JPS59102240A - 感光体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体（例えば電子写真感光体）及びその製造
方法に関するものである。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅ、Ａｓ、
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄｓを樹
脂バイングーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母材として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｉイ）で補償してＳｉにＨを結合させることによフて、
ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）は、可視及び赤外領域の光を照射す
ると抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層とし
て極めて優れた特性を有している。

第１図には、上記のａ−５ｉ：Ｈを母材としたａ−８ｉ
系感光体を組込んだ電子写真複写機が示されている。こ
の複写機によれば、キャビ不ノ１−１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニ、（・７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするだめの第２ミラーユニノｌ−２０が第１
−、ラーユニノトの速度に応して移動し、原稿台３側か
らの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体トラム９」二ヘスリット状に入射す
るようになっている。トラム９の周囲には、コロナ帯電
器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリー
ニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はＦ
う２を内蔵した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４と
の間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。

ところが、上記ａ−３ｉ系感光体について本発明者が検
討を加えた結果、次の事実が判明した。

即ち、ａ−３ｉ系の物質を表面に有する感光体は、長期
に亘って大気や湿気にさらされるために大気や湿気の影
響を受は易く、また上記電子写真プロセス中のコロナ放
電（特に第１図の１０．１２．１３で示した箇所）で生
成される化学種の影響等によって、表面の化学的安定性
に乏しく、下記の如き欠陥が住じることである。

（１）、ａ−３ｉ系の層は５ｉ−３ｉ間の結合を骨格と
していて、層内部ではその結合状態が比較的良いが、表
面側では多価元素（Ｓｉ）に起因する欠陥（即ち結合の
不連続性又はダングリングボンド）が多く、欠陥単位が
存在している。

しかも、ａ−３ｉは構造的に硬質であるために、製膜時
に一旦発生した上記欠陥はそのまま保持されてしまう。

このために、第１図の如くに装置に組込んで使用する際
、コロナ放電による放電雰囲気又はその他の雰囲気中の
イオンや分子、原子がａ−３ｉ系感光体の表面に吸着さ
れ易く、その表面方向の電気抵抗が低下して電荷が表面
（沿面）方向にリークし易くなる。

（２）、この結果、電気的、光導電的特性が不安定とな
ることに加えて、画ｆ象ボケや白抜け（白斑点）の発生
という現象か生しる。

即ち、第２図（Ａ）には複写初期の露光後の表面電位を
示したが、これが複数回複写後には第２図（Ｂ）に破線
で示す初期電位が実線の如（になり、非露光部分の電位
か露光部分との境界においてなだらかとなり、かつその
電位自体も減衰してしまう。これは、上記（１）で述べ
た電荷のリークによるものと考えられる。

（３）、また、ａ−８ｉ系感光体は製造後に熱や光によ
って水素が脱離し、これも上記した欠陥を発生させるこ
とになる。

（４）、更に、ａ−３ｉ系感光体は、上記に起因して長
期保存安定性に乏しく、これも実用面では解消しなけれ
ばならない。

本発明者は鋭意検討を加えた結果、上記した如き問題点
を効果的に解消したａ−３ｉ系感光体を見出し、本発明
に到達したものである。

即ち、本発明によるａ−３ｉ系感光体は、有機る金属原
子が吸着あるいは結合せしめられている事を特徴とする
ものである。

この感光体によれば、ａ−３ｉ系半導体表面が、から、
表面に吸着しようとするイオンや分子、原子の作用を防
止し、電気的、光導電的特性を向上させることができる
。従って、上述した如き複写プロセスにおける画像のホ
ケ、白抜けをなくして解像度、階調性、画像濃度を向上
させ、繰返し複写時にも画質の変化を防止することが可
能となり、また感光体の長期保存性も良好となる。

