JPS5835542A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5835542A JPS5835542A JP13339381A JP13339381A JPS5835542A JP S5835542 A JPS5835542 A JP S5835542A JP 13339381 A JP13339381 A JP 13339381A JP 13339381 A JP13339381 A JP 13339381A JP S5835542 A JPS5835542 A JP S5835542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- halogen
- photosensitive layer
- layer
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関し、特には広い波長域の
光に対し−Ｃ高い感度を有し、成膜性に優れた感光層を
有する感光体に関する。
光に対し−Ｃ高い感度を有し、成膜性に優れた感光層を
有する感光体に関する。
電子写真用感光体は、通常、Ａｔ等の導電性支持体上に
光導電材料より成る感光層を蒸着法又は塗布法によって
形成することによって作成される。
光導電材料より成る感光層を蒸着法又は塗布法によって
形成することによって作成される。
光導電性材料としては、各種のものが知られており、例
えばＳｅ 、更にはＳｅにＴｅ ｒ Ａｓ ｅ Ｂｔ
＋ハロゲン等の増感剤を添加したものが知られている０
光導電性材料としてＳｅ ｋ用いたＳｅ感光体は、警光
体として極めて優れた特性を有し、多数回の複写にも耐
え得るが、その光感度が６００ ｎｍ ＪＪ、下の短波
長域にあることから使用範囲が限定されるという欠点が
ある。そこで光感度範囲をより長斡長側にまで拡大（波
長増感）し、光感度自体をも増大（個有増感）する前述
の如き増感剤を添加した感光体が提案されているＯ 例えば、特開昭４９−１０４５９４号開示の感光体は、
導電性支持体上にＳｅ −１〜５ ａｔ％Ｂｉ −２〜
５ ａｔ％ Ｉ感光層を設けたものであり、特に赤外等
の長波長域に光感度を有する感光体として開発されたも
のであり。Ｂｉは波長増感剤として、又Ｉは個有増感剤
として用いられている。
えばＳｅ 、更にはＳｅにＴｅ ｒ Ａｓ ｅ Ｂｔ
＋ハロゲン等の増感剤を添加したものが知られている０
光導電性材料としてＳｅ ｋ用いたＳｅ感光体は、警光
体として極めて優れた特性を有し、多数回の複写にも耐
え得るが、その光感度が６００ ｎｍ ＪＪ、下の短波
長域にあることから使用範囲が限定されるという欠点が
ある。そこで光感度範囲をより長斡長側にまで拡大（波
長増感）し、光感度自体をも増大（個有増感）する前述
の如き増感剤を添加した感光体が提案されているＯ 例えば、特開昭４９−１０４５９４号開示の感光体は、
導電性支持体上にＳｅ −１〜５ ａｔ％Ｂｉ −２〜
５ ａｔ％ Ｉ感光層を設けたものであり、特に赤外等
の長波長域に光感度を有する感光体として開発されたも
のであり。Ｂｉは波長増感剤として、又Ｉは個有増感剤
として用いられている。
この方法において、Ｂｉは少量添加でも必要とする効果
は得られるが、■は少量ではあまり効。き目がなく、多
量に添加する必要がある。ところがＩ’ｔ−多量に用い
ると、５ｅ−Ｂｉ系感光体の成膜性の悪さを改善する一
方、暗抵抗が１０Ωｍオ−ダーに低下し、帯電時、感光
体表面を充分な電位に帯電することができない。更に、
■の添加量は、５ｅ−Ｂｉ −Ｉ感光層において耐結晶
性にも関係し、その添加量が多くなると、結晶化を起し
易くなり、感光体の特性を大いに害する等の欠点がある
。
は得られるが、■は少量ではあまり効。き目がなく、多
量に添加する必要がある。ところがＩ’ｔ−多量に用い
ると、５ｅ−Ｂｉ系感光体の成膜性の悪さを改善する一
方、暗抵抗が１０Ωｍオ−ダーに低下し、帯電時、感光
