JP3343277B2 - フタロシアニン組成物中間体の製造法 - Google Patents

フタロシアニン組成物中間体の製造法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、高い感度を有するフタロシアニ
ン組成物中体の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板の上に50μm程度のセレン(S
e)膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このSe感光体は、波長500nm付近までしか感度
を有していない等の問題がある。また、導電性基板の上
に50μm程度のSe層を形成し、この上に更に数μm
のセレン−テルル(Se−Te)合金層を形成した感光
体があるが、この感光体は上記Se−Te合金のTeの
含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反面、
Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特性が
不良となり、事実上、感光体として使用できなくなると
いう重大な問題がある。
【0003】また、アルミニウム基板の上に1μm程度
のクロロシアンブルー又はスクウアリリウム酸誘導体を
コーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵
抗の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体
とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μmコ
ーティングして電荷輸送層を形成した所謂複合二層型の
感光体もあるが、この感光体は700nm以上の光に対し
て感度を有していないのが実状である。
【0004】近年、この複合二層型の感光体において、
上記欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領域80
0nm前後に感度を有する感光体も多く報告されている
が、これらのうち多くのものが電荷発生材料としてフタ
ロシアニン顔料を用い、その膜厚0.5〜1μm程度の
電荷発生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリン誘
導体又はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂又は
ポリエステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を10〜2
0μmコーティングして電荷輸送層を形成し複合二層型
の感光体を形成している。
【0005】フタロシアニン類は、中心金属の種類によ
り吸収スペクトルや、光導電性が異なるだけでなく、結
晶型によってもこれらの物性には差があり、同じ中心金
属のフタロシアニンでも、特定の結晶型が電子写真用感
光体用に選択されている例がいくつか報告されている。
【0006】例えばチタニルフタロシアニンには種々の
結晶形が存在し、その結晶形の違いによって帯電性、暗
減衰、感度等に大きな差があることが報告されている。
【0007】特開昭59−49544号公報には、チタ
ニルフタロシアニンの結晶形としては、ブラッグ角(2
θ±0.2度)が9.2度、13.1度、20.7度、
26.2度、27.1度に強い回折ピークを与えるもの
が好適であると記されており、X線回折スペクトル図が
示されている。この結晶形のチタニルフタロシアニンを
電荷発生材料として用いた感光体の電子写真特性は、暗
減衰(DDR):85%、感度(E1/2):0.57lux
・secである。
【0008】また特開昭59−166959号公報に
は、チタニルフタロシアニンの蒸着膜をテトラヒドロフ
ランの飽和蒸気中に1〜24時間放置し、結晶形を変化
させて、電荷発生層としている。X線回折スペクトル
は、ピークの数が少なく、かつ幅が広く、ブラッグ角
(2θ±0.2度)が7.5度、12.6度、13.0
度、25.4度、26.2度および28.6度に強い回
折ピークを与えることが示されている。この結晶形のチ
タニルフタロシアニンを電荷発生材料として用いた感光
体の電子写真特性は、暗減衰(DDR):86%、感度
(E1/2):0.7lux・secである。
【0009】特開平2−198452号公報では、チタ
ニルフタロシアニンの結晶形としては、ブラッグ角(2
θ±0.2度)が27.3度に主たる回折ピークを有す
るものが高感度(1.7mJ/m2)であり、その製造法と
して水とオルト−ジクロロベンゼン混合液中で60℃1
時間加熱撹拌することが開示されている。
【0010】特開平2−256059号公報では、チタ
ニルフタロシアニンの結晶形として、ブラック角(2θ
±0.2度)が27.3度に主たる回折ピ−クを有する
ものが高感度(0.62lux・sec)であり、その製造法
として室温下1,2−ジクロロエタン中で撹拌すること
が開示されている。
【0011】特にチタニルフタロシアニンの結晶形の中