質（例えば２ｅ■に近い電子親和力）がａ−３ｉからで
あると考えられる。

本発明はまた、上記の感光体を次の如き方法で製造する
ことも提案する。即ち、この方法は、支持体上にアモル
ファスシリコン系半導体層を形成とするものである。

本発明で使用する有機金属化合物としては、炭素−金属
結合をもつ化合物であって、この結合様式としてＣ，Ｎ
５−Ｎｉの如くイオン性結合をもつもの、（（ＣＮ５ｂ
　Ａβ〕２の如く電子不足結合をもつもの、（ＣＮ５ｂ
　Ｔ　ｉの如くσ結合をもつもの、Ｆｅ（Ｃ５Ｈ５）２
の如くπ結合をもつもの等が挙げられる。このうち特に
効果的なものは、周期表第１１１Ａ族、第１ＶＡ族、第
ＶＡ族、第ＶＩＡ族、第■Ａ族、第■Ａ族及び第（Ｂ族
の如く、いわゆるｄプロ・ツク遷移金属を有するπ錯体
化合物である。例えば、上記のＦ　ｅ　（Ｃ５Ｈ’５）
２以外に、Ｆ　ｅ　（Ｃ５Ｈ５＞　　（ＣＮ５Ｃ○Ｃ５
Ｈｓ）　、Ｆ　Ｃ２（ＣＯ）替（Ｃ３Ｈ３）２、Ｆｅ　
（ＣＯ）３（Ｃ％Ｈ１１）　、Ｆ　ｅ　（Ｃ９Ｈ７）２
、Ｆ　ｅ　（Ｃ５Ｈ５）　　（Ｃ５Ｈ１，ＣＨＯ）　、
Ｆ　ｅ　　（Ｃ５Ｈ５）　　（ＣＮ５ＣｓＴｈ）　、Ｔ
　ｉ　　（Ｃ５Ｈ５）２、Ｔ　ｉ　　（Ｃ５（ＣＮ３）
５　）２、Ｎ　ｉ　　（Ｃ５Ｈ５）２、Ｎｉ（ＣｇＨ＋
９２、Ｎ１（ＣζＨ７）２、Ｎ１（Ｃ５Ｈヲ）　　（Ｃ
５Ｈ５）、Ｃｏ　　（Ｃ５Ｈ５）　　（Ｌ　　５−Ｃｇ
）ｈ２）、Ｃｏ　　（Ｃ５Ｈ５ＣＨＣβ２）（Ｃ５Ｈ５
）　、Ｃｏ　１２　（Ｃ５Ｈ５）　　（Ｎ　Ｃ３Ｈ３）
等があり、これ以外にもビスマス、クロム、マンガン、
モリブデン、タングステン、銅、パラジウム、金、白金
、銀等の有機金属錯化合物もある。他にも、Ｚｎ（Ｃ２
Ｈ５）２　　、　Ｚ　　ｎ　　　（ＣＧＨ５）２　　、
　Ａ　　Ｉ　　　（Ｃ２Ｈ３）５　　、　Ａ　７２　　
（Ｃ６Ｈ５）５、Ｃｒ（ＣＨ３）埜、Ｃｒ　（Ｃ６Ｈ３
）２、Ｃｒ（Ｃｏ）＋、、Ｃ０２（Ｃｏ）ｇ、　　Ｃｏ
　　　（Ｃ５Ｈ５）２　、　Ｇ　　ｏ　　　（ＣｙＨｓ
）う　、　Ｆｅ（Ｃｏ）５、Ｎｉ　　（Ｇｏ）階等が使
用可能である。また上記の各有機金属化合物は単独で使
用してよいし、或いは混合物として使用してもよく、ま
た溶液の形で使用することかできる。以下、本発明を実
施例について図面参照下に詳細に説明する。

第３図〜第６図は、本発明に基（ａ−３ｉ光電子写真感
光体を例示するものである。

第３図の感光体３９は、Ａｐ等の導電性支持基板４１上
に周期表第１１１Ａ族元素、例えばホウ素がヘビートー
プされたａ−３ｉ：Ｈからなるｐ型電荷ブロッキン層４
２と、周期表第ＨＡ族元素、例えはホウ素がライトドー
プされたａ−３ｉ：Ｈからなる夏型光導電層４３とが積
層された構造からなっている。光導電層４３は暗所抵抗
率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子写真感光体
として充分大きく、光感度（特に可視及び赤外領域の光
に対するもの）が良好である。また周期表第１ＩＩＡ族
元素、例えばホウ素を流量比（ＢＺＨ＆／　Ｓ　ｉ　Ｈ
ｌｌ）＝１〜５００ｐｐｍでドーピングすることによっ
て真性化すなわちｉ型化（固有抵抗１０１１−１０１２
Ωｃｍ）し、高抵抗化できる。この高抵抗化によって電
荷保持能を向上させることができる。これによって、光
感度、電位保持能共に良好な光導電層とすることができ
る。また、上記電荷プロ・ノキング層４２ば、基板４１
からの電子の注入を充分に防くには、周期表第ｎｌＡ族
元素（例えばボロ刈を流量比Ｂ２ＨＧ／　Ｓ　ｉ　Ｈ４
＝　５００〜１００　、　　ＯＯ０１）　ｐｍでドープ
して、Ｐ型（更にはド型）化するとよい。上記した感光
体の各層の厚みについても適切な範囲があり、光導電層
４３は２〜８０μｍ（望ましくは５〜３０μｍ）、ブロ
ッキング層４２は１００人〜１μｍ（望ましくは４００
〜５０００人）とすべきである。光導電層４３が２μｍ
未満であると帯電電位が充分でなく、また８０μｍを越
えることは実用上不適当であり、製膜にも時間がかかる
。フ゛ロッキング層４２も１００人未満であるとブロッ
キング効果がなく、また、１μｍを越えると電荷輸送能
が不良となる。なお、上記の各層は水素を含有すること
が必要である。特に、光導電層４３中の水素含有量は、
ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性
を向上させるために必須不可欠であって、通常は１〜４
Ｑａｔ。

