JPS6129851A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPS6129851A JPS6129851A JP15179884A JP15179884A JPS6129851A JP S6129851 A JPS6129851 A JP S6129851A JP 15179884 A JP15179884 A JP 15179884A JP 15179884 A JP15179884 A JP 15179884A JP S6129851 A JPS6129851 A JP S6129851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoreceptor
- light source
- wavelength
- interference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、光源からの光によって感光体l−に潜像を形
成し、この潜像を現像して記録媒体上に転写する電子写
真装置に関゛づる。
成し、この潜像を現像して記録媒体上に転写する電子写
真装置に関゛づる。
[発明の技術的背景とその問題点]
電子写真感光体の光源として、l−18,Neレーザー
、半導体レーザー等の可干渉性の光を発する・bのが用
いられることがある。レーザー光は波束が広がりにくい
という特徴があり、走査による画像露光が比較的簡単な
光学系によって可能である。
、半導体レーザー等の可干渉性の光を発する・bのが用
いられることがある。レーザー光は波束が広がりにくい
という特徴があり、走査による画像露光が比較的簡単な
光学系によって可能である。
従って、コンピュータの出力等9時系列の電気信号をも
とに画像を出力する!!!i置への応用にも適している
。さらに、従来のインバク1−プリンター等に化較して
発生音が小さく、かつ、高速ぐあるなどの長所があり、
インバク1−プリンターにとって変わりつつある。
とに画像を出力する!!!i置への応用にも適している
。さらに、従来のインバク1−プリンター等に化較して
発生音が小さく、かつ、高速ぐあるなどの長所があり、
インバク1−プリンターにとって変わりつつある。
ところで、レーザー装置は一般に短波長の光を出力する
ものほど大型化となる傾向であり、可視領域の光を発す
るレーザーではl」e、Neレーザーが最も長波長(6
33r+n+)で装置も小型である。
ものほど大型化となる傾向であり、可視領域の光を発す
るレーザーではl」e、Neレーザーが最も長波長(6
33r+n+)で装置も小型である。
このlle、Neレーザーを光源とした場合、使用でき
る感光体としてはSe、TeあるいはAs等の合金又は
非晶質シリコン等に限られている。
る感光体としてはSe、TeあるいはAs等の合金又は
非晶質シリコン等に限られている。
さらに、最近では装置の小型化のために半導体レーザー
を用いることが試みられており、長波長の光に対する感
度の高い感光体が切望されている。
を用いることが試みられており、長波長の光に対する感
度の高い感光体が切望されている。
現在、半導体レーザーの発光波長は約780 nm程度
で、この波長の光に対して高感度な感光体を提供し得る
材料は少ない。その1つに非晶質シリコンがあるが、7
80n111の光に対する感度は必ずしも高くはなく、
Ge等を混合させることで、長波長増感が試みられてい
るが、この場合は特性的に暗中での電気的比抵抗が下が
るなどの問題がある。
で、この波長の光に対して高感度な感光体を提供し得る
材料は少ない。その1つに非晶質シリコンがあるが、7
80n111の光に対する感度は必ずしも高くはなく、
Ge等を混合させることで、長波長増感が試みられてい
るが、この場合は特性的に暗中での電気的比抵抗が下が
るなどの問題がある。
半導体レーザーの発振波長が短波長になるか又は強度が
20%程度増加すれば上記問題は解決できるのであるが
、現在のところこれは望めない。
20%程度増加すれば上記問題は解決できるのであるが
、現在のところこれは望めない。
このような状況のもとでは、感光体への入射光を有効に
使うことが必要なのであるが、通常レーザー光の波長領
域に対する感光体表面での反射もかなり大きく、さらに
感光層からの反射光と干渉し合った場合には特に多くの
光が見掛は上反射してくる。このような光は入射光ど位
相がπだりずれるので、入射光を弱めて見掛は上の感度
をざらに下げるという不具合が生じてくる。
使うことが必要なのであるが、通常レーザー光の波長領
域に対する感光体表面での反射もかなり大きく、さらに
感光層からの反射光と干渉し合った場合には特に多くの
光が見掛は上反射してくる。このような光は入射光ど位
相がπだりずれるので、入射光を弱めて見掛は上の感度
をざらに下げるという不具合が生じてくる。
[発明の目的]
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、可干渉
光を発する光源を用いた場合にあっても、感光体表面で
の反射光との干渉による入射光の減衰を最少限に押える
ことができ、もって良好な電子写真像を形成Jることが
Cきる電子写真装置を提供することを目的どするもので
ある。
光を発する光源を用いた場合にあっても、感光体表面で