でも、27.3度に主な回折ピ−クを有する結晶形は非
常に高感度であり、これを電荷発生材として用いた感光
体は優れた電子写真特性を示す。
【0012】また、特開平3−54264では、ブラッ
ク角(2θ±0.2度)が7.2度、14.2度、2
4.0度、および27.2度に強いピ−クを有する低結
晶性チタニルフタロシアニンが結晶性チタニルフタロシ
アニンの前駆体として有用であり、その製造法として室
温下メタノ−ル中で撹拌することが開示されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】27.3度に主な回折
ピ−クを有する結晶形のチタニルフタロシアニンは非常
に高感度であるが、比較的不安定な結晶形であるため、
アシッドペ−スト法などの製造過程における条件の微妙
な違いによって、より安定なα形に結晶形が変化する傾
向にある。そこで、アシッドペ−スト法の製造条件につ
いて鋭意検討を重ねた結果、再沈から洗浄までの放置時
間を規定することによって、27.3度に主な回折ピ−
クを有する結晶形のフタロシアニン組成物を容易に製造
できることを見いだした。
【0014】本発明は、高い感度を有するフタロシアニ
ン組成物中体の製造法を提供するものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、チタニルフタ
ロシアニン及び中心金属が3価のハロゲン化金属フタロ
シアニンを含むフタロシアニン混合物をアシッドペ
法で処理する時に、再沈から洗浄までの放置時間を0
40時間と規定することを特徴とする、CuKαのX
線回折スペクトルにおいてブラッグ角(2θ±0.2
度)27.2度に主な回折ピクを有するフタロシア
ニン組成物中間体の製造法に関する。発明フタロシ
アニン組成物中間体を有機溶剤で処理することにより
uKαのX線回折スペクトルにおいてブラッグ角(2θ
±0.2度)7.5度、24.2度および27.3度
に主な回折ピクを有するフタロシアニン組成物が得ら
れる
【0016】導電性基材上に有機光導電性物質を含有す
る光導電層を有する電子写真感光体において、該有機光
導電性物質として上記の製造法により得られたフタロシ
アニン組成物を用いると電子写真感光体を得ることがで
きるまた、上記の製造法により得られたフタロシアニ
ン組成物を用いて、このフタロシアニン組成物を電荷発
生材料として含有する電荷発生層と、下記の一般式
〔I〕
【化2】 (R1、R2は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フルオロ
アルキル基又はフルオロアルコキシ基を表し、2個のR
3は、それぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表
し、Ar1及びAr2は、それぞれ独立してアリール基を
表し、m及びnは、それぞれ独立して0〜5の整数を示
す)で表されるベンジジン誘導体を電荷輸送物質として
含有する電荷輸送層を有する複合型電子写真感光体を得
ることができる
【0017】以下、本発明について詳述する。本発明で
用いられるチタニルフタロシアニンは、特開平3−71
144号公報の記載に準じて得ることができ、例えば、
次のようにして製造することができる。フタロニトリル
18.4g(0.144モル)をα−クロロナフタレン
120ml中に加え、次に窒素雰囲気下で四塩化チタン4
ml(0.0364モル)を滴下する。滴下後、昇温し撹
拌しながら200〜220℃で3時間反応させた後、1
00〜130℃で熱時濾過して、α−クロロナフタレ
ン、メタノールで洗浄する。140mlのイオン交換水で
加水分解(90℃、1時間)を行い、溶液が中性になる
までこの操作を繰り返し、メタノールで洗浄する。次
に、100℃のNMPで充分に洗浄し、続いてメタノー
ルで洗浄する。このようにして得られた化合物を60℃
で真空加熱乾燥してチタニルフタロシアニンが得られる
(収率46%)。
【0018】本発明で用いられる中心金属が3価のハロ
ゲン化金属フタロシアニン化合物において中心金属とし
ての3価の金属は、In、Ga、Al等が挙げられハロ
ゲンとしては、Cl、Br等が挙げられ、またフタロシ
アニン環にハロゲン等の置換基を有していてもよい。該
化合物は公知の化合物であるが、これらのうち、例え
ば、モノハロゲン金属フタロシアニンおよびモノハロゲ
ン金属ハロゲンフタロシアニンの合成法は、インオーガ
ニック ケミストリー〔Inorganic・Chemistry19,3131(1
980)〕および特開昭59−44054号公報に記載され
ている。モノハロゲン金属フタロシアニンは、例えば、
次のようにして製造することができる。フタロニトリル
78.2ミリモルおよび三ハロゲン化金属15.8ミリ
モルを二回蒸留し脱酸素したキノリン100ml中に入
れ、0.5〜3時間加熱還流した後徐冷、続いて0℃ま
で冷した後ろ過し、結晶をメタノール、トルエン、アセ
トンで洗浄した後、110℃で乾燥する。
【0019】また、モノハロゲン金属ハロゲンフタロア
ニンは、次のようにして製造することができる。フタロ
ニトリル156ミリモルおよび三ハロゲン化金属37.
