JPS59174847A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS59174847A JPS59174847A JP4896583A JP4896583A JPS59174847A JP S59174847 A JPS59174847 A JP S59174847A JP 4896583 A JP4896583 A JP 4896583A JP 4896583 A JP4896583 A JP 4896583A JP S59174847 A JPS59174847 A JP S59174847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- layer
- thf
- electric charge
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであシ、特に８
００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ物理
的特性に優れた感光体を提供しようとするものである。
００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ物理
的特性に優れた感光体を提供しようとするものである。
（従来技術）
先ず従来の感光体の一例を第１図により説明する。アル
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ ）膜
１２を真空蒸着法によ多形成したものであジ、かかるＳ
ｅ感光体はその分光感度が第４図の曲線Ａで示されるよ
うに５００ｎｍを超えると急激に低下する。なお、この
感度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光量
の逆数を使用した（以下同じ）。
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ ）膜
１２を真空蒸着法によ多形成したものであジ、かかるＳ
ｅ感光体はその分光感度が第４図の曲線Ａで示されるよ
うに５００ｎｍを超えると急激に低下する。なお、この
感度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光量
の逆数を使用した（以下同じ）。
他にＳｅにテルル（Ｔｅ）を添加し分光感度を長波長に
伸ばしたＳｅ −Ｔｅ合金感光体もある。しかし、この
Ｓｅ −Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて
表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光体として使
用できない。そこで、更に他の例として第２図のように
導電性基板２１の上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設け
この上にＳｅ −Ｔｅ合金層２３を２〜３μｍ重層し上
述した電荷保持特性を改善した２層型式のものがある。
伸ばしたＳｅ −Ｔｅ合金感光体もある。しかし、この
Ｓｅ −Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて
表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光体として使
用できない。そこで、更に他の例として第２図のように
導電性基板２１の上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設け
この上にＳｅ −Ｔｅ合金層２３を２〜３μｍ重層し上
述した電荷保持特性を改善した２層型式のものがある。
この表面層が５ｅａｓ Ｔｅ１５の場合、その分光感度
は第４図の曲線Ｂで示されるように６５０ｎｍ以上で急
激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不能なほどそ
の感度が低下してしまう。
は第４図の曲線Ｂで示されるように６５０ｎｍ以上で急
激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不能なほどそ
の感度が低下してしまう。
更に第３図は、アルミニウム基板３１上に、クロロダイ
アンブルーまたはスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン
誘導体とポリカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ｎｍ以上の照射光に
対しては感光体として殆んど使用できない。
アンブルーまたはスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン
誘導体とポリカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ｎｍ以上の照射光に
対しては感光体として殆んど使用できない。
ところでレーザー光を光源とした電子写真用感光体を用
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体゛レーザーを光源として用いる試み
が盛んに行われており、かかる半導体レーザー光源の発
振波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体゛レーザーを光源として用いる試み
が盛んに行われており、かかる半導体レーザー光源の発
振波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
（発明の目的）
現在上述した如＜８００ｎｍ以上の光に対し高感度を示
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であり、
かかる８００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示す感
光体の出現が強く要求されている。
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であり、
かかる８００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示す感
光体の出現が強く要求されている。
ここに発明者等はかかる事情に鑑み鋭意研究を行った結
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性物質を用いたものが８０
０ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを見
出しこの発明を完成したのである。
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性物質を用いたものが８０
０ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを見
出しこの発明を完成したのである。
（発明の構成）
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導電性物質
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、ＭｅはインジウムＩｎ 、 Ｘは臭素Ｂｒであ
