JPS59212843A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59212843A JPS59212843A JP8689483A JP8689483A JPS59212843A JP S59212843 A JPS59212843 A JP S59212843A JP 8689483 A JP8689483 A JP 8689483A JP 8689483 A JP8689483 A JP 8689483A JP S59212843 A JPS59212843 A JP S59212843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- atom content
- sic
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1、産業上の利用分野
本発明は感光体に関し、特に正帯電て使用するのに好適
な電子写真感光体に関するものである。
な電子写真感光体に関するものである。
2、従来技術
技術、電子写真感光体として、Se、又はSe。
にAs、Te、、Sh等をドープした感光体、Znoや
CdSを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られ
ている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、
熱的安定性、機械的強度の点て問題かある。
CdSを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られ
ている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、
熱的安定性、機械的強度の点て問題かある。
一方、アモルファスシリコン(a−Si)を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
a−Siは、Si−Siの結合手か切れたいわゆるタン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルキーキャップ内に多くの局在準位か存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生して暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性か悪くなっている。そごで、上記欠陥を水素原子(
H)で補償してSiにHを結合させることによって、タ
ングリングポンドを埋めることが行われる。
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルキーキャップ内に多くの局在準位か存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生して暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性か悪くなっている。そごで、上記欠陥を水素原子(
H)で補償してSiにHを結合させることによって、タ
ングリングポンドを埋めることが行われる。
このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−S
i:Hと称する。)の暗所での抵抗率は10@〜10Ω
−(:mで&rっで、アモルファスSeと」土中ンずれ
は約1万分の1も低い。従って、δ−Si:11の単j
iからなる感光体は表面電位のIt)減衰速度が大きく
、初期帯電電位が低いという問題点を有し−といる。し
かし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗
率が大きく減少するため、感光体の感光層として極めて
優れた特性を有している。
i:Hと称する。)の暗所での抵抗率は10@〜10Ω
−(:mで&rっで、アモルファスSeと」土中ンずれ
は約1万分の1も低い。従って、δ−Si:11の単j
iからなる感光体は表面電位のIt)減衰速度が大きく
、初期帯電電位が低いという問題点を有し−といる。し
かし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗
率が大きく減少するため、感光体の感光層として極めて
優れた特性を有している。
そごで、このようなa’Si:Hに電位保持能を付与す
るため、ホウ素等をドープすることにより抵抗率をlt
i’Ω−印にまで商めることができるが、ホウ素量等を
そのよりに正fi(1°に制御することは容易ではない
。また、ホウ素等と共に微量の酸素を導入することによ
り101゛Ω−CI11程度の高抵抗化が可能であるが
、ごれを感光体に用いた場合には光感度か低十し、裾切
れの悪化や残留電位の発生という問題が生じる。
るため、ホウ素等をドープすることにより抵抗率をlt
i’Ω−印にまで商めることができるが、ホウ素量等を
そのよりに正fi(1°に制御することは容易ではない
。また、ホウ素等と共に微量の酸素を導入することによ
り101゛Ω−CI11程度の高抵抗化が可能であるが
、ごれを感光体に用いた場合には光感度か低十し、裾切
れの悪化や残留電位の発生という問題が生じる。
また、;3−3i:l−1を表面とする感光体は、長期
に亘って大気や湿気に曝されることによる影響コロナ放
電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定
性に関し乙これ迄十分な検討がなされていない。例えば
1カ月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位
が著しく低下することか分っでいる。一方、アモルファ
ス水素化炭化シリコン(以下、a=sic:Hと称する
。)について、その製法や存在が”Ph11.Mac、
Vol。
に亘って大気や湿気に曝されることによる影響コロナ放
電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定
性に関し乙これ迄十分な検討がなされていない。例えば
1カ月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位
が著しく低下することか分っでいる。一方、アモルファ
ス水素化炭化シリコン(以下、a=sic:Hと称する
。)について、その製法や存在が”Ph11.Mac、
Vol。
35”(1978)等に記載されており、その特性とし
て、耐熱性や表面硬度が高いこと、a−Si:l−1と
比較して問い暗所抵抗率(10〜IOΩcm)を有する
ごと、炭素量により光学的エネルギーギャップか1.6
〜2.8eVの範囲に亘って変化すること等が知られて
いる。但、炭素の含有によりバンドギャップか拡がるた
めに長波長感度か不良となるという欠点かある。
て、耐熱性や表面硬度が高いこと、a−Si:l−1と
比較して問い暗所抵抗率(10〜IOΩcm)を有する
ごと、炭素量により光学的エネルギーギャップか1.6
〜2.8eVの範囲に亘って変化すること等が知られて
いる。但、炭素の含有によりバンドギャップか拡がるた
めに長波長感度か不良となるという欠点かある。
こうしたa−SiC:)Iとa−3i:Hとを111合
せた電子写真感光体は例えば舶開昭55−12708.
’(号公報において提案されている。これによれば、a
−3i:8層を感光(光導電)層とし、この光導電層下
にaSIC:HI層を電荷輸送層として設けた機能分離
型の2層構造を作成し、上層のaSi:I−1により広
い波長域での項感度を得、かつaSi:8層とヘテロ接
合を形成する下層の;J−SiC:Hにより帯電電位の
向上を図っている。しかしながら、a−3i:l−1層
の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分で
あって実用性のあるものとはならない上に、表面にa−
Si:H層が存在していることにより科学的安定性や機
械的強度、耐熱性等が不良となる。
せた電子写真感光体は例えば舶開昭55−12708.
’(号公報において提案されている。これによれば、a
−3i:8層を感光(光導電)層とし、この光導電層下
にaSIC:HI層を電荷輸送層として設けた機能分離
型の2層構造を作成し、上層のaSi:I−1により広
い波長域での項感度を得、かつaSi:8層とヘテロ接
合を形成する下層の;J−SiC:Hにより帯電電位の
向上を図っている。しかしながら、a−3i:l−1層
の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分で
あって実用性のあるものとはならない上に、表面にa−
Si:H層が存在していることにより科学的安定性や機
械的強度、耐熱性等が不良となる。
しかも、電荷輸送層についてはその炭素原子含有量の検
討がなされておらず、また各層の厚み等も考慮されてい
ないために、電子写真感光体として要求される諸特性を
満足したものとはなっていない。
討がなされておらず、また各層の厚み等も考慮されてい
ないために、電子写真感光体として要求される諸特性を
満足したものとはなっていない。
一方、特開昭57−17952号公報には、a−3i:
Hからなる光導電層上に第1のa−SiC:H層を表面
改質層として形成し、裏面上(支持体電極側)に第2の
