JPH0157898B2 - - Google Patents
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- JPH0157898B2 JPH0157898B2 JP5872982A JP5872982A JPH0157898B2 JP H0157898 B2 JPH0157898 B2 JP H0157898B2 JP 5872982 A JP5872982 A JP 5872982A JP 5872982 A JP5872982 A JP 5872982A JP H0157898 B2 JPH0157898 B2 JP H0157898B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複写機、レーザプリンタ、フアクシミ
リなどに用いられる電子写真用感光体に関する。
電子写真用感光体は高感度、長寿命、耐熱性、良
好な画質の持続が要求される。ことに最近用いら
れるようになつた一成分現像剤に対しては感光体
の残留電位ができるだけ低く、連続複写などによ
つて残留電位が増大しないことが望まれる。また
PPC複写機の小形化と保守の簡単化のため、長
寿命で耐熱性の良い感光体が望まれる。またレー
ザプリンタに用いる感光体としては、半導体レー
ザの波長域750〜800μmに対して感度を有する必
要が生じる。
リなどに用いられる電子写真用感光体に関する。
電子写真用感光体は高感度、長寿命、耐熱性、良
好な画質の持続が要求される。ことに最近用いら
れるようになつた一成分現像剤に対しては感光体
の残留電位ができるだけ低く、連続複写などによ
つて残留電位が増大しないことが望まれる。また
PPC複写機の小形化と保守の簡単化のため、長
寿命で耐熱性の良い感光体が望まれる。またレー
ザプリンタに用いる感光体としては、半導体レー
ザの波長域750〜800μmに対して感度を有する必
要が生じる。
電子写真用感光体の光導電材料として多く用い
られるセレンに長波長感度を持たせるにはテルル
を添加する。Se−Te合金を用いる感光体は一般
に第１図に示すような機能分離型積層感光層を有
し、例えばアルミニウムからなる導電性基体の上
に電荷移動層（CTL）２および電荷発生層
（CGL）３が積層されている。第２図はCTL２と
して60μmの厚さの純セレン蒸着層、CGL３とし
て2μmの厚さのSe−Te合金蒸着層を備えた感光
体の10V／μmの電界における量子効率の波長依
存性を、Se中のTe重量％をパラメータとして示
したもので、750〜800μmのレーザ光に対しては
35重量％以上のTeの添加が必要なことが分かる。
第３図は同一構造の感光体において、CGL３の
厚さとTeの添加量を変えたもので、800nmの単
色光に対する表面電位の1000Vからの半減衰露光
量を示す。このような多層構造の感光体の表面層
であるCGL３は、連続コピーにより損耗し、厚
さを減ずる。しかしCGLの厚さを増すと、Te濃
度の高い場合には電荷を保持する能力が著しく減
少する。このため第４図に示すようにCGL３の
上にさらにセレン−ひ素合金の保護層４を設け
て、これにより耐刷性と電荷保持能力を向上して
いるものが米国特許第3655377号明細書で公知で
ある。しかしこの感光層を50℃程度の高温に長時
間放置した場合、CGL３中のTeがCTL２および
保護層４へと熱拡散していくので、CGL３にさ
らにAsを添加して熱拡散を防止したものが特開
昭52−4240公報で公知である。その場合、CTL
２は厚さ40〜10μmのSe層、CGL３は厚さ0.1〜
1.0μmで0.1〜40.0重量％のAsと1.0〜50.0重量％の
Teを含むSe−Te−As合金層、保護層４は厚さ
0.1〜5.0μmで0.1〜40.0重量％のAsを含むSe−Te
合金層である。しかしこのような三元合金の
CGLは、原料の調整や品質管理が二元合金より
もはるかに難しく、製造原価がかなり高くなつて
しまうため、汎用のレーザプリンタの低価格化に
充分応じきれない。また、CGLのTe濃度を高め
て半導体レーザ光に対する感度を増感させると残