体表面を充分な電位に帯電することができない。更に、
■の添加量は、５ｅ−Ｂｉ −Ｉ感光層において耐結晶
性にも関係し、その添加量が多くなると、結晶化を起し
易くなり、感光体の特性を大いに害する等の欠点がある
。
又、特開昭５０−１４２０３６号公報には、前述のＢｉ
に代えてＴｅ ’に用いたＳｅ −５〜２０ ｗｔｅｓ
Ｔｅ −０，５〜１０００ ｐｐｍ ハロゲン感光層を
有する感光体が記載されている。しかしながら、前述の
ＴｅはＢｉに比較して多量に用いないと十分な増感効果
が得られず、例えばＢｉ ２〜５ ｗｔ％に相当する増
感効果を得るにはＴｅ ｔ ｌ ７〜１８ｗｔ％添加す
る必要がある。しかしながらこのようにＴｅを多量用い
ると、感光体の抵抗が１０９〜１００ｍオーダーにまで
低下し、感光体として実用に供し得ない。
に代えてＴｅ ’に用いたＳｅ −５〜２０ ｗｔｅｓ
Ｔｅ −０，５〜１０００ ｐｐｍ ハロゲン感光層を
有する感光体が記載されている。しかしながら、前述の
ＴｅはＢｉに比較して多量に用いないと十分な増感効果
が得られず、例えばＢｉ ２〜５ ｗｔ％に相当する増
感効果を得るにはＴｅ ｔ ｌ ７〜１８ｗｔ％添加す
る必要がある。しかしながらこのようにＴｅを多量用い
ると、感光体の抵抗が１０９〜１００ｍオーダーにまで
低下し、感光体として実用に供し得ない。
本発明は、以上の従来の欠点を解決した感光体を提供す
るものであり、物には長波長域にまで高い光感度ヲ有す
る成膜性に優れた電子写真用感光体を提供するものであ
る。
るものであり、物には長波長域にまで高い光感度ヲ有す
る成膜性に優れた電子写真用感光体を提供するものであ
る。
即ち、本発明は、導電性支持体上にＴｅ ４〜８ ｗｔ
％、Ｂｉ ２〜４ ｗｔ％ 、ハロゲン１０ ｐｐｍ
〜１ ｗｔ％及びＳｅ残部より成るＳｅ −Ｔｅ −Ｂ
ｉ −ハロゲン感光層を有する電子写真用感光体であっ
て、前記感光層は、単層型、積層型いずれの感光体の場
合も用いることができる。
％、Ｂｉ ２〜４ ｗｔ％ 、ハロゲン１０ ｐｐｍ
〜１ ｗｔ％及びＳｅ残部より成るＳｅ −Ｔｅ −Ｂ
ｉ −ハロゲン感光層を有する電子写真用感光体であっ
て、前記感光層は、単層型、積層型いずれの感光体の場
合も用いることができる。
単層型感光体の場合には、従来より公知の導電性支持体
上単に前述のＳｅ −Ｔｅ’ −Ｂｉ−ハロゲン感光層
を形成すればよいが、積層型感光体して形成後、前記Ｓ
ｅ −Ｔｅ −Ｂｉ−ハロゲン感光層を電荷発生層とし
て設けるか、又は、逆にＳｅ −Ｔｅ−Ｂｉ−ハロゲン
感光層を電荷発生層として設けてからＰＶＫ等の有機物
質の電荷移動層を形成すれば良い。
上単に前述のＳｅ −Ｔｅ’ −Ｂｉ−ハロゲン感光層
を形成すればよいが、積層型感光体して形成後、前記Ｓ
ｅ −Ｔｅ −Ｂｉ−ハロゲン感光層を電荷発生層とし
て設けるか、又は、逆にＳｅ −Ｔｅ−Ｂｉ−ハロゲン
感光層を電荷発生層として設けてからＰＶＫ等の有機物
質の電荷移動層を形成すれば良い。
本発明感光体において、Ｂ１１Ｔｅの併用は、ハロゲン
添加による安定性（耐結晶性）の低下を改善する。その
為安定性を低下することなく所望の増感効果を得るに十
分なＩｉ添加することができ、又、■の十分な添加によ
シ成膜性も改善される。第１図は、Ｔｅｅ含まないＳｅ
−’Ｂｉ−■感光体と、Ｔｅ ｆ ４ ｗｔ％含むＳ
ｅ −Ｔｅ −’Ｂｉ−■感光体の安定性の実用可能範
囲’ｋＩとＢｉの添加量から求めたものであり、境界線
ａ及びｂはそれぞれＳｅ −Ｂｉ −Ｉ感光体、及びＳ
ｅ −Ｔｅ−Ｂｉ −Ｉ感光体の場合であり、いずれも
境界線より上側の領域は感光層の結晶化による特性劣化
が小さく、実用上問題のない許容範囲であり、下側は結
晶化による特性劣化が問題となる領域である。図から明
らかなように、本発明によるＴｅ ４ ｗｔ％含むＳｅ
−Ｔｅ −Ｂｉ −Ｉ感光体の１使用量範囲はＴｅ
ｆ含まない場合に比較し広い。
添加による安定性（耐結晶性）の低下を改善する。その
為安定性を低下することなく所望の増感効果を得るに十
