JPH0570710A - 塩素化インジウムフタロシアニン、その製造法およびこれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規な塩素化インジウムフタロシアニンおよ
びそれを用いた８００ｎｍ前後の長波長の光に対して高
感度を有する電子写真感光体を提供する。 【構成】 ＣｕＫαのＸ線回折スペクトルにおいてブラ
ッグ角（２θ±０．２度）が６．７度、７．４度、１
３．５度、１４．９度、１５．９度、１６．８度、２
４．８度および２６．２度に回折ピークを有する塩素化
インジウムフタロシアニン、その製造法およびそれを有
機光導電性物質として用いた電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電荷発生能が優れた新
規な塩素化インジウムフタロシアニン、その製造法およ
びそれを用いた半導体レーザ発振領域である８００ｎｍ
前後の長波長光に対して高感度を有する電子写真感光体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板の上に５０μｍ程度のセレン（Ｓ
ｅ）膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このＳｅ感光体は、波長５００ｎｍ付近までしか感
度を有していない等の問題がある。また、導電性基板の
上に５０μｍ程度のＳｅ層を形成し、この上に更に数μ
ｍのセレン−テルル（Ｓｅ−Ｔｅ）合金層を形成した感
光体があるが、この感光体は上記Ｓｅ−Ｔｅ合金のＴｅ
の含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反
面、Ｔｅの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特
性が不良となり、事実上、感光体として使用できなくな
るという重大な問題がある。

【０００３】また、アルミニウム基板の上に１μｍ程度
のクロロシアンブルー又はスクウアリリウム酸誘導体を
コーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵
抗の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体
とポリカーボネート樹脂との混合物を１０〜２０μｍコ
ーティングして電荷輸送層を形成した所謂複合二層型の
感光体もあるが、この感光体は７００ｎｍ以上の光に対
して感度を有していないのが実状である。

【０００４】近年、この複合二層型の感光体において、
上記欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領域８０
０ｎｍ前後に感度を有する感光体も多く報告されている
が、これらのうち多くのものが電荷発生材料としてフタ
ロシアニン顔料を用い、その膜厚０．５〜１μｍ程度の
電荷発生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリン誘
導体又はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂又は
ポリエステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を１０〜２
０μｍコーティングして電荷輸送層を形成し複合二層型
の感光体を形成している。

【０００５】フタロシアニン類は、中心金属の種類によ
り吸収スペクトルや、光導電性が異なるだけでなく、結
晶型によってもこれらの物性には差があり、同じ中心金
属のフタロシアニンでも、特定の結晶型が電子写真用感
光体用に選択されている例がいくつか報告されている。
無金属フタロシアニンではＸ型の結晶型のものが、光導
電性が高く、かつ８００ｎｍ以上にも感度があるとの報
告があり、又、銅フタロシアニンでは、多くの結晶型の
内ε型が最も長波長域迄感度を有していると報告されて
いる。

【０００６】しかし、Ｘ型無金属フタロシアニンは準安
定型の結晶型であって、その製造が困難であり、又、安
定した品質のものが得にくいという欠点がある。一方、
ε型銅フタロシアニンは、αやβ型銅フタロシアニンに
比べれば分光感度は長波長に伸びているが、８００ｎｍ
では感度が７８０ｎｍに比べ急激に低下しており、発振
波長に振れのある現在の半導体レーザー用には使いにく
い性能となっている。このため、多くの金属フタロシア
ニンが検討され、オキシバナジルフタロシアニン、クロ
ロアルミニウムフタロシアニン、クロロインジウムフタ
ロシアニン、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロ
ガリウムフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン
などが、半導体レーザーの様な近赤外光に対して高感度
なフタロシアニン類として報告されている。しかし、こ
れらのフタロシアニンを複写機やプリンター用の電子写
真用感光体の電荷発生材料として用いるには、感度だけ
でなく、多くの要求性能を満足しなければならない。こ
の点ではまだ十分に満足できるものではない。

【０００７】電気特性は、フタロシアニンの配位金属の
種類で大きく異なるが、同じ金属フタロシアニンでも結
晶形による特性の差は大きい。例えば、銅フタロシアニ
ンでは、α、β、γ、ε型等の結晶形の違いにより、帯
電性、暗減衰、感度等に大きな差があることが知られて
いる（澤田学；「染料と薬品」第２４巻第６号、ｐ．１
２２（１９７９））また、結晶形により吸収スペクトル
が異なることにより、分光感度も変化し、銅フタロシア
ニンではε型の吸収が最も長波長側にあり、分光感度も
長波長側に伸びている（熊野勇夫；電子写真学会誌第２
２巻、第２号、ｐ．１１１（１９８４））。