留電位が100〜200V程度となり、25重量％以下の
Te濃度の場合の40Vにくらべてかなり高くなる。
られるセレンに長波長感度を持たせるにはテルル
を添加する。Se−Te合金を用いる感光体は一般
に第１図に示すような機能分離型積層感光層を有
し、例えばアルミニウムからなる導電性基体の上
に電荷移動層（CTL）２および電荷発生層
（CGL）３が積層されている。第２図はCTL２と
して60μmの厚さの純セレン蒸着層、CGL３とし
て2μmの厚さのSe−Te合金蒸着層を備えた感光
体の10V／μmの電界における量子効率の波長依
存性を、Se中のTe重量％をパラメータとして示
したもので、750〜800μmのレーザ光に対しては
35重量％以上のTeの添加が必要なことが分かる。
第３図は同一構造の感光体において、CGL３の
厚さとTeの添加量を変えたもので、800nmの単
色光に対する表面電位の1000Vからの半減衰露光
量を示す。このような多層構造の感光体の表面層
であるCGL３は、連続コピーにより損耗し、厚
さを減ずる。しかしCGLの厚さを増すと、Te濃
度の高い場合には電荷を保持する能力が著しく減
少する。このため第４図に示すようにCGL３の
上にさらにセレン−ひ素合金の保護層４を設け
て、これにより耐刷性と電荷保持能力を向上して
いるものが米国特許第3655377号明細書で公知で
ある。しかしこの感光層を50℃程度の高温に長時
間放置した場合、CGL３中のTeがCTL２および
保護層４へと熱拡散していくので、CGL３にさ
らにAsを添加して熱拡散を防止したものが特開
昭52−4240公報で公知である。その場合、CTL
２は厚さ40〜10μmのSe層、CGL３は厚さ0.1〜
1.0μmで0.1〜40.0重量％のAsと1.0〜50.0重量％の
Teを含むSe−Te−As合金層、保護層４は厚さ
0.1〜5.0μmで0.1〜40.0重量％のAsを含むSe−Te
合金層である。しかしこのような三元合金の
CGLは、原料の調整や品質管理が二元合金より
もはるかに難しく、製造原価がかなり高くなつて
しまうため、汎用のレーザプリンタの低価格化に
充分応じきれない。また、CGLのTe濃度を高め
て半導体レーザ光に対する感度を増感させると残
留電位が100〜200V程度となり、25重量％以下の
Te濃度の場合の40Vにくらべてかなり高くなる。
本発明は以上の欠点を除去し、半導体レーザ光
の波長域まで増感させた高濃度のSe−Te合金か
らなる電荷発生層を備えた積層感光層の電荷発生
層から電荷移動層あるいは保護層へのTeの熱拡
散による特性変動を少なくし、且つ一成分現像剤
の使用で可能なほど残留電位を低く抑えた低価格
の感光体を提供することを目的とする。
の波長域まで増感させた高濃度のSe−Te合金か
らなる電荷発生層を備えた積層感光層の電荷発生
層から電荷移動層あるいは保護層へのTeの熱拡
散による特性変動を少なくし、且つ一成分現像剤
の使用で可能なほど残留電位を低く抑えた低価格
の感光体を提供することを目的とする。
この目的は電子写真感光体が導電性基体の上に
次の４層を順次積層して成ることによつて達成さ
れる。
次の４層を順次積層して成ることによつて達成さ
れる。
(1) 厚さ30μm以上でTe濃度０〜5.5重量％のSe
またはSe−Te合金からなる電荷移動層。
またはSe−Te合金からなる電荷移動層。
(2) 厚さ0.1〜2μmで隣接する電荷移動層あるい
は電荷発生層との濃度差が25重量％を越えない
Teを含むSe−Te合金からなる中間層。
は電荷発生層との濃度差が25重量％を越えない
Teを含むSe−Te合金からなる中間層。
(3) 厚さ0.4〜2μmでTe濃度35〜45重量％のSe−
Te合金からなる電荷発生層。
Te合金からなる電荷発生層。
(4) 厚さ0.5〜5μmでTe濃度０〜13.5重量％のSe
またはSe−Te合金からなる表面保護層。
またはSe−Te合金からなる表面保護層。
電荷移動層において厚さが30μmより薄いと電
荷がのらなくなり、Te濃度が5.5重量％より高い
と連続充放電後の帯電電位の低下が大きい。中間