5ミリモルを混合して300℃で、溶融してから0.5
〜3時間加熱してモノハロゲン金属ハロゲンフタロシア
ニンの粗製物を得、これをソックスレー抽出器を用いて
α−クロロナフタレンで洗浄する。
【0020】本発明において、チタニルフタロシアニン
および中心金属が3価のハロゲン化金属フタロシアニン
を含むフタロシアニン混合物の組成比率は、帯電性、暗
減衰、感度等の電子写真特性の点からチタニルフタロシ
アニンの含有率が、20〜95重量%の範囲であること
が好ましく、50〜90重量%の範囲であることがより
好ましく、65〜90重量%の範囲が特に好ましく、7
5〜90重量%の範囲であることが最も好ましい。
【0021】フタロシアニン混合物はアシッドペースト
法によりアモルファス化される。例えば、フタロシアニ
ン混合物1gを濃硫酸50mlに溶解し室温で撹拌した
後、これを氷水で冷却したイオン交換水1リットル中に
約1時間、好ましくは40分〜50分で滴下し再沈させ
る。再沈から洗浄まで一定時間放置した後、遠心分離に
より沈殿物を回収する。放置時間は、好ましくは0〜4
0時間、より好ましくは0〜20時間である。その後洗
浄水としてのイオン交換水で、洗浄水の洗浄後のpHが2
〜5でかつ伝導率が5〜500μS/cmとなるまで沈殿物
を繰り返し洗う。ついでメタノ−ルで充分に洗浄した
後、60℃で真空加熱乾燥しフタロシアニン組成物中間
体の粉末を得る。
【0022】再沈から洗浄までの放置時間が0〜20時
間では、得られた中間体はCuKαのX線回折スペクト
ルにおいてブラッグ角(2θ±0.2度)が27.2度
に主なピ−クを有する結晶形である。この中間体を有機
溶剤−水の混合溶媒を用いて結晶変換するとブラッグ角
(2θ±0.2度)が7.5度、24.2度、27.3
度に特徴的なピ−クを有する組成物が得られ、これを電
荷発生材として用いた感光体は非常に高感度で優れた電
子写真特性を示す。しかし、放置時間が20時間を超え
るとブラッグ角(2θ±0.2度)が27.2度の特徴
的なピ−ク強度が低下し、新たに6.8度のピ−クが生
じる。そして、放置時間が80時間を超えると、中間体
はブラッグ角(2θ±0.2度)が6.8度、15.5
度、23.4度に特徴的なピ−クを有する他の結晶形に
変化する。この中間体を有機溶剤−水の混合溶媒を用い
て結晶変換してもブラッグ角(2θ±0.2度)が7.