a−SiC:H層を電荷輸送層として形成して、機能分
離型の3層構造の感光体としている。ごの公知の感光体
に関しては、a−SiC:H層の暗減衰の防止等の効果
はあるが、a−SiC:H層、特に電荷輸送層の炭素原
子含有量について検討かなされζいないので、a−Si
C:H層との接合状態によっては感度低下を生じ、かつ
残留電位も上昇し、多数枚複写に耐える耐久性を有して
はいない。
Hからなる光導電層上に第1のa−SiC:H層を表面
改質層として形成し、裏面上(支持体電極側)に第2の
a−SiC:H層を電荷輸送層として形成して、機能分
離型の3層構造の感光体としている。ごの公知の感光体
に関しては、a−SiC:H層の暗減衰の防止等の効果
はあるが、a−SiC:H層、特に電荷輸送層の炭素原
子含有量について検討かなされζいないので、a−Si
C:H層との接合状態によっては感度低下を生じ、かつ
残留電位も上昇し、多数枚複写に耐える耐久性を有して
はいない。
3、発明の目的
本発明者は、上記した如き従来技術の問題点に鋭意検討
を加え、上記の3層構造の如き機能分離型、感光体の特
長を有する新規な構成の感光体を案出し、特にその電荷
輸送層の炭素原子含有量と電荷輸送層及び電荷ブロッキ
ング層の各不純物濃度が感光体の特性を大きく左右する
ことをつき止め、適切な範囲に炭素原子及び不純吻合自
社を設定することによって特に正帯電時での光感度、残
留電位、電位保持能、耐久性等にすべて優れた感光体を
得ることに成功したものである。
を加え、上記の3層構造の如き機能分離型、感光体の特
長を有する新規な構成の感光体を案出し、特にその電荷
輸送層の炭素原子含有量と電荷輸送層及び電荷ブロッキ
ング層の各不純物濃度が感光体の特性を大きく左右する
ことをつき止め、適切な範囲に炭素原子及び不純吻合自
社を設定することによって特に正帯電時での光感度、残
留電位、電位保持能、耐久性等にすべて優れた感光体を
得ることに成功したものである。
4、発明の構成
即ち、本発明は、アモルファス水素化及び/又はフッ素
化ノリコン(例えはa−SiC:H)からなる光導電層
と、ごの光導電層上に形成されかつアモルファス水素化
及び/又はフッ素化窒化シリコン(例えばa−SiC:
H)からなる表面改質層と、前記光導電層下に形成され
かつ周期表第111A族元索か比軸的少量ドープされた
アモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリコン(
例えばa−SiC:H)からなる電荷輸送層と、この電
荷輸送層下に形成されかつ周期表第111A族元素が比
較的多量ドープされたアモルファス水素化及び/又はフ
ッ素化炭化シリコン(例えばa−SiC:H)からなる
電荷ブロッキング層とを有し、かつ前記電荷輸送層の炭
素原子含有量が10〜30aLom−1層%であること
を特徴とする感光体に係るものである。
化ノリコン(例えはa−SiC:H)からなる光導電層
と、ごの光導電層上に形成されかつアモルファス水素化
及び/又はフッ素化窒化シリコン(例えばa−SiC:
H)からなる表面改質層と、前記光導電層下に形成され
かつ周期表第111A族元索か比軸的少量ドープされた
アモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリコン(
例えばa−SiC:H)からなる電荷輸送層と、この電
荷輸送層下に形成されかつ周期表第111A族元素が比
較的多量ドープされたアモルファス水素化及び/又はフ
ッ素化炭化シリコン(例えばa−SiC:H)からなる
電荷ブロッキング層とを有し、かつ前記電荷輸送層の炭
素原子含有量が10〜30aLom−1層%であること
を特徴とする感光体に係るものである。
5、実施例
以下、本発明による感光体を詳細に例示するが、まず、
本発明に到達するに至った経過を説明する。
本発明に到達するに至った経過を説明する。
第1図に示す感光体は、導電性支持基板1上にa−Si
C:H層(電荷輸送層)2、a−SiC:H層(光導電
層)3、a−SiC:H層(表面数質層)4が順次積層
せしめられたものからなっている。a−SiC:H層2
は主として電位保持、電荷輸送及び基板lに対する接着
性向上の各機能を有し、その炭素原子含有量は10〜3
0atomic%(SlとCの合計総原子数に対する割
合)に設定されることか重要であり、また10μm〜3
0μmの厚みに形成されるのがよい。光導電層3は光照
射に応して電荷担体くキャリア)を発生させるものであ
って、その厚みは2500Å〜5μmであるのが望まし
い。更に、a−SiC:H層4はこの感光体の表面電位
特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維
持(湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影
響防止)、表面硬度が高いごとによる耐刷性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性(特に粘着転写性
)の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として働く
ものである。そして、このa−SiC:H層4の厚めL
は400Å〜5000Å、特に400Å≦t<20(1
0八と従来のものよりずっと薄くすることが重要である
。
C:H層(電荷輸送層)2、a−SiC:H層(光導電
層)3、a−SiC:H層(表面数質層)4が順次積層
せしめられたものからなっている。a−SiC:H層2
は主として電位保持、電荷輸送及び基板lに対する接着
性向上の各機能を有し、その炭素原子含有量は10〜3
0atomic%(SlとCの合計総原子数に対する割
合)に設定されることか重要であり、また10μm〜3
0μmの厚みに形成されるのがよい。光導電層3は光照
射に応して電荷担体くキャリア)を発生させるものであ
って、その厚みは2500Å〜5μmであるのが望まし
い。更に、a−SiC:H層4はこの感光体の表面電位
特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の維
持(湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の影
響防止)、表面硬度が高いごとによる耐刷性の向上、感
光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性(特に粘着転写性
)の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として働く
ものである。そして、このa−SiC:H層4の厚めL
は400Å〜5000Å、特に400Å≦t<20(1
0八と従来のものよりずっと薄くすることが重要である
。
このように感光体を構成するごによって、従来のSe感
光体と圧較して薄い膜厚で高い電位を保持し、可視領域
及び赤外領域の光に対して優れた感度を示し、耐熱性、
耐刷性か良く、かつ安定した対環境性を有するa−Si
系感光体(例えは電子写真用)を提供することができる
のである。
光体と圧較して薄い膜厚で高い電位を保持し、可視領域
及び赤外領域の光に対して優れた感度を示し、耐熱性、
耐刷性か良く、かつ安定した対環境性を有するa−Si
系感光体(例えは電子写真用)を提供することができる
のである。
しかも注目すべきことは、電荷輸送層の炭素原子含有昭
を10〜30atomic%と特定範囲に設定すること
によって、感光体に要求される諸特性を充ニ分に具備し
たものとなっていることである。これを以下に詳細に説
明する。
を10〜30atomic%と特定範囲に設定すること
によって、感光体に要求される諸特性を充ニ分に具備し
たものとなっていることである。これを以下に詳細に説
明する。
まず、a−SiC:Hは一般に、第2図に示す如く、炭
素原子含有量が増加するに伴なってその光学的エネルギ
ーギャップ(1ガ、opL)が増大することが確認され
ている。このEgはバンドギャップに相当するものであ
って、炭素原子含有量を増加させればそれだけ、a−S
iC:HのEg(約1.71eV)との差が大きくなる
、二とが分る。
素原子含有量が増加するに伴なってその光学的エネルギ
ーギャップ(1ガ、opL)が増大することが確認され
ている。このEgはバンドギャップに相当するものであ
って、炭素原子含有量を増加させればそれだけ、a−S
iC:HのEg(約1.71eV)との差が大きくなる
、二とが分る。
一方、炭素原子含有量は、第3図に示す如くa−SiC
:Hの比抵抗(ρ。:暗所低効率、ρ4:緑色光照射時
の抵抗率)を左右し、炭素含有量(即ちEg)を増やせ
ばある範囲以上では光感度(ρ。
:Hの比抵抗(ρ。:暗所低効率、ρ4:緑色光照射時
の抵抗率)を左右し、炭素含有量(即ちEg)を増やせ
ばある範囲以上では光感度(ρ。
/ρ、)が低下し、第4図の如くになる。照射する光の
波長を変化させた場合、第5図の如くに、炭素含有量の
応じてa−SiC:Hの光感度が変化する。
波長を変化させた場合、第5図の如くに、炭素含有量の
応じてa−SiC:Hの光感度が変化する。
第6図には、第1図で述べた層構成の感光体のエネルキ
ーバンドが示されている。このエネルギーバンド図にお
いて、上述した如く電荷輸送層2の炭素原子含有量を1
0〜30atomic%(図示の例では15atom+
c%:Eg=2.1eV)に設定しているので、電荷輸