【０００８】この様に結晶形による電気特性の違いは、
無金属フタロシアニンや、他の多くの金属フタロシアニ
ンに関し公知であり、電気特性の良好な結晶形をいかに
して作るかという点に、多くの努力がなされている。例
えば、金属フタロシアニンの蒸着膜を電荷発生層にする
例が多いが、この蒸着膜をジクロロメタンやテトラヒド
ロフラン等の有機溶剤に浸漬したり、溶剤蒸気にさらす
ことにより、結晶転移をおこさせ、電気特性を改良する
例がアルミニウム、インジウム、チタニウムのフタロシ
アニンについて報告されている（特開昭５８−１５８６
４９号公報、特開昭５９−４４０５４号公報、特開昭５
９−４９５４４号公報、特開昭５９−１５５８５１号公
報、特開昭５９−１６６９５９号公報参照）。

【０００９】しかしながら、インジウムフタロシアニン
に関しては、特開昭６０−５９３５５号公報およびジャ
ーナル オブ イメージング サイエンス〔Ｊｏｕｒｎ
ａｌｏｆ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ、２９、１
４８（１９８５）〕において、インジウムフタロシアニ
ン粉末および蒸着膜を溶剤蒸気曝露あるいは溶剤浸漬し
ても、吸収波長は長波長にシフトするものの結晶型は変
化しないと報告されている。前記ジャーナル オブ イ
メージング サイエンスでは、クロロインジウムフタロ
シアニンの結晶型として、ブラック角（２θ±０．２
度）が７．４度、１２．６度、１６．７度、２１．４
度、２３．４度、２５．３度および２７．９度に強い回
折ピークを与えるＣｕＫαのＸ線回折スペクトル図が示
されている。

【００１０】特開昭５９−１７４８４５号公報、特開昭
６１−４５２４９号公報、特開昭６３−１４１５４号公
報、特開昭６３−５６５６４号公報、特開昭６３−２６
１２６７号公報、特開昭６３−２６１２６６号公報およ
び特開平１−３１２５５２号公報では、クロロインジウ
ムフタロシアニンの蒸着膜をテトラヒドロフランの蒸気
に２０時間曝露し、電子スペクトルの吸収極大ピークを
半導体レーザ発振波長領域である８００ｎｍ前後にシフ
トさせ電荷発生層としている。

【００１１】これら、公知のインジウムフタロシアニン
は、主に蒸着により、電荷発生層を形成するものであ
り、しかも蒸着後に溶媒蒸気にさらして電荷発生層を得
ているが、蒸着法は塗布方式に比べ、設備投資額が大き
く、しかも量産性に劣るためコスト高になるので好まし
くない。

【００１２】レーザ光を光源とし、電子写真感光体を用
いたレーザビームプリンタ等では、近年、半導体レーザ
を光源に用いることが種々試みられており、この場合、
該光源の波長は８００ｎｍ前後であることから、８００
ｎｍ前後の長波長光に対して高感度な特性を有する電子
写真感光体が強く要求されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、８００ｎｍ
前後の長波長の光に対して高い感度を有する電子写真感
光体を提供するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＣｕＫαのＸ
線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２
度）が６．７度、７．４度、１３．５度、１４．９度、
１５．９度、１６．８度、２４．８度および２６．２度
に回折ピークを有する塩素化インジウムフタロシアニン
に関する。

【００１５】また、本発明は、アモルファス状態の塩素
化インジウムフタロシアニンを、エーテル系溶媒の存在
下、加熱処理することを特徴とするＣｕＫαのＸ線回折
スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２度）が
６．７度、７．４度、１３．５度、１４．９度、１５．
９度、１６．８度、２４．８度および２６．２度に回折
ピークを有する塩素化インジウムフタロシアニンの製造
法に関する。

【００１６】また、本発明は、導電性支持体上に有機光
導電性物質を含有する光導電層を有する電子写真感光体
において、前記有機光導電性物質がＣｕＫαのＸ線回折
スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２度）が
６．７度、７．４度、１３．５度、１４．９度、１５．
９度、１６．８度、２４．８度および２６．２度に回折
ピークを有する塩素化インジウムフタロシアニンである
電子写真感光体に関する。

