JPS6087340A - 電子写真用光導電性感光体 - Google Patents
電子写真用光導電性感光体Info
- Publication number
- JPS6087340A JPS6087340A JP19647983A JP19647983A JPS6087340A JP S6087340 A JPS6087340 A JP S6087340A JP 19647983 A JP19647983 A JP 19647983A JP 19647983 A JP19647983 A JP 19647983A JP S6087340 A JPS6087340 A JP S6087340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- alloy
- electric charge
- contg
- concn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は′…、子写真用光導’ｔＪＥ性感光体、特に半
導体レーザビームのような長波長光にも十分な感度を有
する感光体に関する。
導体レーザビームのような長波長光にも十分な感度を有
する感光体に関する。
７５０ないし８３０ ｎｍの長波長光に対しても感度を
有する光導電性感光体としては硫化カドミウム系、有機
半導体あるいはセレン−テルル合金を主体としたカルコ
ゲナイド系が提案あるいは実用化されているが、このう
ち５ｅ−Ｔｅ系が安定性、寿命の点から最もすぐれてい
る。５ｅ−Ｔｅ系材料に７５０〜８３０ｎｍの波長光の
感度を持たせるためには、Ｔｅ濃度を高くする必要があ
る。しかし感光層全体にＴｅを高＃度に添加すると暗電
流が増加し、コロナ放電時に十分な帯電能が確保されな
い。このため、通常は機能を分離してＴｅを高濃度に添
加した電荷発生ツメと、純粋なＳｅないしはＴｅを低濃
度（１〜６重量％）に添加した５ｅ−Ｔｅ合金からなる
電荷輸送層とを設けることにより長波長光に十分な感度
を有し、なおかつ十分な帯電性能を有する感光体を実現
している。
有する光導電性感光体としては硫化カドミウム系、有機
半導体あるいはセレン−テルル合金を主体としたカルコ
ゲナイド系が提案あるいは実用化されているが、このう
ち５ｅ−Ｔｅ系が安定性、寿命の点から最もすぐれてい
る。５ｅ−Ｔｅ系材料に７５０〜８３０ｎｍの波長光の
感度を持たせるためには、Ｔｅ濃度を高くする必要があ
る。しかし感光層全体にＴｅを高＃度に添加すると暗電
流が増加し、コロナ放電時に十分な帯電能が確保されな
い。このため、通常は機能を分離してＴｅを高濃度に添
加した電荷発生ツメと、純粋なＳｅないしはＴｅを低濃
度（１〜６重量％）に添加した５ｅ−Ｔｅ合金からなる
電荷輸送層とを設けることにより長波長光に十分な感度
を有し、なおかつ十分な帯電性能を有する感光体を実現
している。
さらに、この種の光導電性感光体は複写機あるいは電子
写真式プリンタに用いる場合、トナーのクリーニング時
に表面を傷つけ、画像に欠陥を及ぼすことになる。この
問題を解決するため、電荷発生層の上に純粋なＳｅない
し低濃度（１〜６重量％）のＴｅを添加したＳｅからな
る表面保護層を設けることが一般に行われている。
写真式プリンタに用いる場合、トナーのクリーニング時
に表面を傷つけ、画像に欠陥を及ぼすことになる。この
問題を解決するため、電荷発生層の上に純粋なＳｅない
し低濃度（１〜６重量％）のＴｅを添加したＳｅからな
る表面保護層を設けることが一般に行われている。
しかしこのような表面保歌層は、その初期特性は満足ゆ
くものであるが、純粋なＳｅはガラス転移点が低いため
、耐結晶化性能が劣る。従って複写機内あるいはプリン
タ内の温度上昇を極力抑え、また設置する環境条件に対
しても十分な温湿度調整の配慮が必要である。この欠点
はＴｅを添加した場合多少改善されるが実用上、満足の
ゆくものではない。さらに純Ｓｅまたは低濃度Ｔｅ−３
ｅからなる表面保護層の耐刷性も十分であるとは言えな
い。
くものであるが、純粋なＳｅはガラス転移点が低いため
、耐結晶化性能が劣る。従って複写機内あるいはプリン
タ内の温度上昇を極力抑え、また設置する環境条件に対
しても十分な温湿度調整の配慮が必要である。この欠点
はＴｅを添加した場合多少改善されるが実用上、満足の
ゆくものではない。さらに純Ｓｅまたは低濃度Ｔｅ−３
ｅからなる表面保護層の耐刷性も十分であるとは言えな
い。
本発明は長波長光にも十分な感度を有する機能分離仰電
子写真用光導電性感光体の表面保護層の耐結晶化性能、
耐刷性能を改善することを目的とする。
子写真用光導電性感光体の表面保護層の耐結晶化性能、
耐刷性能を改善することを目的とする。
本発明による光導電性感光体は、導電性基体上にセレン
あるいは低６に度のテルルを含むセレン・テルル合金か