の反射光との干渉による入射光の減衰を最少限に押える
ことができ、もって良好な電子写真像を形成Jることが
Cきる電子写真装置を提供することを目的どするもので
ある。
[発明の概要1
上記目的を達成Jるための本発明の概要は、感光体と、
この感光体を帯電する帯電装置と、この帯電装置により
帯電された前記感光体に光を照射して電荷パターンを形
成4る光源と、この光源からの光照射により前記感光体
上に形成された電荷パターンを現像して可視像を形成す
る現像装置と、この現像装置により形成された可視像を
記録媒体に転写する転写装置とを具備する電子写真装置
において、前記光源は可干渉光を照射するものであJ
− リ、前記感光体は前記光源波長の±5. Onmの波長
領域における反射スペクトルに干渉によるピークが存在
しない表面層が感光層上に形成されていることを特徴と
するものである。
この感光体を帯電する帯電装置と、この帯電装置により
帯電された前記感光体に光を照射して電荷パターンを形
成4る光源と、この光源からの光照射により前記感光体
上に形成された電荷パターンを現像して可視像を形成す
る現像装置と、この現像装置により形成された可視像を
記録媒体に転写する転写装置とを具備する電子写真装置
において、前記光源は可干渉光を照射するものであJ
− リ、前記感光体は前記光源波長の±5. Onmの波長
領域における反射スペクトルに干渉によるピークが存在
しない表面層が感光層上に形成されていることを特徴と
するものである。
[発明の実施例]
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図は本発明に係る電子写真装置の概略断面図である。
1図は本発明に係る電子写真装置の概略断面図である。
第1図において、電子写真感光体である感光体ドラム1
は、回転可能に支持されて図示矢印方向に回転するよう
になっている。この感光体ドラム1は、帯電チャージャ
ー2により帯電されるようになっている。また、この感
光体ドラム1の周面には、光源たる半導体レーザー9か
ら出射される光が入射されるようになっている。
は、回転可能に支持されて図示矢印方向に回転するよう
になっている。この感光体ドラム1は、帯電チャージャ
ー2により帯電されるようになっている。また、この感
光体ドラム1の周面には、光源たる半導体レーザー9か
ら出射される光が入射されるようになっている。
この半導体レーザー9から出射される光は、ポリゴンミ
ラー3により反射されレンズ4により集光されて780
nmの波長をもつ光として前記感光体ドラム1に入射す
るJ:うになっている。この光照射によって感光体ドラ
ム1上に静電潜像が形成される。この感光体ドラム1上
の潜像は、現像器5−5= によって現像され、ここで現像された像は転写チャージ
17−6によって紙上に転写される。その後、感光体ド
ラム1はクリーニング部7でクリーニングされ、タング
ステンランプ等の除電ランプ8により全面露光されて除
電されて次の画像形成に備えるようになっている。
ラー3により反射されレンズ4により集光されて780
nmの波長をもつ光として前記感光体ドラム1に入射す
るJ:うになっている。この光照射によって感光体ドラ
ム1上に静電潜像が形成される。この感光体ドラム1上
の潜像は、現像器5−5= によって現像され、ここで現像された像は転写チャージ
17−6によって紙上に転写される。その後、感光体ド
ラム1はクリーニング部7でクリーニングされ、タング
ステンランプ等の除電ランプ8により全面露光されて除
電されて次の画像形成に備えるようになっている。
次に、前記感光体ドラム1の断面構成について第2図を
参照して説明する。第2図において、感光体ドラム1の
中心部を構成する導電性基板10上には、導電性基板1
0からの電荷の注入を阻止する障壁層11、前記半導体
レーザー9からの光の入射によってキャリアを発生ずる
感光層である光導電層12、及びこの光導電層12の表
面の電荷保持と保護のための表面層13が順次積層され
ている。この表面層13は、表面層13の表裏面側から
の反射光による干渉部ら表面層13の上表面での反射光
と光導電層12表面等での反射光とによる干渉を低減す
るためのものでもある。しかし、従来の表面層では光の
反射の防止が充分でなかった。本発明では、特に半導体
レーザー光の波=6− 長領域に対しても上記反射光を低減できる表面層13を
形成している。即ち、光源波長(実施例では780nm
)の±5Qnmの波長領域(本実施例では7300II
l〜830nlIl)における反射スペクトルに干渉に
よるピークが存在しないように表面層13を形成してい
る。ここで、多層構造の感光体ドラム1の反射スペクト
ルは、主に表面層13の膜厚[と屈折率とで定まる。そ
こで、表面層13の膜厚1と屈折率とを所定にコントロ
ールJることにより、上記条件を満足する表面層13を
形成することができる。例えば、表面層13の屈折率を
コントロールする手段としては、前記障壁層11゜光導
側12及び表面層13をシリコンを母体とした材料(ア
モルファスシリコン等)で形成すると共に、表面層13
ON、O,C等の不純物の含有量を可変する方法が挙げ
られる。
参照して説明する。第2図において、感光体ドラム1の
中心部を構成する導電性基板10上には、導電性基板1