5度、24.2度、27.3度に特徴的なピ−クを有す
る組成物は得られず、これを電荷発生材として用いた感
光体の電子写真特性は、帯電性、暗減衰、感度等が劣る
傾向がある。
【0023】このようにして得られた中間体はハロゲン
系有機溶剤で処理することによって結晶変換し、フタロ
シアニン組成物を得ることができる。例えば、特開平2
−256059号公報、特開平2−198452号公報
に具体的方法が詳述されている。本処理に用いられる有
機溶剤としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエ
タン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、四塩化
炭素、クロロホルム、クロロメチルオキシラン、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン系有機溶剤
などが挙げられる。
【0024】本発明に係る電子写真感光体は、導電性支
持体の上に光導電層を設けたものである。本発明におい
て、光導電層は、有機光導電性物質を含む層であり、有
機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結合剤を含
む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型被膜
等がある。
【0025】上記有機光導電性物質としては、上記フタ
ロシアニン組成物が必須成分として用いられ、さらに公
知のものを併用することができる。また、有機光導電性
物質としては上記フタロシアニン組成物に電荷を発生す
る有機顔料及び/又は電荷輸送性物質を併用することが
好ましい。なお、上記電荷発生層には該フタロシアニン
組成物及び/又は電荷を発生する有機顔料が含まれ、電
荷輸送層には電荷輸送性物質が含まれる。
【0026】上記電荷を発生する有機顔料としては、ア
ゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズ
イミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β型、γ
型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する無金属
タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの電荷を
発生することが知られている顔料が使用できる。これら
の顔料は、例えば、特開昭47−37543号公報、特
開昭47−37544号公報、特開昭47−18543
号公報、特開昭47−18544号公報、特開昭48−
43942号公報、特開昭48−70538号公報、特
開昭49−1231号公報、特開昭49−105536
号公報、特開昭50−75214号公報、特開昭53−
44028号公報、特開昭54−17732号公報等に
開示されている。また、特開昭58−182640号公
報及びヨーロッパ特許公開第92,255号公報などに
開示されているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシ
アニンも使用可能である。このようなもののほか、光照
射により電荷担体を発生する有機願料はいずれも使用可
能である。
【0027】上記電荷輸送性物質としては、高分子化合
物では、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフ
エン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が挙げられ、低分子化合物
のものではフルオレノン、フルオレン、2,7−ジニト
ロ−9−フルオレノン、4H−インデノ(1,2,6)
チオフエン−4−オン、3,7−ジニトロ−ジベンゾチ
オフエン−5−オキサイド、1−ブロムピレン、2−フ
ェニルピレン、カルバゾール、N−エチルカルバゾー
ル、3−フェニルカルバゾール、3−(N−メチル−N
−フェニルヒドラゾン)メチル−9−エチルカルバゾー
ル、2−フェニルインドール、2−フェニルナフタレ
ン、オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、p−(ジメチ
ルアミノ)−スチルベン、2−(4−ジプロピルアミノ
フェニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5
−(2−クロロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジメチルアミノフェニル)−4−(4−ジメチ
ルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)−
1,3−オキサゾール、2−(4−ジエチルアミノフェ
ニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5−
(2−フルオロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジプロピルアミノフェニル)−4−(4−ジメ
チルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)
