JPH01112250A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH01112250A JPH01112250A JP62269705A JP26970587A JPH01112250A JP H01112250 A JPH01112250 A JP H01112250A JP 62269705 A JP62269705 A JP 62269705A JP 26970587 A JP26970587 A JP 26970587A JP H01112250 A JPH01112250 A JP H01112250A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光ダイオードあるいはレーザなどを光源と
して６３０〜８００ｎｍの長波長光を書込み光に用いる
電子写真方式の複写機あるいはプリンタに用いられる電
子写真用感光体に関する。
して６３０〜８００ｎｍの長波長光を書込み光に用いる
電子写真方式の複写機あるいはプリンタに用いられる電
子写真用感光体に関する。
電子写真方式の複写機およびプリンタでは、感光体表面
に静電潜像を形成する書込み光として、波長が６３０〜
８００ｎｍと長波長光が使われている。
に静電潜像を形成する書込み光として、波長が６３０〜
８００ｎｍと長波長光が使われている。
セレン・テルル系合金からなりこのような長波長域でも
感度を持つ電荷発生層を有し、電荷発生層で発生したキ
ャリアを輸送する５ｅＡｓ系合金からなる電荷輸送層お
よび電荷発生層を外部ストレスから保護する表面保護層
から構成されている機能分離型の多層感光体が一般に使
われている。また、表面保護層には耐剛性、耐化学性お
よび耐熱性の観点から５ｅＡｓ系合金が材料として用い
られている。
感度を持つ電荷発生層を有し、電荷発生層で発生したキ
ャリアを輸送する５ｅＡｓ系合金からなる電荷輸送層お
よび電荷発生層を外部ストレスから保護する表面保護層
から構成されている機能分離型の多層感光体が一般に使
われている。また、表面保護層には耐剛性、耐化学性お
よび耐熱性の観点から５ｅＡｓ系合金が材料として用い
られている。
このような表面保護層に用いられる５ｅＡｓ系合金は、
Ａ ｓ ｔ！！Ａ度が高いもの程、耐剛性、耐熱性に優
れているが、Ａ ｓ ９７４度を高くすると表面電荷保
持率が低くなると共に疲労特性が悪くなるという欠点を
有していた。
Ａ ｓ ｔ！！Ａ度が高いもの程、耐剛性、耐熱性に優
れているが、Ａ ｓ ９７４度を高くすると表面電荷保
持率が低くなると共に疲労特性が悪くなるという欠点を
有していた。
プリンタおよび複写機に用いられている感光体は、感光
層がｏＰＣの場合を除けば一般的にプラス帯電が多く用
いられていＡ、プラス帯電において、繰り返しにより表
面電位が低下するのは、電荷発生層でキャリアが発生し
た後正孔は基板側へ、電子は表面へそれぞれ移動するが
、この時表面保護層に電子がトラップされた場合は、負
の空間電荷が形成され、表面の帯電位が減少して行くこ
とになる。また表面保護層のバンドギャップ（非晶質Ｓ
ｅで約２． ＯｅＶ）が小さいと電子が表面へ移動しや
すくなり、やはり帯電電位の低下をきたす。
層がｏＰＣの場合を除けば一般的にプラス帯電が多く用
いられていＡ、プラス帯電において、繰り返しにより表
面電位が低下するのは、電荷発生層でキャリアが発生し
た後正孔は基板側へ、電子は表面へそれぞれ移動するが
、この時表面保護層に電子がトラップされた場合は、負
の空間電荷が形成され、表面の帯電位が減少して行くこ
とになる。また表面保護層のバンドギャップ（非晶質Ｓ
ｅで約２． ＯｅＶ）が小さいと電子が表面へ移動しや
すくなり、やはり帯電電位の低下をきたす。
本発明は、上述のような耐剛性、耐熱性に優れた高Ａｓ
濃度の５ｅ−Ａｓ合金からなる表面保護層を有し、しか
も表面電荷保持率および疲労特性を改善し、繰り返し印
字においても鮮明な画像が得られる電子写真用感光体を
提供することにある。
濃度の５ｅ−Ａｓ合金からなる表面保護層を有し、しか
も表面電荷保持率および疲労特性を改善し、繰り返し印
字においても鮮明な画像が得られる電子写真用感光体を
提供することにある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために本発明は、電荷輸送層が５
ｅＡｓ系合金からなり、光入射側に隣接する電荷発生層
が５ｅＴｅ系合金からなり、表面保護層が５ｅＡｓ系合
金からなる電子写真用感光体において、電荷発生層と表
面保護層の間に純Ｓｅあるいは１０重量％以下のＡｓを
含む５ｅ−Ａｓ合金からなる電子注入抑制層が介在する