0からの電荷の注入を阻止する障壁層11、前記半導体
レーザー9からの光の入射によってキャリアを発生ずる
感光層である光導電層12、及びこの光導電層12の表
面の電荷保持と保護のための表面層13が順次積層され
ている。この表面層13は、表面層13の表裏面側から
の反射光による干渉部ら表面層13の上表面での反射光
と光導電層12表面等での反射光とによる干渉を低減す
るためのものでもある。しかし、従来の表面層では光の
反射の防止が充分でなかった。本発明では、特に半導体
レーザー光の波=6− 長領域に対しても上記反射光を低減できる表面層13を
形成している。即ち、光源波長(実施例では780nm
)の±5Qnmの波長領域(本実施例では7300II
l〜830nlIl)における反射スペクトルに干渉に
よるピークが存在しないように表面層13を形成してい
る。ここで、多層構造の感光体ドラム1の反射スペクト
ルは、主に表面層13の膜厚[と屈折率とで定まる。そ
こで、表面層13の膜厚1と屈折率とを所定にコントロ
ールJることにより、上記条件を満足する表面層13を
形成することができる。例えば、表面層13の屈折率を
コントロールする手段としては、前記障壁層11゜光導
側12及び表面層13をシリコンを母体とした材料(ア
モルファスシリコン等)で形成すると共に、表面層13
ON、O,C等の不純物の含有量を可変する方法が挙げ
られる。
このように、表面層13の膜厚を並びに屈折率を適切に
コントロールすることによって、第3図に示す反射スペ
クトルをもつ感光体ドラム1が得られた。第3図は横軸
に波長(rv)、縦軸に反射率(%)をとっている。尚
、この感光体ドラム1の光導電層12は非晶質シリコン
から成り、表面層13は屈折率が2.6の非晶質炭化シ
リコンから成っている。また、表面層13の膜厚1は約
0゜5μlである。このような感光体ドラム1からの反
射スペクトルは、730 nmから80011111の
波長領域において干渉によりみられるピークPが存在せ
ず、かつ、装置の光源波長である7 80 nmでの反
射率はわずか20%となっている。従って、このような
反射スベク1〜ルをもつ感光体ドラム1と780 nm
の半導体レーザー9とを用いた電子写真装置では、かぶ
りの少ない良好な画像が得られた。
コントロールすることによって、第3図に示す反射スペ
クトルをもつ感光体ドラム1が得られた。第3図は横軸
に波長(rv)、縦軸に反射率(%)をとっている。尚
、この感光体ドラム1の光導電層12は非晶質シリコン
から成り、表面層13は屈折率が2.6の非晶質炭化シ
リコンから成っている。また、表面層13の膜厚1は約
0゜5μlである。このような感光体ドラム1からの反
射スペクトルは、730 nmから80011111の
波長領域において干渉によりみられるピークPが存在せ
ず、かつ、装置の光源波長である7 80 nmでの反
射率はわずか20%となっている。従って、このような
反射スベク1〜ルをもつ感光体ドラム1と780 nm
の半導体レーザー9とを用いた電子写真装置では、かぶ
りの少ない良好な画像が得られた。
尚、本実施例のように光源波長である780nlllで
の反射率が極小となる反射スペク]−ルをもつ感光体ド
ラムが最も好ましいものである。ところで、第3図に示
した反射スペクI・ルは800 niまでに止まってい
るが、これは連単使用さねている分光器の限界であり、
これ以上の波長の反射スペクトルは同じ条f1では1q
られず、分光器の受光素子を交換して測定しな【ノれば
なら<2い。従って、ここでは光源波長(780nm)
の±5Qnmの波長領域(730〜830nm)全域に
ついて干渉によるピークの存在を確認していないが、測
定データの連続性より上記範囲内に干渉によるピークが
存在しないことは充分な確証をもって推定することがで
きる。
の反射率が極小となる反射スペク]−ルをもつ感光体ド
ラムが最も好ましいものである。ところで、第3図に示
した反射スペクI・ルは800 niまでに止まってい
るが、これは連単使用さねている分光器の限界であり、
これ以上の波長の反射スペクトルは同じ条f1では1q
られず、分光器の受光素子を交換して測定しな【ノれば
なら<2い。従って、ここでは光源波長(780nm)
の±5Qnmの波長領域(730〜830nm)全域に
ついて干渉によるピークの存在を確認していないが、測
定データの連続性より上記範囲内に干渉によるピークが
存在しないことは充分な確証をもって推定することがで
きる。
ここで、本発明が適用されていない感光体ドラムの反射
スペクトルを第6図に示す。第6図では、730 na
+から800 nmまでの波長領域に干渉によるピーク
Pが存在し、光源波長である7 80 nmでの反射率
は70%にも及んでいる。従って、このような反射スペ
ク1〜ルをもつ感光体ドラムを使用すると、かぶりが多
く干渉縞が見られる画像しか得られなかった。
スペクトルを第6図に示す。第6図では、730 na
+から800 nmまでの波長領域に干渉によるピーク
Pが存在し、光源波長である7 80 nmでの反射率
は70%にも及んでいる。従って、このような反射スペ
ク1〜ルをもつ感光体ドラムを使用すると、かぶりが多
く干渉縞が見られる画像しか得られなかった。
次に、表面層13の膜厚tを1000A以下にした場合
の感光体の反射スペクトルを第4図、第5図に示す。こ
