JPS6354172B2 - - Google Patents

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JPS6354172B2
JPS6354172B2 JP55055507A JP5550780A JPS6354172B2 JP S6354172 B2 JPS6354172 B2 JP S6354172B2 JP 55055507 A JP55055507 A JP 55055507A JP 5550780 A JP5550780 A JP 5550780A JP S6354172 B2 JPS6354172 B2 JP S6354172B2
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JP
Japan
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selenium
tellurium
layer
sensitivity
photoconductive layer
Prior art date
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Expired
Application number
JP55055507A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56151941A (en
Inventor
Kazuyoshi Tateishi
Yukio Tokunaga
Hiroyuki Hoshino
Kazuhito Doi
Mitsuhiro Yoshitome
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Yamanashi Electronics Co Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Yamanashi Electronics Co Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd, Yamanashi Electronics Co Ltd, Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5550780A priority Critical patent/JPS56151941A/ja
Publication of JPS56151941A publication Critical patent/JPS56151941A/ja
Publication of JPS6354172B2 publication Critical patent/JPS6354172B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0433Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光プリンタに好適なセレン感光体に関
するもので、特に長波長単色光に対し、感度を向
上せしめると共に、電気的、機械的特性等の諸特
性に優れた高感度長寿命のセレン感光体を提供す
るものである。
一般に電子写真装置に使用される感光体として
各種の光導電体、例えばセレン(Se)、酸化亜鉛
(ZnO)、硫化カドミウム(CdS)等の無機材或る
いは高分子化合物が知られているが、特にセレン
感光体は現像工程においてイメージ(露光)光源
としてのタングステン電球、螢光燈等の白色(可
視)光を照射して潜像を形成せしめた後、これを
現像−転写−除電−クリーニング工程を経る複写
に供されている。
然し乍ら、セレン感光体の分光感度は赤色光等
の長波長に対して弱く全色性光線レスポンスに欠
け、精々550nm以下の短波長光に限定されてい
る。そこで従来、この点を改善する目的で、セレ
ンにテルル(Te)、砒素(As)ビスマス(Bi)
アンチモン(Sb)等の増感材を添加することに
より、その添加量に見合つた長波長側の分光感度
領域を拡大して、可視光域を含む広い範囲で高い
分光感度を得るものが提案されている。然し乍ら
その反面増感材は、その添加量に従つて感光体の
電気抵抗を低下せしめるために、受容(帯電)電
位の低下、暗減衰の増大を招き、電気的特性の安
定化を損うのみならず熱的安定性を欠き、使用中
の機内温度等の上昇によりセレンの結晶核が発生
して、非結晶セレンが早期に結晶化するために機
械的耐摩耗強度が低下して、長寿命化が期待でき
ない等の難点がある。
一方、近年上記セレン感光体を用いた電子写真
装置をプリンタユニツトとして、コンピユータ等
を含むコントロールユニツトを組合わせて成る所
謂光プリンタが提案されているが、そのセレン感