る）にて表わされるインジウムフタロシアニンを用いた
ことを特徴とする電子写真用感光体である。
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、ＭｅはインジウムＩｎ 、 Ｘは臭素Ｂｒであ
る）にて表わされるインジウムフタロシアニンを用いた
ことを特徴とする電子写真用感光体である。
以下、この発明を具体的な実施例により詳細に説明する
。
。
（実施例）
実施例１
オルトフタロジニトリル１２．８９と純度９９．９９９
係の臭化インジウムＩｎＢｒ３８．９ ｔを フラスコ
中の１００ｍ１！のキノリン中に加え還流しながら反応
させた。得られた生成物の構造は上記一般式にて表わさ
れるフタロシアニンであること、及びその元素分析を行
った結果、元素の比はＣ３２Ｈ２Ｓ、４ Ｎ７．８ Ｂ
ｒＯ，ｌｌ Ｉｎ１．２であり、Ｂｒの１個が上記一般
式の中心金属と結合したほぼＣ３２ＨＩ６Ｎ８ Ｂｒｌ
Ｉｎ、の元素比からなる上記一般式で示されるフタロ
シアニン（以下工ｎＢｒＰｃ と云う）であることを確
認した。次にこのｉｎ １３ｒ Ｐｃを真空蒸着装置中
のアルミするつぼに０．０１ Ｐ入れ、該るつぼ温度５
００℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成
した（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９
００ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を
用いて測定した。結果を第５図に示す。同図中曲線Ｃは
上記薄膜試料そのもののスペクトルであ’）、７４０ｎ
ｍにて最大ピークを示した。次にこの薄膜試料をテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）の蒸気中にて２０時間曝露処理
したもののスペクトルは曲線りにて示したように吸収ピ
ークを７８５ｎｍに有するスペクトルに変化した。
係の臭化インジウムＩｎＢｒ３８．９ ｔを フラスコ
中の１００ｍ１！のキノリン中に加え還流しながら反応
させた。得られた生成物の構造は上記一般式にて表わさ
れるフタロシアニンであること、及びその元素分析を行
った結果、元素の比はＣ３２Ｈ２Ｓ、４ Ｎ７．８ Ｂ
ｒＯ，ｌｌ Ｉｎ１．２であり、Ｂｒの１個が上記一般
式の中心金属と結合したほぼＣ３２ＨＩ６Ｎ８ Ｂｒｌ
Ｉｎ、の元素比からなる上記一般式で示されるフタロ
シアニン（以下工ｎＢｒＰｃ と云う）であることを確
認した。次にこのｉｎ １３ｒ Ｐｃを真空蒸着装置中
のアルミするつぼに０．０１ Ｐ入れ、該るつぼ温度５
００℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成
した（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９
００ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を
用いて測定した。結果を第５図に示す。同図中曲線Ｃは
上記薄膜試料そのもののスペクトルであ’）、７４０ｎ
ｍにて最大ピークを示した。次にこの薄膜試料をテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）の蒸気中にて２０時間曝露処理
したもののスペクトルは曲線りにて示したように吸収ピ
ークを７８５ｎｍに有するスペクトルに変化した。
次に上記のＩｎ Ｂｒ Ｐｃを第６図に示した如く抵抗
加熱蒸着法によシ、アルミニウム基板６１上に電荷発生
層６２として０．２μｍ膜厚で形成し、これをＴＨＦ蒸
気中に２０時間曝露後、その上にＴＨＦに溶解した電子
写真用ポリビニルカルバゾール樹脂をコーティングし該
ＴＨＦを充分乾燥させることによシミ荷輸送層６３（８
μｍ厚）を形成し感光体を作成した。
加熱蒸着法によシ、アルミニウム基板６１上に電荷発生
層６２として０．２μｍ膜厚で形成し、これをＴＨＦ蒸
気中に２０時間曝露後、その上にＴＨＦに溶解した電子
写真用ポリビニルカルバゾール樹脂をコーティングし該
ＴＨＦを充分乾燥させることによシミ荷輸送層６３（８
μｍ厚）を形成し感光体を作成した。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感度を測定
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
同図によれば本実施例による感光体は波長９００ｎｍに
おいても１．ｏｄ／μＪの高い感度が認められ、上述し
た一般的な半導体レーザー光の波長である８００〜８５
０ｎｍにおいて１．５ｔＪ／ｌｉＪと云う充分な高感度
を示した。
おいても１．ｏｄ／μＪの高い感度が認められ、上述し
た一般的な半導体レーザー光の波長である８００〜８５
０ｎｍにおいて１．５ｔＪ／ｌｉＪと云う充分な高感度
を示した。
実施例２
実施例１に準じアルミニウム基板上に同様のＩｎ Ｂｒ
Ｐｃを真空蒸着法により０．２μｍ形成し、その後実
施例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わずにポリビニ
ルカルバゾールのＴＨＦ溶液をコーティングし乾燥厚さ
８μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得た。
Ｐｃを真空蒸着法により０．２μｍ形成し、その後実
施例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わずにポリビニ
ルカルバゾールのＴＨＦ溶液をコーティングし乾燥厚さ
８μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得た。
この実施例２の感光体の分光感度を同様に測定し、第７
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、波長８００〜８
５０ｎｍにおいて１．２ｃｒ！／μＪｓ ９００ｎｍに
おいて０．８ｄ／μＪ と高感度を示すことが明らかで
あった。即ち本実施例による感光体は、電荷発生層の溶
媒蒸気処理を行わなくても非常に高感度を示し、８００
〜８５０ｎｍの光を発振する半導体レーザーを光源とし
た上記レーザービームプリンタ用の感光体として一層優
れて居り、しかも溶媒蒸気処理を行わないことから製作
工程が簡略化できる長所がある。
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、波長８００〜８
５０ｎｍにおいて１．２ｃｒ！／μＪｓ ９００ｎｍに
おいて０．８ｄ／μＪ と高感度を示すことが明らかで
あった。即ち本実施例による感光体は、電荷発生層の溶
媒蒸気処理を行わなくても非常に高感度を示し、８００
〜８５０ｎｍの光を発振する半導体レーザーを光源とし
た上記レーザービームプリンタ用の感光体として一層優
れて居り、しかも溶媒蒸気処理を行わないことから製作
工程が簡略化できる長所がある。
実施例３
実施例と同様にして電荷発生層としてアルミニウム基板
上にＩｎ Ｂｒ Ｐｃを真空蒸着法により、０．２μｍ
厚に形成した。次にＴＨＦＨＦ溶媒蒸気処理わずに、こ
の上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−（４′