分なＩｉ添加することができ、又、■の十分な添加によ
シ成膜性も改善される。第１図は、Ｔｅｅ含まないＳｅ
−’Ｂｉ−■感光体と、Ｔｅ ｆ ４ ｗｔ％含むＳ
ｅ −Ｔｅ −’Ｂｉ−■感光体の安定性の実用可能範
囲’ｋＩとＢｉの添加量から求めたものであり、境界線
ａ及びｂはそれぞれＳｅ −Ｂｉ −Ｉ感光体、及びＳ
ｅ −Ｔｅ−Ｂｉ −Ｉ感光体の場合であり、いずれも
境界線より上側の領域は感光層の結晶化による特性劣化
が小さく、実用上問題のない許容範囲であり、下側は結
晶化による特性劣化が問題となる領域である。図から明
らかなように、本発明によるＴｅ ４ ｗｔ％含むＳｅ
−Ｔｅ −Ｂｉ −Ｉ感光体の１使用量範囲はＴｅ
ｆ含まない場合に比較し広い。
更にＴｅの使用は成膜性という点から好ましく、４ ｗ
ｔ１〜８ ｗｔ％の範囲で、他の特性、特に帯電特性を
阻害することなく十分な゛効果を奏する。
ｔ１〜８ ｗｔ％の範囲で、他の特性、特に帯電特性を
阻害することなく十分な゛効果を奏する。
また、本発明感光体において、Ｔｅ＋’ ＢＩ Ｔ ’
・ロゲンはいずわもＳｅの増感剤として作用し、８００
ｎｍ以上の長波長光に対しても十分な光感度を有する
。しかしながら、前述の使用量を越えて過剰に用いると
、感光体の抵抗が低下して帯電時の暗減衰速度が大とな
る為感光体表面を十分な電位に帯電できない０第２図は
、Ｓｅ感光体、Ａｓ□Ｓｅ感光体、Ｓｅ −４ｗｔ％
Ｔｅ −２ｗｔ＊ Ｂｉ −０，８ｗｔ％Ｉ感光体の分
光感度曲線であり、それぞれＩ、Ｉｔ、Ｉ［ｌの曲線で
示されている。
・ロゲンはいずわもＳｅの増感剤として作用し、８００
ｎｍ以上の長波長光に対しても十分な光感度を有する
。しかしながら、前述の使用量を越えて過剰に用いると
、感光体の抵抗が低下して帯電時の暗減衰速度が大とな
る為感光体表面を十分な電位に帯電できない０第２図は
、Ｓｅ感光体、Ａｓ□Ｓｅ感光体、Ｓｅ −４ｗｔ％
Ｔｅ −２ｗｔ＊ Ｂｉ −０，８ｗｔ％Ｉ感光体の分
光感度曲線であり、それぞれＩ、Ｉｔ、Ｉ［ｌの曲線で
示されている。
図から明らかなように、本発明の感光体の光感度域は長
波長域まで拡大され、且つＳｅ感光体に比較し光感度そ
のものも増大している０以下実施例を挙げて、本発明を
詳述する。
波長域まで拡大され、且つＳｅ感光体に比較し光感度そ
のものも増大している０以下実施例を挙げて、本発明を
詳述する。
実施例
５ｅ−Ｉ合金（Ｉ １ ｗｔ％含有）と、Ｔｅ−Ｂ１合
金（Ｂｉ ３’ Ｏｗｔ％含有）のそれぞれを粉砕し、
０．２〜０．４ｍの粒径とする０ 以上のようにして粉砕したＳｅ −Ｉ合金２８ｔ１Ｂｉ
−Ｔｅ合金２ｔｆ別−々のボートに入れてそれぞれを３
００℃、７００℃に加熱し、−真空度１０−５ｔｏｒｒ
下で約５０℃に加熱されたＡｔ導電性支持体上に前述の
２種の合金を６０分間共蒸着せしめ、５ｅ−Ｔｅ−Ｂｉ
−Ｉ感光層を形成して本発明の感光体を作成した。
金（Ｂｉ ３’ Ｏｗｔ％含有）のそれぞれを粉砕し、
０．２〜０．４ｍの粒径とする０ 以上のようにして粉砕したＳｅ −Ｉ合金２８ｔ１Ｂｉ
−Ｔｅ合金２ｔｆ別−々のボートに入れてそれぞれを３
００℃、７００℃に加熱し、−真空度１０−５ｔｏｒｒ
下で約５０℃に加熱されたＡｔ導電性支持体上に前述の
２種の合金を６０分間共蒸着せしめ、５ｅ−Ｔｅ−Ｂｉ
−Ｉ感光層を形成して本発明の感光体を作成した。
このようにして作成された感光体を帯電装置（横筒電機
ＥＰＡ ）で１ｏｏｏｖに帯電せしめ、２８５４ Ｋの
標準光源で１００Ｖｔで光減衰せしめ、この時に要した
光量を測定したところ３．５Ｊ ／ｃＭ で高い光感度
が得られた。又、前述の感光体の抵抗値は１０１２Ωα
で電位の暗減衰は達文、上記感光体９分光感度を測定し
たところ、分光感度曲線は第２図の■よりは多少高い感
度を示したもののほぼ同様であった。
ＥＰＡ ）で１ｏｏｏｖに帯電せしめ、２８５４ Ｋの
標準光源で１００Ｖｔで光減衰せしめ、この時に要した
光量を測定したところ３．５Ｊ ／ｃＭ で高い光感度