【００１７】以下、本発明について詳述する。本発明の
特定のＸ線回折スペクトルを示す塩素化インジウムフタ
ロシアニンを製造するために用いられる前駆体としての
インジウムフタロシアニン化合物（モノクロロインジウ
ムフタロシアニン、モノクロロインジウムクロロフタロ
シアニン）の合成法は、インオーガニックケミストリー
〔Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ１９、３１
３１（１９８０）〕および特開昭５９−４４０５４号公
報に記載されている。

【００１８】モノクロロインジウムフタロシアニンは例
えば、次のようにして製造することができる。フタロニ
トリル１０ｇおよび三塩化インジウム３．５ｇを二回蒸
留し脱酸素したキノリン１００ｍｌ中に入れ、１時間加
熱還流した後徐冷、続いて０℃まで冷した後ろ過し、暗
紫色の結晶をメタノール、トルエン、アセトンで洗浄し
た後、１１０℃で乾燥する（収量は６．３ｇ）。

【００１９】また、モノクロロインジウムクロロフタロ
シアニンは、次のようにして製造することができる。フ
タロニトリル２０ｇおよび三塩化インジウム８．３ｇを
混合して３００℃で、溶融してから６０分加熱してモノ
クロロインジウムクロロフタロシアニンの粗製物２３．
０ｇを得、これをソックスレー抽出器を用いてα−クロ
ロナフタレンで洗浄する（収量１４．０ｇ）。

【００２０】このように製造したインジウムフタロシア
ニン化合物は、Ｘ線回折スペクトルにおいてブラッグ角
が７．４度に非常に強い回折ピークを有するものであ
る。

【００２１】本発明に係るＣｕＫαのＸ線回折スペクト
ルにおいてブラッグ角（２θ±０．２度）が６．７度、
７．４度、１３．５度、１４．９度、１５．９度、１
６．８度、２４．８度および２６．２度に回折ピークを
有する塩素化インジウムフタロシアニンは、前記Ｘ線回
折スペクトルにおいてブラッグ角が７．４度に非常に強
い回折ピークを有するインジウムフタロシアニン化合物
の結晶を用いて、例えば次のように製造することができ
る。

【００２２】ブラッグ角が７．４度に強いピークを有す
るインジウムフタロシアニン化合物の結晶５．０ｇを濃
硫酸５００ｍｌに溶解し、これを氷水で冷却した純水５
ｌに滴下し塩素化インジウムフタロシアニンを再沈させ
る。ろ過後沈殿を純水およびメタノール・純水混合液で
充分に洗浄した後１１０℃で乾燥し３．９ｇの塩素化イ
ンジウムフタロシアニン粉末を得る。このようにして得
られる塩素化インジウムフタロシアニンのＸ線回折スペ
クトルは、明確な鋭いピークがなくなり幅の広いアモル
ファス状態を表わすスペクトルである。アモルファス状
態を得る方法としては、上記濃硫酸を用いるアシッドペ
ースティング法以外に乾式のミリングによる方法もあ
る。

【００２３】このようにして得られるアモルファス状態
の塩素化インジウムフタロシアニンを、エーテル系溶媒
及び／またはケトン系溶媒で処理することによって、本
発明の特定のＸ線回折スペクトルを示す塩素化インジウ
ムフタロシアニンを製造できる。例えば、アモルファス
状態の塩素化インジウムフタロシアニン粉末１ｇをエー
テル系溶媒としてのテトラヒドロフラン１２０ｍｌに入
れ加熱撹拌する（前記粉末／溶媒（重量比）は、１／１
〜１／１００である）。加熱温度は３０℃〜１００℃、
好ましくは５０℃〜８０℃であり、加熱時間は１時間〜
１２時間、好ましくは２時間〜８時間である。加熱撹拌
終了後ろ過しメタノールで洗浄し６０℃で真空乾燥し本
発明の塩素化インジウムフタロシアニン結晶７００ｍｇ
を得ることができる。本処理に用いられるエーテル系溶
媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、アセトン、メ
チルエチルケトン等が挙げられる。

【００２４】本発明に係る電子写真感光体は、導電性支
持体の上に光導電層を設けたものである。本発明におい
て、光導電層は、有機光導電性物質を含む層であり、有
機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結合剤を含
む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型被膜
等がある。

【００２５】上記有機光導電性物質としては、前記塩素
化インジウムフタロシアニンが必須成分として用いら
れ、さらに公知のものを併用することができる。また、
有機光導電性物質としては前記塩素化インジウムフタロ
シアニン又は該フタロシアニン及び電荷を発生する有機
顔料と電荷輸送性物質を併用するのが好ましい。なお、
上記電荷発生層には該フタロシアニン又はこれと電荷を
発生する有機顔料が含まれ、電荷輸送層には電荷輸送性
物質が含まれる。

