JPH0262860B2

JPH0262860B2 -

Info

Publication number: JPH0262860B2
Application number: JP9206384A
Authority: JP
Inventors: Toshiki Yamazaki; Eiichi Sakai; Tatsuo Nakanishi; Hiroyuki Nomori
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1984-05-09
Filing date: 1984-05-09
Publication date: 1990-12-26
Also published as: JPS60235147A

Description

【発明の詳細な説明】

１産業上の利用分野本発明は感光体、例えば正帯電用の電子写真感
光体に関するものである。２従来技術従来、電子写真感光体として、Se又はSeにAs、
Te、Sb等をドープした感光体、ZnOやCdSを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られてい
る。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染
性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。一方、アモルフアスシリコン（ａ−Si）を母体
として用いた電子写真感光体が近年になつて提案
されている。ａ−Siは、Si−Siの結合手が切れた
いわゆるダングリングボンドを有しており、この
欠陥に起因してエネルギーギヤツプ内に多くの局
在準位が存在する。このため、熱励起担体のホツ
ピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起
担体が局在準位にトラツプされて光導電性が悪く
なつている。そこで、上記欠陥を水素原子(H)で補
償してSiにＨを結合させることによつて、ダング
リングボンドを埋めることが行われる。このようなアモルフアス水素化シリコン（以
下、ａ−Si：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は
10⁸〜10⁹Ω−cmであつて、アモルフアスSeと比較
すれば約１万分の１も低い。従つて、ａ−Si：Ｈ
の単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が
大きく、初期帯電電位が低いという問題点を有し
ている。しかし、他方では、可視及び赤外領域の
光を照射すると抵抗率が大きく減少するため、感
光体の感光層として極めて優れた特性を有してい
る。第１図には、上記のａ−Si：Ｈを母材としたａ
−Si系感光体を組込んだ電子写真複写機が示され
ている。この複写機によれば、キヤビネツト１の
上部には、原稿２を載せるガラス製原稿載置台３
と、原稿２を覆うプラテンカバー４とが配されて
いる。原稿台３の下方では、光源５及び第１反射
用ミラー６を具備した第１ミラーユニツト７から
なる光学走査台が図面左右方向へ直線移動可能に
設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第
１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台
３側からの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８
を介して像担持体としての感光体ドラム９上へス
リツト状に入射するようになつている。ドラム９
の周囲には、コロナ帯電器１０、現像器１１、転
写部１２、分離部１３、クリーニング部１４が
夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６，１７を経て送られら複写紙１８はドラ
ム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着
され、トレイ３５へ排紙される。定着部１９で
は、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー２３と
圧着ローラー２４との間に現像済みの複写紙を通
して定着操作を行なう。しかしながら、ａ−Si：Ｈを表面とする感光体
は、長期に亘つて大気や湿気に曝されることによ
る影響、コロナ放電で生成される化学種の影響等
の如き表面の化学的安定性に関して、これまで十
分な検討がなされていない。例えば１カ月以上放
置したものは湿気の影響を受け、受容電位が著し
く低下することが分つている。一方、アモルフア
ス水素化炭化シリコン（以下、ａ−SiC：Ｈと称
する。）について、その製法や存在が“Phil.