光体のイメージ光源として各種のレーザ、例えば
YAG等の固体レーザ、He−Ne等の気体レーザ、
GaAs等の半導体レーザ、更には発光ダイオード
等が使用されている。しかし、周知のように上記
のような光源は単色光であり、しかもイメージ光
源用レーザとして使用されているものは、通常
600nm乃至1000nm(1μm)の長波長である。従つ
て、従来の電子写真用セレン感光体を直ちに該プ
リンタ用として適用することには種々の問題があ
り、適用に当つては特に長波長側の分光感度領域
を更に拡大せしめると共に、電気的、機械的特性
を安定化して長寿命化を計る必要がある。また更
に全色性光線レスポンスはむしろ電気光的な疲労
の要因となるので、選択された単色性長波長光線
のみに高感度を維持できる感光体が要求される。
そこで本出願人等は上記要求に好適なセレン感光
体として先に特願昭53−151722号において増感材
を含む2層光導電層部分を有する感光体を提案
し、又特願昭49−61858号において増感材を含む
光導電層の分光感度を損うことのない、電気、機
械的特性の優れた長寿命のセレン感光体を提案し
た。
本発明は叙上の点に鑑みて発明したもので、そ
の第1の目的は長波長単色光に対し高感度のセレ
ン感光体を提供することである。第2の目的は分
光感度の長波長側のピーク位置を任意に調整し得
るセレン感光体を提供することである。更に他の
目的は先の提案技術を利用して長波長側の分光感
度を損うことなく、電気、機械的特性の安定した
長寿命のセレン感光体を提供することである。
本発明は導電性支持体上に被覆されたガラス質
セレン層と、該セレン層を被覆するセレン−テル
ル(Se−Te)光導電層(第1)と、該光導電層
(第1)を被覆するセレン−テルル−アンチモン
(Se−Te−Sb)光導電層(第2)の2層光導電
層部分を含み、且つ、該第1光導電層の感度を第
2光導電層のそれよりも高くなるように構成した
ことを特徴とするものである。本発明のセレン感
光体は、照射光源に対し、該2層光導電層部分で
互いに補償し合い、分光感度特性において短波長
側のピークと長波長側のピーク特性を得て、該長
波長側のピーク特性のみに着目することによつて
分光感度領域の拡大を計るようにしたものであ
る。又該2層光導電層の各々組成比及び第2光導
電層の層(膜)厚を調整することによつて、長波
長側のピーク位置を任意に移動できるようにした
ものである。以下これについて第1図を用いて説
明する。
第1図は本発明の分光感度特性説明図で、縦軸
に感度(量子効率)、横軸に波長(nm)を示す。
図において実線1,2,3はセレン−テルル
(Se−Te)光導電層のみの分光感度特性曲線で、
増感材(Te)の添加量を増加するのに従つて1,
2,3の如く、長波長側に感度領域が拡大するこ
とを示す。ここで曲線1において上記セレン−テ
ルル光導電層上にこれより感度の低いセレン−テ
ルル−アンチモン(Se−Te−Sb)光導電層を被
覆すると、曲線1′の如く低波長側で落ちこみを
生じ長波長側で再び感度のピークとなる山形の特
性が得られることを示している。このことは2層
光導電層部分が相互に影響し、短波長は表面保護
層即ちセレン−テルル−アンチモン層で吸収さ
れ、長波長光のみが下部のセレン−テルル層に到
達して分光感度領域を拡大するものと考えられ
る。又曲線1″,1はセレン−テルル−アンチ
モン光導電層を被覆した状態において、テルルの
濃度を増加するか又は該光導電層の層(膜)厚を
厚く形成することにより、長波長側のピーク感度
は低くなるが、ピーク位置が長波長に移動するこ
とを示している。このことは、テルル濃度が高く
即ち、表面保護層(セレン−テルル−アンチモン
層)の感度が増加すると、表面保護層でこの光吸
収が大きく、又層厚が厚くなると照射光の透過率
が悪くなり、いずれも長波長光のセレン−テルル
層への到来が少く(光量が変わる)なつて、長波
長側に感度のピークが移動することによるものと
思われる。又、この長波長側のピーク特性は下層
のセレン−テルル光導電層の感度特性(第1図の
1,2,3参照)に沿つて移動する。従つて該両
2層光導電層の各々の組成比及び層厚を調整する
ことにより、長波長側のピーク感度及びピーク位
置を任意に調整でき、又例えば感度を一定にして
所要照射波長を自由に選択できる。
本発明は表面保護層であるセレン−テルル−ア
ンチモン光導電層の組成比を調整したことによ
り、その電気的抵抗の低下を防止して帯電々位の
低下及び暗減衰の増大を阻止すると共に、表面保
護層の熱的影響に起因する非結晶セレンの結晶化
を防いで電気的、機械的強度を強くすることがで
きる。一般に熱的影響による非結晶質の変化は、
大気中に露呈されている感光体表面層から進行す
るものであるが、本発明によれば表面保護層が電
気的、機械的に極めて安定化されているために、
下層のセレン−テルル光導電層は、熱的影響が少