【００２６】前記電荷を発生する有機顔料としては、ア
ゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズ
イミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β型、γ
型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する無金属
タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの電荷を
発生することが知られている顔料が使用できる。これら
の顔料は、例えば、特開昭４７−３７５４３号公報、特
開昭４７−３７５４４号公報、特開昭４７−１８５４３
号公報、特開昭４７−１８５４４号公報、特開昭４８−
４３９４２号公報、特開昭４８−７０５３８号公報、特
開昭４９−１２３１号公報、特開昭４９−１０５５３６
号公報、特開昭５０−７５２１４号公報、特開昭５３−
４４０２８号公報、特開昭５４−１７７３２号公報等に
開示されている。また、特開昭５８−１８２６４０号公
報及びヨーロッパ特許公開第９２，２５５号公報などに
開示されているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシ
アニンも使用可能である。このようなもののほか、光照
射により電荷担体を発生する有機願料はいずれも使用可
能である。

【００２７】前記電荷輸送性物質としては高分子化合物
のものではポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポ
リビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオ
フエン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が、低分子化合物のもので
はフルオレノン、フルオレン、２，７−ジニトロ−９−
フルオレノン、４Ｈ−インデノ（１，２，６）チオフエ
ン−４−オン、３，７−ジニトロ−ジベンゾチオフエン
−５−オキサイド、１−ブロムピレン、２−フェニルピ
レン、カルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール、３−フ
ェニルカルバゾール、３−（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
ヒドラゾン）メチル−９−エチルカルバゾール、２−フ
ェニルインドール、２−フェニルナフタレン、オキサジ
アゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール、１−フェニル−
３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、ｐ−（ジメチルアミノ）
−スチルベン、２−（４−ジプロピルアミノフェニル）
−４−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−ク
ロロフェニル）−１，３−オキサゾール、２−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−４−（４−ジメチルアミノフ
ェニル）−５−（２−フルオロフェニル）−１，３−オ
キサゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−４
−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−フルオ
ロフェニル）−１，３−オキサゾール、２−（４−ジプ
ロピルアミノフェニル）−４−（４−ジメチルアミノフ
ェニル）−５−（２−フルオロフェニル）−１，３−オ
キサゾール、イミダゾール、クリセン、テトラフェン、
アクリデン、トリフェニルアミン、これらの誘導体等が
ある。

【００２８】前記フタロシアニン又は該フタロシアニン
及び電荷を発生する有機顔料と電荷輸送性物質とを混合
して使用する場合は、後者／前者が重量比で１０／１〜
２／１の割合で配合するのが好ましい。このとき、電荷
輸送性物質が高分子化合物のものであれば、結合剤を使
用しなくてもよいが、この場合でも又は電荷輸送性物質
が低分子化合物の場合でも、結合剤をこれらの化合物全
量に対して５００重量％以下で使用するのが好ましい。
また、電荷輸送性物質として低分子化合物を使用する場
合は、結合剤を３０重量％以上使用するのが好ましい。
また、電荷輸送性物質を用いない場合でも同様の量で結
合剤を使用してもよい。これらの結合剤を使用する場
合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤
等の添加剤を必要に応じて添加することができる。

【００２９】電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、前記し
たフタロシアニン又はこれと電荷を発生する有機願料が
含有させられ、結合剤を該有機顔料に対して５００重量
％以下の量で含有させてもよく、また、前記した添加剤
を該フタロシアニン又はこれと有機願料の総量に対し
て、５重量％以下で添加してもよい。また、電荷輸送層
には、前記した電荷輸送性物質が含有させられ、結合剤
を該電荷輸送性物質に対して５００重量％以下で含有さ
せてもよい。電荷輸送性物質が低分子量化合物の場合
は、結合剤を該化合物に対して５０重量％以下含有させ
るのが好ましい。電荷輸送層には、前記した添加剤を電
荷輸送性物質に対して５重量％以下で含有させてもよ
い。

【００３０】前記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリメ
タクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルピラゾリン、ポリビニルピレン等が挙げられ
る。また、熱及び／又は光によって架橋される熱硬化型
樹脂及び光硬化型樹脂も使用できる。

【００３１】いずれにしても絶縁性で通常の状態で被膜
を形成しうる樹脂、並びに熱及び／又は光によつて硬化
し、被膜を形成する樹脂であれば特に制限はない。可塑
剤としては、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタリ
ン、ジブチルフタレート等が挙げられる。流動性付与剤
としては、モダフロー（モンサントケミカル社製）、ア
クロナール４Ｆ（バスフ社製）等が挙げられ、ピンホー
ル抑制剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタレート等
が挙げられる。これらは適宜選択して使用され、その量
も適宜決定されればよい。