送層2自体のEgは適切な大きさになっていると共に、
a−SiC:H層3のEg(約1.71eV)との界面
は特に電子に列し実質的に障壁を形成しないハンドキャ
ップを形成するごとになる。即し、この感光体の表面を
負帯電させて動作させる場合、基体1側から○印で示す
ボールか一点鎖線で示す如くに注入されようとするか、
このボールはa−SiC:H層2のもつハレンスハント
Eνのエネルキー障壁を乗り越えることができず、これ
によって感光体表面の負電荷が充分に保持され、暗減衰
が減少し、電位保持能が向上する。しかも、光照射時に
光導電層3中で発生したキャリア(○印で示すボール、
O印で示す電子)のうし、電子の方は混濁ションバンド
Ecが層2と3の間で殆と障壁がない(即ら、エネルギ
ーレベルのマッチングが良好である)ためにa−SiC
:H層2を介して一点鎖線で示すように基体1例へ容易
に移動でき、またボールは薄い表面層4を介して容易に
表面側へ移動して表面負電位を選択的Gこ中和せしめて
静電潜像を効率良く形成する。従って、この感光体は、
上記の電位保持能に加えて光感度も良好である。
ーバンドが示されている。このエネルギーバンド図にお
いて、上述した如く電荷輸送層2の炭素原子含有量を1
0〜30atomic%(図示の例では15atom+
c%:Eg=2.1eV)に設定しているので、電荷輸
送層2自体のEgは適切な大きさになっていると共に、
a−SiC:H層3のEg(約1.71eV)との界面
は特に電子に列し実質的に障壁を形成しないハンドキャ
ップを形成するごとになる。即し、この感光体の表面を
負帯電させて動作させる場合、基体1側から○印で示す
ボールか一点鎖線で示す如くに注入されようとするか、
このボールはa−SiC:H層2のもつハレンスハント
Eνのエネルキー障壁を乗り越えることができず、これ
によって感光体表面の負電荷が充分に保持され、暗減衰
が減少し、電位保持能が向上する。しかも、光照射時に
光導電層3中で発生したキャリア(○印で示すボール、
O印で示す電子)のうし、電子の方は混濁ションバンド
Ecが層2と3の間で殆と障壁がない(即ら、エネルギ
ーレベルのマッチングが良好である)ためにa−SiC
:H層2を介して一点鎖線で示すように基体1例へ容易
に移動でき、またボールは薄い表面層4を介して容易に
表面側へ移動して表面負電位を選択的Gこ中和せしめて
静電潜像を効率良く形成する。従って、この感光体は、
上記の電位保持能に加えて光感度も良好である。
こうした顕著な作用効果を得るには、特に電荷輸送層2
の炭素原子含有量を10〜30atomic%に特定し
なけれはならないごとが明らかにされた。即ち、炭素原
子含有量か10ritomic%未満ては、a−SiC
:Hlpi2の比抵抗か電位保持能に必要な10Ω−C
11を土用る(第3図参照)ために特に帯電電位か不充
分となり、不適当である。また、炭素原子含有量が3(
latomic%を越えると、比抵抗がやはり低下する
と同時に、炭素原子が多すぎてa−SiC:H層中での
欠陥が増えてキャリア輸送能自体か不良となってしまう
。
の炭素原子含有量を10〜30atomic%に特定し
なけれはならないごとが明らかにされた。即ち、炭素原
子含有量か10ritomic%未満ては、a−SiC
:Hlpi2の比抵抗か電位保持能に必要な10Ω−C
11を土用る(第3図参照)ために特に帯電電位か不充
分となり、不適当である。また、炭素原子含有量が3(
latomic%を越えると、比抵抗がやはり低下する
と同時に、炭素原子が多すぎてa−SiC:H層中での
欠陥が増えてキャリア輸送能自体か不良となってしまう
。
また、第1図の感光体は、光導電層3中には周期表第■
A族等の不純物を何らドーピングしていないことも重要
である。つまり、従来技術の如くにa−SiC:H層に
不純物をドーピングしてその高抵抗化(ρ。=10〜1
0Ω−can)を図った場合、不純物ドーピングによっ
て電子のキャリアレンジ(μτ)e、即ち(モビリティ
Xライフタイム)が低下し、これによって光減衰曲線が
裾を引き、感度低下や画質低下を生じてしまう。第7図
は、光導電層3に不純物をドーピングしない上記感光体
の光減衰特性を示すが、光照射時の電位低下が急激であ
っ゛(感度良好であるのに対し、光導電層3に不純物を
ドーピングした場合(後記のグロー放電法において例え
は(BHJ/C3ilb:l−=20ppmとしたとき
)、光照射時に減衰曲線が裾を引いてしまうごとか分っ
た。
A族等の不純物を何らドーピングしていないことも重要
である。つまり、従来技術の如くにa−SiC:H層に
不純物をドーピングしてその高抵抗化(ρ。=10〜1
0Ω−can)を図った場合、不純物ドーピングによっ
て電子のキャリアレンジ(μτ)e、即ち(モビリティ
Xライフタイム)が低下し、これによって光減衰曲線が
裾を引き、感度低下や画質低下を生じてしまう。第7図
は、光導電層3に不純物をドーピングしない上記感光体
の光減衰特性を示すが、光照射時の電位低下が急激であ
っ゛(感度良好であるのに対し、光導電層3に不純物を
ドーピングした場合(後記のグロー放電法において例え
は(BHJ/C3ilb:l−=20ppmとしたとき
)、光照射時に減衰曲線が裾を引いてしまうごとか分っ
た。
本発明者は、第1図に示した如き3層構造の機能分離型
の感光体は一ト記した如き顕:>1な利点を有している
ものの、次に述べるような問題点を有し一〇いることを
つき止めた。
の感光体は一ト記した如き顕:>1な利点を有している
ものの、次に述べるような問題点を有し一〇いることを
つき止めた。
即ち、第1図の感光体は、第6図のエネルギーバンド図
及び上記の説明から理解さるように負帯重用の感光体で
あって、正帯電用としては帯電能か低く、暗減衰が大き
くなってしまう。つまり、第6図から明らかなように、
例えは、電荷輸送層2の炭素原子含有量が15atom
ic%、Eg,optが2.06cVである感光体の表
向を正帯電させて使用する場合、基板1側から電子が電
荷輸送層2のEcを容易に乗り越えて注入されていまい
、表面の正電荷を中和して方面電位を減製させ易い。し
かも、光照射時に光導電層3中て発生したギヤリアのう
ち、ボールは両層づ3−2間のEvのエネルギーギャッ
プ又はエネルギー障壁(八E)によって光導電層3から
電荷輸送層2へ移動するのが困難となる(a−SiのE
g,optは1.71eV、a−3iCのEg,opt
は2.06V)。こうしたごとから、上記感光体は正帯
電時の帯電能が悪くて暗減衰が多く、かつ光感度も乏し
いために、第9図の如き減衰曲線しか得られず、正帯電
用としては使用不適である。
及び上記の説明から理解さるように負帯重用の感光体で
あって、正帯電用としては帯電能か低く、暗減衰が大き
くなってしまう。つまり、第6図から明らかなように、
例えは、電荷輸送層2の炭素原子含有量が15atom
ic%、Eg,optが2.06cVである感光体の表
向を正帯電させて使用する場合、基板1側から電子が電
荷輸送層2のEcを容易に乗り越えて注入されていまい
、表面の正電荷を中和して方面電位を減製させ易い。し
かも、光照射時に光導電層3中て発生したギヤリアのう
ち、ボールは両層づ3−2間のEvのエネルギーギャッ
プ又はエネルギー障壁(八E)によって光導電層3から
電荷輸送層2へ移動するのが困難となる(a−SiのE
g,optは1.71eV、a−3iCのEg,opt
は2.06V)。こうしたごとから、上記感光体は正帯
電時の帯電能が悪くて暗減衰が多く、かつ光感度も乏し
いために、第9図の如き減衰曲線しか得られず、正帯電
用としては使用不適である。
そこで、第10図にボず如く、第1図の感光体において
、基板1からの電子の注入を阻止すべく、電荷輸送層2
と基板1との間にボロンドープドP型a−SiC:H層
5を電荷ブロッキング層として設りるごとが考えられた
。これによって第11図に示す如く、基板1がらの電子
の注入を阻止して感光体表面の正電荷を保持すること(
即ら暗減衰を少なくすること)は可能となるが、上気し
た同様のエネルギー障壁(ΔE)によって光感度が悪く
、第12図に示す如く光照射時に表面電位の裾引きか生
じたしまう。
、基板1からの電子の注入を阻止すべく、電荷輸送層2
と基板1との間にボロンドープドP型a−SiC:H層
5を電荷ブロッキング層として設りるごとが考えられた
。これによって第11図に示す如く、基板1がらの電子
の注入を阻止して感光体表面の正電荷を保持すること(
即ら暗減衰を少なくすること)は可能となるが、上気し
た同様のエネルギー障壁(ΔE)によって光感度が悪く
、第12図に示す如く光照射時に表面電位の裾引きか生
じたしまう。
本発明者は、正帯電時に生じる上記問題点を鋭意検討し
た結果、電荷ブロッキング層5を設りてキャリアの注入
を阻止するだけでは不適当てあり、これに加えて、光導
電層3中に光照射時に生じるホールを効率良く電荷輸送
層2側へ移動させる効果的な手段を講しることが必要で
あるとの認識に到達した。
た結果、電荷ブロッキング層5を設りてキャリアの注入
を阻止するだけでは不適当てあり、これに加えて、光導
電層3中に光照射時に生じるホールを効率良く電荷輸送
層2側へ移動させる効果的な手段を講しることが必要で
あるとの認識に到達した。
こうした手段としては、第2図に示したデータに基き電
荷輸送層2をを構成するa−SiC:Hの炭素含有量を
減らして両層3−2間のΔEを減少させるごとも一案で