れらの特性測定は、表面層13の膜厚tを1000A以
下に変えたこと以外の条件は上記測定条件と同一である
。第4図に示す反射スペクトル10では8000Ill
近傍において干渉によるピークの存在が推定されるが、
このような感光体に780nmの波長の半導体レーザー
を使用したところ、かぶりが多く見110プ上の感度が
低くなっている。一方、第5図に示す反射スペクトルで
は、730r+n+ 〜830nmの波長領域に干渉に
よるピークが存在せず、このような感光体に780nn
+の波長の半導体レーザーを使用したところ、かぶりの
ない良好な画像が得られた。
の感光体の反射スペクトルを第4図、第5図に示す。こ
れらの特性測定は、表面層13の膜厚tを1000A以
下に変えたこと以外の条件は上記測定条件と同一である
。第4図に示す反射スペクトル10では8000Ill
近傍において干渉によるピークの存在が推定されるが、
このような感光体に780nmの波長の半導体レーザー
を使用したところ、かぶりが多く見110プ上の感度が
低くなっている。一方、第5図に示す反射スペクトルで
は、730r+n+ 〜830nmの波長領域に干渉に
よるピークが存在せず、このような感光体に780nn
+の波長の半導体レーザーを使用したところ、かぶりの
ない良好な画像が得られた。
さらに、第3図乃至第5図に示す反射スペクl−ルをも
つそれぞれの感光体に対し、光源として633nmの波
長のHe 、pieレー1f−を用いて試験を行なって
みた。第3図乃至第5図に示す反射スペクトルをもつ感
光体のうち、583 nm−683nlllの波長領域
に干渉によるピークの存在しない第3図及び第4図に示
す反射スペクトルをもつ感光体において良好な結果が得
られた。ただし、上記の測定においては光導電層12に
非晶質シリコンを用いた感光体を使用し、この感光体は
633011の波長の光に対し感度が非単に高いため、
i erg/ cs2以下の光強度まで減衰させて試験
を行なつた。
つそれぞれの感光体に対し、光源として633nmの波
長のHe 、pieレー1f−を用いて試験を行なって
みた。第3図乃至第5図に示す反射スペクトルをもつ感
光体のうち、583 nm−683nlllの波長領域
に干渉によるピークの存在しない第3図及び第4図に示
す反射スペクトルをもつ感光体において良好な結果が得
られた。ただし、上記の測定においては光導電層12に
非晶質シリコンを用いた感光体を使用し、この感光体は
633011の波長の光に対し感度が非単に高いため、
i erg/ cs2以下の光強度まで減衰させて試験
を行なつた。
このように、光源波長の±50nmの波長領域に干渉に
よるピークが存在しないように表面層13を形成するこ
とで、かぶりのない良好な画像を得ることができること
を確認できた。
よるピークが存在しないように表面層13を形成するこ
とで、かぶりのない良好な画像を得ることができること
を確認できた。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲で種々の変形実施が可能である。例え
ば感光体は非晶質シリコンで形成されるものに限らず、
Se 、 As 2 S3 、 As 2Se3等を光
導電層に用いた場合でも、それと屈折率の異なる表面層
を設け、使用する光源の波長に応じて上述したような反
射スペクトルが18られるように材料、膜厚をコントロ
ールすることにより同様の効果を奏することができる。
発明の要旨の範囲で種々の変形実施が可能である。例え
ば感光体は非晶質シリコンで形成されるものに限らず、
Se 、 As 2 S3 、 As 2Se3等を光
導電層に用いた場合でも、それと屈折率の異なる表面層
を設け、使用する光源の波長に応じて上述したような反
射スペクトルが18られるように材料、膜厚をコントロ
ールすることにより同様の効果を奏することができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば可干渉光を発する
光源を用いた場合にあっても、感光体表面での反射光と
の干渉による入射光の減衰を最小限に押えることができ
、もってかぶりの少ない干渉縞のない良好な画像を得る
ことができる。
光源を用いた場合にあっても、感光体表面での反射光と
の干渉による入射光の減衰を最小限に押えることができ
、もってかぶりの少ない干渉縞のない良好な画像を得る
ことができる。
第1図は本発明に係る電子写真装置の概略断面図、第2
図は同電子写真感光体の断面図、第3図。 第4図及び第5図はそれぞれは同電子写真感光体の反射
スペクトルを示す特性図、第6図は本発明が適用されて
いない電子写真感光体の反射スペクトルを示す特性図で
ある。 1・・・・・・電子写真感光体、9・・・・・・光源、
12・・・・・・感光層、13・・・・・・表面層。 第2図
図は同電子写真感光体の断面図、第3図。 第4図及び第5図はそれぞれは同電子写真感光体の反射
スペクトルを示す特性図、第6図は本発明が適用されて
いない電子写真感光体の反射スペクトルを示す特性図で
ある。 1・・・・・・電子写真感光体、9・・・・・・光源、
12・・・・・・感光層、13・・・・・・表面層。 第2図
Claims (2)
- (1)感光体と、この感光体を帯電する帯電装置と、こ
の帯電装置により帯電された前記感光体に光を照射して
