JPS6129851A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPS6129851A JPS6129851A JP15179884A JP15179884A JPS6129851A JP S6129851 A JPS6129851 A JP S6129851A JP 15179884 A JP15179884 A JP 15179884A JP 15179884 A JP15179884 A JP 15179884A JP S6129851 A JPS6129851 A JP S6129851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoreceptor
- light source
- wavelength
- interference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、光源からの光によって感光体ｌ−に潜像を形
成し、この潜像を現像して記録媒体上に転写する電子写
真装置に関゛づる。
成し、この潜像を現像して記録媒体上に転写する電子写
真装置に関゛づる。
［発明の技術的背景とその問題点］
電子写真感光体の光源として、ｌ−１８，Ｎｅレーザー
、半導体レーザー等の可干渉性の光を発する・ｂのが用
いられることがある。レーザー光は波束が広がりにくい
という特徴があり、走査による画像露光が比較的簡単な
光学系によって可能である。
、半導体レーザー等の可干渉性の光を発する・ｂのが用
いられることがある。レーザー光は波束が広がりにくい
という特徴があり、走査による画像露光が比較的簡単な
光学系によって可能である。
従って、コンピュータの出力等９時系列の電気信号をも
とに画像を出力する！！！ｉ置への応用にも適している
。さらに、従来のインバク１−プリンター等に化較して
発生音が小さく、かつ、高速ぐあるなどの長所があり、
インバク１−プリンターにとって変わりつつある。
とに画像を出力する！！！ｉ置への応用にも適している
。さらに、従来のインバク１−プリンター等に化較して
発生音が小さく、かつ、高速ぐあるなどの長所があり、
インバク１−プリンターにとって変わりつつある。
ところで、レーザー装置は一般に短波長の光を出力する
ものほど大型化となる傾向であり、可視領域の光を発す
るレーザーではｌ」ｅ、Ｎｅレーザーが最も長波長（６
３３ｒ＋ｎ＋）で装置も小型である。
ものほど大型化となる傾向であり、可視領域の光を発す
るレーザーではｌ」ｅ、Ｎｅレーザーが最も長波長（６
３３ｒ＋ｎ＋）で装置も小型である。
このｌｌｅ、Ｎｅレーザーを光源とした場合、使用でき
る感光体としてはＳｅ、ＴｅあるいはＡｓ等の合金又は
非晶質シリコン等に限られている。
る感光体としてはＳｅ、ＴｅあるいはＡｓ等の合金又は
非晶質シリコン等に限られている。
さらに、最近では装置の小型化のために半導体レーザー
を用いることが試みられており、長波長の光に対する感
度の高い感光体が切望されている。
を用いることが試みられており、長波長の光に対する感
度の高い感光体が切望されている。
現在、半導体レーザーの発光波長は約７８０ ｎｍ程度
で、この波長の光に対して高感度な感光体を提供し得る
材料は少ない。その１つに非晶質シリコンがあるが、７
８０ｎ１１１の光に対する感度は必ずしも高くはなく、
Ｇｅ等を混合させることで、長波長増感が試みられてい
るが、この場合は特性的に暗中での電気的比抵抗が下が
るなどの問題がある。
で、この波長の光に対して高感度な感光体を提供し得る
材料は少ない。その１つに非晶質シリコンがあるが、７
８０ｎ１１１の光に対する感度は必ずしも高くはなく、
Ｇｅ等を混合させることで、長波長増感が試みられてい
るが、この場合は特性的に暗中での電気的比抵抗が下が
るなどの問題がある。
半導体レーザーの発振波長が短波長になるか又は強度が
２０％程度増加すれば上記問題は解決できるのであるが
、現在のところこれは望めない。
２０％程度増加すれば上記問題は解決できるのであるが
、現在のところこれは望めない。
このような状況のもとでは、感光体への入射光を有効に
使うことが必要なのであるが、通常レーザー光の波長領
域に対する感光体表面での反射もかなり大きく、さらに
感光層からの反射光と干渉し合った場合には特に多くの
