JPS59133551A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS59133551A JPS59133551A JP738183A JP738183A JPS59133551A JP S59133551 A JPS59133551 A JP S59133551A JP 738183 A JP738183 A JP 738183A JP 738183 A JP738183 A JP 738183A JP S59133551 A JPS59133551 A JP S59133551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- sensitivity
- charge
- charge transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであシ、特に８
００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ物理
的特性に優れた感光体を提供しようとするものである。
００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ物理
的特性に優れた感光体を提供しようとするものである。
（従来技術）
先ず従来の感光体の一例を第１図によシ説明する。アル
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１
２を真空蒸着法により形成したものであシ、かかるＳｅ
感光体はその分光感度が第４図の曲線Ａで示されるよう
に５００ ｎｍ’ｉ超えると急激に低下する。なお、こ
の感度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光
量の逆数を使用した（以下同じ）。
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１
２を真空蒸着法により形成したものであシ、かかるＳｅ
感光体はその分光感度が第４図の曲線Ａで示されるよう
に５００ ｎｍ’ｉ超えると急激に低下する。なお、こ
の感度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光
量の逆数を使用した（以下同じ）。
他にＳｅにテルル（Ｔｅ）’ｅ添加し分光感度を長波長
に伸ばした５ｅ−Ｔｅ合金感光体もある。しかし、この
５ｅ−Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて表
面電荷の保持特性が不良となシ事実上意光体として使用
できない。そこで、更に他の例として第２図のように導
電性基板２１の上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設けこ
の上にＳｅ −Ｔｅ 合金層２３を２〜３μｍＮ層し上
述した電荷保持特性全改善した２層型式のものがある。
に伸ばした５ｅ−Ｔｅ合金感光体もある。しかし、この
５ｅ−Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて表
面電荷の保持特性が不良となシ事実上意光体として使用
できない。そこで、更に他の例として第２図のように導
電性基板２１の上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設けこ
の上にＳｅ −Ｔｅ 合金層２３を２〜３μｍＮ層し上
述した電荷保持特性全改善した２層型式のものがある。
この表面層がＳｅｓ＋＋Ｔｅｘ５の場合、その分光感度
はｍ４図の曲＠Ｂで示されるように６５０ｎｍ以上で急
激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不能なほどそ
の感度が低下してしまう。
はｍ４図の曲＠Ｂで示されるように６５０ｎｍ以上で急
激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不能なほどそ
の感度が低下してしまう。
更に第３図は、アルミニウム基板３１上に、クロロダイ
アンブルーまたはスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバソールまたはピラゾリン
誘導体とポリカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ ｎ ｍ以上の照射
光に対しては感光体として殆んど使用できない。
アンブルーまたはスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバソールまたはピラゾリン
誘導体とポリカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ ｎ ｍ以上の照射
光に対しては感光体として殆んど使用できない。
ところでレーザー光を光源とした電子写真用感光体ヲ用
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体レーザーを光源として用いる試みが
盛んに行われてお９、かかる半導体レーザー光源の発振
波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体レーザーを光源として用いる試みが
盛んに行われてお９、かかる半導体レーザー光源の発振
波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
（発明の目的）
現在上述した如（８００ｎｍ以上の光に対し高感度を示
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であシ、
かかる８ ００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示
す感光体の出現が強く要求されている。
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であシ、
かかる８ ００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示
す感光体の出現が強く要求されている。
ここに発明者等はかかる事情に鑑み鋭意研究を行った結
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性物質を用いたものが８０
０ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを見
出しこの発明を完成し次のである。
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性物質を用いたものが８０
０ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを見
出しこの発明を完成し次のである。
（発明の構成）