電荷パターンを形成する光源と、この光源からの光照射
により前記感光体上に形成された電荷パターンを現像し
て可視像を形成する現像装置と、この現像装置により形
成された可視像を記録媒体に転写する転写装置とを具備
する電子写真装置において、前記光源は可干渉光を照射
するものであり、前記感光体は前記光源波長の±50n
mの波長領域における反射スペクトルに干渉によるピー
クが存在しない表面層が感光層上に形成されていること
を特徴とする電子写真装置。 - (2)感光体は非晶質シリコンを含んで成るものである
特許請求の範囲第1項に記載の電子写真装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15179884A JPS6129851A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15179884A JPS6129851A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6129851A true JPS6129851A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15526529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15179884A Pending JPS6129851A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6129851A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01179165A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
US5422209A (en) * | 1991-04-12 | 1995-06-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor having a photoconductive layer of amorphous silicon and surface layer |
WO2005088400A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体 |
US11683594B2 (en) | 2021-04-15 | 2023-06-20 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for camera exposure control |
US11689813B2 (en) | 2021-07-01 | 2023-06-27 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for high dynamic range imaging using crossed polarizers |
US11699273B2 (en) | 2019-09-17 | 2023-07-11 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for surface modeling using polarization cues |
US11729365B2 (en) | 2011-09-28 | 2023-08-15 | Adela Imaging LLC | Systems and methods for encoding image files containing depth maps stored as metadata |
US11792538B2 (en) | 2008-05-20 | 2023-10-17 | Adeia Imaging Llc | Capturing and processing of images including occlusions focused on an image sensor by a lens stack array |
US11797863B2 (en) | 2020-01-30 | 2023-10-24 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for synthesizing data for training statistical models on different imaging modalities including polarized images |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15179884A patent/JPS6129851A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01179165A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
US4959289A (en) * | 1988-01-08 | 1990-09-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic element having a surface layer and method for producing same |