あるが、このノこめには炭素原子含有量が10atom
ic%未満と著しく少なくすることか必要であるから、
a−SiC:H層2か低抵抗化して感光体の帯電電位を
大幅に低下させてしまう。
荷輸送層2をを構成するa−SiC:Hの炭素含有量を
減らして両層3−2間のΔEを減少させるごとも一案で
あるが、このノこめには炭素原子含有量が10atom
ic%未満と著しく少なくすることか必要であるから、
a−SiC:H層2か低抵抗化して感光体の帯電電位を
大幅に低下させてしまう。
本発明者は、両層3−2間のEvのレベルマッチングを
とるために、a−SiC:H層2の炭素原子含有量は1
0〜.30.+Lomic%に保持して帯電特性及び輸
送能を良好に保持し2ながら、a−SiC:H層2中に
周期表第■A族元素を比較的少量トービンクすることに
よって、1−記した問題点を充分に解消できることを見
出し、本発明に到達したのである。
とるために、a−SiC:H層2の炭素原子含有量は1
0〜.30.+Lomic%に保持して帯電特性及び輸
送能を良好に保持し2ながら、a−SiC:H層2中に
周期表第■A族元素を比較的少量トービンクすることに
よって、1−記した問題点を充分に解消できることを見
出し、本発明に到達したのである。
即ら、本発明に基く感光体は、基本的には第10図に示
した層構成からなってはいるが、a−3iC:H1督2
に周期表第1IA族元素(例えばボロン)を比較的少量
ドープする一方、電荷ブロッキング用のa−SiC:H
層5には周期表第■A族元素(例えばボロン)を比較的
多量にドープし、かつa−SiC:H層2の炭素原子含
有量ば10〜30aLomit:%に保持することを特
徴とするものである。
した層構成からなってはいるが、a−3iC:H1督2
に周期表第1IA族元素(例えばボロン)を比較的少量
ドープする一方、電荷ブロッキング用のa−SiC:H
層5には周期表第■A族元素(例えばボロン)を比較的
多量にドープし、かつa−SiC:H層2の炭素原子含
有量ば10〜30aLomit:%に保持することを特
徴とするものである。
この結果、第13図に示す如く、a−SiC:H層2は
ボロンドーピングによって光導電層3とのEvに関する
エネルギーギャップが挟まり、両層間のエネルギーレベ
ルのマッチングを充分にとるごとかできるのである。ご
れによっζ、光照射時に光導電I關3中に発生したボー
ルを電荷輸送層2中ヘスムースに注入することか可能と
なる。加えて、電荷ブロッキング層5の存在によって基
板1からの電子の注入も効果的に阻止することができる
。
ボロンドーピングによって光導電層3とのEvに関する
エネルギーギャップが挟まり、両層間のエネルギーレベ
ルのマッチングを充分にとるごとかできるのである。ご
れによっζ、光照射時に光導電I關3中に発生したボー
ルを電荷輸送層2中ヘスムースに注入することか可能と
なる。加えて、電荷ブロッキング層5の存在によって基
板1からの電子の注入も効果的に阻止することができる
。
こうして、第14図に示す如く、正帯電使用にとって充
分な減衰特性を示す感光体をはじめて得ることか可能と
なったのである。即ち、この感光体では、光感度か上昇
し、残留電位が減少ずろと共に、光減衰曲線の裾引きが
なくなり、かつ帯電電位を関く保持できる。
分な減衰特性を示す感光体をはじめて得ることか可能と
なったのである。即ち、この感光体では、光感度か上昇
し、残留電位が減少ずろと共に、光減衰曲線の裾引きが
なくなり、かつ帯電電位を関く保持できる。
なお、上記のa−SiC:H層2の炭素原子含有量は1
0〜30ato%(例えば15atomic%)に設定
すべきであるが、これは上述した理由(即し帯電電位の
保(4、輸送能の向上)に加えて、正帯電時に特有な理
由に基くものである。つまり、仮に炭素含有量を30a
Lomic%を越えて多量にすると、それによってエネ
ルキーキ、トップが拡大され、Evに関する工不ルギー
レベルのマツチングをとるためにボロンドーピング量を
多くする必要がある。
0〜30ato%(例えば15atomic%)に設定
すべきであるが、これは上述した理由(即し帯電電位の
保(4、輸送能の向上)に加えて、正帯電時に特有な理
由に基くものである。つまり、仮に炭素含有量を30a
Lomic%を越えて多量にすると、それによってエネ
ルキーキ、トップが拡大され、Evに関する工不ルギー
レベルのマツチングをとるためにボロンドーピング量を
多くする必要がある。
しかし、このようにボロンドーピング量を多くすると逆
に必要以上に低抵抗化されて帯電特性が不良となり、か
つドーピング量のコントロールが困難なために光導電層
とのエネルギーレベルのマツチングが却ってとり遅くな
る。
に必要以上に低抵抗化されて帯電特性が不良となり、か
つドーピング量のコントロールが困難なために光導電層
とのエネルギーレベルのマツチングが却ってとり遅くな
る。
第13図に例示した本発明に基く感光体を得るには、上
記したようにa−SiC:H層2及び5の各ボロンドー
ピング量が重要である。特に、電荷輸送層が、ジボラン
とモノシランとの流量比を〔B2H6)/(SiH4)
−5=100ppm(例えは10ppm)とする条件下
でのクロー放電分解(後記)によって形成されたもので
あり、かつ電荷ブロッキング層が、シボランとモノシラ
ンとの流量比を(13zH6〕/(Sill+)=20
0〜2000ppm((列えば1000pp+n>とす
る条件下でのグロー放電分解によってP型に形成された
ものであるのか望ましい。
記したようにa−SiC:H層2及び5の各ボロンドー
ピング量が重要である。特に、電荷輸送層が、ジボラン
とモノシランとの流量比を〔B2H6)/(SiH4)
−5=100ppm(例えは10ppm)とする条件下
でのクロー放電分解(後記)によって形成されたもので
あり、かつ電荷ブロッキング層が、シボランとモノシラ
ンとの流量比を(13zH6〕/(Sill+)=20
0〜2000ppm((列えば1000pp+n>とす
る条件下でのグロー放電分解によってP型に形成された
ものであるのか望ましい。
次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。
。
第1のa−SiC:H層(表面改質層)このa−SiC
:H4は感光体の表面を改質してa−Si系感光体を実
用的に優れたものとするために必須不可欠なものである
。即ら、表面での電荷保持と、光照射による表面電イ)
シの減衰という電子写真感光体としての基本的な動作を
可能とするものである。従って、帯電、光減衰の繰返し
特性が非常に安定となり、長期間(例えは1力月以に)
放置しておいても良好な電位牛島性を出現できる。これ
に反し、a−Si:Hを表面とした感光体の場合には、
湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受け易く、電位特
性の経時変化が著しくなる。また、a−SiC:Hは表
面硬度が高いために、現像、転写、クリーニング等の工
程における耐摩耗性があり、更に耐熱性も良い、二とが
ら粘右転写等の如く熱を付与するプロセスを通用ずろこ
とかできる。
:H4は感光体の表面を改質してa−Si系感光体を実
用的に優れたものとするために必須不可欠なものである
。即ら、表面での電荷保持と、光照射による表面電イ)
シの減衰という電子写真感光体としての基本的な動作を
可能とするものである。従って、帯電、光減衰の繰返し
特性が非常に安定となり、長期間(例えは1力月以に)
放置しておいても良好な電位牛島性を出現できる。これ
に反し、a−Si:Hを表面とした感光体の場合には、
湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受け易く、電位特
性の経時変化が著しくなる。また、a−SiC:Hは表
面硬度が高いために、現像、転写、クリーニング等の工
程における耐摩耗性があり、更に耐熱性も良い、二とが
ら粘右転写等の如く熱を付与するプロセスを通用ずろこ
とかできる。
このような憂れた効果を総合的に奏するためには、a−
SiC:H層4の膜厚を上気した400Å<t二500
0Åの範囲内(特に400Å≦t<2000Å)に選択
することが極めて重要である。即ぢ、その膜厚を500
0Å以上にとした場合には、第15図に示す如く、残留
電位■にが高くなりすぎかつ感度El/2(後記)の低
−トも生し、a−Si系感光体としての良好な特性を失
なってしまう。また、)模厚を400Å未満とした場合
には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電されな
くなるため、暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じ
てしまう。従って、a−SiC:H層4の膜厚は500
0Å以下(特に2000Å未満)、400Å以下とする
ことが望ましいか、このような厚み範囲は従来公知の技
術からは全く想定できないものである。
SiC:H層4の膜厚を上気した400Å<t二500
0Åの範囲内(特に400Å≦t<2000Å)に選択
することが極めて重要である。即ぢ、その膜厚を500
0Å以上にとした場合には、第15図に示す如く、残留
電位■にが高くなりすぎかつ感度El/2(後記)の低
−トも生し、a−Si系感光体としての良好な特性を失
なってしまう。また、)模厚を400Å未満とした場合