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導電性物質
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、ＭｅはガリウムＧａ 、 Ｘは臭素Ｂｒである
）にて表わされるガリウムフタロシアニンで該ガリウム
フタロシアニンのベンゼン環の水素の一部カ臭素で置換
されたフタロシアニンを用いたことを特徴とする電子写
真用感光体である。
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、ＭｅはガリウムＧａ 、 Ｘは臭素Ｂｒである
）にて表わされるガリウムフタロシアニンで該ガリウム
フタロシアニンのベンゼン環の水素の一部カ臭素で置換
されたフタロシアニンを用いたことを特徴とする電子写
真用感光体である。
この発明において、上述したガリウムフタロシアニンの
ベンゼン環の水素の一部の臭素置換とは、これら水素の
１個以上の臭素による置換を意味するものである。
ベンゼン環の水素の一部の臭素置換とは、これら水素の
１個以上の臭素による置換を意味するものである。
後記する実施例では、これが−個の場合について詳述し
であるが合成方法によっては２個以上の場合が可能であ
シ、更にこれら２個以上の水素が臭素にて置換されたも
のの使用が略同様にこの発明の目的を達成し得るのであ
る。
であるが合成方法によっては２個以上の場合が可能であ
シ、更にこれら２個以上の水素が臭素にて置換されたも
のの使用が略同様にこの発明の目的を達成し得るのであ
る。
以下、この発明全具体的な実施例によシ詳細に説明する
。
。
（実施例）
実施例１
オルトフタロソニトリル１２．８Ｆと純度９９．９９９
％の臭化ガリウムＧａＢｒ５７．７ ｔ ｋ ３００℃
のマントルヒーター中のビーカー中で攪拌混合しながら
反応させた。得られた生成物はテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）にて可溶部と不溶部に分離することができ、この
不溶部を更にＴＨＦにて洗滌し昇華精製した。このよう
にして得たＴＨＦ不溶部の構造は上記一般式にて表わさ
れるフタロシアニンであること、及びその元素分析を行
った結果、元素の比はＣｓ ａ ＨＩ３ 、ａ Ｎ７．
．８Ｂ ｒ２ｒＯＧ ａｔ ・２でアク）この中のＢｒ
（Ｄうち１個が上記一般式の中心金属と結合しておル残
シの１個はフタロシアニン環の周囲のベンゼン環に結合
したほぼＣ３２Ｈｔ ｓ Ｎｓ Ｂ ｒｚ Ｇ ａｔの
元素比からなる上記一般式で示されるフタロシアニン（
以下ＱａＢｒＰｃ （Ｂｒ ）と云う）であることを確
認した。
％の臭化ガリウムＧａＢｒ５７．７ ｔ ｋ ３００℃
のマントルヒーター中のビーカー中で攪拌混合しながら
反応させた。得られた生成物はテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）にて可溶部と不溶部に分離することができ、この
不溶部を更にＴＨＦにて洗滌し昇華精製した。このよう
にして得たＴＨＦ不溶部の構造は上記一般式にて表わさ
れるフタロシアニンであること、及びその元素分析を行
った結果、元素の比はＣｓ ａ ＨＩ３ 、ａ Ｎ７．
．８Ｂ ｒ２ｒＯＧ ａｔ ・２でアク）この中のＢｒ
（Ｄうち１個が上記一般式の中心金属と結合しておル残
シの１個はフタロシアニン環の周囲のベンゼン環に結合
したほぼＣ３２Ｈｔ ｓ Ｎｓ Ｂ ｒｚ Ｇ ａｔの
元素比からなる上記一般式で示されるフタロシアニン（
以下ＱａＢｒＰｃ （Ｂｒ ）と云う）であることを確
認した。
次にこのＧａＢｒＰｃ（Ｂｒ） ｋ真空蒸着装置中のア
ルミするつほに０．０１ ？入れ、該るつ＃了温度５０
０℃で抵抗加熱蒸着法によシガラス板上に薄膜を形成し
た（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９０
０ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。
ルミするつほに０．０１ ？入れ、該るつ＃了温度５０
０℃で抵抗加熱蒸着法によシガラス板上に薄膜を形成し
た（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９０
０ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。
同図中曲線Ｃは上記薄膜試料そのもののスペクトルであ
Ｊ、７４０ｎｍにて最大ピークを示した。
Ｊ、７４０ｎｍにて最大ピークを示した。
次にこの薄膜試料をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の蒸
気中にて２０時間曝露処理したもののスペクトルは曲線
りにて示したように吸収ピークが長波長側ヘシフトした
。すなわち曲線りのように最大ピークが７８５ｎｍにシ
フトしていた。
気中にて２０時間曝露処理したもののスペクトルは曲線
りにて示したように吸収ピークが長波長側ヘシフトした
。すなわち曲線りのように最大ピークが７８５ｎｍにシ
フトしていた。
次に上記のＧａＢｒＰｃ（Ｂｒ） ｋ第６図に示した如
く抵抗加熱蒸着法によジ、アルミニウム基板６１上に電
荷発生層６２として０．２μｍ膜厚で形成し、これ’（
ｒＴＨＦ蒸気中に２０時間曝露後、その上にＴＨＦに溶
解した電子写真用ポリビニルカルバゾール樹脂全コーテ
ィングし該ＴＨＦ’ｅ充分乾燥させることにより電荷輸
送層６３（１０μｍ厚）全形成し感光体を作成した。
く抵抗加熱蒸着法によジ、アルミニウム基板６１上に電
荷発生層６２として０．２μｍ膜厚で形成し、これ’（
ｒＴＨＦ蒸気中に２０時間曝露後、その上にＴＨＦに溶
解した電子写真用ポリビニルカルバゾール樹脂全コーテ
ィングし該ＴＨＦ’ｅ充分乾燥させることにより電荷輸
送層６３（１０μｍ厚）全形成し感光体を作成した。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感度を測定
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
同図によれば本実施例による感光体は波長９００ｎｍに
おいても１．５ｔＹｎ”／μＪ以上の非常に高い感度が
認められ、上述した一般的な半導体レーザー元の波長で
ある８００〜８５０ｎｍにおいては約２ｍ２／μＪと云
う非常に高い感度を示した。
おいても１．５ｔＹｎ”／μＪ以上の非常に高い感度が
認められ、上述した一般的な半導体レーザー元の波長で
ある８００〜８５０ｎｍにおいては約２ｍ２／μＪと云
う非常に高い感度を示した。
実施例２
実施例１に準じアルミニウム基板上に同様のＧａＢｒＰ
ｃ（Ｂｒ） ｋ真空蒸着法によ５０．２μｍ形成し、そ
の後実施例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わずに、
３６１ＪビニルカルバゾールのＴＨＦ浴ｇをコーティン
グし乾燥厚さ１０μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得