らなる電荷輸送層、高濃度のテルルしてセレン・テルル
・アンチモン合金からなる表面保護層を設けることによ
って上記の目的を逼成したものである。
あるいは低６に度のテルルを含むセレン・テルル合金か
らなる電荷輸送層、高濃度のテルルしてセレン・テルル
・アンチモン合金からなる表面保護層を設けることによ
って上記の目的を逼成したものである。
５ｅ−Ｔｅ合金にｓｂを添加することによって鎖状構造
が架橋されて三次元化し、ガラス転移点が上昇し、ｌた
硬度が大となるため、耐結晶化性能、耐刷性能が飛躍的
に向上する。表面保護層中の添加元素の濃度および膜厚
には以下に示す制限がある。
が架橋されて三次元化し、ガラス転移点が上昇し、ｌた
硬度が大となるため、耐結晶化性能、耐刷性能が飛躍的
に向上する。表面保護層中の添加元素の濃度および膜厚
には以下に示す制限がある。
（１） ｓｂ一度
ａ）下限・・・耐結晶化性能・耐刷性能の効果が顕著で
なくなる。
なくなる。
ｂ）上限・・・地力ブリの発生（残留電位の上昇）が起
きる。
きる。
（２） Ｔｅ濃度、膜厚
ａ）下限・・・耐結晶化性能・耐刷性能の効果が顕著で
なくなる。
なくなる。
ｂ）上限・・・７８０〜３３Ｑ ｎｍの入射光が表面保
護層で吸収されるため電荷発生層に十分な光 量が到達しなくなる。
護層で吸収されるため電荷発生層に十分な光 量が到達しなくなる。
この結果第１図の枠１１で示した範囲、すなわちＴｅ
１〜１０重１％、Ｓｂ Ｏ，２〜５重景％の範囲が有効
であり、特に望ましい範囲は斜線で示した範囲１２、ず
なわちＴｅ １〜６重葉％、Ｓｂ Ｏ，５〜３重量％の
範囲である。
１〜１０重１％、Ｓｂ Ｏ，２〜５重景％の範囲が有効
であり、特に望ましい範囲は斜線で示した範囲１２、ず
なわちＴｅ １〜６重葉％、Ｓｂ Ｏ，５〜３重量％の
範囲である。
導電性基体としてアルミニウム円筒を用い、２ｘｉ（ｒ
’トル以下の高真空で第２図に示すように１ｏｒ。
’トル以下の高真空で第２図に示すように１ｏｒ。
ｐ、ｍで回転する基体１の上に電荷輸送層２．電荷発生
層３．中間層４２表面保にφ層５を順次蒸着して感光体
試料を作成した。電荷輸送層２は９９．９９％以上の純
粋なＳｅを用いて２μｍ１分の蒸着速度で０μｍの蒸着
膜厚、電荷発生層３はＴｅ ２２．５重量％のＳｅ−′
ｒｅＴｅ合金料として約１μｍの蒸着膜厚、中間層４は
９９．９９％以上の純粋なＳｅを原料として蒸着膜厚約
１μｍに形成した。表面保護層５は試料により異なり、
第１表に示す原料を用いてフラッジ−蒸着により第１表
に示す膜厚に形成した。
層３．中間層４２表面保にφ層５を順次蒸着して感光体
試料を作成した。電荷輸送層２は９９．９９％以上の純
粋なＳｅを用いて２μｍ１分の蒸着速度で０μｍの蒸着
膜厚、電荷発生層３はＴｅ ２２．５重量％のＳｅ−′
ｒｅＴｅ合金料として約１μｍの蒸着膜厚、中間層４は
９９．９９％以上の純粋なＳｅを原料として蒸着膜厚約
１μｍに形成した。表面保護層５は試料により異なり、
第１表に示す原料を用いてフラッジ−蒸着により第１表
に示す膜厚に形成した。
第 １ 表
比較例１として上記の試料の表面保護層５を形成しない
もの、比較例２としては、表面保訝層５をＴｅ４重量％
の５ｅ−Ｔｅ合金を用いてフラッシュ蒸着により約２．
０μｍの厚さに形成した。
もの、比較例２としては、表面保訝層５をＴｅ４重量％
の５ｅ−Ｔｅ合金を用いてフラッシュ蒸着により約２．
０μｍの厚さに形成した。
これら１０種類の感光体を複写プロセスにならって帯転
、波長７３Ｑｎｍの単色光による露光、白色光による除
電のサイクルを２５０回繰返したところ試料油、６の感
光体の残留電位が９０Ｖ上昇した以外はいずれも良好な
特性を示し、残留電位は５０ Ｖ以下で上昇傾向は見ら
れなかった。また、帯電位の低下に関しては１０種類の
感光体についてすべて良好であり、５０Ｖ以内で漸減傾
向は見られなかった。
、波長７３Ｑｎｍの単色光による露光、白色光による除
電のサイクルを２５０回繰返したところ試料油、６の感
光体の残留電位が９０Ｖ上昇した以外はいずれも良好な
特性を示し、残留電位は５０ Ｖ以下で上昇傾向は見ら
れなかった。また、帯電位の低下に関しては１０種類の
感光体についてすべて良好であり、５０Ｖ以内で漸減傾
向は見られなかった。
次に試料黒６の感光体を除いて実際の複写機に装着し、
連続複写を行った。７７８．５ ｎｍの波長における半
減衰露光量はＮｏ、２の試料で１．９１１ｘ・ｓｅｃ、
Ｊ’に８の試料が１．５０１ｘ＊ ｓｅｅであり、比較
例を含めて他の７本の感光体の半減衰露光量はいずれも
０．６０〜０．８０１ｘ＊ｓｅｃの範囲であった。この
ためＮｔｈ ２およびｈ８の試料に対する除電光量は他
の感光体に対する除電光景の２．５倍とした。
連続複写を行った。７７８．５ ｎｍの波長における半
減衰露光量はＮｏ、２の試料で１．９１１ｘ・ｓｅｃ、
Ｊ’に８の試料が１．５０１ｘ＊ ｓｅｅであり、比較
