JPS5967539A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS5967539A JPS5967539A JP17803882A JP17803882A JPS5967539A JP S5967539 A JPS5967539 A JP S5967539A JP 17803882 A JP17803882 A JP 17803882A JP 17803882 A JP17803882 A JP 17803882A JP S5967539 A JPS5967539 A JP S5967539A
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- photoconductive
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体に感する。
電子写真用感光体は、適用される電子写真プロセスに応
じて各種の層構成が存在する。代表的な層構成の一つと
しては、支持体上に光導電層を形成し、さらにその上に
絶縁層を備えたタイプの感光体がある。このような感光
体を用いた電子写真プロセスにおいては、次のような静
電潜像形成法がよく知られている。まず、初期帯電時に
支持体側から帯電極性とは逆極性の電荷を注入させ、次
にオリジナルを反映した光像パターンを表面側に照射す
ると同時に、初期帯電とは逆極性の帯電器により再帯電
を行う。最後に全面露光を行い、絶縁層の両側をはさん
で釣合う電荷によって静電潜像が形成される。このよう
な電子写真用感光体に用いられる非晶質光電性材料とし
ては、Ｓｅ、あるいはＴｅＸＡＳ等を含むＳｅ合金が用
いられる。Ｃｄｓも用いられる。
じて各種の層構成が存在する。代表的な層構成の一つと
しては、支持体上に光導電層を形成し、さらにその上に
絶縁層を備えたタイプの感光体がある。このような感光
体を用いた電子写真プロセスにおいては、次のような静
電潜像形成法がよく知られている。まず、初期帯電時に
支持体側から帯電極性とは逆極性の電荷を注入させ、次
にオリジナルを反映した光像パターンを表面側に照射す
ると同時に、初期帯電とは逆極性の帯電器により再帯電
を行う。最後に全面露光を行い、絶縁層の両側をはさん
で釣合う電荷によって静電潜像が形成される。このよう
な電子写真用感光体に用いられる非晶質光電性材料とし
ては、Ｓｅ、あるいはＴｅＸＡＳ等を含むＳｅ合金が用
いられる。Ｃｄｓも用いられる。
また、電子写真用感光体の用途によっては、より長波長
領域の光に対して感度をもだせるために、通常の光導電
層の上にさらに高感度な光導電層が積層される。このよ
うな積層型の電子写真用感光体は、例えばカラー電子写
真複写機、コンピューター等の端末出力装量としてのレ
ーザビームプリンターなどに有効である。
領域の光に対して感度をもだせるために、通常の光導電
層の上にさらに高感度な光導電層が積層される。このよ
うな積層型の電子写真用感光体は、例えばカラー電子写
真複写機、コンピューター等の端末出力装量としてのレ
ーザビームプリンターなどに有効である。
上記のような光導電層上に積層される高感度な光導電層
としては、非晶質Ｓ ｅ ／Ｔ ｅ合金が有利である。
としては、非晶質Ｓ ｅ ／Ｔ ｅ合金が有利である。
なぜならば、ＳｅとＴｅは、全率固溶体を形成するだめ
に任意の比率でＴｅを添加することが可能であり、この
Ｔｅの比率を変えるだけで所望の長波長光感度を容易に
実現できるからである。しかし、このようにして積層し
た光導電層上に絶縁層を適用し、前述した電子写真プロ
セスを行うと、絶縁層直下にある高感度（非晶質）光導
電層内での電荷の保持力が弱いため、再帯電時において
未露光部でも再審電荷がかなり進み、十分な暗部電位を
形成することが困難になるという欠点がある。
に任意の比率でＴｅを添加することが可能であり、この
Ｔｅの比率を変えるだけで所望の長波長光感度を容易に
実現できるからである。しかし、このようにして積層し
た光導電層上に絶縁層を適用し、前述した電子写真プロ
セスを行うと、絶縁層直下にある高感度（非晶質）光導
電層内での電荷の保持力が弱いため、再帯電時において
未露光部でも再審電荷がかなり進み、十分な暗部電位を
形成することが困難になるという欠点がある。
また、との欠点を除去するだめには絶縁層と高感度光導