た。
ｃ（Ｂｒ） ｋ真空蒸着法によ５０．２μｍ形成し、そ
の後実施例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わずに、
３６１ＪビニルカルバゾールのＴＨＦ浴ｇをコーティン
グし乾燥厚さ１０μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得
た。
この実施例２の感光体の分光感度を同様に測定し、第７
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、上記実施例１の
電荷発生層’ｋＴＨＦ溶媒蒸気処理して作成した感光体
に比し、波長８００〜８５０ｎｍにおいて１．５ｃｌｎ
”／μＪ、９００ｎｍにおいて１ｍ２／μＪと実施例１
より若干低いがかなシの高感度を示すことが明らかであ
った。即ち本実施例による感光体は、電荷発生層の溶媒
蒸気処理を行わなくても充分な高感度を示し、８００〜
８５０ｎｍの光を発振する半導体レーザーを光源とした
上記レーザービームプリンタ用の感光体として一層優れ
て居シ、シかも溶媒蒸気処理を行わないことから製作工
程が簡略化できる長所がある。
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、上記実施例１の
電荷発生層’ｋＴＨＦ溶媒蒸気処理して作成した感光体
に比し、波長８００〜８５０ｎｍにおいて１．５ｃｌｎ
”／μＪ、９００ｎｍにおいて１ｍ２／μＪと実施例１
より若干低いがかなシの高感度を示すことが明らかであ
った。即ち本実施例による感光体は、電荷発生層の溶媒
蒸気処理を行わなくても充分な高感度を示し、８００〜
８５０ｎｍの光を発振する半導体レーザーを光源とした
上記レーザービームプリンタ用の感光体として一層優れ
て居シ、シかも溶媒蒸気処理を行わないことから製作工
程が簡略化できる長所がある。
実施例３
実施例と同様にして電荷発生層としてアルミニウム基板
上にＧａＢｒＰｃ（Ｂｒ） ｋ真空蒸着法によシ、０．
２μｍ厚に形成した。次にＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わず
に、この上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−
（４’−ソエチルアミノスチリル）−５−（４“−ソエ
チルアミノフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹
脂（ユニオンカーバイド社製）とを重量比で１：１をＴ
ＨＦ溶液に溶解したものをコーティングして形成した（
乾燥膜厚８μｍ）。なお、このピラゾリン誘導体はベン
ズアルデヒドとアセトンからペンタツエン−２−オンを
作成し、これとフエニルヒドラゾノを反応させる方法で
合成した。
上にＧａＢｒＰｃ（Ｂｒ） ｋ真空蒸着法によシ、０．
２μｍ厚に形成した。次にＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わず
に、この上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−
（４’−ソエチルアミノスチリル）−５−（４“−ソエ
チルアミノフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹
脂（ユニオンカーバイド社製）とを重量比で１：１をＴ
ＨＦ溶液に溶解したものをコーティングして形成した（
乾燥膜厚８μｍ）。なお、このピラゾリン誘導体はベン
ズアルデヒドとアセトンからペンタツエン−２−オンを
作成し、これとフエニルヒドラゾノを反応させる方法で
合成した。
得られた感光体の分光感度を同様に測定し結果を第７図
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２とほぼ同様に
８００〜８５０ｎｍ波長において１．０〜１．５０２／
μＪ、９００ｎｍ波長において０．９ｃｒｎ”／μＪの
高感度を示した。そしてこの実施例３は、実施例２の電
荷輸送層がピラゾリン誘導体であっても、高感度な感光
体を得ることができ上述の８００〜８５０ｎｍの光波長
の光源を用いるレーザービームプリンタ用感光体として
非常に優れていた。
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２とほぼ同様に
８００〜８５０ｎｍ波長において１．０〜１．５０２／
μＪ、９００ｎｍ波長において０．９ｃｒｎ”／μＪの
高感度を示した。そしてこの実施例３は、実施例２の電
荷輸送層がピラゾリン誘導体であっても、高感度な感光
体を得ることができ上述の８００〜８５０ｎｍの光波長
の光源を用いるレーザービームプリンタ用感光体として
非常に優れていた。
（発明の効果）
本発明による感光体は以上説明した如く使用する電荷発
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能となりまた使用材料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、ファックスまたはＬＥＤを光源としたプリンタ特
に牛導体レーザーを光源としたその他の記録デバイスお
よび元センサにも適用できる効果がある。
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能となりまた使用材料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、ファックスまたはＬＥＤを光源としたプリンタ特
に牛導体レーザーを光源としたその他の記録デバイスお
よび元センサにも適用できる効果がある。
第１図は従来のＳｓ感感体体断面図、第２図は従来のＳ
ｅ 、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第３図
は従来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４
図は該電子写真用感光体の分光感度曲線図、第５図は本
発明にて用いられるフタロシアニン顔料の光吸収スイク
トル図、第６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発
明の感光体の分光感度曲線図である。 ３１．６１・・・導電性支持体、３２．６２・・・電荷
発生層、３３．６３・・・電荷輸送層。 第１図 第２図 第３図 第６図
ｅ 、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第３図
は従来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４
図は該電子写真用感光体の分光感度曲線図、第５図は本
発明にて用いられるフタロシアニン顔料の光吸収スイク
トル図、第６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発