層はCGLとしてはたらく第三層からCTLとして
働第一層への正孔の注入を改善するもので、厚さ
が0.1μm以下では効果がなくまた均一な膜が得ら
れず、2μm以上では高温でキヤリアの励起があり
暗電流が発生する。また隣接層との濃度差が25重
量％を超えると残留電位が大きくなり、一成分現
像剤を使用できない。電荷発生層の厚さが0.4μm
以下では熱拡散による感度変動が発生し、2μm以
上では中間層の場合と同様に暗電流が発生する。
Te濃度35重量％以下では前述のようにレーザ光
に対して感度が低く、45重量％以上では感度が高
くなりすぎ、また厚さ0.4μm以上の場合の暗電流
が増加する。表面保護層ではTe濃度が20％を超
えると複写の際のゴーストを生じ、厚さが0.5μm
以下では表面傷が貫通して機械的保護能力がな
く、5μm以上では電子がトラツプされてゴースト
が生じる。
荷がのらなくなり、Te濃度が5.5重量％より高い
と連続充放電後の帯電電位の低下が大きい。中間
層はCGLとしてはたらく第三層からCTLとして
働第一層への正孔の注入を改善するもので、厚さ
が0.1μm以下では効果がなくまた均一な膜が得ら
れず、2μm以上では高温でキヤリアの励起があり
暗電流が発生する。また隣接層との濃度差が25重
量％を超えると残留電位が大きくなり、一成分現
像剤を使用できない。電荷発生層の厚さが0.4μm
以下では熱拡散による感度変動が発生し、2μm以
上では中間層の場合と同様に暗電流が発生する。
Te濃度35重量％以下では前述のようにレーザ光
に対して感度が低く、45重量％以上では感度が高
くなりすぎ、また厚さ0.4μm以上の場合の暗電流
が増加する。表面保護層ではTe濃度が20％を超
えると複写の際のゴーストを生じ、厚さが0.5μm
以下では表面傷が貫通して機械的保護能力がな
く、5μm以上では電子がトラツプされてゴースト
が生じる。
以下図および実験例を参照しながら本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
実験例 １
第５図に示すようにアルミニウム円筒体１の上
に純SeからなるCTLを60μmの厚さに蒸着し、引
き続いてTe22.5重量％を添加したSe−Te合金か
らなる中間層５を2μmの厚さに蒸着し、その上に
CGL３としてTe40重量％のSe−Te合金を
0.65μmの厚さに蒸着、最後に厚さ2μmの純Se表
面層４を設けた。これらの蒸着は電荷移動層の
CTL２に対しては間接蒸着にて行われ、続いて
蒸着される中間層５、電荷発生層のCGL３およ
び表面層４についてはフラツシユ蒸着法にて形成
される。この様にして作製された感光体は、電荷
保持率では１秒保持90％、基体流れ込み電流と帯
電電位との関係も1500Vまでは極めて良好な直線
的関係であり、リーク電流は流れ込み電流に対し
てほとんど無視でき、絶縁体に近い特性を示し
た。この様にして暗中1000Vに帯電させた後、
800nmの波長の単色光を照射したところ、半減衰
露光量で1.5μJ／cm2、残留電位で50Vの良好な結
果を示した。この感光体をさらに乾式二成分現像
剤方式の市販の複写機に装着した結果、極めて鮮
明な画像が得られ、数百枚の連続複写においても
濃度変動や地かぶり等の全くない安定した画像が
得られた。
に純SeからなるCTLを60μmの厚さに蒸着し、引
き続いてTe22.5重量％を添加したSe−Te合金か
らなる中間層５を2μmの厚さに蒸着し、その上に
CGL３としてTe40重量％のSe−Te合金を
0.65μmの厚さに蒸着、最後に厚さ2μmの純Se表
面層４を設けた。これらの蒸着は電荷移動層の
CTL２に対しては間接蒸着にて行われ、続いて
蒸着される中間層５、電荷発生層のCGL３およ
び表面層４についてはフラツシユ蒸着法にて形成
される。この様にして作製された感光体は、電荷
保持率では１秒保持90％、基体流れ込み電流と帯
電電位との関係も1500Vまでは極めて良好な直線
的関係であり、リーク電流は流れ込み電流に対し
てほとんど無視でき、絶縁体に近い特性を示し
た。この様にして暗中1000Vに帯電させた後、
800nmの波長の単色光を照射したところ、半減衰