US5422209A (en) * | 1991-04-12 | 1995-06-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor having a photoconductive layer of amorphous silicon and surface layer |
WO2005088400A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体 |
US7498110B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
US11792538B2 (en) | 2008-05-20 | 2023-10-17 | Adeia Imaging Llc | Capturing and processing of images including occlusions focused on an image sensor by a lens stack array |
US11729365B2 (en) | 2011-09-28 | 2023-08-15 | Adela Imaging LLC | Systems and methods for encoding image files containing depth maps stored as metadata |
US11699273B2 (en) | 2019-09-17 | 2023-07-11 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for surface modeling using polarization cues |
US11797863B2 (en) | 2020-01-30 | 2023-10-24 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for synthesizing data for training statistical models on different imaging modalities including polarized images |
US11683594B2 (en) | 2021-04-15 | 2023-06-20 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for camera exposure control |
US11689813B2 (en) | 2021-07-01 | 2023-06-27 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for high dynamic range imaging using crossed polarizers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0457577B1 (en) | Photosensitive imaging member with a low-reflection ground plane | |
JPS6129851A (ja) | 電子写真装置 | |
JPH0319541B2 (ja) | ||
US4641158A (en) | Electrophotographic apparatus | |
JPH0526191B2 (ja) | ||
EP0466507A1 (en) | Photosensitive imaging member | |
JPS6014255A (ja) | 画像形成装置 | |
JPH0526190B2 (ja) | ||
US5162182A (en) | Photosensitive member for electrophotography with interference control layer | |
JPS6014254A (ja) | 電子写真装置 | |
US4717635A (en) | Electrophotographic recording material | |
JPH0464069B2 (ja) | ||
JPH0210948B2 (ja) | ||
JPS6142663A (ja) | 情報記録装置 | |
JPS6142664A (ja) | 情報記録装置 | |
JPS5950463A (ja) | 電子写真複写機 | |
JPH0466034B2 (ja) | ||
JPH0452653A (ja) | 電子写真用感光体の光感度評価方法 | |
JPH0375856B2 (ja) | ||
JPS6354172B2 (ja) | ||
JPS5967539A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH0679192B2 (ja) | 電子写真装置 | |
JPH0355819B2 (ja) | ||
JPH0743961A (ja) | 画像形成装置及び静電潜像形成装置 | |
JPH05323645A (ja) | 電子写真用感光体 |