Mag.Vol.35”（1978）等に記載されており、その
特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−
Si：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（10¹²〜10¹³Ω
−cm）を有すること、炭素量により光学的エネル
ギーギヤツプが1.6〜2.8eVの範囲に亘つて変化す
ること等が知られている。但、炭素の含有により
バンドギヤツプが拡がるために長波長感度が不良
となるという欠点がある。こうしたａ−SiC：Ｈとａ−Si：Ｈとを組合せ
た電子写真感光体は例えば特開昭55−127083号公
報において提案されている。これによれば、ａ−
Si：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷
発生層下にａ−SiC：Ｈ層を電荷輸送層として設
けた機能分離型の２層構造を作成し、上層のａ−
Si：Ｈにより広い波長域での光感度を得、かつａ
−Si：Ｈ層とヘテロ接合を形成する下層のａ−
SiC：Ｈにより帯電電位の向上を図つている。し
かしながら、ａ−Si：Ｈ層の暗減衰を充分に防止
できず、帯電電位はなお不充分であつて実用性の
あるものとはならない上に、表面にａ−Si：Ｈ層
が存在していることにより化学的安定性や機械的
強度、耐熱性等が不良となる。一方、特開昭57−17952号公報には、ａ−Si：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−SiC：Ｈ層
を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極
側）に第２のａ−SiC：Ｈ層を電荷輸送層として
形成している。この公知の感光体に関しては、表
面改質層によつて減衰の防止、表面の化学的安定
性等の効果は期待できるものの、次の如き問題点
があることが判明した。即ち、上記の如き表面改質層の構成物質である
ａ−SiC：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）ρ_Dは10¹³Ω
−cmが限界であり、これより大きくはならないた
めに帯電電位の保持性が十分ではない。また、
SiO₂を表面改質層に使用した場合、ρ_Dは高くなる
が、帯電極近傍で発生した活性種（放電雰囲気中
等のイオンや、分子、原子）が表面に吸着され易
く、このために沿面放電が生じて画像流れが生じ
易くなる。これに対し、ａ−SiC：ＨはSiO₂の如
き活性種の吸着は生じ難いが、上記の如くρ_Dが不
充分であつて帯電電位の保持能（特に高温高湿下
における保持能）が悪い。３発明の目的本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的
強度、耐熱性等に優れ、光感度も良好であり、か
つ帯電電位の保持能が良く、沿面放電も生じ難い
感光体を提供するものである。４発明の構成及びその作用効果即ち、本発明による感光体は、支持体上に、ア
モルフアス水素化及び／又はフツ素化炭化及び／
又は窒化シリコンからなり、周期表第ａ族元素
を比較的多量に含有する厚さ400Å〜2μmのＰ型
の電荷ブロツキング層と、アモルフアス水素化及
び／又はフツ素化炭化及び／又は窒化シリコンか
らなり、周期表第ａ族元素を比較的少量含有す
る厚さ10〜30μmの電荷輸送層と、アモルフアス
水素化及び／又はフツ素化シリコンからなる厚さ
１〜5μmの電荷発生層と、アモルフアス水素化及
び／又はフツ素化炭化シリコンからなる厚さ400
〜5000Åの表面改質層とがこの順に設けられ、前
記電荷発生層が10〜30atomic％の水素原子及
び／又は0.5〜10atomic％のフツ素原子を含有し、
かつ、前記表面改質層が１〜20atomic％の酸素
（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合
計原子数を100atomic％とする。）を含有してい
る感光体である。本発明によれば、ａ−SiC系の表面改質層（例
えばアモルフアス水素化炭化シリコン（ａ−
SiC：Ｈ）からなる表面改質相層）を具備せしめ
ているので、ａ−Si系感光体の表面特性について
の欠点を解消することができる。即ち、この表面
改質層はａ−Si系感光体の表面電位特性の改善、
長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（湿
度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影