露光量で1.5μJ／cm2、残留電位で50Vの良好な結
果を示した。この感光体をさらに乾式二成分現像
剤方式の市販の複写機に装着した結果、極めて鮮
明な画像が得られ、数百枚の連続複写においても
濃度変動や地かぶり等の全くない安定した画像が
得られた。
実験例 ２
実験例１の中間層５を省略し、CGL３として
Te40％のSe−Te合金を0.4μmの厚さに蒸着し、
その上に表面層４を2μm蒸着した。この感光体
は、1000Vに帯電したときの800nm半減衰露光量
2μJ／cm2、残留電位が150Vであり、実験例１の場
合の50Vに比較して、中間層５を省略したため残
留電位の上昇が著しい。
Te40％のSe−Te合金を0.4μmの厚さに蒸着し、
その上に表面層４を2μm蒸着した。この感光体
は、1000Vに帯電したときの800nm半減衰露光量
2μJ／cm2、残留電位が150Vであり、実験例１の場
合の50Vに比較して、中間層５を省略したため残
留電位の上昇が著しい。
実験例 ３
実験例２と同様の３層構造で、CGL３のTe濃
度を50重量％とした場合には、厚さ0.25μmで波
長800nmの光に対する半減衰露光量が1.2μJ／cm2
で高感度である。しかしこの感光体と実験例１お
よび２の感光体を45℃に高温放置したところ、実
験例３の感光体では約100時間後に800nmに対す
る半減衰露光量が2.2μJ／cm2、さらに200時間後に
は3.6μJ／cm2とほぼ放置時間に比例して感度が減
少していくことが判明した。これに較べて実験例
１、２の感光体は100〜800時間まで45℃に放置し
約100時間毎に感度を調べたが、全く変動がなか
つた。これは実験例１、２の感光体がCGLの厚
さが充分で、熱拡散の影響による感度の変動がな
いことを示す。
度を50重量％とした場合には、厚さ0.25μmで波
長800nmの光に対する半減衰露光量が1.2μJ／cm2
で高感度である。しかしこの感光体と実験例１お
よび２の感光体を45℃に高温放置したところ、実
験例３の感光体では約100時間後に800nmに対す
る半減衰露光量が2.2μJ／cm2、さらに200時間後に
は3.6μJ／cm2とほぼ放置時間に比例して感度が減
少していくことが判明した。これに較べて実験例
１、２の感光体は100〜800時間まで45℃に放置し
約100時間毎に感度を調べたが、全く変動がなか
つた。これは実験例１、２の感光体がCGLの厚
さが充分で、熱拡散の影響による感度の変動がな
いことを示す。
実験例 ４
実験例１において純Seを用いた表面層４の代
りに、それぞれTe濃度5.5重量％、13.5重量％、
22.5重量％、35重量％のTe濃度のSe−Te合金を
用いて2μmの厚さに蒸着した。第６図はこれらの
感光体の量子効率の分光特性を示し、感光体の感
度は半導体レーザ波長域750〜800nmにおいては
表面層４のTe濃度に関係なく、CGLのTe濃度に
支配されているが、短波長側では表面層のTe濃
度に支配されている。これらの感光体の電荷受容
度、保持率とも35％のものを除いて実験例１とほ
ぼ同一の良好なレベルであつた。これら感光体を
乾式二成分現像剤方式のPPC複写機に装着して
複写試験を行つたところ、Te濃度22.5％および
35％の表面層のものはゴーストを生じたが、他は
良好な画像を得た。
りに、それぞれTe濃度5.5重量％、13.5重量％、
22.5重量％、35重量％のTe濃度のSe−Te合金を
用いて2μmの厚さに蒸着した。第６図はこれらの
感光体の量子効率の分光特性を示し、感光体の感
度は半導体レーザ波長域750〜800nmにおいては
表面層４のTe濃度に関係なく、CGLのTe濃度に
支配されているが、短波長側では表面層のTe濃
度に支配されている。これらの感光体の電荷受容
度、保持率とも35％のものを除いて実験例１とほ
ぼ同一の良好なレベルであつた。これら感光体を
乾式二成分現像剤方式のPPC複写機に装着して
複写試験を行つたところ、Te濃度22.5％および
35％の表面層のものはゴーストを生じたが、他は
良好な画像を得た。
実験例 ５
実験例１においても純Seを用いたCTL２の代