−1,3−オキサゾール、イミダゾール、クリセン、テ
トラフェン、アクリデン、トリフェニルアミン、ベンジ
ジン、これらの誘導体等がある。電荷輸送性物質として
は、特に一般式〔I〕
【化3】 (R1、R2は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フルオロ
アルキル基又はフルオロアルコキシ基を表し、2個のR
3は、それぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表
し、Ar1及びAr2は、それぞれ独立してアリール基を
表し、m及びnは、それぞれ独立して0〜5の整数を示
す)で表されるベンジジン誘導体が好ましい。一般式
〔I〕において、アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル
基、tert−ブチル基等が挙げられる。アルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、is
o−プロポキシ基等が挙げられる。アリール基として
は、フェニル基、トリル基、ビフェニル基、ターフェニ
ル基、ナフチル基等が挙げられる。フルオロアルキル基
としては、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル
基、ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。フルオ
ロオルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、
2,3−ジフルオロエトキシ基、2,2,2−トリフル
オロエトキシ基、1H、1H−ペンタフルオロプロポキ
シ基、ヘキサフルオロ−iso−プロポキシ基、1H、1
H−ペンタフルオロブトキシ基、2,2,3,4,4,
4−ヘキサフルオロブトキシ基、4,4,4−トリフル
オロブトキシ基等のフルオロアルコキシ基が挙げられ
る。例えば、下記のNo.1〜No.6の化合物等が挙
げられる。
【0028】
【化4】
【化5】
【0029】上記フタロシアニン組成物及び必要に応じ
て用いる電荷を発生する有機顔料(両方で前者とする)
と電荷輸送性物質(後者とする)とを混合して使用する
場合(単層型の光導電層を形成する場合)は、後者/前
者が重量比で10/1〜2/1の割合で配合するのが好
ましい。このとき、結合剤をこれらの化合物全量(前者
+後者)に対して0〜500重量%、特に30〜500
重量%の範囲で使用するのが好ましい。これらの結合剤
を使用する場合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤を必要に応じて添加することが
できる。
【0030】電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、上記フ
タロシアニン組成物及び必要に応じて電荷を発生する有
機顔料が含有され、結合剤をフタロシアニン組成物と該
有機顔料の総量に対して500重量%以下の量で含有さ
せてもよく、また、上記した添加剤を該フタロシアニン
組成物と有機顔料の総量に対して5重量%以下で添加し
てもよい。また、電荷輸送層には、上記した電荷輸送性
物質が含有され、さらに、結合剤を該電荷輸送性物質に
対して500重量%以下で含有させてもよい。電荷輸送
性物質が低分子量化合物の場合は、結合剤を該化合物に
対して50重量%以上含有させることが好ましい。
【0031】上記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリメ
タクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルピラゾリン、ポリビニルピレン等が挙げられ
る。また、熱及び/又は光によって架橋される熱硬化型
樹脂及び光硬化型樹脂も使用できる。いずれにしても絶
縁性で通常の状態で被膜を形成しうる樹脂並びに熱及び
/又は光によつて硬化し被膜を形成する樹脂であれば特
に制限はない。
【0032】上記添加剤としての可塑剤としては、ハロ
ゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジブチルフタ
レート等が挙げられ、流動性付与剤としては、モダフロ
ー(モンサントケミカル社製)、アクロナール4F(バ
スフ社製)等が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、
ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられる。これ
らは適宜選択して使用され、その量も適宜決定されれば
よい。
【0033】本発明において導電性基材とは、導電処理
した紙又はプラスチツクフィルム、アルミニウムのよう
な金属箔を積層したプラスチツクフィルム、金属板等の
導電体である。
【0034】本発明の電子写真感光体は、導電性基材の
上に光導電層を形成したものである。光導電層の厚さは
5〜50μmが好ましい。光導電層として電荷発生層及
び電荷輸送層の複合型を使用する場合、電荷発生層は好
ましくは0.001〜10μm、特に好ましくは0.2
〜5μmの厚さにする。0.001μm未満では、電荷