電層との間に電荷保持層として非晶質Ｓｅを形成させる
ことが考えられる。しかし、非晶質Ｓｅを（積層）光導
電層の表面に配置させると、非晶質Ｓｅが非晶質Ｓｅ／
Ｔｅと比較して結晶化温度が低いために、耐熱性、耐結
晶化性を低下させ、高温での信頼性を損なうことになる
。
電層との間に電荷保持層として非晶質Ｓｅを形成させる
ことが考えられる。しかし、非晶質Ｓｅを（積層）光導
電層の表面に配置させると、非晶質Ｓｅが非晶質Ｓｅ／
Ｔｅと比較して結晶化温度が低いために、耐熱性、耐結
晶化性を低下させ、高温での信頼性を損なうことになる
。
したがって、本発明の目的は、上述のような欠点を除去
して、電荷保持力を高め、しかも耐熱性、耐結晶化性の
観点からも十分な信頼性を持つ積層型光導電層を有する
電子写真用感光体を提供することである。
して、電荷保持力を高め、しかも耐熱性、耐結晶化性の
観点からも十分な信頼性を持つ積層型光導電層を有する
電子写真用感光体を提供することである。
この目的は、導電性支持体、光導電層及び絶縁層から成
る電子写真用感光体において、該光導電層として、支持
体側より電荷輸送性の光導電層、高感度光導電層よりな
る電荷発生層及び低感度光導電層よりなる電荷保持層を
積層した三層構造を形成させることによって達成される
。
る電子写真用感光体において、該光導電層として、支持
体側より電荷輸送性の光導電層、高感度光導電層よりな
る電荷発生層及び低感度光導電層よりなる電荷保持層を
積層した三層構造を形成させることによって達成される
。
本発明に従う感光体の層構成は、第１図に示す通りであ
る。
る。
本発明の好ましい具体例に従えば、第１図に示すように
、導電性支持体１の側より、電荷輸送性に優れた材料と
して非晶質Ｓｅよシなる電荷輸送性光導電層２、長波長
光にも十分な感度を持つ高濃度Ｔｅ添加の非晶質Ｓ ｅ
／Ｔ ｅよりなる高感度光導電層である電荷発生層３
、低濃度Ｔｅ添加の非晶質Ｓｅ／Ｔｅより々る低感度光
導電層である電荷保持層４が支持体１上に積層される。
、導電性支持体１の側より、電荷輸送性に優れた材料と
して非晶質Ｓｅよシなる電荷輸送性光導電層２、長波長
光にも十分な感度を持つ高濃度Ｔｅ添加の非晶質Ｓ ｅ
／Ｔ ｅよりなる高感度光導電層である電荷発生層３
、低濃度Ｔｅ添加の非晶質Ｓｅ／Ｔｅより々る低感度光
導電層である電荷保持層４が支持体１上に積層される。
電荷発生層４の上に絶縁層５が形成される（第２図の（
ａ））。これらの各層はこの種の感光体の製造に慣用さ
れている方法により形成される。
ａ））。これらの各層はこの種の感光体の製造に慣用さ
れている方法により形成される。
本発明の感光体において、導電性支持体は慣用のもので
あってよく、好ましくはアルミニウム円筒体である。ま
た、光導電層はＳｅ又はＳｅ／Ｔｅ合金から構成され、
電荷輸送層の膜厚としては一般に３０〜１００μｍ１好
ましくは５０〜８０μｍである。
あってよく、好ましくはアルミニウム円筒体である。ま
た、光導電層はＳｅ又はＳｅ／Ｔｅ合金から構成され、
電荷輸送層の膜厚としては一般に３０〜１００μｍ１好
ましくは５０〜８０μｍである。
電荷発生層は１５〜５０重量％Ｓｅ／Ｔｅ合金から成り
、その膜厚は０．２〜５μｍが好ましい。また、電荷保
持層は、０．５〜１０．５重量％、好ましくは５．５〜
１０．５重量％のＳｅ／Ｔｅ合金から成り、その膜厚は
０．２〜５μｍ１好ましくは０．５〜３μｍである。絶
縁層は慣用のもの、例えば透明ポリエステルフィルムで
あってよい。
、その膜厚は０．２〜５μｍが好ましい。また、電荷保
持層は、０．５〜１０．５重量％、好ましくは５．５〜
１０．５重量％のＳｅ／Ｔｅ合金から成り、その膜厚は
０．２〜５μｍ１好ましくは０．５〜３μｍである。絶
縁層は慣用のもの、例えば透明ポリエステルフィルムで
あってよい。
本発明によれば、絶縁層と高感度な非晶質光導電性の電
荷発生層との間に低Ｔｅ濃度非晶質Ｓｅ／Ｔｅからなる
電荷保持層を挿入することにより、非晶質Ｓｅのみで構
成した光導電層と同程度の暗部電位を達成でき、しかも
高感度非晶質光導電層の存在によって電荷保持層の影響
を受けることなく長波長光の光感度を達成することがで
きる。電荷保持層として用いた非晶質像Ｔｅ濃度Ｓｅ層
の最適々厚さとＴｅ濃度とは実際の複写プロセスに応じ
て適当に変更可能であるが、電荷保持層における長波長
光の吸収が無視できる範囲内でそれぞれの組み合わされ