が得られた。又、前述の感光体の抵抗値は１０１２Ωα
で電位の暗減衰は達文、上記感光体９分光感度を測定し
たところ、分光感度曲線は第２図の■よりは多少高い感
度を示したもののほぼ同様であった。
第１図は、〒ｅｋ含まない５ｅ−Ｂｉ−Ｉ感光体と、Ｔ
ｅ ｋ ４ ｗｔ％含むＳｅ −Ｔｅ −Ｂｉ −Ｉ感
光体の安定性の実用可能範囲を■とＢｉの添加量から求
めたものである。 第２図は、Ｓｅ感光体、Ａｓ２Ｓｅ感光体、Ｓｅ −４
ｗｔ％ Ｔｅ −２ｗｔ％ Ｂｉ −０，８ｗｔ％ Ｉ
感光体の分光感度曲線である。 特許出願人 株式会社リコー 代理人弁理士 小 松 秀 岳
ｅ ｋ ４ ｗｔ％含むＳｅ −Ｔｅ −Ｂｉ −Ｉ感
光体の安定性の実用可能範囲を■とＢｉの添加量から求
めたものである。 第２図は、Ｓｅ感光体、Ａｓ２Ｓｅ感光体、Ｓｅ −４
ｗｔ％ Ｔｅ −２ｗｔ％ Ｂｉ −０，８ｗｔ％ Ｉ
感光体の分光感度曲線である。 特許出願人 株式会社リコー 代理人弁理士 小 松 秀 岳
Claims (1)
- 導電性支持体上にＴｅ ４〜８ｗｔチ、Ｂｉ ２〜４ｗ
ｔ％、ハロゲン１０ ｐｐｍ 〜１ ｗｔ％、及びＳｅ
残部とより成るＳｅ −Ｔｅ −Ｂｉ−ハロゲン感光層
を有することを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13339381A JPS5835542A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13339381A JPS5835542A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835542A true JPS5835542A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15103692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13339381A Pending JPS5835542A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6238793B1 (en) | 1996-11-01 | 2001-05-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for production of a low density polyethylene-lamellar silicate composite material |
| USRE37385E1 (en) | 1985-09-30 | 2001-09-18 | Kabushiki Kaisha Toyoto Chuo Kenkyusho | Composite material and process for manufacturing same |
-
1981
- 1981-08-27 JP JP13339381A patent/JPS5835542A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37385E1 (en) | 1985-09-30 | 2001-09-18 | Kabushiki Kaisha Toyoto Chuo Kenkyusho | Composite material and process for manufacturing same |
| US6238793B1 (en) | 1996-11-01 | 2001-05-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for production of a low density polyethylene-lamellar silicate composite material |
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