JPH035744B2 - - Google Patents
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- JPH035744B2 JPH035744B2 JP57153982A JP15398282A JPH035744B2 JP H035744 B2 JPH035744 B2 JP H035744B2 JP 57153982 A JP57153982 A JP 57153982A JP 15398282 A JP15398282 A JP 15398282A JP H035744 B2 JPH035744 B2 JP H035744B2
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- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 41
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 4-[[2-chloro-4-[3-chloro-4-[[2-hydroxy-3-(phenylcarbamoyl)naphthalen-1-yl]diazenyl]phenyl]phenyl]diazenyl]-3-hydroxy-N-phenylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=C(N=NC2=CC=C(C=C2Cl)C2=CC(Cl)=C(C=C2)N=NC2=C(O)C(=CC3=C2C=CC=C3)C(=O)NC2=CC=CC=C2)C2=C(C=CC=C2)C=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001804 chlorine Chemical group 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUKHVNMXKSHNQY-UHFFFAOYSA-N penta-3,4-dien-2-one Chemical compound CC(=O)C=C=C JUKHVNMXKSHNQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC=C1 HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940067157 phenylhydrazine Drugs 0.000 description 1
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関するものであ
り、特に物理的特性に優れ、かつ800nm前後の長
波長光に対し高感度を有する感光体を提供しよう
とするものである。
り、特に物理的特性に優れ、かつ800nm前後の長
波長光に対し高感度を有する感光体を提供しよう
とするものである。
従来の電子写真用感光体としては、例えば第１
図の如くアルミニウム等の導電性基板１１の上に
50μm程度のセレン（Se）膜１２を真空蒸発着法
により形成したものがある。しかしこの場合のア
ルミニウム蒸着は約１時間を要すること及びこの
Se感光体は波長500nm付近までしか感度を有し
ていない等の問題がある。また第２図に示すよう
に、導電性基板２１の上に50μm程度のSe層２ａ
を形成し、この上に更に数μmのセレン−テルル
（Se−Te）合金層２３を形成した感光体がある
が、この感光体は上記のSe−Te合金のTeの含有
率が高い程分光感度が長波長にまで伸びる反面、
Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持
特性が不良となり事実上感光体として使用できな
くなる重大な問題がある。第６図には後記詳述す
る如く、アルミニウム基板上に50μm厚のSe層を
形成し、この上に、Seが85mol％、Teが15mol％
の3μmのSe−Te合金を形成した積層感光体の分
光感度を例示したが、この場合、Teの添加量は、
概ねこの程度の量が限度であつて、しかもこの感
光体は700nm付近までしか感度を有していない
（曲線C′）。
図の如くアルミニウム等の導電性基板１１の上に
50μm程度のセレン（Se）膜１２を真空蒸発着法
により形成したものがある。しかしこの場合のア
ルミニウム蒸着は約１時間を要すること及びこの
Se感光体は波長500nm付近までしか感度を有し
ていない等の問題がある。また第２図に示すよう
に、導電性基板２１の上に50μm程度のSe層２ａ
を形成し、この上に更に数μmのセレン−テルル
（Se−Te）合金層２３を形成した感光体がある
が、この感光体は上記のSe−Te合金のTeの含有
率が高い程分光感度が長波長にまで伸びる反面、
Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持
特性が不良となり事実上感光体として使用できな
くなる重大な問題がある。第６図には後記詳述す
る如く、アルミニウム基板上に50μm厚のSe層を
形成し、この上に、Seが85mol％、Teが15mol％
の3μmのSe−Te合金を形成した積層感光体の分
光感度を例示したが、この場合、Teの添加量は、
概ねこの程度の量が限度であつて、しかもこの感
光体は700nm付近までしか感度を有していない
（曲線C′）。