た上限を前述の範囲内で決定することができる。
荷発生層との間に低Ｔｅ濃度非晶質Ｓｅ／Ｔｅからなる
電荷保持層を挿入することにより、非晶質Ｓｅのみで構
成した光導電層と同程度の暗部電位を達成でき、しかも
高感度非晶質光導電層の存在によって電荷保持層の影響
を受けることなく長波長光の光感度を達成することがで
きる。電荷保持層として用いた非晶質像Ｔｅ濃度Ｓｅ層
の最適々厚さとＴｅ濃度とは実際の複写プロセスに応じ
て適当に変更可能であるが、電荷保持層における長波長
光の吸収が無視できる範囲内でそれぞれの組み合わされ
た上限を前述の範囲内で決定することができる。
ここで、実施例により本発明をさらに例示する。
担
真空蒸着室内に取シ付けたアルミニラムシＩＪ ７ダー
基板上にＳｅを７０〜７５μｍの厚さに蒸着させた。そ
の際基板の温度は７０℃以上に保つ。基板温度の上限は
、蒸着中に蒸着膜が結晶化を起さない程度に制御する。
基板上にＳｅを７０〜７５μｍの厚さに蒸着させた。そ
の際基板の温度は７０℃以上に保つ。基板温度の上限は
、蒸着中に蒸着膜が結晶化を起さない程度に制御する。
また、蒸着中の真空度は１Ｏ−５ｔｏｒｒ以上とする。
蒸着後、真空を破って新たに高Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ材料
（Ｔｅ濃度３５重量％）と低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ材料（
Ｔｅ濃度１０．５重量％）を蒸着装置内に備え付ける。
（Ｔｅ濃度３５重量％）と低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ材料（
Ｔｅ濃度１０．５重量％）を蒸着装置内に備え付ける。
蒸着中の基板温度は４０〜５０’Ｃに保つｏ １Ｏ−５
ｔｏｒｒ程度の高真空に到達後、高Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ
材料をフラッシュ蒸着法により蒸着して厚さ１〜１，５
μｍの電荷発生層を形成させた。次に、先の高真空状態
のまま、低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ材料を同様にフラッシュ
蒸着法にょシ付着させて電荷保持層を形成させた。この
電荷保持層の厚さが０．７μｍ、 １．５μｍ及び３
．０μｍの３種類のサンプルを製作した。また、比較用
として、電荷保持層としての低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ蒸着
膜のみを省き、その他は全く同様な条件にょシ蒸着した
二層の光導電層を持つサンプルも製作した。
ｔｏｒｒ程度の高真空に到達後、高Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ
材料をフラッシュ蒸着法により蒸着して厚さ１〜１，５
μｍの電荷発生層を形成させた。次に、先の高真空状態
のまま、低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ材料を同様にフラッシュ
蒸着法にょシ付着させて電荷保持層を形成させた。この
電荷保持層の厚さが０．７μｍ、 １．５μｍ及び３
．０μｍの３種類のサンプルを製作した。また、比較用
として、電荷保持層としての低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ蒸着
膜のみを省き、その他は全く同様な条件にょシ蒸着した
二層の光導電層を持つサンプルも製作した。
このように製作した光導電層表面に５μｍ厚のポリエチ
レンテレフタレートシート（商品名マイラー）を貼シつ
けて感光体とした０ 次に、この感光体を静電潜像形成プロセスにより、初期
帯電として一２０００ｖ、再帯電として＋１５００Ｖを
印加し、全面露光後の感光体表面の（暗部）電位を測定
した０その結果を表１に示す。また、再帯電時に波長８
００ｎｍの単色光（強度３．５μＷ／ｃｒｉ）で同時露
光したときの（明部）電位と上記暗部電位との差、いわ
ゆるコントラスト電位は、比較用感光体、即ち電荷保持
層（低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ層）を持たない感光体も含め
て、全ての感光体において有意差はなく、約３００ｖで
あることがわかった０この例における静電潜像形成プロ