ものとする。電子注入抑制層の厚さは１０Ｉｔｍ以下が
望ましい。
ｅＡｓ系合金からなり、光入射側に隣接する電荷発生層
が５ｅＴｅ系合金からなり、表面保護層が５ｅＡｓ系合
金からなる電子写真用感光体において、電荷発生層と表
面保護層の間に純Ｓｅあるいは１０重量％以下のＡｓを
含む５ｅ−Ａｓ合金からなる電子注入抑制層が介在する
ものとする。電子注入抑制層の厚さは１０Ｉｔｍ以下が
望ましい。
表面保護層と電荷発生層の間にこの両層よりバンドギャ
ップの大きい純Ｓｅあるいは１０％以下のＡ３濃度の５
ｅ−Ａｓ合金の層が介在すると、電荷発生層でキャリア
発生した後の電子の表面保護層への移動を抑制し、表面
の帯電位の減少を防ぐ。純ＳｅへのＡ３の添加は、バン
ドギャップの縮小を招くが、耐結晶化性を向上させる作
用がある。電子注入抑制層の膜厚が１０ｎを超えると感
度が減少し、長波長光では特に激減して実用上不可と考
えられる。
ップの大きい純Ｓｅあるいは１０％以下のＡ３濃度の５
ｅ−Ａｓ合金の層が介在すると、電荷発生層でキャリア
発生した後の電子の表面保護層への移動を抑制し、表面
の帯電位の減少を防ぐ。純ＳｅへのＡ３の添加は、バン
ドギャップの縮小を招くが、耐結晶化性を向上させる作
用がある。電子注入抑制層の膜厚が１０ｎを超えると感
度が減少し、長波長光では特に激減して実用上不可と考
えられる。
実施例１：
第１図に示した実施例では、導電性基体１の上に電荷輸
送層２．電荷発生層３が積層されている点は従来と同様
であるが、その上に電子注入抑制層４を介して表面保護
層５が設けられている。この感光体は次の工程で製作さ
れた。
送層２．電荷発生層３が積層されている点は従来と同様
であるが、その上に電子注入抑制層４を介して表面保護
層５が設けられている。この感光体は次の工程で製作さ
れた。
加工および洗浄した直径８０鶴のアルミニウム円筒を蒸
着装置の支持軸に取り付け、アルミニウム基体１の温度
を約１９０℃に保った後、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒま
で真空引きし、その後Ａｓ、Ｓｅ、合金が入った蒸着源
を約４００℃に加熱し、約６０ｎの膜厚を有する電荷輸
送層２を蒸着した０次に電荷発生層３および電子注入抑
制層４をフラッシュ蒸着法により蒸着した。電荷発生層
３として４４重量％Ｔｅ／Ｓｅを約０．５−９電子注入
抑制層４として５重量％Ａｓ／Ｓｅを約２１ｒｍの厚さ
にそれぞれ蒸着した。フラッシュ蒸着は支持軸温度６０
℃、圧力１ ×１０−’Ｔｏｒｒ＋蒸発源温度３５０℃
の条件のもとで行った。さらに電子注入抑制層４の上に
表面保護ゴージて３０重量％＾ｓ／Ｓｅを約３−の厚さ
に蒸着した。
着装置の支持軸に取り付け、アルミニウム基体１の温度
を約１９０℃に保った後、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒま
で真空引きし、その後Ａｓ、Ｓｅ、合金が入った蒸着源
を約４００℃に加熱し、約６０ｎの膜厚を有する電荷輸
送層２を蒸着した０次に電荷発生層３および電子注入抑
制層４をフラッシュ蒸着法により蒸着した。電荷発生層
３として４４重量％Ｔｅ／Ｓｅを約０．５−９電子注入
抑制層４として５重量％Ａｓ／Ｓｅを約２１ｒｍの厚さ
にそれぞれ蒸着した。フラッシュ蒸着は支持軸温度６０
℃、圧力１ ×１０−’Ｔｏｒｒ＋蒸発源温度３５０℃
の条件のもとで行った。さらに電子注入抑制層４の上に
表面保護ゴージて３０重量％＾ｓ／Ｓｅを約３−の厚さ
に蒸着した。
実施例２：
第２図に示した実施例では、図示のように電子注入抑制
層４の厚さが実施例１より薄（５重量％Ａｓ／Ｓｅを約
０．５μの厚さにフラッシュ蒸着法により蒸着した。ア
ルミニウム基体１およびその加工。
層４の厚さが実施例１より薄（５重量％Ａｓ／Ｓｅを約
０．５μの厚さにフラッシュ蒸着法により蒸着した。ア
ルミニウム基体１およびその加工。
洗浄、電荷輸送層２．電荷発生層３および表面保護層５
の蒸着は実施例１と同様である。
の蒸着は実施例１と同様である。
比較例１：
第３図は比較例１の感光体を示すものであり、電子注入
抑制層がなく基体１上の電荷輸送層２゜電荷発生層３お
よび表面保護層５から構成されている。それぞれの層は
実施例１と同様な方法で同様の厚さに蒸着した。
抑制層がなく基体１上の電荷輸送層２゜電荷発生層３お
よび表面保護層５から構成されている。それぞれの層は
実施例１と同様な方法で同様の厚さに蒸着した。
比較例２：
第４図は比較例２の感光体を示すものであり、電子注入
抑制層がなく、基体１上の電荷輸送層２゜電荷発生層３
および表面保護層５から構成されている。この場合は電
荷輸送層２として純セレンを約６０−の厚さに蒸着した