例を含めて他の７本の感光体の半減衰露光量はいずれも
０．６０〜０．８０１ｘ＊ｓｅｃの範囲であった。この
ためＮｔｈ ２およびｈ８の試料に対する除電光量は他
の感光体に対する除電光景の２．５倍とした。
純Ｓｅだけで保傅膜を構成した比較例１の感光体は約３
万回の連続複写で黒すじ、地かぶり等の画像劣化を生じ
た。また表面にＴｅ ４重量％のＳｅ −Ｔｅ合金層を
設けた比較例２の感光体は、約７万回の連続複写で同様
の画像劣化を生じた。これに対し本発明による他の７本
の感光体は、１ｂ万回まで何らの画像に異常が認められ
ず良好な画像特性を示した。
万回の連続複写で黒すじ、地かぶり等の画像劣化を生じ
た。また表面にＴｅ ４重量％のＳｅ −Ｔｅ合金層を
設けた比較例２の感光体は、約７万回の連続複写で同様
の画像劣化を生じた。これに対し本発明による他の７本
の感光体は、１ｂ万回まで何らの画像に異常が認められ
ず良好な画像特性を示した。
さらに上記の９種類の感光体の同様に作製した別の試料
について酬結晶化性を調べた。これら９種類の感光体を
温度５０°Ｃ，湿度８〜２０％の枦堺下に放凹−シた。
について酬結晶化性を調べた。これら９種類の感光体を
温度５０°Ｃ，湿度８〜２０％の枦堺下に放凹−シた。
比較向１および２の感光体はそれぞれ８０時間、２００
時間で感光層表面に結晶化が認められたのに対し、他の
７種類の感光体はいずれも５００時間才で結晶化が認め
られなかった。
時間で感光層表面に結晶化が認められたのに対し、他の
７種類の感光体はいずれも５００時間才で結晶化が認め
られなかった。
本発明は、電子写真用光４電性品光体の表面保護層の側
斜としてＳｅ −Ｔｅ −Ｓｂ三元素台金を選定したも
ので、ｓｂの添加によっても初期電気特性を損なうこと
なく、また連続運転時の帯電位の低下、残留電位の上昇
も無く、耐結晶化性能、側刷性能に優れた高信頼性、長
寿命を有する機能分Ｎａ型光導電性感光体を得ることが
でき、半導体レーザビームでのｆｔ ｈ込み可能な感光
体に対しても有効に適用できる。
斜としてＳｅ −Ｔｅ −Ｓｂ三元素台金を選定したも
ので、ｓｂの添加によっても初期電気特性を損なうこと
なく、また連続運転時の帯電位の低下、残留電位の上昇
も無く、耐結晶化性能、側刷性能に優れた高信頼性、長
寿命を有する機能分Ｎａ型光導電性感光体を得ることが
でき、半導体レーザビームでのｆｔ ｈ込み可能な感光
体に対しても有効に適用できる。
第１図は本発明による光導電性感光体の有効組成範囲を
示す線図、第２図は本発明による光導電性感光体の構造
を示す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・電荷輸送層、３・・・電
荷発生層、４・中間層、５・・・表面保護層。 −５ｂ （１量ｌｌ／、） 第１図 第２図
示す線図、第２図は本発明による光導電性感光体の構造
を示す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・電荷輸送層、３・・・電
荷発生層、４・中間層、５・・・表面保護層。 −５ｂ （１量ｌｌ／、） 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）導電性基体上にセレンあるいは低畝度のテルルを含
むセレン・テルル合金からなる電荷輸送層、なる中間層
を介してセレン・テルル・アンチモン合金からなる表面
保設層が設けられたことを特徴とする電子写真用光導電
性感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
保ＭΦ層のテルルの含有量が１〜６重量％、アンチモン
の含有量が０．５〜３重景％の範囲内にあることを特徴
とする鉱子写真用光専区性感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647983A JPS6087340A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電子写真用光導電性感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647983A JPS6087340A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電子写真用光導電性感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087340A true JPS6087340A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16358474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19647983A Pending