ｍｉｃ％であり、１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％であるのが
より望ましい。また、ブロッキング層４２の導電型を制
御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロン以外
にもＡＩ、Ｇａ、Ｉ　ｎ、Ｔβ等の周期表第１［ＩＡ族
元素を使用できる。このブロッキング層はＮ型化するこ
ともでき、このためにはＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等の周期
表第ＶＡ族元素をトープできる。

第４図の感光体は、へρ等の導電性支持体基板４１上に
、ａ−５ｉＣ：Ｈからなる電荷ブロッキング層４２と、
ａ−３ｉ　Ｎ　：　Ｈからなる光導電層４３とが順次積
層された構造からなっている。

光導電層４３は、特に窒素原子含有量を１〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％（望ましくは１５〜２５ａｔｏｍｉｃ％）とす
ることが好ましい。また上記と同様のホウ素ドーピング
でｉ型化すれば高抵抗化が可能であり、光感度（特に可
視及び赤外領域におし・て）が良好となる。電荷ブロッ
キング層４２については、炭素原子含有量を５〜９Ｑａ
ｔｏｍｉｃ％（望ましくは１０〜５Ｑａｔｏｍｉｃ％）
とすることによって、ρｏ−１０〜１０Ω−Ｃｍと高抵
抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上させることが
できる。このブロッキング層にも上記の如く不純物ドー
ピングを行なってよい。

第５図及び第６図の感光体は、導電性支持基板４１上に
第１のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ層４２、ａ−３ｉ二Ｈ（
光導電）層４３、第２のａ−３ｉＣ：８層４４が順次積
層せしめられたものからなっている。

第１のａ−３ｉＣ：Ｈ層４２は、第６図の例では、主と
して電位保持、電荷輸送及び基板４１に対する接着性向
上の各機能を有し、２μｍ〜８０μｍ（より望ましくは
５μｍ〜３０μｍ）の厚みに形成されるのがよい。第１
のａ−３ｉＣ：ＨＦ１４２は、第５図の例では第４図と
同様に主として電荷プロンキング機能を示す。第６図光
導電層４３は光照射に応じて電荷担体くキャリア）を発
生させるものであって、その厚みは３０００人〜５μｍ
（特に５０００人〜３μｍ）であるのが望ましい。

更に、第２のａ−５ｊＣ：８層４４はこの感光体の表面
電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性
の維持（５度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種
の影響防止）、表面硬度が高いことによる耐剛性の向上
、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転
写性）の向上環の機能を有し、いわば表面改質層として
働（ものである。そして、この第２のａ−３ｉ　Ｃ：　
８層４４の厚のｔは１００人≦ｔ≦５０００人（望まし
くは４００人≦ｔ≦２０００人）とすることが重要であ
る。

第３図〜第６図に例示した各感光体の表面は、既述した
ように欠陥及び欠陥準位が多く存在していて、イオン等
の吸着により電荷のリーク等を生し易い。このために、
各感光体の表面は、本発明に従って、有機金属化合物で
処理され、これにより表面の欠陥が消滅若しくは減少せ
しめられたものとなっている。この処理方法については
後記に詳しく説明する。

次に、上記した感光体の（例えばドラム状）の製造方法
及び装置（グロー放電装置）を第７図について説明する
。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。

なお、図中の６２はｓ　１ＨＩｌ又はガス状シリコン化
合物の供給源、６３はＮＨう又はＮ２等の窒素の供給源
、６４はＣＨｌｌ等の炭化水素ガスの供給源、６５はＡ
ｒ等のキャリアガス供給源、６６は不純物ガス（例えば
Ｂ２Ｈｇ又はＰ　Ｈ３＞供給源、６７は水素ガス供給源
、６８は各流量計である。このグロー放電装置において
、まず支持体である例えばＡｆｆ基板４１の表面を清浄
化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス
圧が１０Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましく
は１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。