響防止）、表面硬度が高いことによる耐刷性の向
上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特
に粘着転写性）の向上等の機能を有するものであ
る。しかも、この表面改質層には、酸素が１〜
20atomic％（以下、「atomic％」を単に％と記
す。）含有せしめられているために、表面改質層
の比抵抗が大きく向上（〓10¹³≫−cm）し、特に
高温又は高湿下での帯電電位の保持能が著しく向
上する。逆に酸素原子が１％未満ではそうした効
果がなく、20％を越えると活性種の吸着による画
像流れが生じてしまう。従つて、表面改質層中の
酸素含有量を１〜20％に設定することが必須不可
欠であり、２〜10％とするのが好適である。５実施例以下、本発明を実施例について詳細に説明す
る。第２図は本実施例による正帯電用のａ−Si系電
子写真感光体３９を示すものである。この感光体
３９はAl等のドラム状導電性支持基板４１上に、
周期表第ａ族元素（例えばホウ素）がヘビード
ープされたａ−SiC：ＨからなるＰ型電荷ブロツ
キング層４４と、周期表第ａ族元素（例えばホ
ウ素）がライトドープされたａ−SiC：Ｈからな
る電荷輸送層４２と、ａ−SiC：Ｈからなる電荷
発生層（光導電層）４３と、酸素含有アモルフア
ス水素化炭化シリコン（Ｏ含有ａ−SiC：Ｈ）か
らなる表面改質層４５とが積層された構造からな
つている。光導電層４３は暗所抵抗率ρ_Dと光照射
時の抵抗率ρ_Lとの比が電子写真感光体として充分
大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対す
るもの）が良好である。この感光体３９においては、本発明に基いて、
電荷発生層４３上の表面改質層４５に、SiとＣと
Ｏとの合計原子数に対して１〜20％の酸素を含有
せしめているので、比抵抗の上昇、帯電電位保持
能の向上という顕著な作用効果が得られる。即
ち、第３図に曲線ａで示すように、表面改質層に
単なるａ−SiC：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従つて高められるが10¹²Ω−cm以上
になることが分つている。これに対し、本発明に
基いて、ａ−SiC：Ｈ中に酸素を含有せしめたＯ
含有ａ−SiC：Ｈの場合（酸素含有量は例えば５
％）には、曲線ｂで示すように、比抵抗が大きく
上昇して炭素含有量を決めることによつて10¹³Ω
−cmをはるかに上回る値を示すことが確認され
た。このＯ含有ａ−SiC：Ｈ層４５は感光体の表面
を改質してａ−Si系感光体を実用的に優れたもの
とするために必須不可欠なものである。即ち、表
面での電荷保持と、光照射による表面電位の減衰
という電子写真感光体としての基本的な動作を可
能とするものである。従つて、帯電、光減衰の繰
返し特性が非常に安定しており、長期間（例えば
１カ月以上）放置しておいても良好な電位特性を
再現できる。これに反し、ａ−Si：Ｈを表面とし
た感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受け易く、電位特性の経時変化が著し
くなる。また、ａ−SiC：Ｈは表面硬度が高いた
めに、現像、転写、クリーニング等の工程におお
ける耐摩耗性があり、更に耐熱性も良いことから
粘着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用す
ることができる。上記のような優れた効果を総合的に奏するため
には、ａ−SiC：Ｈ層４５の炭素組成を選択する
ことが重要である。即ち、炭素原子含有量がSi＋
Ｃ＋Ｏ＝100％としたとき10〜70％であることが
望ましい。Ｃ含有量が10％以上であると、上記し
た比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギ
ーギヤツプがほぼ2.0eV以上となり、可視及び赤
外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により
照射光はａ−SiC：Ｈ層（電荷発生層）４３に到
達し易くなる。しかし、Ｃ含有量が10％未満で
は、比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部
分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が70％を越え
ると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失なわ
れ易い上にａ−SiC：Ｈ膜をグロー放電形で形成
するときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量
は70％以下とするのがよい。また、ａ−SiC：Ｈ層４５の膜層を400Å≦ｔ
≦5000Åの範囲内（特に400Å≦ｔ＜2000Å）に
選択することも重要である。即ち、その膜厚が
5000Åを越える場合には、残留電位V_Rが高くな
りすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−Si系感光体
としての良好な特性を失ない易い。また、膜厚を
400Å未満とした場合には、トンネル効果によつ
て電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の低下が生じてしまう。また、上記電荷ブロツキング層４４は、基板４
１からの電子の注入を充分に防ぐには、周期表第
ａ族元素（例えばボロン）を流量比B₂H₆／
SiH₄＝100〜5000ppmでドープして、Ｐ型（更に
はP⁺型）化するとよい。また、電荷輸送層４２
への不純物ドープ量は流量比でB₂H₆／SiH₄＝１
〜20ppmとするとよい。上記した感光体の各層の
厚みについても適切な範囲があり、電荷発生層４
３の膜厚は１〜5μmとする。電荷発生層４３が
1μm未満であると光感度が充分でなく、また5μm
を越えると残留電位が上昇し、実用上充分であ
る。電荷輸送層４２は10〜30μmとする。ブロツ
キング層４４は400Å未満であるとブロツキング
効果が弱く、また、2μmを越えると電荷輸送能が
悪くなり易い。なお、上記の各層は水素を含有することが必要
である。特に、光導電層４３中の水置含有量は、
ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷
保持性を向上させるために必須不可欠であつて、
10〜30％とする。この含有量範囲は表面改質層４
５、ブロツキング層４４及び電荷輸送層４２も同
様とするのがよい。また、ブロツキング層４４の
導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化の
ためにボロン以外にもAl、Ga、In、Tl等の周期
表第ａ族元素を使用できる。なお、上記電荷輸送層４２及び電荷ブロツキン
グ層４４の炭素含有量は10〜30％とするのがよ
い。これら両層４２，４４はまたアモルフアス水
素化窒化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）で構成するこ
ともできる。この場合の窒素含有量は夫々10〜30
％とするのがよい。また、炭素及び窒素の双方を
電荷輸送層に含有せしめることもできる。次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製
造方法及びその装置（グロー放電装置）を第４図
について説明する。この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基
板４１が垂直に回転可能にセツトされ、ヒーター
５５で基板４１を内側から所定温度に加熱し得る
ようになつている。基板４１に対向してその周囲
に、ガス導出口５３付きの円筒状高周波電極５７
が配され、基板４１との間に高周波電源５６によ
りグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の６
２はSiH₄又はガス状シリコン化合物の供給源、
６３はO₂又はガス状酸素化合物の供給源、６４
はCH₄等の炭化水素ガス又はNH₃、N₂等の窒素
化合物ガスの供給源、６５はAr等のキヤリアガ
ス供給源、６６は不純物ガス（例えばB₂H₆）供
給源、６７は各流量計である。このグロー放電装
置において、まず支持体である例えばAl基板４
１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置
し、真空槽５２内のガス圧が10^-6Torrとなるよ
うに調節して排気し、かつ基板４１を所定温度、
特に100〜350℃（望ましくは150〜300℃）に加熱
保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキヤリ
アガスとして、SiH₄又はガス状シリコン化合物、
CH₄（又はNH₃、N₂）、O₂を適宜真空槽５２内に
導入し、例えば0.01〜10Torrの反応圧下で高周
波電源５６により高周波電圧（例えば13.56MHz）
を印加する。これによつて、上記各反応ガスを電
極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｐ
型ａ−SiC：Ｈ又はａ−SiN：Ｈ、ａ−SiC：Ｈ、
ａ−Si：Ｈ、Ｏ含有ａ−SiC：Ｈを上記の層４
４，４２，４３，４５として基板上に連続的に
（即ち、第２図の例に対応して）堆積させる。上記製造方法においては、支持体上にａ−Si系
の層を製膜する工程で支持体温度を100〜350℃と
しているので、感光体の膜質（特に電気的特性）
を良くすることができる。なお、上記ａ−Si系感光体の各層の形成時にお
いて、ダングリングボンドを補償するためには、
上記したＨのかわりに、或いはＨと併用してフツ
素をSiF₄等の形で導入し、ａ−Si：Ｆ、ａ−Si：
Ｈ：Ｆ、ａ−SiN：Ｆ、ａ−SiN：Ｈ：Ｆ、ａ−
SiC：Ｆ、ａ−SiC：Ｈ：Ｆとすることもできる。
この場合のフツ素量は0.5〜10とする。なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によ
るものであるが、これ以外にも、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法や、水素放電管で活
性化又はイオン化された水素導入下でSiを蒸発さ
せる方法（特に、本出願人による特開昭56−
78413号（特願昭54−152455号）の方法）等によ
つても上記感光体の製造が可能である。第５図は、本発明による感光体を上記特開昭56
−78413号の蒸着法により作成するのに用いる蒸
着装置を示すものである。ベルジヤー７１は、バタフライバルブ７２を有
する排気管７３を介して真空ポンプ（図示せず）
を接続し、これにより当該ベルジヤー７１内を例
えば10^-3〜10^-7Torrの高真空状態とする。当該
ベルジヤー７１内には基板４１を配置してこれを
ヒーター７５により温度100〜350℃、好ましくは
150〜300℃に加熱するとともに、直流電源７６に
より基板１に０〜−10KV、好ましくは−１〜−
6KVの直流負電圧を印加する。ａ−SiC：Ｈ層４
３を形成するには、出口が基板４１と対向するよ
うベルジヤー７１に接続して設けた水素ガス放電
管７７より活性水素及び水素イオンをベルジヤー
７１内に導入しながら、基板４１と対向するよう
設けたシリコン蒸発源７８及び必要あればアルミ
ニウム蒸発源７９を加熱すると共に上方のシヤツ
ターＳを開く。不純物ドープドａ−SiC：Ｈ層４
４，４２を形成するにはCH₄の供給下で、シリコ
ン及びアルミニウムをその蒸発速度比が例えば
１：10^-4となる蒸発速度で同時に蒸発させる。Ｏ
含有ａ−SiC：Ｈ層４５は酸素ガスを更に供給す
れば形成できる（但、Alの蒸発は中断）。 CH₄、NH₃、O₂は放電管７０を介して活性化
して適宜導入するとよい。上記の放電管７７，７０の構造を例えば放電管
７７について示すと、第６図の如く、ガス入口８
１を有する筒状の一方の電極部材８２と、この一
方の電極部材８２を一端に設けた、放電空間８３
を囲む例えば筒状ガラス製の放電空間部材８４
と、この放電空間部材８４の他端に設け、出力８
５を有するリング状の他方の電極部材８６とより
成り、前記一方の電極部材８６と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されるこ
とより、ガス入口８１を介して供給された例えば
水素ガスが放電空間８３においてグロー放電を生
じ、これにより電子エネルギー的に賦活された水
素原子若しくは分子より成る活性水素及びイオン
化された水素イオンが出口８５より排出される。
この図示の例の放電空間部材８２は二重管構造で
あつて冷却水を流過せしめ得る構成を有し、８
７，８８が冷却水入口及び出口を示す。８９は一
方の電極部材８２の冷却用フインである。上記の
水素ガス放電管７７における電極間距離は10〜15
cmであり、印加電圧は600V、放電空間８３の圧
力は10^-2Torr程度とされる。以下、本発明を具体的な実施例について説明す
る。グロー放電分解法により、ドラム状Al支持体
上に第２図の構造の電子写真感光体を作製した。
即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持
つドラム状Al基板４１の表面を清浄化した後に、
第４図の真空槽５２内に配置し、真空槽５２内の
ガス圧が10^-6Torrとなるように調節して排気し、
かつ基板４１を所定温度、特に100〜350℃（望ま
しくは150〜300℃）に加熱保持する。次いで、高
純度のArガスをキヤリアガスとして導入し、
0.5Torr背圧のもとで周波数13.56MHzの高周波電
力を印加し、10分間の予備放電を行つた。次い
で、SiH₄とB₂H₆とからなる反応ガスを導入し、
流量比１：１：１：（1.5×10^-3）の（Ar＋SiH₄