発生層を均一に形成するのが困難になり、10μmを越
えると、電子写真特性が低下する傾向がある。電荷輸送
層の厚さは好ましくは5〜50μm、特に好ましくは8
〜25μmである。5μm未満の厚さでは、初期電位が
低くなり、50μmを越えると、感度が低下する傾向が
ある。
【0035】導電性基材上に、光導電性基材を形成する
には、有機光導電性物質を導電性基材に蒸着する方法、
有機光導電性物質及び必要に応じその他の成分をトルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶剤、塩化メチレン、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素系溶剤、メタノール、エタ
ノール、プロパノール等のアルコール系溶剤などに均一
に溶解又は分散させて導電性基材上に塗布し、乾燥する
方法などがある。塗布法としては、スピンコート法、浸
漬法等を採用できる。電荷発生層及び電荷輸送層を形成
する場合も同様に行うことができるが、この場合、電荷
発生層と電荷輸送層は、どちらを上層としてもよく、電
荷発生層を二層の電荷輸送層ではさむようにしてもよ
い。
【0036】本発明におけるフタロシアニン組成物をス
ピンコート法により塗布する場合、フタロシアニン組成
物をクロロホルム等又はトルエン等のハロゲン化溶剤又
は非極性溶剤に溶かして得た塗布液を用いて回転数50
0〜4000rpmでスピンコーティングすることが好ま
しく、また、浸漬法によって塗布する場合には、フタロ
シアニン組成物をメタノール、ジメチルホルムアミド、
クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン
等のハロゲン溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散
させた塗液に導電性基板を浸漬することが好ましい。
【0037】本発明に係る電子写真感光体は、更に、導
電性基材のすぐ上に薄い接着層又はバリア層を有してい
てもよく、表面に保護層を有していてもよい。
【0038】
【実施例】以下、フタロシアニン組成物の製造例、実施
例によって、本発明を詳細に説明する。
【0039】製造例1 チタニルフタロシアニン0.75gおよび塩化インジウ
ムフタロシアニン0.25gからなるフタロシアニン混
合物1gを硫酸50mlに溶解し室温で30分撹拌した
後、これを氷水で冷却したイオン交換水1リットルに、
約40分で滴下し再沈させた。さらに冷却下で1時間撹
拌後、ただちに、遠心分離により沈殿物を分離し、70
0mgの沈殿物を得た。1回目の洗浄として、沈殿物70
0mgに洗浄水としてのイオン交換水120mlを加え撹拌
し、次いで、遠心分離により沈殿物と洗浄水を分離除去
した。同様の洗浄操作をさらに5回続けて行った。6回
目の操作における分離除去した洗浄水(すなわち洗浄後
の洗浄水)のpH及び伝導率を測定した(23℃)。pHの
測定には、横河電機社製モデルPH51を使用した。ま
た、伝導率の測定は、柴田科学器械工業社製モデルSC
−17Aを使用した。洗浄水のpH、伝導率は、それぞ
れ、3.0〜3.5、50〜100μS/cmの範囲にあっ
た。その後、メタノ−ル60mlで3回洗浄した後60℃
で4時間真空加熱乾燥した。この該乾燥物、すなわち、
フタロシアニン組成物中間体のX線回折スペクトルを図
1として示した。つぎにこの中間体1gにイオン交換水
22.5g及びオルト−ジクロロベンゼン1.5mlを加
え、60℃で1時間加熱撹拌し、ろ過後、メタノールで
洗浄して60℃で4時間真空加熱乾燥し、本発明におけ
るフタロシアニン組成物の結晶を得た。この結晶のX線
回折スペクトルを図2として示した。
【0040】製造例2 製造例1と同様にして得られた中間体1gにイオン交換
水9gおよび1,2−ジクロロエタン100mlを加え、
室温にて2時間撹拌し、本発明におけるフタロシアニン
組成物の結晶を得た。この結晶のX線回折スペクトルを
図3に示した。
【0041】製造例3 再沈から洗浄までの放置時間が18時間である以外は、
製造例1と同様にして、フタロシアニン組成物を製造し
た。この中間体のX線回折スペクトルは図1と同じであ
った。また、得られた組成物のX線回折スペクトルは図
2と同じであった。
【0042】比較製造例1 再沈から洗浄までの放置時間が42時間である以外は、
製造例1と同様にして、フタロシアニン組成物を製造し
た。この中間体のX線回折スペクトルを図4に示した。
また、得られた組成物のX線回折スペクトルを図5に示
した。
【0043】比較製造例2 比較製造例1と同様にして得られた中間体1gにイオン
交換水9gおよび1,2−ジクロロエタン100mlを加
え、室温にて2時間撹拌し、本発明におけるフタロシア
ニン組成物の結晶を得た。得られた組成物のX線回折ス
ペクトルを図6に示した。
【0044】比較製造例3 再沈から洗浄までの放置時間が66時間である以外は、
製造例1と同様にして、フタロシアニン組成物を製造し
た。この中間体のX線回折スペクトルを図7に示した。
また、得られた組成物のX線回折スペクトルは図5と同
じであった。
【0045】比較製造例4 再沈から洗浄までの放置時間が100時間である以外
は、製造例1と同様にして、フタロシアニン組成物を製