セスを表面電位の時間変化として表わせば第３図に示し
たようになる。明部及び暗部電位において実線が本発明
の感光体、点線が電荷保持層のない比較用感光体の電位
である０この静電潜像形成プロセスにおける感光体内部
の電荷の分布状態は第４図に概念的に表わすことができ
る。（ａ）は、本発明に従う電荷保持層を有する場合で
ありｌｂ）は比較用の電荷保持層のない場合である。こ
こで、６は透明絶縁層、７は感光層、８は支持体基板を
示す。
レンテレフタレートシート（商品名マイラー）を貼シつ
けて感光体とした０ 次に、この感光体を静電潜像形成プロセスにより、初期
帯電として一２０００ｖ、再帯電として＋１５００Ｖを
印加し、全面露光後の感光体表面の（暗部）電位を測定
した０その結果を表１に示す。また、再帯電時に波長８
００ｎｍの単色光（強度３．５μＷ／ｃｒｉ）で同時露
光したときの（明部）電位と上記暗部電位との差、いわ
ゆるコントラスト電位は、比較用感光体、即ち電荷保持
層（低Ｔｅ濃度Ｓｅ／Ｔｅ層）を持たない感光体も含め
て、全ての感光体において有意差はなく、約３００ｖで
あることがわかった０この例における静電潜像形成プロ
セスを表面電位の時間変化として表わせば第３図に示し
たようになる。明部及び暗部電位において実線が本発明
の感光体、点線が電荷保持層のない比較用感光体の電位
である０この静電潜像形成プロセスにおける感光体内部
の電荷の分布状態は第４図に概念的に表わすことができ
る。（ａ）は、本発明に従う電荷保持層を有する場合で
ありｌｂ）は比較用の電荷保持層のない場合である。こ
こで、６は透明絶縁層、７は感光層、８は支持体基板を
示す。
即ち、初期帯電によシ絶縁層表面は一様に負に帯電し、
この負帯電量に釣り合うように導電性基板（Ａｅ ）か
ら注入されてきた正電荷が感光層中を移動し、絶縁層と
接する感光層界面に捕獲される。
この負帯電量に釣り合うように導電性基板（Ａｅ ）か
ら注入されてきた正電荷が感光層中を移動し、絶縁層と
接する感光層界面に捕獲される。
次の再帯電工程では、正電荷が絶縁層表面に充電される
。このとき同時に波長８００ｎｍ光を照射した場合は、
高Ｔｅ濃度を持つ高感度Ｓｅ／Ｔｅ層で光が吸収され、
正・負電荷対が形成され、このうち負電荷は前工程の初
帯電時に絶縁層と接する感光層界面に捕獲されていた正
電荷と再結合し、対形成した一方の正電荷は絶縁層表面
に充電された正電荷の影響を受けて感光層中を基板側へ
と移動する。一方、この再帯電時に８００ｎｍ光の未照
射部分では、前工程の初期帯電時に絶縁層と接した感光
層内に捕獲されていた正電荷はそのまま残存する傾向に
ある。この正電荷の残留傾向は、正電荷の捕獲準位のど
れだけ深いかに依存する０したがって、捕獲準位がよシ
浅い場合は、未照射部分でも一部捕獲準位から解放され
て基板側へ正電荷が移動することになる。ともかくも、
捕獲されている残留正電荷の存在によシ、光来照射部分
の再帯電時における絶縁層表面上への正電荷充電量は抑
制されることになる。このように、再帯電時において８
００ ｎｍ光の照射部分と未照射部分では、同じ再帯電
条件でも、絶縁層表面上への正電荷の帯電量は異なる。
。このとき同時に波長８００ｎｍ光を照射した場合は、
高Ｔｅ濃度を持つ高感度Ｓｅ／Ｔｅ層で光が吸収され、
正・負電荷対が形成され、このうち負電荷は前工程の初
帯電時に絶縁層と接する感光層界面に捕獲されていた正
電荷と再結合し、対形成した一方の正電荷は絶縁層表面
に充電された正電荷の影響を受けて感光層中を基板側へ
と移動する。一方、この再帯電時に８００ｎｍ光の未照
射部分では、前工程の初期帯電時に絶縁層と接した感光
層内に捕獲されていた正電荷はそのまま残存する傾向に
ある。この正電荷の残留傾向は、正電荷の捕獲準位のど
れだけ深いかに依存する０したがって、捕獲準位がよシ
浅い場合は、未照射部分でも一部捕獲準位から解放され
て基板側へ正電荷が移動することになる。ともかくも、
捕獲されている残留正電荷の存在によシ、光来照射部分
の再帯電時における絶縁層表面上への正電荷充電量は抑
制されることになる。このように、再帯電時において８
００ ｎｍ光の照射部分と未照射部分では、同じ再帯電
条件でも、絶縁層表面上への正電荷の帯電量は異なる。
この工程の後、白色光で全面露光を行う。このとき、光
吸収を受けた感光層内部では再び正・負電荷対が形成さ
れ、８００ ｎｍｍ光熱照射部分捕獲されていた正電荷