。次に電荷発生層３として４４重量％Ｔｅ／Ｓｅを約０
．５−の厚さに、さらに表面保護層４として１０重量％
Ｔｅ／Ｓｅを厚さ約５μにフラッシュ蒸着法により蒸着
した。
抑制層がなく、基体１上の電荷輸送層２゜電荷発生層３
および表面保護層５から構成されている。この場合は電
荷輸送層２として純セレンを約６０−の厚さに蒸着した
。次に電荷発生層３として４４重量％Ｔｅ／Ｓｅを約０
．５−の厚さに、さらに表面保護層４として１０重量％
Ｔｅ／Ｓｅを厚さ約５μにフラッシュ蒸着法により蒸着
した。
このようにして製作した実施例および比較例の感光体に
ついて、３００サイクル後の疲労特性および表面硬度に
関し室温において評価した結果を第１表に示す。
ついて、３００サイクル後の疲労特性および表面硬度に
関し室温において評価した結果を第１表に示す。
第１表
疲労特性のうちの暗減衰は電荷保持の程度率をあられし
、値の小さいものほど優れている。また帯電低下量およ
び残留電位についても値の小さいものほど電子写真装置
上での裕度が大きくできるという利点を有する。表面硬
度の大きいほど耐剛性が良好で、高濃度Ａｓの５ｅ−Ａ
ｓ合金表面保護層を有する実施例１，２．比較例１が比
較例２よりはるかに耐刷性の優れていることを示す。
、値の小さいものほど優れている。また帯電低下量およ
び残留電位についても値の小さいものほど電子写真装置
上での裕度が大きくできるという利点を有する。表面硬
度の大きいほど耐剛性が良好で、高濃度Ａｓの５ｅ−Ａ
ｓ合金表面保護層を有する実施例１，２．比較例１が比
較例２よりはるかに耐刷性の優れていることを示す。
本発明によれば、電荷発生層と表面保護層の間にバンド
ギャップの大きい電子注入抑制層を設けたことにより、
導電性基体からの電子の注入を抑え、プラス帯電の感光
体の表面電荷の低下が極めて少な（なる。それにより疲
労特性、特に暗減衰および帯電低下を従来に比べ実施例
に示すように約１／３に改善することができ、印字濃度
の繰り返し安定性は非常に良好となった。
ギャップの大きい電子注入抑制層を設けたことにより、
導電性基体からの電子の注入を抑え、プラス帯電の感光
体の表面電荷の低下が極めて少な（なる。それにより疲
労特性、特に暗減衰および帯電低下を従来に比べ実施例
に示すように約１／３に改善することができ、印字濃度
の繰り返し安定性は非常に良好となった。
第１図は実施例１の感光体の部分断面図、第２図は実施
例２の感光体の断面図、第３．第４図はそれぞれ比較例
１，２の感光体断面図である。 １：導電性基体、２：電荷輸送層、３：電荷発生層、４
：電子注入抑制層、５：表面保護層。 第２図 第４図
例２の感光体の断面図、第３．第４図はそれぞれ比較例
１，２の感光体断面図である。 １：導電性基体、２：電荷輸送層、３：電荷発生層、４
：電子注入抑制層、５：表面保護層。 第２図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電荷輸送層がセレン・ひ素合金からなり、光入射側
に隣接する電荷発生層がセレン・テルル系合金からなり
、表口保護層がセレン・ひ素系合金からなるものにおい
て、電荷発生層と表面保護層との間に純セレンあるいは
１０重量％以下のひ素を含むセレン・ひ素合金からなる
電子注入抑制層が介在することを特徴とする電子写真用
感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、電子
注入抑制層の厚さが１０μｍ以下であることを特徴とす
る電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269705A JPH077215B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子写真用感光体 |
| US07/245,686 US4837099A (en) | 1987-10-26 | 1988-09-16 | Multilayer photoconductor for electrophotography |