＋CH₄＋B₂H₆）混合ガスをグロー放電分解する
ことにより、電荷ブロツキング機能を担うＰ型の
ａ−SiC：Ｈ層４４と電荷輸送層４２とを6μm／
hrの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続
き、B₂H₄及びCH₄を供給停止し、SiH₄を放電分
解し、所定厚さのａ−Si：Ｈ層４３を形成した。
引続いて、流量比４：１：６：１の（Ar＋SiH₄
＋CH₄＋O₂）混合ガスと共にグロー放電分解し、
所定厚さのＯ含有ａ−SiC：Ｈ表面面保護層４５
を更に設け、電子写真感光体を完成させた。この
感光体を用いて、複写機（Ｕ−Bix3000改造機：
小西六写真工業(株)製）により画像出しを行なつた
結果、解像度、階調性がよく、画像濃度が高く、
カブリのない鮮明な画像が得られた。また20万回
の繰り返し複写を行なつても、安定した良質な画
像が続けて得られた。また、各層の組成を種々変化させたところ、下
記表に示す結果が得られた（但、「実」は実施例、
「比」は比較例を示す。）。これによれば、表面改
質層のＯ含有量を１〜20％、特に２〜10％とすれ
ば、感光体の画像再生特性等が大きく向上するこ
とが分る。なお、画質については、◎は画像鮮
明、〇は画像良好、△は画質が実用上採用可能、
×は画質が実用上採用不可を夫々示す。

【表】

【表】上記表中、ａ−SiC：Ｏ：ＨはＯ含有ａ−
SiC：Ｈを表わし、ａ−SiC：Ｏ：Ｈ／ＦはＯ含
有ａ−SiC：Ｈ：Ｆを表わす。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図で
ある。第２図〜第６図は本発明の実施例を示すも
のであつて、第２図はａ−Si系感光体の断面図、
第３図はａ−SiCの比抵抗を比較して示すグラ
フ、第４図はグロー放電装置の概略断面図、第５
図は真空蒸着装置の概略断面図、第６図はガス放
電管の断面図である。なお、図面に示された符号において、３９…ａ
−Si系感光体、４１…支持体（基板）、４２…電
荷輸送層、４３…電荷発生層、４４…電荷ブロツ
キング層、４５…表面改質層、５５…ヒーター、
５６…高周波電源、５７…電極、６２〜６６…各
ガス供給源、７０，７７…ガス放電管、７８，７
９…蒸発源である。

Claims

【特許請求の範囲】１支持体上に、アモルフアス水素化及び／又は
フツ素化炭化及び／又は窒化シリコンからなり、
周期表第ａ族元素を比較的多量に含有する厚さ
400Å〜2μmのＰ型の電荷ブロツキング層と、ア
モルフアス水素化及び／又はフツ素化炭化及び／
又は窒化シリコンからなり、周期表第ａ族元素
を比較的少量含有する厚さ10〜30μmの電荷輸送
層と、アモルフアス水素化及び／又はフツ素化シ
リコンからなる厚さ１〜5μmの電荷発生層と、ア
モルフアス水素化及び／又はフツ素化炭化シリコ
ンからなる厚さ400〜5000Åの表面改質層とがこ
の順に設けられ、前記電荷発生層が10〜
30atomic％の水素原子及び／又は0.5〜10atomic
％のフツ素原子を含有し、かつ、前記表面改質層
が１〜20atomic％の酸素（但、シリコン原子と
炭素原子と酸素原子との合計原子数を100atomic
％とする。）を含有している感光体。２表面改質層の炭素含有量が10〜70atomic％
（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合
計原子数を100atomic％とする。）である、特許
請求の範囲の第１項に記載した感光体。３電荷輸送層が、炭素を含む場合にはその炭素
含有量が10〜30atomic％であり、窒素を含む場
合にはその窒素原子含有量が10〜30atomic％で
ある、特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載
した感光体。４電荷ブロツキング層が、炭素を含む場合には
その炭素含有量が10〜30atomic％であり、窒素
を含む場合にはその窒素原子含有量が10〜
30atomic％である、特許請求の範囲の第１項〜
第３項のいずれか１項に記載した感光体。５電荷ブロツキング層が、ジボランとモノシラ
ンとをジボラン／モノシラン＝100〜5000ppmの
流量比で供給する条件下でのグロー放電分解によ
つて形成されたものであり、電荷輸送層が、ジボ
ランとモノシランとをジボラン／モノシラン＝１
〜20ppmの流量比で供給する条件下でのグロー放
電分解によつて形成されたものである、特許請求
の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記載し
た感光体。