更に別に第３図に示すように、アルミニウム基
板３１上に1μm程度のクロロジアンブルーまたは
スクウアリリウム酸誘導体をコーテイングして電
荷発生層３２を形成し、この上に絶縁抵抗の高い
ポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン誘導体
とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μm
コーテイングして電荷輸送層３３を形成した所謂
機能分離型の感光体もある。しかしかかる機能分
離型感光体の分光感度特性は、上記電荷発生層の
特性で決定されるが、現在この感光体は700nm以
上の光に対して感度を有していないのが実状であ
る。
板３１上に1μm程度のクロロジアンブルーまたは
スクウアリリウム酸誘導体をコーテイングして電
荷発生層３２を形成し、この上に絶縁抵抗の高い
ポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン誘導体
とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μm
コーテイングして電荷輸送層３３を形成した所謂
機能分離型の感光体もある。しかしかかる機能分
離型感光体の分光感度特性は、上記電荷発生層の
特性で決定されるが、現在この感光体は700nm以
上の光に対して感度を有していないのが実状であ
る。
近年レーザー光を光源とし、電子写真用感光体
を用いたレーザービームプリンタ等では、半導体
レーザーを光源に用いることが種々試みられてお
り、この場合該光源の波長は800nm前後であるこ
とから800nm前後の長波長光に対し高感度な特性
を有する感光体が強く要求されている。
を用いたレーザービームプリンタ等では、半導体
レーザーを光源に用いることが種々試みられてお
り、この場合該光源の波長は800nm前後であるこ
とから800nm前後の長波長光に対し高感度な特性
を有する感光体が強く要求されている。
ここに本発明者等は、上記の点に鑑み検討を重
ねた結果中心金属がインジウムで該インジウムに
は塩素が結合しているフタロシアニンと、フタロ
シアニン環の周囲のベンゼン環の水素の一部分が
塩素で置換されているフタロシアニンとの混合物
を電荷発生体とした機能分離型感光体が、上述の
波長800nm前後の光に対して、高感度を有し、し
かも該感光体が安価に作成することが可能である
等の知見を得、この発明に到達したのである。
ねた結果中心金属がインジウムで該インジウムに
は塩素が結合しているフタロシアニンと、フタロ
シアニン環の周囲のベンゼン環の水素の一部分が
塩素で置換されているフタロシアニンとの混合物
を電荷発生体とした機能分離型感光体が、上述の
波長800nm前後の光に対して、高感度を有し、し
かも該感光体が安価に作成することが可能である
等の知見を得、この発明に到達したのである。
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導
電性物質による電荷発生層及びこの上に電荷輸送
層を形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、前記電荷発生層の有機光導電性物質が、 一般式、 で表わされる中心金属がインジウムで、該インジ
ウムに塩素が結合した基本構造のフタロシアニン
と、該基本構造のフタロシアニン環の周囲のベン
ゼン環の水素の一部分が塩素で置換されたフタロ
シアニンとの混合物であることを特徴とする電子
写真用感光体である。
電性物質による電荷発生層及びこの上に電荷輸送
層を形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、前記電荷発生層の有機光導電性物質が、 一般式、 で表わされる中心金属がインジウムで、該インジ
ウムに塩素が結合した基本構造のフタロシアニン
と、該基本構造のフタロシアニン環の周囲のベン
ゼン環の水素の一部分が塩素で置換されたフタロ
シアニンとの混合物であることを特徴とする電子
写真用感光体である。
以下本発明を具体的な実施例を示しつつ詳述す
る。
る。
実施例 １
オルトフタロジニトリル（東京化成社製）12.8
ｇと純度99.999％の塩化インジウム（フルウチ化
学社製）5.5ｇを300℃のマントルヒーター中のビ
ーカー中でかくはん混合しながら反応させ、フタ
ロニトリル法を用いてインジウムを中心金属とす
る上記一般式で示されるフタロシアニンである基
本構造を持ち、この基本構造のフタロシアニンと
該基本構造のフタロシアニン環の周囲のベンゼン
環の水素の一部分が塩素で置換されたフタロシア
ニンとの混合物を合成した。かかる生成物は青黒
色の塊状として得られるので、これを微粉砕し精
製した。次に得られたフタロシアニンの含有塩素
量を燃焼フラスコ法を用いて分析した結果、その
量はフタロシアニン１分子あたり1.75個であり、
このうち１個は中心金属のインジウムと結合して
いるのでフタロシアニン環の周囲のベンゼン環の
水素と置換している塩素は平均0.75個であつた。
即ち合成されたフタロシアニンは該基本構造のも
のと、上述したベンゼン環の水素一部が塩素で置
換されたものとの混合物であることが明らかであ
つた。
ｇと純度99.999％の塩化インジウム（フルウチ化
学社製）5.5ｇを300℃のマントルヒーター中のビ
ーカー中でかくはん混合しながら反応させ、フタ