−ジエチルアミノスチリル）−５−（４’−ジエチルア
ミンフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹脂（ユ
ニオンカーバイド社製）とを重量比で１：１をＴＨＦ溶
液に溶解したものをコーティングして形成した（乾燥膜
厚６μｍ）。なお、このピラゾリン誘導体はベンズアル
デヒドとアセトンからペンタジェン−２−オンを作成し
、これとフェニルヒドラジンを反応させる方法で合成し
た。
上にＩｎ Ｂｒ Ｐｃを真空蒸着法により、０．２μｍ
厚に形成した。次にＴＨＦＨＦ溶媒蒸気処理わずに、こ
の上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−（４′
−ジエチルアミノスチリル）−５−（４’−ジエチルア
ミンフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹脂（ユ
ニオンカーバイド社製）とを重量比で１：１をＴＨＦ溶
液に溶解したものをコーティングして形成した（乾燥膜
厚６μｍ）。なお、このピラゾリン誘導体はベンズアル
デヒドとアセトンからペンタジェン−２−オンを作成し
、これとフェニルヒドラジンを反応させる方法で合成し
た。
得られた感光体の分光感度を同様に測定し結果を第７図
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２とほぼ同様に
８００〜８５０ｎｍ波長において１．１ｃｒｌ／μＪ、
９００ｎｍにおいて０．８ｄ／μＪと高感度を示した。
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２とほぼ同様に
８００〜８５０ｎｍ波長において１．１ｃｒｌ／μＪ、
９００ｎｍにおいて０．８ｄ／μＪと高感度を示した。
そしてこの実施例３は、実施例２の電荷輸送層がピラゾ
リン誘導体であっても、高感度な感光体を得ることがで
き上述の８００〜８５０ｎｍの光波長の光源を用いるレ
ーザービームプリンタ用感光体として非常に優れていた
。
リン誘導体であっても、高感度な感光体を得ることがで
き上述の８００〜８５０ｎｍの光波長の光源を用いるレ
ーザービームプリンタ用感光体として非常に優れていた
。
（発明の効果）
本発明による感光体は以上説明した如く使用する電荷発
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能となりまた使用材料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、ファックスまたはＬＥＤを光源としたプリンタ特
に半導体レーザーを光源としたその他の記録デバイスお
よび光センサにも適用できる効果がある。
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能となりまた使用材料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、ファックスまたはＬＥＤを光源としたプリンタ特
に半導体レーザーを光源としたその他の記録デバイスお
よび光センサにも適用できる効果がある。
第１図は従来のＳｅ感光体の断面図、第２図は従来のＳ
ｅ、５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第３図は従
来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４図は
該感光体の分光感度曲線図、第５図は本発明にて用いら
れるフタロシアニン顔料の光吸収スペクトル図、第６図
は本発明感光体の断面図、第７図は本発明の感光体の分
光感度曲線図である。 ３１．６１・・・導電性支持体、３２．６２・・・電荷
発生層、３３．６３・・・電荷輸送層。
ｅ、５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第３図は従
来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４図は
該感光体の分光感度曲線図、第５図は本発明にて用いら
れるフタロシアニン顔料の光吸収スペクトル図、第６図
は本発明感光体の断面図、第７図は本発明の感光体の分
光感度曲線図である。 ３１．６１・・・導電性支持体、３２．６２・・・電荷
発生層、３３．６３・・・電荷輸送層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に、有機光導電性物質による電荷発生層
及び電荷輸送層をこの順に形成した機能分離型電子写真
用感光体において、上記電荷発生層として、一般式、 （式中Ｍｅ ？ｉインジウムＩｎ 、 Ｘは臭素Ｂｒで
ある）にて表わされるインジウムフタロシアニンを用い
たことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896583A JPS59174847A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真用感光体 |
| DE3411070A DE3411070C2 (de) | 1983-03-25 | 1984-03-26 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| US07/015,599 US4731312A (en) | 1983-03-25 | 1987-02-17 | Photoconductor for electrophotography comprises indium phthalocyanine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896583A JPS59174847A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59174847A true JPS59174847A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12817990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4896583A Pending JPS59174847A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59174847A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS583297A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | レ−ザの駆動方式 |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4896583A patent/JPS59174847A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS583297A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | レ−ザの駆動方式 |
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