には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電されな
くなるため、暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じ
てしまう。従って、a−SiC:H層4の膜厚は500
0Å以下(特に2000Å未満)、400Å以下とする
ことが望ましいか、このような厚み範囲は従来公知の技
術からは全く想定できないものである。
また、このa−SiN:H層4については、第2図〜第
5図に示したa−SiC:Hと同様の傾向の特性を示し
、上記した効果を発揮する上でその窒素組成を選択する
ことも重要であることが分った。組成比をa−Si1:
xNx:Hと表わせば、Xを0.1〜0.7とすること
(窒素含有量が10atomic%〜70atomic
%であること)が望ましい。即ち、0.1≦xとすれば
、光学的エネルギーギャップがはぼ2.0eV以上とな
り、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効
果により照射光はa−SiN:H層(電荷発生層)3に
到達することになる(第4図、第5図参照)。述にx<
0.1であると、一部分の光は表面層4に吸収され、感
光体の光感度が低下し易くなる。また、xが0.7を超
えると層の殆んどが窒素となり、半導体特性が失われる
外、a−SiN:H膜をグロー放電法で形成するときの
堆積速度が低下するから、x≦0.7とするのがよい。
5図に示したa−SiC:Hと同様の傾向の特性を示し
、上記した効果を発揮する上でその窒素組成を選択する
ことも重要であることが分った。組成比をa−Si1:
xNx:Hと表わせば、Xを0.1〜0.7とすること
(窒素含有量が10atomic%〜70atomic
%であること)が望ましい。即ち、0.1≦xとすれば
、光学的エネルギーギャップがはぼ2.0eV以上とな
り、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効
果により照射光はa−SiN:H層(電荷発生層)3に
到達することになる(第4図、第5図参照)。述にx<
0.1であると、一部分の光は表面層4に吸収され、感
光体の光感度が低下し易くなる。また、xが0.7を超
えると層の殆んどが窒素となり、半導体特性が失われる
外、a−SiN:H膜をグロー放電法で形成するときの
堆積速度が低下するから、x≦0.7とするのがよい。
第2のa−SiN:H層(電荷輸送層)ごのa−SiC
:H層2は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い、暗所
抵抗率が1012Ω−cm以上あって、耐高電界性を有
し、単位膜厚当りに保持される電位か高く、しかも上述
した不純物ドーピング(ライトドーピング)によって感
光層3から注入されるホールに対する障壁を小さくし、
ホールが大きな移動度と寿命を以って効率よく支持体1
側へ輸送する。また、炭素の組成(10〜30aLom
ic%)によってエネルギーキャップの大きさを調節で
きるため、感光層3において光照射に応して発生したポ
ールに対し障壁を作ることなく、効率よく注入させるこ
とかできる。従ってこのa−SiC:H層2は実用レベ
ルの商い表面電位を保持し、a−SiN:H層3で発生
した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留
電位のない感光体とする働きがある。
:H層2は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い、暗所
抵抗率が1012Ω−cm以上あって、耐高電界性を有
し、単位膜厚当りに保持される電位か高く、しかも上述
した不純物ドーピング(ライトドーピング)によって感
光層3から注入されるホールに対する障壁を小さくし、
ホールが大きな移動度と寿命を以って効率よく支持体1
側へ輸送する。また、炭素の組成(10〜30aLom
ic%)によってエネルギーキャップの大きさを調節で
きるため、感光層3において光照射に応して発生したポ
ールに対し障壁を作ることなく、効率よく注入させるこ
とかできる。従ってこのa−SiC:H層2は実用レベ
ルの商い表面電位を保持し、a−SiN:H層3で発生
した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留
電位のない感光体とする働きがある。
こうした機能を果たすために、a−SiC:H層2の膜
厚は、例えばカールソン方式による乾式現像法を適用す
ためには10μm〜30μmであることが望ましい。こ
の膜厚10μm未満であると薄すぎるために現像に必要
な表面電位が得られず、また30μmを越えるとギヤリ
アの支持体1への到往率か低下してしまう。供、このa
−SiC:H層の膜厚は、Se感光体と比較して薄くし
ても(例えば十数μm)実用レベルの表面電位が得られ
る。
厚は、例えばカールソン方式による乾式現像法を適用す
ためには10μm〜30μmであることが望ましい。こ
の膜厚10μm未満であると薄すぎるために現像に必要
な表面電位が得られず、また30μmを越えるとギヤリ
アの支持体1への到往率か低下してしまう。供、このa
−SiC:H層の膜厚は、Se感光体と比較して薄くし
ても(例えば十数μm)実用レベルの表面電位が得られ
る。
a−SiN:H層(光導電層又は感光層)このa−Si
:H層3は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性を
有するものであって、第5図に示す如く、波長650n
m付近での赤色光に対しρ。/ρ,が最高〜10となる
。このa−Si:Hを感光層として用いれば、可視領域
全域及び赤外領域の光に対して高感度な感光体を作成で
きる。
:H層3は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性を
有するものであって、第5図に示す如く、波長650n
m付近での赤色光に対しρ。/ρ,が最高〜10となる
。このa−Si:Hを感光層として用いれば、可視領域
全域及び赤外領域の光に対して高感度な感光体を作成で
きる。
このように可視光及び赤外光を無駄なく吸収して電荷担
体を発生させるためには、a−Si:H層3の膜厚は2
500Å〜5μmとするのが望ましい。
体を発生させるためには、a−Si:H層3の膜厚は2
500Å〜5μmとするのが望ましい。
膜厚が2500Å未満であると照射された光は全て吸収
されす、一部分は下地のa−SiC:H層2に到達する
ために光感度が大幅に低下する。また、a−SiN:H
層3は大きな電荷輸送能を有するが、抵抗率が〜10°
Ω−cmであってそれ自体としては電位保持性を有して
いないから、感光層として光吸収に必要な厚さ以上に厚
くする必要はなく、その映厚ば最大5μmとすれば充分
である。しかも5μmを越えると、層中においてキャリ
アが横方向へ拡散し易く、却って感度低下となる。
されす、一部分は下地のa−SiC:H層2に到達する
ために光感度が大幅に低下する。また、a−SiN:H
層3は大きな電荷輸送能を有するが、抵抗率が〜10°
Ω−cmであってそれ自体としては電位保持性を有して
いないから、感光層として光吸収に必要な厚さ以上に厚
くする必要はなく、その映厚ば最大5μmとすれば充分
である。しかも5μmを越えると、層中においてキャリ
アが横方向へ拡散し易く、却って感度低下となる。
第3のa−SiN:H層(電荷ブロッキング層)このブ
ロッキング層5は、基板1からの電子の注入を阻止する
のであって、それに必要なエネルギーギャソプ差を基板
1との間に形成すべく、周期表第■A族元素が多めにド
ーピング(ヘビードーピング)されている。このブロッ
キング層はまた、a−SiC:H層からなっているので
、基板1との接着性や膜付きが良いという特性を有して
いる。
ロッキング層5は、基板1からの電子の注入を阻止する
のであって、それに必要なエネルギーギャソプ差を基板
1との間に形成すべく、周期表第■A族元素が多めにド
ーピング(ヘビードーピング)されている。このブロッ
キング層はまた、a−SiC:H層からなっているので
、基板1との接着性や膜付きが良いという特性を有して
いる。
このブロッキング層5は、その機能を充分に発揮させる
には400Å〜1μmの厚みに設けるのかよい。400
Å未満では薄ずきてブロッキン機能か低下し、1μmを
越えると厚くて層自体が低抵抗のためにギヤリアか横方
向へ拡散し易くなる。またブロッキング層5中の炭素原
子含有量は10〜30at(+mic%とするのか望ま
しい。
には400Å〜1μmの厚みに設けるのかよい。400
Å未満では薄ずきてブロッキン機能か低下し、1μmを
越えると厚くて層自体が低抵抗のためにギヤリアか横方
向へ拡散し易くなる。またブロッキング層5中の炭素原
子含有量は10〜30at(+mic%とするのか望ま
しい。
次に、本発明による(合光体を製造するのに使用可能な
装置(グロー放電装置)を第16図について説明する。
装置(グロー放電装置)を第16図について説明する。
この装置11の真空層12内では、上記した基板lか基
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板1を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板1に対向し