く、従つて長波長側の感度を損うことなく安定な
電気的特性及び高寿命化が達成できる。以下、本
発明の実施例について説明する。
<実施例 1> 第2図は本発明のセレン感光体の構成例図で、
先ず導電性支持基体1である清浄なる板状又はド
ラム状アルミニウム基体1上に、必要に応じて中
間層2として酸化アルミニウム等を被着した後、
該アルミニウム基体1上または中間層2上に高純
度のセレン(99.999%以上)を60μm真空蒸着し
てガラス質セレン層3を形成した。次いでこの状
態で真空を破ることなく、該セレン層3上にテル
ルを20重量(wt)%含有するセレン−テルルの
粉末を加熱したルツボから少量ずつ落下して、厚
さ0.5μmのセレン−テルル光導電層4を蒸着し
た。更にセレン96.5wt%、テルル3wt%、アンチ
モン0.5wt%の組成比の合金粉末を同様な方法に
よつてフラツシユ蒸着して1μmのセレン−テルル
−アンチモン光導電層5を形成した。このような
構成のセレン感光体を十分にエージング処理した
後、分光感度の測定を行なつた結果を第3図に示
す。測定はコロナ放電によつて感光体を正帯電し
た後、短波長から長波長までの単色光を露光せし
め、その半減露光エネルギーにより分光感度を測
定したものである。即ち、本発明の感光体は第3
図の曲線Aに示すように、波長550nm〜600nmの
範囲で感度は極端に落ち込むが、625〜650nmの
間で再び感度のピークを有する。なお第3図にお
いて曲線Bは従来のセレン−テルル光導電層のみ
を有する感光体の特性曲線で、波長700nmを越え
可視光域を含む広い範囲で高い分光感度を示して
いる。
第4図は従来及び本発明の感光体を、各々温度
50℃、湿度60%の雰囲気中に放置して表面電位の
変化を測定した結果を示すもので、本発明は曲線
Aに示すように、1ケ月(30日)放置後において
も初期の表面電位を引き続き保持するのに対し、
従来例においては、曲線Bの如く4日後早くも表
面状態が変化し、7日間で表面電位の降下を生じ
た。即ち、従来例においては全色性光線レスポン
スに優れているが、その反面電気的安定に欠き、
実用性に乏しいものであるのに対し、本発明の感
光体は全色性光線レスポンスは劣るが、長波長単
色光に高感度が得られ、しかも電気的安定性に優
れたもので、例えばヘリウム−ネオン(He−
Ne)レーザ用として好適であり、しかも実用性
が高い。この他機械的摩耗強度をたしかめるため
従来及び本発明の感光体の表面を、柔らかい布に
市販の研摩剤等を含浸せしめたものによつて、研
摩した後その減量を測定した結果、本発明の感光
体は減量が従来例に比し1/10程度であることが確
認された。即ち、機械的摩耗強度は従来例に比し
約10倍程度強固となることを示している。
<実施例 2> <実施例1>と同様な方法によりアルミニウム
基体1上にガラス質セレン層3を60μm蒸着し、
次いでテルル28wt%、セレン72wt%の組成比の
光導電層4を0.5μm蒸着し、更にテルル3wt%、
アンチモン0.5wt%、セレン96.5wt%の組成比の
光導電層5を1μm形成した、感光体についてその
分光感度の測定を行つた所、第3図の曲線Cの如
く波長550nm〜650nmの範囲で分光感度の谷間
(落ち込み)を生ずるが、その後750nm付近で再
び長波長側のピークを示した。なお、800nmでの
半減露光エネルギーは0.5μJ/cm2であつた。この
特性はガリウム−砒素(GaAs)等の半導体レー
ザに適している。又他の諸特性は実施例1とほぼ
同様な結果が得られた。更に該実施例2とは別に
光導電層5の膜厚のみを変えて3μm及び5μmのも
のを同様に作り、各々について分光感度の測定を
行つた結果を第5図に示す。第5図において曲線
イは1μm(本実施例2)、ロは3μm、ハは5μmの例
を示す。即ち第5図から明らかな如く表面保護層
5の膜厚が厚くなるのに従つて長波長側のピーク
が更に右方向(長波長側)に移動することが確認
された。このことは前述のように膜厚が厚くなる
と、入射光の透視率が悪くなつて表面保護層5で
の吸収率が高くなり、下層の光導電層4の到来す
る長波長の光量が変わる為と思われる。従つてこ
れらの実験結果から長波長側のピーク(感度)は
主としてセレン−テルル(Se−Te)光導電層4
に起因し、又そのピーク位置(波長)はセレン−
テルル(Se−Te)光導電層4とセレン−テルル
−アンチモン(Se−Te−Sb)光導電層5の膜
厚、及び後述する組成比に起因して移動すること
が確認された。
<実施例 3> 直径120mm、長さ350mmのアルミニウム製ドラム
を準備し、その表面を鏡面に研摩、洗浄して任意
のアルミニウム表面処理を施こしたものを、75℃
の温度雰囲気において回転しながらその表面に純
セレンを約60μm蒸着したのち、その層上に更に
テルルを28wt%含有するセレン−テルル光導電