ロニトリル法を用いてインジウムを中心金属とす
る上記一般式で示されるフタロシアニンである基
本構造を持ち、この基本構造のフタロシアニンと
該基本構造のフタロシアニン環の周囲のベンゼン
環の水素の一部分が塩素で置換されたフタロシア
ニンとの混合物を合成した。かかる生成物は青黒
色の塊状として得られるので、これを微粉砕し精
製した。次に得られたフタロシアニンの含有塩素
量を燃焼フラスコ法を用いて分析した結果、その
量はフタロシアニン１分子あたり1.75個であり、
このうち１個は中心金属のインジウムと結合して
いるのでフタロシアニン環の周囲のベンゼン環の
水素と置換している塩素は平均0.75個であつた。
即ち合成されたフタロシアニンは該基本構造のも
のと、上述したベンゼン環の水素一部が塩素で置
換されたものとの混合物であることが明らかであ
つた。
次にこのフタロシアニンを、真空蒸着装置中の
アルミナるつぼに10mg入れ、るつぼ温度500℃で
抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に0.02μmの薄
膜を形成した。この薄膜の600〜900nmの光に対
する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用いて
測定した結果を第４図の曲線Ａで示した。同図の
如くこの薄膜の吸収スペクトルは670nmに肩ピー
ク、750nmに最大ピークを示した。
アルミナるつぼに10mg入れ、るつぼ温度500℃で
抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に0.02μmの薄
膜を形成した。この薄膜の600〜900nmの光に対
する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用いて
測定した結果を第４図の曲線Ａで示した。同図の
如くこの薄膜の吸収スペクトルは670nmに肩ピー
ク、750nmに最大ピークを示した。
上記薄膜試料を、テトラヒドロフラン蒸気中に
て20時間曝露し同様に光吸収スペクトルを調べた
ところ、同曲線Ｂのように前記吸収ピークが長波
長域即ち最大ピークが810nmにシフトした。
て20時間曝露し同様に光吸収スペクトルを調べた
ところ、同曲線Ｂのように前記吸収ピークが長波
長域即ち最大ピークが810nmにシフトした。
次に、具体的に上記のようにして得られたフタ
ロシアニンをアルミナるつぼ中に0.1ｇ入れ、る
つぼ温度500℃で抵抗加熱蒸着を約20分間行い第
５図に示す構造の如く、アルミニウム基板５１上
に、電荷発生層５２（0.2μm）を形成した。これ
をテトラヒドロフラン蒸気中に20時間曝露した
後、テトラヒドロフランに溶解したポリビニルカ
ルバゾール樹脂（東京化成社製、特級）をコーテ
イングし、テトラヒドロフランを充分乾燥させ電
荷輸送層５３（6μm厚さ）を形成し、感光体を得
た。
ロシアニンをアルミナるつぼ中に0.1ｇ入れ、る
つぼ温度500℃で抵抗加熱蒸着を約20分間行い第
５図に示す構造の如く、アルミニウム基板５１上
に、電荷発生層５２（0.2μm）を形成した。これ
をテトラヒドロフラン蒸気中に20時間曝露した
後、テトラヒドロフランに溶解したポリビニルカ
ルバゾール樹脂（東京化成社製、特級）をコーテ
イングし、テトラヒドロフランを充分乾燥させ電
荷輸送層５３（6μm厚さ）を形成し、感光体を得
た。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感
度を測定した結果を第６図中に曲線Ｃで示した。
度を測定した結果を第６図中に曲線Ｃで示した。
同図から明らかなように、この感光体は900nm
においても１cm2／μJ以上の非常に高い感度が認
められ、800〜850nmにおいては2.0cm2／μJの高感
度を示した。かかる特性を有する感光体は半導体
レーザーを光源としたレーザービームプリンター
等の装置に用いる場合極めて有利である。
においても１cm2／μJ以上の非常に高い感度が認
められ、800〜850nmにおいては2.0cm2／μJの高感
度を示した。かかる特性を有する感光体は半導体
レーザーを光源としたレーザービームプリンター
等の装置に用いる場合極めて有利である。
実施例 ２
アルミニウム基板上に実施例１により得たフタ
ロシアニンを真空蒸着法により薄膜0.2μmを形成
した。得られたものをテトラヒドロフラン溶媒蒸
気処理を行わずにポリビニルカルバゾールのテト
ラヒドロフラン溶液をコーテイングし乾燥厚さ
6μmの電荷輸送層を形成し感光体を作成した。
ロシアニンを真空蒸着法により薄膜0.2μmを形成
した。得られたものをテトラヒドロフラン溶媒蒸
気処理を行わずにポリビニルカルバゾールのテト
ラヒドロフラン溶液をコーテイングし乾燥厚さ
6μmの電荷輸送層を形成し感光体を作成した。
得られた感光体の分光感度を測定した結果を第
６図に曲線Ｄで示したが、同図によれば850nmま
では実施例１の感光体に比し更に全体として高感
度を示し、特に本例の場合750〜850nmで2.5cm2／
μJ、900nmで1.5cm2／μJと高感度であり、このこ
とは特に800nm前後の光源を用いる上記レーザー
ビームプリンタ用感光体として非常に優れている
ことが明らかである。尚この実施例２による感光
体は溶媒蒸気処理を行わないことから、製作工程
が簡略化できる利点がある。