明の感光体の分光感度曲線図である。 ３１．６１・・・導電性支持体、３２．６２・・・電荷
発生層、３３．６３・・・電荷輸送層。 第１図 第２図 第３図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に、有機光導電性物質による電荷発生層
及び電荷輸送層全この順に形成した機能分離型電子写真
用感光体において、上記電荷発生層として、一般式。 （式中ＭｅはガリウムＧａ１Ｘは臭素Ｂｒである）にて
表わされるガリウム７タロシアニンで該ガリウムフタロ
シアニンのベンゼン環の氷菓の一部が臭素で置換された
７タロシアニンを用いたことを特徴とする電子写真用感
光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP738183A JPS59133551A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 電子写真用感光体 |
| US06/528,122 US4587188A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-31 | Phthalocyanine photoconductor for electrophotography |
| DE3332005A DE3332005C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP738183A JPS59133551A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133551A true JPS59133551A (ja) | 1984-07-31 |
| JPH0330854B2 JPH0330854B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=11664357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP738183A Granted JPS59133551A (ja) | 1982-09-06 | 1983-01-21 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133551A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360475A (en) * | 1992-10-09 | 1994-11-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for preparing hydroxymetal phthalocyanine pigment |
| US5393881A (en) * | 1992-08-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystalline forms of hydroxygallium phthalocyanine |
| US5516609A (en) * | 1993-04-02 | 1996-05-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Methoxy gallium phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using it |
| US5545733A (en) * | 1993-08-12 | 1996-08-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for preparing hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptor using the crystals |
| US5643703A (en) * | 1993-03-25 | 1997-07-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystal, process for preparing same, and electrophotographic photoreceptor comprising same |
| US5756247A (en) * | 1994-09-30 | 1998-05-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystal, and electro-photographic photoreceptor containing the same |
| US5834149A (en) * | 1994-06-06 | 1998-11-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptors using same |
| US8815073B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-08-26 | Toray Industries, Inc. | Web pressure welding method, pressure welding device, power supply method, power supply device, continuous electrolytic plating apparatus and method for manufacturing web with plated coating film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP738183A patent/JPS59133551A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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| US5472816A (en) * | 1992-08-26 | 1995-12-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for producing hydroxygallium phthalocyanine |
| US5556967A (en) * | 1992-08-26 | 1996-09-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for producing hydroxygallium phthalocyanine |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330854B2 (ja) | 1991-05-01 |
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