JPS6087340A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電子写真用光導電性感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6779615B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-08-24 | Tecumseh Products Company | Powertrain module for zero turn radius vehicle |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19647983A patent/JPS6087340A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6779615B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-08-24 | Tecumseh Products Company | Powertrain module for zero turn radius vehicle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3655377A (en) | Tri-layered selenium doped photoreceptor | |
| US4426435A (en) | Process for forming an electrophotographic member having a protective layer | |
| US4409309A (en) | Electrophotographic light-sensitive element | |
| CA1075068A (en) | Imaging system | |
| US4609605A (en) | Multi-layered imaging member comprising selenium and tellurium | |
| JPS5859450A (ja) | 光導電アセンブリ | |
| JPS6087340A (ja) | 電子写真用光導電性感光体 | |
| US3867143A (en) | Electrophotographic photosensitive material | |
| JP2675035B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US3709683A (en) | Infrared sensitive image retention photoreceptor | |
| US3951654A (en) | Method for enhancement in the rate and efficiency of photodischarge of electrostatographic imaging members comprising phthalocyanine | |
| KR100562626B1 (ko) | 전자사진용 감광체 및 그 제조 방법 | |
| US4990420A (en) | Electrophotographic photoreceptor with doped Se or Se alloy interlayer | |
| US4877700A (en) | Layered electrophotographic recording material containing selenium, arsenic and bismuth or tellurium | |
| JPS648331B2 (ja) | ||
| JPS6343162A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4717635A (en) | Electrophotographic recording material | |
| JPS59223442A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2775477B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| SU935865A1 (ru) | Электрофотографический материал | |
| JPH0157898B2 (ja) | ||
| JP2599950B2 (ja) | 感光体構造物 | |
| JPH0237583B2 (ja) | ||
| JPH0217019B2 (ja) | ||
| JPH0426107B2 (ja) |