６図に曲線Ｄで示したが、同図によれば850nmま
では実施例１の感光体に比し更に全体として高感
度を示し、特に本例の場合750〜850nmで2.5cm2／
μJ、900nmで1.5cm2／μJと高感度であり、このこ
とは特に800nm前後の光源を用いる上記レーザー
ビームプリンタ用感光体として非常に優れている
ことが明らかである。尚この実施例２による感光
体は溶媒蒸気処理を行わないことから、製作工程
が簡略化できる利点がある。
実施例 ３
実施例２と同様に電荷発生層として前記のフタ
ロシアニンをアルミニウム基板上に真空蒸着法で
0.2μm形成し、電荷輸送層としてピラゾリン誘導
体中１−フエニル−３−（4′−ジエチルアミノス
チリル）−５−（4′−ジエチルアミノフエニル）−
２−ピラゾリンとフエノキシ樹脂（ユニオンカー
バイド社製）とを重量比で１：１をテトラヒドロ
フラン溶液に溶解したものをコーテイング（膜厚
8μm）して形成した。なお、このピラゾリン誘導
体はベンズアルデヒドとアセトンからペンタジエ
ン−２−オンを作成し、これとフエニルヒドラジ
ンを反応させる方法で合成したものを用いた。
ロシアニンをアルミニウム基板上に真空蒸着法で
0.2μm形成し、電荷輸送層としてピラゾリン誘導
体中１−フエニル−３−（4′−ジエチルアミノス
チリル）−５−（4′−ジエチルアミノフエニル）−
２−ピラゾリンとフエノキシ樹脂（ユニオンカー
バイド社製）とを重量比で１：１をテトラヒドロ
フラン溶液に溶解したものをコーテイング（膜厚
8μm）して形成した。なお、このピラゾリン誘導
体はベンズアルデヒドとアセトンからペンタジエ
ン−２−オンを作成し、これとフエニルヒドラジ
ンを反応させる方法で合成したものを用いた。
得られた感光体の分光感度の測定結果を第７図
に示すが、同図のように概ね実施例２と同様の分
光感度が得られ、電荷輸送層としてピラゾリン誘
導体であつても高感度即ち750〜850nmで２cm2／
μJ、900nmで１cm2／μJである感光体が得られる
ことが明らかであつた。
に示すが、同図のように概ね実施例２と同様の分
光感度が得られ、電荷輸送層としてピラゾリン誘
導体であつても高感度即ち750〜850nmで２cm2／
μJ、900nmで１cm2／μJである感光体が得られる
ことが明らかであつた。
即ちこの感光体も750〜850nm前後の光源を用
いるレーザービームプリンタ用感光体として非常
に優れている。
いるレーザービームプリンタ用感光体として非常
に優れている。
以上説明したように本発明による感光体は、
750〜850nm前後の長波長域にて高感度を示す特
性を有し上述した特にレーザービームを用いた感
光体として優れた効果を発揮し、又使用する電荷
発生層は、ごく薄い膜で十分であり、真空装置を
使用する時間が短時間で済み感光体の作成が容易
で安価に量産が可能である等の効果を奏する。ま
た本感光体は上述したレーザービームプリンタの
みでなく、フアツクスまたはLEDを光源とした
プリンタ、更には半導体レーザーを光源としたそ
の他の光記録デバイスにも適時応用することがで
きる。
750〜850nm前後の長波長域にて高感度を示す特
性を有し上述した特にレーザービームを用いた感
光体として優れた効果を発揮し、又使用する電荷
発生層は、ごく薄い膜で十分であり、真空装置を
使用する時間が短時間で済み感光体の作成が容易
で安価に量産が可能である等の効果を奏する。ま
た本感光体は上述したレーザービームプリンタの
みでなく、フアツクスまたはLEDを光源とした
プリンタ、更には半導体レーザーを光源としたそ
の他の光記録デバイスにも適時応用することがで
きる。
第１図は従来の電子写真用感光体の一例の断面
図、第２図は同他のSe−（Se−Te）積層型電子
写真用感光体の断面図、第３図は同機能分離型の
電子写真用感光体の一例の断面図、第４図は本発
明にて用いるフタロシアニンの一例を光吸収スペ
クトル図、第５図は本発明による感光体の一例の
断面図、第６図は実施例１及び実施例２による感
光体の分光感度曲線、第７図は実施例３による感
光体の分光感度曲線である。 ５１…アルミニウム基板、５２…電荷発生層、
５３…電荷輸送層。
図、第２図は同他のSe−（Se−Te）積層型電子
写真用感光体の断面図、第３図は同機能分離型の
電子写真用感光体の一例の断面図、第４図は本発
明にて用いるフタロシアニンの一例を光吸収スペ
クトル図、第５図は本発明による感光体の一例の
断面図、第６図は実施例１及び実施例２による感
光体の分光感度曲線、第７図は実施例３による感
光体の分光感度曲線である。 ５１…アルミニウム基板、５２…電荷発生層、
５３…電荷輸送層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体上に、有機光導電性物質の電荷
発生層及びこの上に電荷輸送層を形成した機能分
離型電子写真用感光体において、前記電荷発生層
の有機光導電性物質が、 一般式、 で表わされる中心金属がインジウムで、該インジ
ウムに塩素が結合した基本構造のフタロシアニン
と、該基本構造のフタロシアニン環の周囲のベン
ゼン環の水素の一部分が塩素で置換されたフタロ
シアニンとの混合物であることを特徴とする電子
写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15398282A JPS5944054A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