光が見掛は上反射してくる。このような光は入射光ど位
相がπだりずれるので、入射光を弱めて見掛は上の感度
をざらに下げるという不具合が生じてくる。
使うことが必要なのであるが、通常レーザー光の波長領
域に対する感光体表面での反射もかなり大きく、さらに
感光層からの反射光と干渉し合った場合には特に多くの
光が見掛は上反射してくる。このような光は入射光ど位
相がπだりずれるので、入射光を弱めて見掛は上の感度
をざらに下げるという不具合が生じてくる。
［発明の目的］
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、可干渉
光を発する光源を用いた場合にあっても、感光体表面で
の反射光との干渉による入射光の減衰を最少限に押える
ことができ、もって良好な電子写真像を形成Ｊることが
Ｃきる電子写真装置を提供することを目的どするもので
ある。
光を発する光源を用いた場合にあっても、感光体表面で
の反射光との干渉による入射光の減衰を最少限に押える
ことができ、もって良好な電子写真像を形成Ｊることが
Ｃきる電子写真装置を提供することを目的どするもので
ある。
［発明の概要１
上記目的を達成Ｊるための本発明の概要は、感光体と、
この感光体を帯電する帯電装置と、この帯電装置により
帯電された前記感光体に光を照射して電荷パターンを形
成４る光源と、この光源からの光照射により前記感光体
上に形成された電荷パターンを現像して可視像を形成す
る現像装置と、この現像装置により形成された可視像を
記録媒体に転写する転写装置とを具備する電子写真装置
において、前記光源は可干渉光を照射するものであＪ
− リ、前記感光体は前記光源波長の±５． Ｏｎｍの波長
領域における反射スペクトルに干渉によるピークが存在
しない表面層が感光層上に形成されていることを特徴と
するものである。
この感光体を帯電する帯電装置と、この帯電装置により
帯電された前記感光体に光を照射して電荷パターンを形
成４る光源と、この光源からの光照射により前記感光体
上に形成された電荷パターンを現像して可視像を形成す
る現像装置と、この現像装置により形成された可視像を
記録媒体に転写する転写装置とを具備する電子写真装置
において、前記光源は可干渉光を照射するものであＪ
− リ、前記感光体は前記光源波長の±５． Ｏｎｍの波長
領域における反射スペクトルに干渉によるピークが存在
しない表面層が感光層上に形成されていることを特徴と
するものである。
［発明の実施例］
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図は本発明に係る電子写真装置の概略断面図である。
１図は本発明に係る電子写真装置の概略断面図である。
第１図において、電子写真感光体である感光体ドラム１
は、回転可能に支持されて図示矢印方向に回転するよう
になっている。この感光体ドラム１は、帯電チャージャ
ー２により帯電されるようになっている。また、この感
光体ドラム１の周面には、光源たる半導体レーザー９か
ら出射される光が入射されるようになっている。
は、回転可能に支持されて図示矢印方向に回転するよう
になっている。この感光体ドラム１は、帯電チャージャ
ー２により帯電されるようになっている。また、この感
光体ドラム１の周面には、光源たる半導体レーザー９か
ら出射される光が入射されるようになっている。
この半導体レーザー９から出射される光は、ポリゴンミ
ラー３により反射されレンズ４により集光されて７８０
ｎｍの波長をもつ光として前記感光体ドラム１に入射す
るＪ：うになっている。この光照射によって感光体ドラ
ム１上に静電潜像が形成される。この感光体ドラム１上
の潜像は、現像器５−５＝ によって現像され、ここで現像された像は転写チャージ
１７−６によって紙上に転写される。その後、感光体ド
ラム１はクリーニング部７でクリーニングされ、タング
ステンランプ等の除電ランプ８により全面露光されて除
電されて次の画像形成に備えるようになっている。
ラー３により反射されレンズ４により集光されて７８０
ｎｍの波長をもつ光として前記感光体ドラム１に入射す
るＪ：うになっている。この光照射によって感光体ドラ
ム１上に静電潜像が形成される。この感光体ドラム１上
の潜像は、現像器５−５＝ によって現像され、ここで現像された像は転写チャージ
１７−６によって紙上に転写される。その後、感光体ド