次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ
　ｌＨ４又はガス状シリコン化合物、及びＮ　Ｈ３又は
Ｎ２を適当量希釈した混合ガス、及びＣＨ４、Ｂ２Ｈ２
等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０
Ｔ　ｏ　ｒ　ｒの反応圧下で高周波電源５６により高周
波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する。これ
によって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間
でクロー放電分解し、ａ−３ｉ：Ｈ，ａ−３ｉ　Ｃ：　
Ｈ、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　二Ｈを上記の層４２．４３．４
４として基板上に適宜（即ぢ、第３図〜第６図の例に対
応して）堆積させる。

更乙こ、上記のグロー放電装置で作成された感光体に対
し、有機金属化合物、例えばＦ　ｅ　（Ｃ５Ｈ５）２（
フェロセン）の／８液を接触させ、感光体表面を処理す
る。この際、感光体を有機金属化合物溶液拉 中に浸漬してよいし、或いは上記溶液を浸り込ませた布
、フェルト等で感光体表面を拭くようにしてもよい。

上記溶液の濃度はＩ　Ｏｍ　ｏ　Ｉ！　ｅ　／　１〜］
　Ｏｍ　ｏ　（！ｅ／βとすることができる。

この表面処理は１回のみでなく、何度も行なってもよく
、必要に応じて感光体の再生を目的として行なってもよ
い。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記２−３ｉ系の膜形成時に於て、ダンクリング
ボンドを補償するためには、上記したトＩの代りに、或
いはＨと併用してフン素を導入し、ａ−３ｉ　：Ｆ、ａ
−３ｉ　：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｆ、、ａ−３ｉＮ：Ｈ
：Ｆ、、ａ−３ｉＣ：Ｆ゛、ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとする
こともできる。この場合のフン素置は０．０１〜２０ａ
　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％がよ＜、０．５〜１０ａｔｏｍ
ｉｃ％がより望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
により特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４．−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。

第８図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１．３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。

ヘルジャ−７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ヘルジャー７１内を例えは１０〜１０Ｔｏ　
ｒ　ｒの高真空状態とし、当該ヘルシャー７１内には基
板４１を配置してこれをヒーター７５により温度ｌｏｏ
〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００　°ｃに加熱す
ると共に、直流電源７６により基板１に０〜−１０ＫＶ
、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、そ
の出口が基板４１と対向するようへルシャ−７１に出口
を接続して設けた水素ガス放電管７７より活性水素及び
水素イオンをヘルジャー７１内に導入しながら、基板４
１と対向するよう設けたシリコン茎発源７８及び必要で
あればアルミニウム蒸発Ｒ７９を加熱すると共に各上方
のシャッタ＝Ｓを開き、シリコン及びアルミニウムをそ
の蒸発速度比が例えば】：１σゝとなる蒸発速度で同時
に蒸発させ、かつペルジャー４１内へ、放電管７０によ
り活性化されたＮＨ，ガス又はＣＨ１１ガスを適宜導入
し、ごれにより必要あればアルミニウムを所定量含有す
る上述の層４２．４３．４４を形成する。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第９図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間８３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５
より排出される。

この図示の例の放電空間部材８４は二重管構造であって
冷却水を流過せしめ得る構成を有し、８７．８８が冷却
水入口及び出口を示す。８９は一方の電極部材８２の冷
却用フィンである。上記の水素カス放電管７７における
電極間距離は１０〜１５ｃｌＴ＋であり、印加電圧は６
００ｖ、放電空間８３の圧力は１σ２Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程
度とされる。

第８図の装置において、ａ〜３ｉ系の各層を形成した後
、引続いてこの感光体の表面を有機金属化合物で処理し
、上述したと同様に感光体表面に有機金属化合物を作用
させ、欠陥を消滅せしめる工程を実施することができる
。

次に、本発明の具体的な実施例を説明する。

実路世上 トリクロルエチレンで洗浄し、０．】　％ＮａＯＨ水溶
液、０．１％ＨＮ　Ｏ５水溶液でエツチングしたＡｆｌ
トラムを第７図のグロー放電装置内にセ・ノド、反応槽
内を１．　ＯＴ　ｏ　ｒ　ｒ台の高真空度に排気し、支
持体温度を２００°Ｃに加熱した後高純度Ａｒカスを導
入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３゜５６
ＭＨｚ、　１００　Ｗの高周波電力を印加し、１５分間
の予備放電を行った。次いで、（Ａｒ＋５ｉＨｑ）混合
ガス及び必要あればＢ２ＨＧガスをグロー放電分解する
ことにより、キャリア注入を防止するＰ型ａ−３ｉ：Ｈ
と光導電層としてのｉ型ａ−３ｉ）（感光層からなる感
光体（第３図参照）を形成した。