は対形成した負電荷と再結合することによシ消失し、再
帯電工程で絶縁層表面に充電された正電荷量に釣合うよ
うに、８００ ｎｍ光照射及び未照射部分の、感光層の
絶縁層側界面部分に、負電荷がそれぞれ生ずる。これら
がそれぞれ明部電位及び暗部電位として外部効果を生む
。
吸収を受けた感光層内部では再び正・負電荷対が形成さ
れ、８００ ｎｍｍ光熱照射部分捕獲されていた正電荷
は対形成した負電荷と再結合することによシ消失し、再
帯電工程で絶縁層表面に充電された正電荷量に釣合うよ
うに、８００ ｎｍ光照射及び未照射部分の、感光層の
絶縁層側界面部分に、負電荷がそれぞれ生ずる。これら
がそれぞれ明部電位及び暗部電位として外部効果を生む
。
第４図の（ａ）（本発明の感光体）と（ｂ）（比較用の
電荷保持層のない感光体）とにおける電荷分布の相違は
、再帯電時に現われるのである。
電荷保持層のない感光体）とにおける電荷分布の相違は
、再帯電時に現われるのである。
前述したように、再帯電時において、前工程の初期帯電
時に形成された感光層部分の正電荷は、（ａ）の場合の
方がよシ深い捕獲準位にあるため、再帯電時においても
、８００ｎｍ光未照射部分では捕獲準位から解放されに
りく、十分正電荷を保持できることになる。また、８０
０ｎｍ光照射の際には、電荷保持層内部ではそれ程吸収
を受けることがないので、高Ｔｅｆｉ度Ｓｅ／Ｔｅ層で
の正・負電荷対の形成は十分に可能である。これに対し
て、（ｂ）の場合は、電荷保持と光吸収による正・負電
荷対の形成という二つの役割を感光層の同一部分で行っ
ているので、８００ ｎｍ程度の長波長光に対して感度
を持たせるためには電荷保持能の方を犠牲にしなければ
ならず、そのために十分な暗部電位を形成させることが
できないのである。このような欠点は、本発明に従い、
電荷保持層を形成させることにょシ除去され、暗部電位
を十分に形成することができるわけである。
時に形成された感光層部分の正電荷は、（ａ）の場合の
方がよシ深い捕獲準位にあるため、再帯電時においても
、８００ｎｍ光未照射部分では捕獲準位から解放されに
りく、十分正電荷を保持できることになる。また、８０
０ｎｍ光照射の際には、電荷保持層内部ではそれ程吸収
を受けることがないので、高Ｔｅｆｉ度Ｓｅ／Ｔｅ層で
の正・負電荷対の形成は十分に可能である。これに対し
て、（ｂ）の場合は、電荷保持と光吸収による正・負電
荷対の形成という二つの役割を感光層の同一部分で行っ
ているので、８００ ｎｍ程度の長波長光に対して感度
を持たせるためには電荷保持能の方を犠牲にしなければ
ならず、そのために十分な暗部電位を形成させることが
できないのである。このような欠点は、本発明に従い、
電荷保持層を形成させることにょシ除去され、暗部電位
を十分に形成することができるわけである。
例２
例１と同様にして蒸着を行ったが、ただし、電荷保持層
用の蒸着材料Ｓｅ／ＴｅのＴｅ濃度は２重量％とじ、厚
さは０，７μｍ、 １．５μｍ及び時μｍとすること
により、３種の感光体を製作した。次に、例１と同様の
条件にて暗部電位を測定した。その結果を表２に示す。
用の蒸着材料Ｓｅ／ＴｅのＴｅ濃度は２重量％とじ、厚
さは０，７μｍ、 １．５μｍ及び時μｍとすること
により、３種の感光体を製作した。次に、例１と同様の
条件にて暗部電位を測定した。その結果を表２に示す。
例３
例１と同様にして蒸着を行ったが、電荷保持層用の蒸着
材料のＴｅ濃度を５．５重量％とじ、厚さも同様に３種
に変えて感光体を製作した。例１と同様に暗部電位を測
定し、その結果を表３に示す。
材料のＴｅ濃度を５．５重量％とじ、厚さも同様に３種
に変えて感光体を製作した。例１と同様に暗部電位を測
定し、その結果を表３に示す。
例４
例１と同様べして蒸着を行ったが、ただし電荷保持層用
の蒸着材料のＴｅ濃度を２２．５重量％とじ、厚さを３
種に変えて感光体を製作した。例１と同様に測定した暗
部電位の結果を表４に示す。
の蒸着材料のＴｅ濃度を２２．５重量％とじ、厚さを３
種に変えて感光体を製作した。例１と同様に測定した暗
部電位の結果を表４に示す。
例５
―■−−■■―■−−階−１
例１と同様にして蒸着を行ったが、ただし、電荷保持層
用として純Ｓｅを用いて厚さを３種に変えた感光体を製
作した。暗部電位の測定結果を表５に示す。
用として純Ｓｅを用いて厚さを３種に変えた感光体を製
作した。暗部電位の測定結果を表５に示す。