りに、それぞれ2.5重量％、5.5重量％および8.5重
量％のTeを含むSe−Te合金層をCTLとした。こ
れらの感光体を40℃に保つて、帯電電位の連続充
放電時における変動を調べたところ、CTLのTe
濃度が０、2.5、5.5重量％のものは250サイクル
後の帯電電位の低下が90、120、210Vであり、
8.5重量％では260Vであつた。現像系の濃度変化
に対する帯電電位のマージンは通常200V程度で
あり、5.5％以上のTe濃度のCTLを用いること
は、高温時の連続複写で濃度低下を生じ、好まし
くないと言える。
りに、それぞれ2.5重量％、5.5重量％および8.5重
量％のTeを含むSe−Te合金層をCTLとした。こ
れらの感光体を40℃に保つて、帯電電位の連続充
放電時における変動を調べたところ、CTLのTe
濃度が０、2.5、5.5重量％のものは250サイクル
後の帯電電位の低下が90、120、210Vであり、
8.5重量％では260Vであつた。現像系の濃度変化
に対する帯電電位のマージンは通常200V程度で
あり、5.5％以上のTe濃度のCTLを用いること
は、高温時の連続複写で濃度低下を生じ、好まし
くないと言える。
実験例 ６
第５図に示す構造で、表面層４は純Seとし、
中間層５におけるTe濃度を０〜22.5重量％、
CGL３におけるTe濃度を22.5〜50重量％の間で
変化させて感光体を作製し、この感光体に対して
充放電を250サイクル繰返した直後での残留電位
を測定した。この値を縦軸に、CGL３と中間層
５あるいは中間層５とCTL２との間のTe濃度の
差の大きい方横軸にとつて示した第７図に明らか
なように、一方の濃度差が25％を超えると残留電
位が急激に大きくなる。従つて中間層５の濃度
は、CGL３あるいはCTL２との間のTe濃度差が
各々25％を超えない範囲とする必要がある。この
結果は、CGL３の厚さを0.4μmから3μmまで変化
させた感光体について、残留電位はほぼ同じ値を
示すことから、濃度差が大きいとキヤリアのうち
正孔が中間層５とCTL２もしくはCGL３の間で
下層へ注入することが妨げられるためであると推
定される。
中間層５におけるTe濃度を０〜22.5重量％、
CGL３におけるTe濃度を22.5〜50重量％の間で
変化させて感光体を作製し、この感光体に対して
充放電を250サイクル繰返した直後での残留電位
を測定した。この値を縦軸に、CGL３と中間層
５あるいは中間層５とCTL２との間のTe濃度の
差の大きい方横軸にとつて示した第７図に明らか
なように、一方の濃度差が25％を超えると残留電
位が急激に大きくなる。従つて中間層５の濃度
は、CGL３あるいはCTL２との間のTe濃度差が
各々25％を超えない範囲とする必要がある。この
結果は、CGL３の厚さを0.4μmから3μmまで変化
させた感光体について、残留電位はほぼ同じ値を
示すことから、濃度差が大きいとキヤリアのうち
正孔が中間層５とCTL２もしくはCGL３の間で
下層へ注入することが妨げられるためであると推
定される。
以上述べたように本発明は表面保護層を有する
機能分離型積層感光層のSe−Te合金よりなり厚
さ0.4〜2μmの電荷発生層と電荷移動層の間に同
じくSe−Te合金よりなり両層とのTe濃度差が
2.5重量％を超えないような中間層を挿入したも
のであり、これにより半導体レーザの波長域にお
ける感度の向上、残留電位の低減、熱拡散による
感度変動の阻止など並存させることが困難な諸条
件を巧みに満足させることができる。しかも材料
が純SeおよびSe−Te合金のみよりなるため、原
料の調整、回収面で低原価化が図られ、低価格の
半導体レーザプリンタ用あるいは一成分現像剤方
式複写機用などに極めて有効に適用できる。もち
ろんSe−Te合金に本発明の目的に適する範囲で
特性改善のための第三元素を添加することは差支
えない。
機能分離型積層感光層のSe−Te合金よりなり厚
さ0.4〜2μmの電荷発生層と電荷移動層の間に同
じくSe−Te合金よりなり両層とのTe濃度差が
2.5重量％を超えないような中間層を挿入したも