次いで、フェロセン１重量部をメチルアルコール４００
重量部に溶解させた溶液を脱脂綿に浸透させ、この脱脂
綿で上記感光体の表面を拭くことによって、この表面の
一部分を処理した。

この表面処理を施した感光体について、複写機（Ｕ　−
Ｂ　ｉ　ｘ１６００　：小西六写真工業製）、により画
像出しを行なった。その結果、上記表面処理を施した部
分からは、解像力がよく、白抜けがなく、カブリのない
鮮明な画像が得られたのに対し、上記表面処理を施さな
かった部分からは、解像力が悪く、白抜けの多くカブリ
のある画像しか得られなかった。

また、繰返し複写を行なっても、上記表面処理を行なっ
た部分からは安定した良質の画像が続けて得られた。

去丘孤Ｉ 有機金属化合物としてＮ　ｉ　　（Ｃ５Ｈ５）２　　に
ノヶロセン）を用いた以外は実施例１と同様に処理した
。

これＧトよっても、表面処理された感光体は実施例１と
同等の優れた特性を示した。

失施桝主 第８図に示した療養装置内で、支持体上にアルミニウム
ドープト’ａ−３ｉ：Ｈ１ｉと光導電層としてのａ−３
ｉ：８層とをｈＢ次次層層た。ごのときのＨ流量は１５
０ｃｃ／ｍ　ｉ　ｎ、　Ｍ発源は多結晶５ｉａＡＩ２、
蒸発速度比Ｓ　ｉ　／　Ａ　Ｉ２は前者では１／１０、
後者では１／１ｏ″′、蔑発源は電子ビーム加熱方式、
放電管はＤＣ放電管でパワーは３５０Ｗ、基板温度は２
５０°Ｃ１基板電圧は一５ＫＶであった。

そして、得られた感光体を実施例１と同様に表面処理し
た後の画像形成（絵出し）操作及び評価結果は、実施例
１て述べたと同様であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面−憫である。 第２図（Ａ）、（Ｂ）は露光後のａ−３ｉ系感光体の表
面電位の変化を示すグラフである。 第３図〜第９図は本発明の実施例を示すものであって、 第３図、第４図、第５図、第６図は各ａ−３ｉ系感光体
感光断面図、 第７図はグロー放電装置の概略断面図、第８図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第９図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−・−ａ−３ｉ系感光体 ４１−−−−一支持体（基板） ４２−−−−−ブロッキング層又は電荷輸送層４３−−
−−ｍ−光導電層 ４４−−−−−一表面改質層 ５５−−−−−ヒーター ５６一−−高周波電源 ５７−−−−−電極 ６２〜６ローーーーー各ガス供給源 ７０．７７−−−−ガス放電管 ７８．７９−−−−−一蒸発源 である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファスシリコン系の感光体であって、属化合
   物を構成する金属原子が吸着あるいは結合せしめられて
   いる事を特徴とする感光体。 ２、処理されるべき表面側がアモルファス水素化ス水素
   化及び／又はフッ素化窒化シリコン層からなっている、
   特許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、処理されるべき表面を形成する層に周期表第ＨＡ族
   元素が含有されている、特許請求の範囲の第１項又は第
   ２項に記載した感光体。 ４、支持体上にアモルファスシリコン系半導体層を形成
   する工程と、このアモルファスシリコン系メ半導体層の
   表面に有機金属化合一〜：Ｗｉ％＊　ｒ♂１〆′ことを
   特徴とする感光体の製造方法。 ５、有機金属化合物の溶液をアモルファスシリコン系半
   導体層の表面に接触させる、特許請求の範囲の第４項に
   記載した方法。 ６、支持体上にアモルファスシリコン系の層を形成する
   に際し、前記支持体の温度を１００〜３５０°Ｃに保持
   する、特許請求の範囲の第４項又は第５項に記載した方
   法。 °′−１°゛− ７、処理されるべき表面層としてアモルファス水ファス
   水素化及び／又はフッ素化窒化シリコン層を特徴する特
   許請求の範囲の第４項〜第６項のいずれか１項に記載し
   た方法。 ８、処理されるべき表面層に周期表第ｍＡ族元素を含有
   せしめる、特許請求の範囲の第４項〜第７項のいずれか
   １項に記載した方法。