造した。この中間体のX線回折スペクトルを図8に示し
た。また、得られた組成物のX線回折スペクトルは図5
と同じであった。
【0046】実施例1 製造例1で製造したフタロシアニン組成物1.5g、ポ
リビニルブチラ−ル樹脂エスレックBL−S(積水化学
社製)0.9g、メラミン樹脂ML351W(日立化成
工業社製)0.1g、エチルセロソルブ49g及びテト
ラヒドロフラン49gを配合し、ボールミルで分散し
た。得られた分散液を浸漬法によりアルミニウム板(導
電性基材100mm×100mm×0.1mm)上に塗工し、
140℃で1時間乾燥して厚さ0.5μmの電荷発生層
を形成した。上記のNo.4の電荷輸送性物質1.5
g、ポリカーボネート樹脂ユーピロンS−3000(三
菱瓦斯化学社製)1.5gおよび塩化メチレン15.5
gを配合して得られた塗布液を上記基板上に浸漬法によ
り塗工し、120℃で1時間乾燥して厚さ20μmの電
荷輸送層を形成した。電子写真特性(感度、残留電位、
暗減衰率、光応答性)は、シンシア30HC(緑屋電気
社製)により評価した。コロナ帯電方式で感光体を−6
50Vまで帯電させ、780nmの単色光を50mS感光体
に露光し種々の特性測定を行った。上記の特性の定義
は、以下の通りである。感度(E50)は、初期帯電電位
−650Vを露光0.2秒後に半減させるのに要する7
80nmの単色光の照射エネルギ−量であり、残留電位
(Vr)は、同波長の20mJ/m2の単色光を50mS露
光し、露光0.2秒後及び0.5秒後に感光体の表面に
残る電位である。暗減衰率(DDR)は、感光体の初期
帯電電位−650Vと初期帯電後暗所1秒放置後の表面
電位V1(−V)を用いて(V1/650)×100と定
義した。光応答性(T1/2)は、波長780nmの20mJ/
m2の単色光を50mS露光し、初期帯電電位−650Vを
半減させるのに要する時間(sec)と定義した。
【0047】実施例2、3 実施例1において製造例2及び3で得られたチタニルフ
タロシアニン組成物を用いた以外は実施例1に準じて電
子写真感光体を製造し評価した。その結果を表1に示し
た。
【0048】比較例1〜4 実施例1において比較製造例1〜4で得られたチタニル
フタロシアニン組成物を用いた以外は、実施例1に準じ
て電子写真感光体を製造し評価した。その結果を表1に
示すが、見かけ上高感度に見えるが、暗減衰率が、実用
に耐える値ではなかった。
【0049】
【表1】
【0050】実施例4〜6 実施例1において電荷輸送材料としてNo.4の化合物
の代わりにNo.2を用いた以外は実施例1〜3に準じ
て電子写真感光体を製造し評価した。その結果を表2に
示した。
【0051】比較例5〜8 実施例1において電荷輸送材料としてNo.4の化合物
の代わりにNo.2を用いた以外は、比較例1〜4に準
じて電子写真感光体を製造し評価した。その結果を表2
に示した。
【0052】
【表2】
【0053】
【発明の効果】本発明の製造方法によって得られるフタ
ロシアニン組成物の中間体は、溶剤処理によって容易に
結晶変換され、この組成物を用いた電子写真感光体は、
帯電性、暗減衰、感度等の電子写真特性が優れており、
従来よりも更に高密度、高画質が要求される電子写真プ
ロセスに好適に応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】製造例1において得られたフタロシアニン組成
物中間体のX線回折スペクトル。
【図2】製造例1において得られたフタロシアニン組成
物のX線回折スペクトル。
【図3】製造例2において得られたフタロシアニン組成
物のX線回折スペクトル。
【図4】比較製造例1において得られたフタロシアニン
組成物中間体のX線回折スペクトル。
【図5】比較製造例1において得られたフタロシアニン
組成物のX線回折スペクトル。
【図6】比較製造例2において得られたフタロシアニン
組成物のX線回折スペクトル。
【図7】比較製造例3において得られたフタロシアニン
組成物中間体のX線回折スペクトル。
【図8】比較製造例4において得られたフタロシアニン
組成物中間体のX線回折スペクトル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−271786(JP,A) 特開 平6−145550(JP,A) 特開 平5−345866(JP,A) 特開 平2−256059(JP,A) 特開 平2−198452(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G09B 67/00 G03G 5/06

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チタニルフタロシアニン及び中心金属が
    3価のハロゲン化金属フタロシアニンを含むフタロシア
    ニン混合物をアシッドペスト法で処理する時に、再沈
    から洗浄までの放置時間を0〜40時間と規定すること
    を特徴とする、CuKαのX線回折スペクトルにおいて
    ブラッグ角(2θ±0.2度)が27.2度に主な回折
    クを有するフタロシアニン組成物中間体の製造法。
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