ラム１はクリーニング部７でクリーニングされ、タング
ステンランプ等の除電ランプ８により全面露光されて除
電されて次の画像形成に備えるようになっている。
次に、前記感光体ドラム１の断面構成について第２図を
参照して説明する。第２図において、感光体ドラム１の
中心部を構成する導電性基板１０上には、導電性基板１
０からの電荷の注入を阻止する障壁層１１、前記半導体
レーザー９からの光の入射によってキャリアを発生ずる
感光層である光導電層１２、及びこの光導電層１２の表
面の電荷保持と保護のための表面層１３が順次積層され
ている。この表面層１３は、表面層１３の表裏面側から
の反射光による干渉部ら表面層１３の上表面での反射光
と光導電層１２表面等での反射光とによる干渉を低減す
るためのものでもある。しかし、従来の表面層では光の
反射の防止が充分でなかった。本発明では、特に半導体
レーザー光の波＝６− 長領域に対しても上記反射光を低減できる表面層１３を
形成している。即ち、光源波長（実施例では７８０ｎｍ
）の±５Ｑｎｍの波長領域（本実施例では７３００ＩＩ
ｌ〜８３０ｎｌＩｌ）における反射スペクトルに干渉に
よるピークが存在しないように表面層１３を形成してい
る。ここで、多層構造の感光体ドラム１の反射スペクト
ルは、主に表面層１３の膜厚［と屈折率とで定まる。そ
こで、表面層１３の膜厚１と屈折率とを所定にコントロ
ールＪることにより、上記条件を満足する表面層１３を
形成することができる。例えば、表面層１３の屈折率を
コントロールする手段としては、前記障壁層１１゜光導
側１２及び表面層１３をシリコンを母体とした材料（ア
モルファスシリコン等）で形成すると共に、表面層１３
ＯＮ、Ｏ，Ｃ等の不純物の含有量を可変する方法が挙げ
られる。
参照して説明する。第２図において、感光体ドラム１の
中心部を構成する導電性基板１０上には、導電性基板１
０からの電荷の注入を阻止する障壁層１１、前記半導体
レーザー９からの光の入射によってキャリアを発生ずる
感光層である光導電層１２、及びこの光導電層１２の表
面の電荷保持と保護のための表面層１３が順次積層され
ている。この表面層１３は、表面層１３の表裏面側から
の反射光による干渉部ら表面層１３の上表面での反射光
と光導電層１２表面等での反射光とによる干渉を低減す
るためのものでもある。しかし、従来の表面層では光の
反射の防止が充分でなかった。本発明では、特に半導体
レーザー光の波＝６− 長領域に対しても上記反射光を低減できる表面層１３を
形成している。即ち、光源波長（実施例では７８０ｎｍ
）の±５Ｑｎｍの波長領域（本実施例では７３００ＩＩ
ｌ〜８３０ｎｌＩｌ）における反射スペクトルに干渉に
よるピークが存在しないように表面層１３を形成してい
る。ここで、多層構造の感光体ドラム１の反射スペクト
ルは、主に表面層１３の膜厚［と屈折率とで定まる。そ
こで、表面層１３の膜厚１と屈折率とを所定にコントロ
ールＪることにより、上記条件を満足する表面層１３を
形成することができる。例えば、表面層１３の屈折率を
コントロールする手段としては、前記障壁層１１゜光導
側１２及び表面層１３をシリコンを母体とした材料（ア
モルファスシリコン等）で形成すると共に、表面層１３
ＯＮ、Ｏ，Ｃ等の不純物の含有量を可変する方法が挙げ
られる。
このように、表面層１３の膜厚を並びに屈折率を適切に
コントロールすることによって、第３図に示す反射スペ
クトルをもつ感光体ドラム１が得られた。第３図は横軸
に波長（ｒｖ）、縦軸に反射率（％）をとっている。尚
、この感光体ドラム１の光導電層１２は非晶質シリコン
から成り、表面層１３は屈折率が２．６の非晶質炭化シ
リコンから成っている。また、表面層１３の膜厚１は約
０゜５μｌである。このような感光体ドラム１からの反
射スペクトルは、７３０ ｎｍから８００１１１１１の
波長領域において干渉によりみられるピークＰが存在せ
ず、かつ、装置の光源波長である７ ８０ ｎｍでの反
射率はわずか２０％となっている。従って、このような
反射スベク１〜ルをもつ感光体ドラム１と７８０ ｎｍ
の半導体レーザー９とを用いた電子写真装置では、かぶ
りの少ない良好な画像が得られた。
コントロールすることによって、第３図に示す反射スペ
クトルをもつ感光体ドラム１が得られた。第３図は横軸
に波長（ｒｖ）、縦軸に反射率（％）をとっている。尚
、この感光体ドラム１の光導電層１２は非晶質シリコン
