４はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、３５は人ｒ
又はＨ２等のキャリアガス供給源、３６は不純物ガス（
例えばＢ２）Ｉ６）供給源である。このグロー放電装置
において、まず支持体である例えばＡ７基板１０表面を
清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１２内の
ガス圧がＩＱ　　Ｔｏｒｒとなるようにノ（ルプ３７’
（ｉ−調節して排気し、かつ基板１を所定温度、例えば
３０〜４００℃に加熱保持する。次いで一高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリ
コン化合物、及びＮＨ，又はＮ２ヲ適当量希釈し友混合
ガス、及びＣＨ４、Ｂ２Ｈ６々？全適宜真空槽１２内に
導入し、例えば０．０１〜１ＱＴｏｒｒの反応圧下で高
周波電源１６により高周波電圧（例えば１３．５６Ｍｔ
ｌｚ）　ｋ印加するＱこれによって、上記各反応ガスを
グロー放電分解し、ａ−８ｉＣ：１■、水素を含むａ　
−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈを上記の層４３として基板上に順
次堆積させる。この際、シリコン化合物と窒素化合物又
は炭素化食物の流量比及び基板温度を適宜調整すること
によって、所望の組成比及び光学的エネルギーギャップ
を有するａ−８０−ＸＮＸ　：ＨＳａ−ＳローｙＣｙ：
Ｈ’を析出させ、乙ことができ、１友析出する膜の電気
的特性にさほど影響を与えることなく、１００ＯＡ／ｍ
ｌｎ以上の進度で堆積させることが可能である。表面改
質層４は、例えばスパッタリング法及び真空蒸着法で形
成可能でおる。スパッタリング法による場合には例えば
８１０２からなるターゲラトラ使用して、例えば人ｒガ
ス等のスパッター用のガスを堆積層内に導入シて、スパ
ッタリングを行って５１０２からなる薄ＢＩＸを形成す
れば良い□Ａｒ算囲気Ｏ圧力はグロー放電が維持できる
範囲であればいずれでも良く、一般に０．０１〜１ＯＴ
ｏｒｒ、安定した放電を得る為には０．１〜ｌ　ＱＴｏ
ｒｒであることが望咬しい。

本発明によるａ　　Ｓ　Ｉ　Ｃ：　）（／　ａ　　８１
　Ｎ　：　Ｈ／　Ｓ　Ｉ　Ｏ２全基本構造とする感光体
は、特にａ　　ｓｔｃ：ｔｔとａ−８１Ｎ：Ｈは使用す
る反応ガスの種類及び流輩を変えるだけで同一装置によ
シ順次各Ｎｔ製膜することによって作成できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水嵩導入下でｓｔ６蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

使用する反応ガスは、５ＩＲ４以外にも５１２Ｈ６，５
ＩＦ４．５ＩＨＦ３、又はその誘導体ガス、ＣＨ４以外
のＣ２Ｈ６、Ｃ３Ｍ、等の低級炭化水素ガスが使用可能
である。

第７図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２ヲ有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー４１内を例えば１０−Ｓ〜１０−
’Ｔｏｒｒの高Ｘ空状態とし、当該ペルジャー４１内に
は基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１５
０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱する
と共に、直流電源４６により基板１にＯ〜ｌ０ＫＶ。

好ましくは−１〜−６ｋｖの直流負電圧を印加し、その
出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接
続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び水
素イオンをペルジャー４１に導入しながら、基板１と対
向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あればア
ルミニウム蒸発源４９ヲ加熱すると共に各上方のシャッ
ターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速
度比が例えば１：１０−４となる蒸発速度で同時に蒸発
させ、かつペルジャー４１内へ、放電管５０により活性
化されたＮＩｌ　　ガス又はＣＨ４ガスを導入し、これ
により必要あればアルミニウムを所定量含有するａ−８
ＩＮＳＨ層３、ａ−８ＩＣ：Ｈ層２（Ｍ１図参照）を形
成する。