て高周波電極17か配され基板lとの間にグロー放電が
生ぜしめられる。なお、図中の20、21、22、23
、24、25、26、27、28、29、30、35、
36、38、39、40は各バルブ、31はSiH4又
はガス状シリコン化合物の供給源、32はCH,又はガ
ス状炭素化合物の供給源、33はAr又は142等のキ
ャリアガス供給源、34はBzHs供給源、37はSi
l”4ガス供給源(フッ素供給源)、41はN2又はガ
ス状窒素化合物供給源である。このグロー放電装置にお
いて、まず支持体である例えばAl基板1の表面を清浄
化した後に真空層12内に配置し、真空層12内のガス
圧がlOTorrとなるようにバルブ36を調節し°(
排気し、かつ基板1を所定温風、例えば200℃に加熱
保持する。次いで、高い純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、SiH+又はガス状シリコン化合物、及びC
H4又はガス状、或いはN2又はガス状窒素化合物を適
当惜希釈した混合ガスを必要あればBzH6と共に真空
層2内に導入し、0、01〜10Torrの反応圧下で
高周波電源16により高周波電力を印加する。これによ
って、上記各反応ガスをグロー放電分解し、水素を含む
ボロンドープドa−SiN:Hを上記の層5.2として
、更に水素を含むa−SiN:Hを上記の層4として基
1上に堆積させる。この際、シリコン化合物と炭素化合
物或いは窒素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整す
ることによって、所望の組成比及び光学的エネルギーギ
ャップを有するa−Si1−xCx:H又はa−Si1
−zNx:H(例えばxが0.3又は0.7程度のもの
まで)を析出させることができ、また析出するa−Si
N:H又はa−SiN:Hの電気的特性にさほどの影響
を与えることなく、1000Å/min以上の速度でa
−SiN:H又はa−SiN:Hを堆積させることが可
能である。更に、a−Si:H(上記の感光層3)を積
層させるには、炭素化合物や窒素化合物を供給しないで
シリコン化合物をグロー放電分解すれはよい。
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板1を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板1に対向し
て高周波電極17か配され基板lとの間にグロー放電が
生ぜしめられる。なお、図中の20、21、22、23
、24、25、26、27、28、29、30、35、
36、38、39、40は各バルブ、31はSiH4又
はガス状シリコン化合物の供給源、32はCH,又はガ
ス状炭素化合物の供給源、33はAr又は142等のキ
ャリアガス供給源、34はBzHs供給源、37はSi
l”4ガス供給源(フッ素供給源)、41はN2又はガ
ス状窒素化合物供給源である。このグロー放電装置にお
いて、まず支持体である例えばAl基板1の表面を清浄
化した後に真空層12内に配置し、真空層12内のガス
圧がlOTorrとなるようにバルブ36を調節し°(
排気し、かつ基板1を所定温風、例えば200℃に加熱
保持する。次いで、高い純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、SiH+又はガス状シリコン化合物、及びC
H4又はガス状、或いはN2又はガス状窒素化合物を適
当惜希釈した混合ガスを必要あればBzH6と共に真空
層2内に導入し、0、01〜10Torrの反応圧下で
高周波電源16により高周波電力を印加する。これによ
って、上記各反応ガスをグロー放電分解し、水素を含む
ボロンドープドa−SiN:Hを上記の層5.2として
、更に水素を含むa−SiN:Hを上記の層4として基
1上に堆積させる。この際、シリコン化合物と炭素化合
物或いは窒素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整す
ることによって、所望の組成比及び光学的エネルギーギ
ャップを有するa−Si1−xCx:H又はa−Si1
−zNx:H(例えばxが0.3又は0.7程度のもの
まで)を析出させることができ、また析出するa−Si
N:H又はa−SiN:Hの電気的特性にさほどの影響
を与えることなく、1000Å/min以上の速度でa
−SiN:H又はa−SiN:Hを堆積させることが可
能である。更に、a−Si:H(上記の感光層3)を積
層させるには、炭素化合物や窒素化合物を供給しないで
シリコン化合物をグロー放電分解すれはよい。
上記のa−SiC:H層5.2及びa−SiN:H層4
ともに、水素を含有することが必要てあるが、水素を含
有しない場合にば感光体の電荷保持特性か実用的なもの
とはならないからである。
ともに、水素を含有することが必要てあるが、水素を含
有しない場合にば感光体の電荷保持特性か実用的なもの
とはならないからである。
このため、水素含有量は10〜;3o、山)mI(%と
ずろのか望ましい。10atomic%未満ではダング
リングボンドの補償が不充分であり、30r+Lomi
c%を越えると却って欠陥が生し易い。
ずろのか望ましい。10atomic%未満ではダング
リングボンドの補償が不充分であり、30r+Lomi
c%を越えると却って欠陥が生し易い。
光導電層3中の水素含有量は、タンクリングボンドを補
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠であって,通常は10〜30atomic%であ
るのが上記と同様の理由がら望ましい。
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠であって,通常は10〜30atomic%であ
るのが上記と同様の理由がら望ましい。
なお、ダングリングボンドを補償するためには、aSi
4こ対しては上記したHの代りに、或いはHと併用して
フッ素を導入し(供給源はSiF4)、a−Si:F、
a−SiN:H:F、a−SiC:F、a−SiC:H
:F、a−SiN:F、a−SiN:H:Fとするごと
もてさる。この場合のフッ素量は0.5〜10atom
ic!%か望ましい。
4こ対しては上記したHの代りに、或いはHと併用して
フッ素を導入し(供給源はSiF4)、a−Si:F、
a−SiN:H:F、a−SiC:F、a−SiC:H
:F、a−SiN:F、a−SiN:H:Fとするごと
もてさる。この場合のフッ素量は0.5〜10atom
ic!%か望ましい。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパンタリンク法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でa−Siを蒸着させる方法(特に、本出
願人による特開昭56−78413号(特願昭54−1
52455号)の方法)等によっても上記感光体の製造
が可能である。
あるが、これ以外にも、スパンタリンク法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でa−Siを蒸着させる方法(特に、本出
願人による特開昭56−78413号(特願昭54−1
52455号)の方法)等によっても上記感光体の製造
が可能である。
使用する反応ガスはSiH4、SiF+以外にもSig
HcSiHF又はその誘導体ガス、CH+以外のCzH
G、C3H8等の低級炭化水素ガスやCF+が使用可能
である。
HcSiHF又はその誘導体ガス、CH+以外のCzH
G、C3H8等の低級炭化水素ガスやCF+が使用可能
である。
次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を置体
的に説明する。
的に説明する。
グロー放電分解法によりAl支持体上に第10図の構造
の電子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清
浄なAl支持体をグロー放電装置の反応(真空)槽内に
設置した。反応槽内を10Torr台の高真空度に排気
し、支持体温度200°Cに加熱した後高純度Alガス
を導入し、0.5Torrの背圧のもとて周波数13.
56MHz、電力密度0.04W/cmの高周波電力を
印加し、15分間の予備放電を行った。次いで、SiH
4とC幽及びB2H+;からなる反応ガスを導入し、流
量比を調節した(Ar+SiH4+CH4+B2H6)
混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッ
キング機能担うa−3iCSH層、電位保持及び電荷輸
送機能をJL!うa−SiC:HIWを350大/mi
nの堆積速度で所定厚さに製膜した。a−3i:H感光
層を形成するには、反応槽を一旦排気した後、CH今は
供給せず、ArをキャリアガスとしてSitセを放電分
解し、所定厚さのa−3i:I−1感光層を形成した。
の電子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清
浄なAl支持体をグロー放電装置の反応(真空)槽内に
設置した。反応槽内を10Torr台の高真空度に排気
し、支持体温度200°Cに加熱した後高純度Alガス
を導入し、0.5Torrの背圧のもとて周波数13.