から成り、表面層１３は屈折率が２．６の非晶質炭化シ
リコンから成っている。また、表面層１３の膜厚１は約
０゜５μｌである。このような感光体ドラム１からの反
射スペクトルは、７３０ ｎｍから８００１１１１１の
波長領域において干渉によりみられるピークＰが存在せ
ず、かつ、装置の光源波長である７ ８０ ｎｍでの反
射率はわずか２０％となっている。従って、このような
反射スベク１〜ルをもつ感光体ドラム１と７８０ ｎｍ
の半導体レーザー９とを用いた電子写真装置では、かぶ
りの少ない良好な画像が得られた。
尚、本実施例のように光源波長である７８０ｎｌｌｌで
の反射率が極小となる反射スペク］−ルをもつ感光体ド
ラムが最も好ましいものである。ところで、第３図に示
した反射スペクＩ・ルは８００ ｎｉまでに止まってい
るが、これは連単使用さねている分光器の限界であり、
これ以上の波長の反射スペクトルは同じ条ｆ１では１ｑ
られず、分光器の受光素子を交換して測定しな【ノれば
なら＜２い。従って、ここでは光源波長（７８０ｎｍ）
の±５Ｑｎｍの波長領域（７３０〜８３０ｎｍ）全域に
ついて干渉によるピークの存在を確認していないが、測
定データの連続性より上記範囲内に干渉によるピークが
存在しないことは充分な確証をもって推定することがで
きる。
の反射率が極小となる反射スペク］−ルをもつ感光体ド
ラムが最も好ましいものである。ところで、第３図に示
した反射スペクＩ・ルは８００ ｎｉまでに止まってい
るが、これは連単使用さねている分光器の限界であり、
これ以上の波長の反射スペクトルは同じ条ｆ１では１ｑ
られず、分光器の受光素子を交換して測定しな【ノれば
なら＜２い。従って、ここでは光源波長（７８０ｎｍ）
の±５Ｑｎｍの波長領域（７３０〜８３０ｎｍ）全域に
ついて干渉によるピークの存在を確認していないが、測
定データの連続性より上記範囲内に干渉によるピークが
存在しないことは充分な確証をもって推定することがで
きる。
ここで、本発明が適用されていない感光体ドラムの反射
スペクトルを第６図に示す。第６図では、７３０ ｎａ
＋から８００ ｎｍまでの波長領域に干渉によるピーク
Ｐが存在し、光源波長である７ ８０ ｎｍでの反射率
は７０％にも及んでいる。従って、このような反射スペ
ク１〜ルをもつ感光体ドラムを使用すると、かぶりが多
く干渉縞が見られる画像しか得られなかった。
スペクトルを第６図に示す。第６図では、７３０ ｎａ
＋から８００ ｎｍまでの波長領域に干渉によるピーク
Ｐが存在し、光源波長である７ ８０ ｎｍでの反射率
は７０％にも及んでいる。従って、このような反射スペ
ク１〜ルをもつ感光体ドラムを使用すると、かぶりが多
く干渉縞が見られる画像しか得られなかった。
次に、表面層１３の膜厚ｔを１０００Ａ以下にした場合
の感光体の反射スペクトルを第４図、第５図に示す。こ
れらの特性測定は、表面層１３の膜厚ｔを１０００Ａ以
下に変えたこと以外の条件は上記測定条件と同一である
。第４図に示す反射スペクトル１０では８０００Ｉｌｌ
近傍において干渉によるピークの存在が推定されるが、
このような感光体に７８０ｎｍの波長の半導体レーザー
を使用したところ、かぶりが多く見１１０プ上の感度が
低くなっている。一方、第５図に示す反射スペクトルで
は、７３０ｒ＋ｎ＋ 〜８３０ｎｍの波長領域に干渉に
よるピークが存在せず、このような感光体に７８０ｎｎ
＋の波長の半導体レーザーを使用したところ、かぶりの
ない良好な画像が得られた。
の感光体の反射スペクトルを第４図、第５図に示す。こ
れらの特性測定は、表面層１３の膜厚ｔを１０００Ａ以
下に変えたこと以外の条件は上記測定条件と同一である
。第４図に示す反射スペクトル１０では８０００Ｉｌｌ
近傍において干渉によるピークの存在が推定されるが、
このような感光体に７８０ｎｍの波長の半導体レーザー
を使用したところ、かぶりが多く見１１０プ上の感度が
低くなっている。一方、第５図に示す反射スペクトルで
は、７３０ｒ＋ｎ＋ 〜８３０ｎｍの波長領域に干渉に
よるピークが存在せず、このような感光体に７８０ｎｎ
＋の波長の半導体レーザーを使用したところ、かぶりの
ない良好な画像が得られた。
さらに、第３図乃至第５図に示す反射スペクｌ−ルをも
つそれぞれの感光体に対し、光源として６３３ｎｍの波
長のＨｅ 、ｐｉｅレー１ｆ−を用いて試験を行なって
みた。第３図乃至第５図に示す反射スペクトルをもつ感