| DE3836359A DE3836359A1 (de) | 1987-10-26 | 1988-10-25 | Fotoleiter fuer elektrofotografische anwendungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269705A JPH077215B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112250A true JPH01112250A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH077215B2 JPH077215B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17476037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62269705A Expired - Lifetime JPH077215B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837099A (ja) |
| JP (1) | JPH077215B2 (ja) |
| DE (1) | DE3836359A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03149563A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4011267C2 (de) * | 1989-04-12 | 1995-03-23 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial |
| CN105702822B (zh) * | 2016-03-30 | 2017-11-28 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2962376A (en) * | 1958-05-14 | 1960-11-29 | Haloid Xerox Inc | Xerographic member |
| GB1193348A (en) * | 1966-10-03 | 1970-05-28 | Rank Xerox Ltd | Xerographic Process and Apparatus |
| DE2615624C2 (de) * | 1975-04-28 | 1986-01-23 | Xerox Corp., Rochester, N.Y. | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| US4314014A (en) * | 1979-06-15 | 1982-02-02 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic plate and process for preparation thereof |
| JPS58100854A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS58182638A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59162558A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4609605A (en) * | 1985-03-04 | 1986-09-02 | Xerox Corporation | Multi-layered imaging member comprising selenium and tellurium |
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62269705A patent/JPH077215B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-16 US US07/245,686 patent/US4837099A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-25 DE DE3836359A patent/DE3836359A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
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| JPH03149563A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4837099A (en) | 1989-06-06 |
| DE3836359A1 (de) | 1989-05-03 |
| JPH077215B2 (ja) | 1995-01-30 |
| DE3836359C2 (ja) | 1990-02-08 |
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