層4を0.5μm蒸着した。更にこの表面にテルル
3wt%、アンチモン0.5wt%、セレン96.5wt%の
組成比からなる光導電層を5μm蒸着したセレン感
光ドラムを形成した。又特性比較の為に、これと
は別に表面保護層5のテルル濃度が5wt%及び
10wt%のものを同時に形成した。このように形
成したセレンドラムについて分光感度を測定した
所、<実施例2>と同様に750nm以上の光源に対
し、十分な感度を示した。又疲労試験ではドラム
回転速度30rpmで帯電−露光を繰返し、除電には
20W白色螢光燈に黄色フイルターを付して1000サ
イクルのテストを行つた結果、表面電位の落ち込
みは見られず、残留電位の上昇も20Vあつた。第
6図は表面保護層5のテルル(Te)濃度と長波
長側のピーク点の変化の関係を示す特性図で、図
から明らかなようにテルル濃度が増加するのに伴
つて、曲線イ,ロ,ハ(3wt%,5wt%,10wt
%)の如く長波長側のピーク位置は右方向(長波
長側)に移動することが明らかに認められる。即
ち、上記<実施例2>の特性結果と相俟つて長波
長側の感度をより高く、又更に長波長側にそのピ
ーク位置を移動せしむるには、セレン−テルル光
導電層4の感度を高く増感材の添加量を多く、又
セレン−テルル−アンチモン光導電層5の膜厚
と、そのテルル濃度を適切に調節する事によつて
可能となる。なお以上の実施例においてアンチモ
ンはその濃度(組成比)を増加するのに伴つて耐
摩耗等の機械強度を増加せしめるが、同時に残留
電位も増加する傾向があるのでその量は10wt%
以下の範囲が望ましい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば低感度のセレン−テルル−アンチモン光導電層
と、これより高感度のセレン−テルル光導電層の
2層構造の採用により、長波長側のみの分光感度
域を更に拡大できる。従つて特に波長600nm乃至
1000nmの光を露光源とする光プリンタ用セレン
感光体として好適であり、しかも該光導電層の組
成比及び膜厚の調整により長波長側のピーク感度
及びその位置の調整が容易である為、必要に応じ
たレーザの選択が可能である。従つてプリンタユ
ニツトとしての利用範囲が拡大すると共に電気
的、機械的特性の安定した高寿命のセレン感光体
が提供できるので、実用上の効果は極めて大き
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明セレン感光体の分光感度特性説
明図、第2図は本発明のセレン感光体の構成例
図、第3図、第4図は従来及び本発明セレン感光
体を比較した分光感度特性図及び表面電位の変化
を示す特性図、第5図、第6図は本発明セレン感
光体の膜厚と分光感度の関係を示す特性図、及び
テルル組成比と分光感度の関係を示す特性図であ
る。 1は導電性支持基体、2は中間層、3はガラス
質セレン層、4はセレン−テルル光導電層、5は
セレン−テルル−アンチモン光導電層(表面保護
層)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 導電性支持体上に形成された厚さが100μm以
    下のガラス質セレン層と、このガラス質セレン層
    面上を被覆する厚さが10μm以下であつてセレン
    20〜50重量%、テルル5〜80重量%の組成をもつ
    第1光導電層と、この第1光導電層上を被覆する
    厚さが10μm以下であつて、セレン80重量%以上、
    テルル10重量%以下、アンチモン10重量%以下の
    組成をもつ第2光導電層とよりなることを特徴と
    する光プリンタ用セレン感光体。
JP5550780A 1980-04-28 1980-04-28 Selenium photoreceptor for photoprinter Granted JPS56151941A (en)

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JPS6014255A (ja) * 1983-07-05 1985-01-24 Toshiba Corp 画像形成装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50154084A (ja) * 1974-06-03 1975-12-11
JPS5250238A (en) * 1975-10-21 1977-04-22 Yamanashi Denshi Kogyo Kk Amorphous selenium.tellurium electrophotographic light sensitive mater ial

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