56MHz、電力密度0.04W/cmの高周波電力を
印加し、15分間の予備放電を行った。次いで、SiH
4とC幽及びB2H+;からなる反応ガスを導入し、流
量比を調節した(Ar+SiH4+CH4+B2H6)
混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッ
キング機能担うa−3iCSH層、電位保持及び電荷輸
送機能をJL!うa−SiC:HIWを350大/mi
nの堆積速度で所定厚さに製膜した。a−3i:H感光
層を形成するには、反応槽を一旦排気した後、CH今は
供給せず、ArをキャリアガスとしてSitセを放電分
解し、所定厚さのa−3i:I−1感光層を形成した。
しかる後、N2を供給し、流量比をlid節し2だ(Δ
r+Sl町+N2)混合ガスをグロー放電分解し、所定
の厚さのa−SiN:H表面改質層を更に設け、電子写
真感光体を完成させた。
r+Sl町+N2)混合ガスをグロー放電分解し、所定
の厚さのa−SiN:H表面改質層を更に設け、電子写
真感光体を完成させた。
このようにして作製した感光体に、正極性で6KVのコ
ロナ放電を行ない、各電子写真特性を測定した。この場
合、感光体の各層の組成、膜厚を種々に変えた各ザンプ
ル(試料No.1−15)を作成したところ、第17図
に示す如き結果が得られた。
ロナ放電を行ない、各電子写真特性を測定した。この場
合、感光体の各層の組成、膜厚を種々に変えた各ザンプ
ル(試料No.1−15)を作成したところ、第17図
に示す如き結果が得られた。
この試験に際しては、上記のようにして作成した電子写
真感光体をエレクトロメーターSP−428型(川口電
機(株)製)に装着し、帯電器の放電電極に対する印加
電圧を+6KVとし、10秒間帯電操作を行ない、この
帯電繰作直後における感光体表面の帯電電位をVo(V
)とし、5秒間の昭減昇後、帯電電位を1/2に減衰せ
しめるために必要な照射光量を半減露光量E1/2(l
ux−sec)とした。表面電位の光減衰曲線はある有
限の電位てフラットとなり、完全にセロとならない場合
かあるが、この電位を残留電位Va(V)と称する。
真感光体をエレクトロメーターSP−428型(川口電
機(株)製)に装着し、帯電器の放電電極に対する印加
電圧を+6KVとし、10秒間帯電操作を行ない、この
帯電繰作直後における感光体表面の帯電電位をVo(V
)とし、5秒間の昭減昇後、帯電電位を1/2に減衰せ
しめるために必要な照射光量を半減露光量E1/2(l
ux−sec)とした。表面電位の光減衰曲線はある有
限の電位てフラットとなり、完全にセロとならない場合
かあるが、この電位を残留電位Va(V)と称する。
また、画質については、感光体をドラム状に作成し、2
0℃、60%RHで電子写真複写機U−Bix■(小西
六写真工業(株)製)に装着し、絵出しを行ない、初期
画質(1000コピ一時の画質)及び多数回使用時の画
質(20万コピー時の画質)を次の如くに評価した。
0℃、60%RHで電子写真複写機U−Bix■(小西
六写真工業(株)製)に装着し、絵出しを行ない、初期
画質(1000コピ一時の画質)及び多数回使用時の画
質(20万コピー時の画質)を次の如くに評価した。
画13°濃1リ1,0以−1=<g)(画質が非當に1
に好)0.6〜1.0(、)(画タダが良好)(1、f
i未〆1))1Δ(画イ象にボケが発仕)X(’/);
”を度が著しく低く利別不fi!j)第17図の表に示
ずデータがら明らがなように、電荷輸送層に不純物ドー
プしない試料No.1に比べて、不純物ドープした構造
の本発明の試料No.2は優れた特性を示すことか分る
。また、試料No.3〜No.6及びNo、12〜15
から明らかなように、ブロッキング層のドープ量を[B
2t−1c:)/(SiI(今)=200〜2000p
pmに設定し、電荷輸送層の同ドープ量を5〜100p
pmに設定すれば、光感度や残留電位を良好な値に保持
しなから多数枚複写時での耐久性を著しく向上させるこ
とができる。更に、各層の組成、厚み等を上述した望ま
しい範囲に設定するのが重要であることも分る。
に好)0.6〜1.0(、)(画タダが良好)(1、f
i未〆1))1Δ(画イ象にボケが発仕)X(’/);
”を度が著しく低く利別不fi!j)第17図の表に示
ずデータがら明らがなように、電荷輸送層に不純物ドー
プしない試料No.1に比べて、不純物ドープした構造
の本発明の試料No.2は優れた特性を示すことか分る
。また、試料No.3〜No.6及びNo、12〜15
から明らかなように、ブロッキング層のドープ量を[B
2t−1c:)/(SiI(今)=200〜2000p
pmに設定し、電荷輸送層の同ドープ量を5〜100p
pmに設定すれば、光感度や残留電位を良好な値に保持
しなから多数枚複写時での耐久性を著しく向上させるこ
とができる。更に、各層の組成、厚み等を上述した望ま
しい範囲に設定するのが重要であることも分る。
6、発明の効果
本発明は、上述した如く、a−SiN系からなる表面改
質層とa−Si系光導電層とa−SiC光電荷輸送層と
a−SiC光電荷ブロッキング層との積層体で感光体を
構成していので、薄い膜厚で高い電位を保持し、可視領
域及び赤外領賎の光に対して優れた感度を示し、耐熱性
、I制刷性か良く、かつ安定した対環境性を有するa−
Si系感光体(例えば電子写真用)を折供することがで
きるのである。
質層とa−Si系光導電層とa−SiC光電荷輸送層と
a−SiC光電荷ブロッキング層との積層体で感光体を
構成していので、薄い膜厚で高い電位を保持し、可視領
域及び赤外領賎の光に対して優れた感度を示し、耐熱性
、I制刷性か良く、かつ安定した対環境性を有するa−
Si系感光体(例えば電子写真用)を折供することがで
きるのである。
また、電荷輸送層の不純物ドーピングによ−2、て先導
重層とのレベルマソチングをとることができるので、光
キャリアの移動をスムースにして光感度を1所めるごと
かできる一方、電荷ブロッキング層の不純物ドーピング
量を多くして不所望な注入キャリアに対するエネルギー
障壁を大きくしているので、帯電電位の保持能及び暗減
衰の防止効果を高めるごとかてきる。
重層とのレベルマソチングをとることができるので、光
キャリアの移動をスムースにして光感度を1所めるごと
かできる一方、電荷ブロッキング層の不純物ドーピング
量を多くして不所望な注入キャリアに対するエネルギー
障壁を大きくしているので、帯電電位の保持能及び暗減
衰の防止効果を高めるごとかてきる。
しかも注目すべきことば、電荷輸送層の炭素原子含有量
を10−10−30ato%と特定範囲に設定すること
によって、感光体に要求される諸性性(特に高感度、低
残留電位、高電位保持能、繰返し耐久性)を充二分に具
備したものとなる。
を10−10−30ato%と特定範囲に設定すること
によって、感光体に要求される諸性性(特に高感度、低
残留電位、高電位保持能、繰返し耐久性)を充二分に具
備したものとなる。
第1図〜第12図は本発明を説明するものであって、
第1図は電子写真感光体の一部分の断面図、第2図は炭
素原子含有量によるa−SiC:Ifの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、 第3図は光学的エネルギーキャップによるa−SiC:
Hの比抵抗の変化を示すグラフ、第4図は光学的エネル
ギーギャップGこよるa−SiC:Hの光感度特性を示
すグラフ、第5図は照射光の波長による光感度特性を比
較して示すグラフ、 第6図は感光体の各層のエネルギーバンド図、第7図は
感光体の電位減衰特性図、 第8図は他の感光体の電位減衰特性図、第9図は正帯電
時の第1図の感光体の電位減衰曲線図、 第1O図は更に他の感光体の一部分の断面図、第11図
は第10図の感光体の各層のエネルギーバンド図、 第12図は正帯電時の第10図の感光体の電位減衰曲線
図、 第13図〜第17図は本発明を例示するものであっって
、 第13図は感光体の各層の工不ルキーハント1ス1、第
14図は正帯電時の感光体の電位減衰曲線図、第15図
は表面改質1−の厚みによる特性変化を示すグクン、 第1(3図は感光体の製造装置の概略断面図、第17図
は各種(・さ光体の特性をまとめて示す図である。 なお、図面に示されている符号において、l支持体(基
板) 2a−SiC:HIT!f(電荷輸送層)3−a−3i
:Hj@光層(光導電層)4、I−SiN:II層(表
面改質層)5電荷ブロッキング層 llグロー放電装置 17−高周波電極 31−ガス状ノリコン化合物供給源 ;32ガス状炭素化合物供給源 ;つ;号キャリアガス供給源 :3ll13zl1g供給源 :37−−Sih供給源 41−ガス状窒素化合物供給源 1で〕IH、opt、−−−−光学的エルギーギャソプ
po/ρ、−暗所抵抗率/光照射時の抵抗率)E1/2
−−−−一−−半減元光量 v、−残留電位 である。 代理人弁理士逢坂宏(他1名) 第1図 ■ 宜2o1 ご 第6図 ( ス 第2図 □ (オージェ電子分紙分和」2よ5) 第9図 時開(利 も10図 第11図 輛12図 嶋141羽 (自発)]二続?ilr正書 昭和59年1月λグ日 特許庁区官若杉和夫殿 1、事件の表示 昭和58年特許側梁86894号 2、発明の名称 感光体 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 住所東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名称(127
)小西六写真工業株式会社4、代理人 住所東京都立川市柴崎町3−9−17鈴木ビル2階6、
補正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)、明細書第10頁下から2行目の「対環境性」を
「耐環境性」と訂正します。 (2)、同第22頁13〜14行目の[第2の・・・・
・・電荷輸送の両機」を下記の通りに訂正します。 記 rlのa−SiC:Hij’T:i’X層)このa−3
i’C:H層は電位保持及び電荷輸送の両機」(3)、
同第25頁頁O行目の「ブロッキン機能」を「ブロッキ
ング機能」と訂正します。 (4)、同第26真下から5行目の[ガス状Jを「ガス
状炭素化合物」と訂正しまず。 (5)、同第30頁5行目のrCH4Jを[CH4及び
BZH6Jと訂正します。 (6)、同第31頁2行目の「5秒間」を「2秒間」と
訂正します。 (7)、同第32頁下から4行目の「対環境性」を1耐
環境性」と訂正します。 一以上−
素原子含有量によるa−SiC:Ifの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、 第3図は光学的エネルギーキャップによるa−SiC:
Hの比抵抗の変化を示すグラフ、第4図は光学的エネル
ギーギャップGこよるa−SiC:Hの光感度特性を示
すグラフ、第5図は照射光の波長による光感度特性を比
較して示すグラフ、 第6図は感光体の各層のエネルギーバンド図、第7図は
感光体の電位減衰特性図、 第8図は他の感光体の電位減衰特性図、第9図は正帯電
時の第1図の感光体の電位減衰曲線図、 第1O図は更に他の感光体の一部分の断面図、第11図
は第10図の感光体の各層のエネルギーバンド図、 第12図は正帯電時の第10図の感光体の電位減衰曲線
図、 第13図〜第17図は本発明を例示するものであっって
、 第13図は感光体の各層の工不ルキーハント1ス1、第
14図は正帯電時の感光体の電位減衰曲線図、第15図