上記の放！Ｗ４７．５０の構造を例えば放［管４７につ
い−Ｃ示すと、第８図の如く、ガス人口６１ヲ有する筒
状の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を
一端に設けた、放電空間６３を凹む例えは筒状ガラス製
の放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に
設けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６
６とより成り、前記一方のｖｉ極部材６２と他方の電極
部材６６との間に直流又は交流の電圧が印加されること
により、ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガ
スが放電空間６３においてグロー放Ｔｔヲ生じ、これＫ
より電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分
子より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出
口６５より排出される。この図示の例の放電空間部材６
４は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を
有し、６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。６９は
一方の電極部材６２の冷却用フィンである。

上記の水素ガス放電管４７における電極間距離は１０〜
１５ｃｍであり、印加電圧は６００ｖ、放電空間６３の
圧力は１０　　Ｔｏｒｒ程度とされる。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンで洗浄し、０．１％ＮａＯＨ水溶液
、０．１１ＨＮＯ５水溶液でエツチングしたＡｌ基板を
第６図のグロー放電装置内にセットし、反応機内’（Ｈ
ＩＯ−’Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温底金
２００″Ｃに加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０．
５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚ。

電力密度０．０４ＷイＶＡＬの高周波電力全印加し、１
５分間の予備放ｉｌ１行った。次いで、５ＩＨ４とｃＨ
４からなる反応ガスを導入し、（Ａｒ＋５ＩＨ４＋ＣＨ
４）混合ガス及びＢ２Ｈ６ガスをグロー放電分解するこ
とにより、光電荷キャリアを輸送するａ−８ｉＣ：Ｈ層
を形成した０光導電層の形成に当っては、ＳＩＲ４Ｎ２
及び必要あればＢ２Ｈ，ｉ放電分解し、ａ−８ＩＮ：Ｈ
感光層を形成した。

Ｓ　ｔＯ２からなる表面改質層は例えばスパッタリング
法及び真空蒸着法等で形成可能である。スパッタリング
法による場合には例えば５１０２からなるターゲットを
使用して、例えばＡｒガス咎のスパパクター用のガスを
堆積層内に導入して、スパッタリングを行って８　ｔｏ
２からなる薄膜を形成すれば良い。Ａｒ雰囲気の圧力は
グロー放電が維持できる範囲であればいずれでも良く、
一般に０．０１〜１．０Ｔｏｒｒ、安定した放電を得る
為には０．１〜１．０Ｔｏｒｒであることが望ましい。

このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーター５Ｐ−４２８型（川口！根株製）に装着し、′Ｗ
ｒｔｌｉ器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし、５秒
間帯電操作全行ない、この帯電操作直後における感光体
表面の帝’ａｍ圧をＶ。（Ｖ）とし、この帯電電位を１
／２に減衰せしめるために必要な照射光１ｔｔ−半減露
光量Ｅ　１／２　（７ｕｘ、ｓｅａ　）とした。

表面電位の光減衰曲線はある有限の電位で７ラツトとな
り、完全にゼロとならない場合があるが、この電位を残
留電位ＶＲ（Ｖ）と称する。

また、画質については、感光体をドラム状に作成し、２
０℃、６０４Ｒ１１で電子写Ｘ複写１Ｕ−１１１ｘＶ（
小西六写真工朶■製）に装着し、絵出しを行ない、初期
画質（１０００コピ一時の画質）及び多数回便用時の画
質（２０万コピ一時）を次の如くに評価した。