のであり、これにより半導体レーザの波長域にお
ける感度の向上、残留電位の低減、熱拡散による
感度変動の阻止など並存させることが困難な諸条
件を巧みに満足させることができる。しかも材料
が純SeおよびSe−Te合金のみよりなるため、原
料の調整、回収面で低原価化が図られ、低価格の
半導体レーザプリンタ用あるいは一成分現像剤方
式複写機用などに極めて有効に適用できる。もち
ろんSe−Te合金に本発明の目的に適する範囲で
特性改善のための第三元素を添加することは差支
えない。
第１図は従来の電子写真用感光体の一例の部分
断面図、第２図はその電荷発生層（CGL）のTe
濃度をパラメータとした量子効率の分光特性図、
第３図は同じくCGLのTe濃度をパラメータとし
た半減衰露光量とCGLの厚さとの関係線図、第
４図は別の従来例の部分断面図、第５図は本発明
の一実施例の電子写真用感光体の部分断面図、第
６図はその表面層のTe濃度をパラメータとする
量子効率の分光特性図、第７図はその中間層と両
側の層とのTe濃度差に対する残留電位の関係線
図である。 １……導電性基体、２……電荷移動層
（CTL）、３……電荷発生層（CGL）、４……表面
層、５……中間層。
断面図、第２図はその電荷発生層（CGL）のTe
濃度をパラメータとした量子効率の分光特性図、
第３図は同じくCGLのTe濃度をパラメータとし
た半減衰露光量とCGLの厚さとの関係線図、第
４図は別の従来例の部分断面図、第５図は本発明
の一実施例の電子写真用感光体の部分断面図、第
６図はその表面層のTe濃度をパラメータとする
量子効率の分光特性図、第７図はその中間層と両
側の層とのTe濃度差に対する残留電位の関係線
図である。 １……導電性基体、２……電荷移動層
（CTL）、３……電荷発生層（CGL）、４……表面
層、５……中間層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基体上に (1) 厚さ30μm以上でテルル濃度０〜5.5重量％の
セレンまたはセレン・テルル合金からなる電荷
移動層、 (2) 厚さ0.1〜2μmで隣接する電荷移動層あるい
は電荷発生層との濃度差が25重量％を越えない
テルルを含むセレン・テルル合金からなる中間
層、 (3) 厚さ0.4〜2μmでテルル濃度35〜45重量％の
セレン・テルル合金からなる電荷発生層および (4) 厚さ0.5〜5μmでテルル濃度０〜13.5重量％の
セレンまたはセレン・テルル合金からなる表面
保護層 の４層を順次積層して成ることを特徴とする電子
写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5872982A JPS58174952A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5872982A JPS58174952A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174952A JPS58174952A (ja) | 1983-10-14 |
| JPH0157898B2 true JPH0157898B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=13092587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5872982A Granted JPS58174952A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58174952A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP5872982A patent/JPS58174952A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58174952A (ja) | 1983-10-14 |
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