| US06/528,122 US4587188A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-31 | Phthalocyanine photoconductor for electrophotography |
| DE3332005A DE3332005C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15398282A JPS5944054A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944054A JPS5944054A (ja) | 1984-03-12 |
| JPH035744B2 true JPH035744B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15574318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15398282A Granted JPS5944054A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944054A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4471039A (en) * | 1982-11-22 | 1984-09-11 | Eastman Kodak Company | Photoconductive elements sensitive to radiation in the infrared region of the spectrum |
| JPS59155847A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6145249A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
| US4555463A (en) * | 1984-08-22 | 1985-11-26 | Xerox Corporation | Photoresponsive imaging members with chloroindium phthalocyanine compositions |
| JPS6356564A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 新規なクロロインジウムクロロフタロシアニン、その製造方法およびそれを含有する電子写真感光体 |
| JPH01297058A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-11-30 | Toa Tsushin Kogyo Kk | 使い捨て型ペニス・サポーターとその製造方法 |
| US5304445A (en) * | 1992-02-12 | 1994-04-19 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Phthalocyanine composition, process for preparing the same and electrophotographic photoreceptor using the same |
| US5384625A (en) * | 1992-12-28 | 1995-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method |
| US5958637A (en) * | 1996-07-24 | 1999-09-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and coating solution for production of charge transport layer |
| JP4212784B2 (ja) | 2000-05-09 | 2009-01-21 | 株式会社リコー | 電子写真感光体とその製造方法および電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジ |
| JP4767636B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-09-07 | 株式会社沖データ | 感光体、現像装置及び画像形成装置 |
| JP4668121B2 (ja) | 2006-05-12 | 2011-04-13 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
| JP4825167B2 (ja) | 2007-05-11 | 2011-11-30 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP15398282A patent/JPS5944054A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5944054A (ja) | 1984-03-12 |
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