画像濃度　１．０以上　◎　（画質が非常に良好）０．
６〜１．０　０　（画質が良好） ０．６未満　Δ　（画像にボケが発生）８　（濃度が著
しく低く） 判別不能 本発明による各感光体を比較例と共に第９図に示したが
、光導電層（感光層）に不純物にドープした場合には著
しく特性が向上する。またａ−８ＩＮ：Ｈｒｔｊの窒素
量によっても特性をコントロールテきる。この感光層を
はじめ、電荷輸送層、表面改質層の組成や厚みを適切に
選べば結果が良好となることも分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第第１図は
感光体の断面図。 第２図は窒素量によるａ　　ＳＩＮ：Ｈの抵抗変化を示
すグラフ。 第３図は不純物ドーピングによるａ−８Ｓ（６）：Ｈの
抵抗変化を示すグラフ。 第４図は窒素量によるａ−ｓＩＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ。 第５図はａ　　ＳｉＣ：Ｈの不純物ドーピング量による
抵抗値変化を示すグラフ。 第６図はグロー放電装置の概略断面図。 第７図は真空蒸着装置の概略断面図０ なお、図面に示された符号において、 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・支持体基板２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ａ７８１
ｃ：１層（ｔｉｔ荷輸送層）３・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ａ−８ＩＮ：■層（光導電層又は
感光層）４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・無機物質層（表面改質層）である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 ２６Ｃ 第１図 第２図 第３図 ＰＨ３／Ｓｉｋ＋Ｎ２Ｅ１２Ｈｓ／Ｓｉｋ＋Ｎ２ミ　　
　第４図 第５図 Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨＪｐｐｍｌ 第６図 Ｊも 第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　基体と、この基体上に形成されたアモルファス水
   素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる厚さ２〜
   ８０μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形成され
   た窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフッ素化
   シリコンからなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層と、こ
   の光導電層上に形成された無機物質からなる厚さ１００
   〜５０００＾の表面改質層とからなること′ｆ：特徴と
   する記録体。 λ　光導電層の窒素原子含有量が１〜３０　ａｔａｍｌ
   ｃ％電荷輸送層の炭素原子含有量が５〜９０　ａｔｏｍ
   ｌ　ｃチである、特許請求の範囲の第１項に記載した記
   録体。 １　光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５　ａｔｏｍ
   ｌａチ、電荷輸送層の炭素原子含有量が１０〜５０　ａ
   ｔｏｍｉｃチである、特許請求の範囲の第２項に記載し
   比記録体。 ４、光導電層の固有抵抗が、周期表第［［ＩＡ族元累の
   ドーピングによりてｌＯΩ−ｃｍ以上となっている、特
   許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載し
   た記録体。 Ｆ、　光導Ｗ層の固有抵抗が、周期表第１［ＩＡ族元素
   のドーピングによって１０　Ω−０１１１以上となって
   いる、特許請求の範囲の第４項に記載した記録体。 ６、　１！荷輸送層の固有抵抗が、周期表第■Ａ族元索
   のドーピングによって１０　　Ω−ｃｍ以上となってい
   る、特許請求の範囲の第１項〜８ｇ５項のいずれか１項
   に記載した記録体。 ７、　表面改質層の固有抵抗が１０　Ω−ｃｍ以上であ
   る、特許請求の範囲の嬉１項〜第６項のいずれか１項に
   記載した記録体。 ８、底面改質層力Ｓ　ｔｏ、　Ｓ　１０□、Ａｌ２Ｏ３
   、Ｍ、９０、ＺｎＯ。 ＰｂＯ，Ｃａｂ、　Ｂｏｏ、　ＢａＯ１Ｚ　ｒ　Ｏ２、
   ＴｌＯ２、Ｔａ２０５、Ｃｅ　Ｏ２、ＳｎＯ□からなる
   群より選ばれた少なくとも１種によって形成されている
   、特許請求の範囲の第１項〜第７項のいずれか１項に記
   載した記録体。 ９、光導電層の厚みが０．５〜３μｍ、電荷輸送層の厚
   みが５〜３０μｍ表面改質層の厚みが４００〜２０００
   　’＊である、特許請求の範囲の第１項〜第８項のいず
   れか１項に記載し友記録体。