は表面改質1−の厚みによる特性変化を示すグクン、 第1(3図は感光体の製造装置の概略断面図、第17図
は各種(・さ光体の特性をまとめて示す図である。 なお、図面に示されている符号において、l支持体(基
板) 2a−SiC:HIT!f(電荷輸送層)3−a−3i
:Hj@光層(光導電層)4、I−SiN:II層(表
面改質層)5電荷ブロッキング層 llグロー放電装置 17−高周波電極 31−ガス状ノリコン化合物供給源 ;32ガス状炭素化合物供給源 ;つ;号キャリアガス供給源 :3ll13zl1g供給源 :37−−Sih供給源 41−ガス状窒素化合物供給源 1で〕IH、opt、−−−−光学的エルギーギャソプ
po/ρ、−暗所抵抗率/光照射時の抵抗率)E1/2
−−−−一−−半減元光量 v、−残留電位 である。 代理人弁理士逢坂宏(他1名) 第1図 ■ 宜2o1 ご 第6図 ( ス 第2図 □ (オージェ電子分紙分和」2よ5) 第9図 時開(利 も10図 第11図 輛12図 嶋141羽 (自発)]二続?ilr正書 昭和59年1月λグ日 特許庁区官若杉和夫殿 1、事件の表示 昭和58年特許側梁86894号 2、発明の名称 感光体 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 住所東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名称(127
)小西六写真工業株式会社4、代理人 住所東京都立川市柴崎町3−9−17鈴木ビル2階6、
補正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)、明細書第10頁下から2行目の「対環境性」を
「耐環境性」と訂正します。 (2)、同第22頁13〜14行目の[第2の・・・・
・・電荷輸送の両機」を下記の通りに訂正します。 記 rlのa−SiC:Hij’T:i’X層)このa−3
i’C:H層は電位保持及び電荷輸送の両機」(3)、
同第25頁頁O行目の「ブロッキン機能」を「ブロッキ
ング機能」と訂正します。 (4)、同第26真下から5行目の[ガス状Jを「ガス
状炭素化合物」と訂正しまず。 (5)、同第30頁5行目のrCH4Jを[CH4及び
BZH6Jと訂正します。 (6)、同第31頁2行目の「5秒間」を「2秒間」と
訂正します。 (7)、同第32頁下から4行目の「対環境性」を1耐
環境性」と訂正します。 一以上−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンか
らなる光導電層と、この光導電層上に形成されかつアモ
ルファス水素化及び/又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層と、前記光導電層下に形成されかつ周期表
第■A族元素が比較的少量ドープされたアモルファス水
素化及び/又はフッ素化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、この電荷輸送層下に形成されかつ周期表第■A族
元素が比軸的多量ドープされたアモルファス水素化及び
/又はフッ素化炭化シリコンからなる電荷ブロッキング
層とを有し、かつ前記電荷輸送層の炭素原子含有量が1
0〜30aLomic%であるごとを特徴とする感光体
。 2、電荷輸送層が、ジボランとモノシランとの流量比を
〔B2H6〕/〔SeH4〕=5〜100ppとする条
件下でのグロー放電分解によって形成されたものてあり
、かつ電荷ブロッキング層が、シボランとモノシランと
の流量比を〔B2H6〕/〔SeH4〕=200〜20
00ppmとする条件下でのグロー放電分解によってP
型に形成されたものである、特許請求の範囲の第1項に
記載した感光体。 3、電荷輸送層の水素原子含を量が10〜30aLom
ic%(フッ素原子を含有する場合にはフッ素原子含有
量が0.5〜IOatomic%)である、請求の範囲
の第1項又は第2項に記載した感光体。 4、光導電層の水素原子含有量がlG〜30aLomi
(:%(フッ素原子を含有する場合にはフッ素原子含有
量が0.5〜10dtomic%)である、特許請求の
範囲の第1項〜第3項のいずれが1項に記載した感光体
。 5、表面改質層の窒素原子含有量が10〜70atom
i,%てあり、水素原子含有量が10〜30atomi
,%(フッ素原子を含有する場合にはフッ素原子含有量
が0.5〜10aLomic%)である、特許請求の範
囲の第1項〜第4項のいずれか1項に記載した感光体。 6、電荷ブロッキング層の端子原子含有量が10〜30
rILomIc%であり、水素原子含有量が10〜30
i1LOm−1r5%(フッ素原子を含有する場合には
フッ素原子含有量が0.5〜10atomic%)であ
る、特許請求の範囲の第1項〜第5項のいすか1項に記
載した感光体。 7、表面改質層の厚めが400Å〜5000Å、光導電
層の厚みが2500Å〜5μm、電荷輸送層の厚みが1
0μm〜30μm、電荷ブロッキング層の厚みが400
Å〜1μmである、特許請求の範囲の第1項〜第第6項
のいずれか1項に記載した感光体。 8、表面改質層の厚みが400Å〜2000Åである、
特許請求の範囲の第7項に記載した感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8689483A JPH0234020B2 (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | Denshishashinkankotai |
DE3418596A DE3418596A1 (de) | 1983-05-18 | 1984-05-18 | Elektrophotographischer photorezeptor |
US07/011,375 US4794064A (en) | 1983-05-18 | 1987-02-05 | Amorphous silicon electrophotographic receptor having controlled carbon and boron contents |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8689483A JPH0234020B2 (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | Denshishashinkankotai |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59212843A true JPS59212843A (ja) | 1984-12-01 |
JPH0234020B2 JPH0234020B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=13899539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8689483A Expired - Lifetime JPH0234020B2 (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | Denshishashinkankotai |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0234020B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6026345A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-09 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体 |
JPS63127248A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07220522A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Kajima Corp | 化粧用照明装置 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8689483A patent/JPH0234020B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6026345A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-09 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体 |
JPH0462379B2 (ja) * | 1983-07-21 | 1992-10-06 | Seiko Epson Corp | |
JPS63127248A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0234020B2 (ja) | 1990-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0094224B1 (en) | A photoreceptor | |
JPH0233146B2 (ja) | ||
US4794064A (en) | Amorphous silicon electrophotographic receptor having controlled carbon and boron contents | |
JPS59212843A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0233148B2 (ja) | ||
JPS5915940A (ja) | 感光体 | |
JPS58215658A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0234019B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
JPS5967549A (ja) | 記録体 | |
JPH0233145B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
JPS58219561A (ja) | 記録体 | |
JPS5967540A (ja) | 記録体 | |
JPS59212840A (ja) | 感光体 | |
JPS6048045A (ja) | 感光体 | |
JPS5967551A (ja) | 記録体 | |
JPS6048046A (ja) | 感光体 | |
JPS61281249A (ja) | 感光体 | |
JPS6048047A (ja) | 感光体 | |
JPS58215656A (ja) | 記録体 | |
JPS5967548A (ja) | 記録体 | |
JPS6314164A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS61160752A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS5967545A (ja) | 記録体 | |
JPS61165762A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS5967547A (ja) | 記録体 |