第１図は、本発明に従う電子写真用感光体の感光層の層
構成を示す断面図である。 第２図の（ａ）は、本発明の感光体の断面図であシ、（
ｂ）は従来技術に従う感光体の断面図である。 第３図は、静電潜像形成プロセスにおける感光体の表面
電位の時間変化を示すグラフである〇第４図は、静電潜
像形成時の感光体内部の電荷の分布状態を示す概念図で
あり、（ａ）は°本発明の感光体の場合を、（ｂ）は従
来技術の感光体の場合を示すＯ ここで、１は支持体、２は電荷輸送層、３は電荷発生層
、４は電荷保持層、５は絶縁層。 浮１臣 答２目
構成を示す断面図である。 第２図の（ａ）は、本発明の感光体の断面図であシ、（
ｂ）は従来技術に従う感光体の断面図である。 第３図は、静電潜像形成プロセスにおける感光体の表面
電位の時間変化を示すグラフである〇第４図は、静電潜
像形成時の感光体内部の電荷の分布状態を示す概念図で
あり、（ａ）は°本発明の感光体の場合を、（ｂ）は従
来技術の感光体の場合を示すＯ ここで、１は支持体、２は電荷輸送層、３は電荷発生層
、４は電荷保持層、５は絶縁層。 浮１臣 答２目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性支持体、光導電層及び絶縁層から成る電子写
真用感光体において、該光導電層が支持体側より電荷輸
送層、電荷発生層及び電荷保持層の順に形成されること
を特徴とする電子写真用感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体にお
いて、光導電層がＳｅ又はＳｅ／’ｌ’ｅ合金から成る
ことを特徴とする電子写真用感光体。 ３）特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体にお
いて、電荷発生層が１５〜５０重量％Ｓｅ／Ｔｅ合金か
ら成ることを特徴とする電子写真用感光体。 ４）特許請求の範囲第３項記載の電子写真用感光体にお
いて、電荷発生層の膜厚が０．２〜５μｍの範囲にある
ことを特徴とする電子写真用感光体。 ５）特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体にお
いて、電荷保持層が０．５〜１０．５重量％Ｓｅ／Ｔｅ
合金からなることを特徴とする電子写真用感光体。 ６）特許請求の範囲第５項記載の電子写真用感光体にお
いて、電荷保持層の膜厚が０．２〜５μｍの範囲にある
ことを特徴とする電子写真用感光体。 ７）特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体にお
いて、電荷輸送層の膜厚が３０〜１００μｍの範囲にあ
ることを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17803882A JPS5967539A (ja) | 1982-10-09 | 1982-10-09 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17803882A JPS5967539A (ja) | 1982-10-09 | 1982-10-09 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967539A true JPS5967539A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16041498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17803882A Pending JPS5967539A (ja) | 1982-10-09 | 1982-10-09 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967539A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
-
1982
- 1982-10-09 JP JP17803882A patent/JPS5967539A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
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