光体のうち、５８３ ｎｍ−６８３ｎｌｌｌの波長領域
に干渉によるピークの存在しない第３図及び第４図に示
す反射スペクトルをもつ感光体において良好な結果が得
られた。ただし、上記の測定においては光導電層１２に
非晶質シリコンを用いた感光体を使用し、この感光体は
６３３０１１の波長の光に対し感度が非単に高いため、
ｉ ｅｒｇ／ ｃｓ２以下の光強度まで減衰させて試験
を行なつた。
つそれぞれの感光体に対し、光源として６３３ｎｍの波
長のＨｅ 、ｐｉｅレー１ｆ−を用いて試験を行なって
みた。第３図乃至第５図に示す反射スペクトルをもつ感
光体のうち、５８３ ｎｍ−６８３ｎｌｌｌの波長領域
に干渉によるピークの存在しない第３図及び第４図に示
す反射スペクトルをもつ感光体において良好な結果が得
られた。ただし、上記の測定においては光導電層１２に
非晶質シリコンを用いた感光体を使用し、この感光体は
６３３０１１の波長の光に対し感度が非単に高いため、
ｉ ｅｒｇ／ ｃｓ２以下の光強度まで減衰させて試験
を行なつた。
このように、光源波長の±５０ｎｍの波長領域に干渉に
よるピークが存在しないように表面層１３を形成するこ
とで、かぶりのない良好な画像を得ることができること
を確認できた。
よるピークが存在しないように表面層１３を形成するこ
とで、かぶりのない良好な画像を得ることができること
を確認できた。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲で種々の変形実施が可能である。例え
ば感光体は非晶質シリコンで形成されるものに限らず、
Ｓｅ 、 Ａｓ ２ Ｓ３ 、 Ａｓ ２Ｓｅ３等を光
導電層に用いた場合でも、それと屈折率の異なる表面層
を設け、使用する光源の波長に応じて上述したような反
射スペクトルが１８られるように材料、膜厚をコントロ
ールすることにより同様の効果を奏することができる。
発明の要旨の範囲で種々の変形実施が可能である。例え
ば感光体は非晶質シリコンで形成されるものに限らず、
Ｓｅ 、 Ａｓ ２ Ｓ３ 、 Ａｓ ２Ｓｅ３等を光
導電層に用いた場合でも、それと屈折率の異なる表面層
を設け、使用する光源の波長に応じて上述したような反
射スペクトルが１８られるように材料、膜厚をコントロ
ールすることにより同様の効果を奏することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば可干渉光を発する
光源を用いた場合にあっても、感光体表面での反射光と
の干渉による入射光の減衰を最小限に押えることができ
、もってかぶりの少ない干渉縞のない良好な画像を得る
ことができる。
光源を用いた場合にあっても、感光体表面での反射光と
の干渉による入射光の減衰を最小限に押えることができ
、もってかぶりの少ない干渉縞のない良好な画像を得る
ことができる。
第１図は本発明に係る電子写真装置の概略断面図、第２
図は同電子写真感光体の断面図、第３図。 第４図及び第５図はそれぞれは同電子写真感光体の反射
スペクトルを示す特性図、第６図は本発明が適用されて
いない電子写真感光体の反射スペクトルを示す特性図で
ある。 １・・・・・・電子写真感光体、９・・・・・・光源、
１２・・・・・・感光層、１３・・・・・・表面層。 第２図
図は同電子写真感光体の断面図、第３図。 第４図及び第５図はそれぞれは同電子写真感光体の反射
スペクトルを示す特性図、第６図は本発明が適用されて
いない電子写真感光体の反射スペクトルを示す特性図で
ある。 １・・・・・・電子写真感光体、９・・・・・・光源、
１２・・・・・・感光層、１３・・・・・・表面層。 第２図
Claims (2)
- （１）感光体と、この感光体を帯電する帯電装置と、こ
の帯電装置により帯電された前記感光体に光を照射して
電荷パターンを形成する光源と、この光源からの光照射
により前記感光体上に形成された電荷パターンを現像し
て可視像を形成する現像装置と、この現像装置により形
成された可視像を記録媒体に転写する転写装置とを具備
する電子写真装置において、前記光源は可干渉光を照射
するものであり、前記感光体は前記光源波長の±５０ｎ
ｍの波長領域における反射スペクトルに干渉によるピー
クが存在しない表面層が感光層上に形成されていること
を特徴とする電子写真装置。 - （２）感光体は非晶質シリコンを含んで成るものである
特許請求の範囲第１項に記載の電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15179884A JPS6129851A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15179884A JPS6129851A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129851A true JPS6129851A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15526529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15179884A Pending JPS6129851A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129851A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179165A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US5422209A (en) * | 1991-04-12 | 1995-06-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor having a photoconductive layer of amorphous silicon and surface layer |
| WO2005088400A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体 |
| US11683594B2 (en) | 2021-04-15 | 2023-06-20 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for camera exposure control |
| US11689813B2 (en) | 2021-07-01 | 2023-06-27 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for high dynamic range imaging using crossed polarizers |
| US11699273B2 (en) | 2019-09-17 | 2023-07-11 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for surface modeling using polarization cues |
| US11729365B2 (en) | 2011-09-28 | 2023-08-15 | Adela Imaging LLC | Systems and methods for encoding image files containing depth maps stored as metadata |
| US11792538B2 (en) | 2008-05-20 | 2023-10-17 | Adeia Imaging Llc | Capturing and processing of images including occlusions focused on an image sensor by a lens stack array |
| US11797863B2 (en) | 2020-01-30 | 2023-10-24 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for synthesizing data for training statistical models on different imaging modalities including polarized images |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15179884A patent/JPS6129851A/ja active Pending
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