【００３２】本発明において導電層とは、導電処理した
紙又はプラスチツクフィルム、アルミニウムのような金
属箔を積層したプラスチツクフィルム、金属板等の導電
体である。

【００３３】本発明の電子写真感光体は、導電層の上に
光導電層を形成したものである。光導電層の厚さは５〜
５０μが好ましい。光導電層として電荷発生層及び電荷
輸送層の複合型を使用する場合、電荷発生層は好ましく
は０．００１〜１０μｍ、特に好ましくは０．２〜５μ
ｍの厚さにする。０．００１μｍ未満では、電荷発生層
を均一に形成するのが困難になり、１０μｍを越える
と、電子写真特性が低下する傾向にある。電荷輸送層の
厚さは好ましくは５〜５０μｍ、特に好ましくは８〜２
５μｍである。５μｍ未満の厚さでは、初期電位が低く
なり、５０μｍを越えると、感度が抵下する傾向があ
る。

【００３４】導電層上に、光導電層を形成するには、有
機光導電性物質を導電層に蒸着する方法、有機光導電性
物質及び必要に応じその他の成分をトルエン、キシレン
等の芳香族系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素等のハロ
ゲン化炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、プロ
パノール等のアルコール系溶剤に均一に溶解又は分散さ
せて導電層上に塗布し、乾燥する方法などがある。塗布
法としては、スピンコート法、浸漬法等を採用できる。
電荷発生層及び電荷輸送層を形成する場合も同様に行う
ことができるが、この場合、電荷発生層と電荷輸送層
は、どちらを上層としてもよく、電荷発生層を二層の電
荷輸送層ではさむようにしてもよい。

【００３５】本発明のフタロシアニン化合物をフタロシ
アニンをスピンコート法により塗布する場合、塩素化イ
ンジウムフタロシアニン化合物をクロロホルム又はトル
エン等のハロゲン化溶剤又は非極性溶剤に溶かして得た
塗布液を用いて回転数３０００〜７０００ｒｐｍでスピ
ンコーティングするのが好ましく、また、浸漬法によっ
て塗布する場合には、塩素化インジウムフタロシアニン
化合物をメタノール、ジメチルホルムアミド、クロロホ
ルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン等のハロ
ゲン溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散させた塗
液に導電性基板を浸漬するのが好ましい。

【００３６】保護層の形成は、光導電層の形成における
塗布、乾燥方法と同様にすればよい。本発明に係る電子
写真感光体は、更に、導電層のすぐ上に薄い接着層又は
バリア層を有していてもよく、表面に保護層を有してい
てもよい。

【００３７】

【実施例】以下、製造例、実施例によって本発明を説明
する。まず、本発明の塩素化インジウムフタロシアニン
の製造例を示す。

【００３８】製造例１ 前記インオーガニック ケミストリーに記載された方法
に準じて合成したモノクロロインジウムフタロシアニン
１．０ｇ（Ｘ線回折スペクトルを図１として示した）を
濃硫酸１００ｍｌを溶解しこれを氷水で冷却した純水１
ｌに滴下しモノクロロインジウムフタロシアニンを再沈
させた。ろ過後沈殿を純水およびメタノール／純水混合
液で充分に洗浄した後１１０℃で乾燥しアモルファス状
態のモノクロロインジウムフタロシアニン粉末０．８５
ｇを得た（Ｘ線回折スペクトルを図２として示した）。
次いでこの粉末をテトラヒドロフラン１００ｍｌ中に入
れ、８０℃で５時間加熱撹拌した後直ちにろ過しメタノ
ールで洗浄し６０℃で真空乾燥し本発明のモノクロロイ
ンジウムフタロシアニンの結晶０．５９ｇを得た。この
結晶のＸ線回折スペクトルを図３として示した。また、
この結晶とポリ（クロロトリフルオロエチレン）オイル
〔商品名フルオロルーベ、セントラル薬品社製〕から調
製された膜の電子スペクトルを図４として示した。

【００３９】製造例２ 製造例１において、テトラヒドロフランの代わりにメチ
ルエチルケトンを使用した以外は製造例１に準じて本発
明のモノクロロインジウムフタロシアニン結晶を製造し
た。この結晶のＸ線回折スペクトルを図５として示し
た。また、この結晶と前記ポリ（クロロトリフルオロエ
チレン）オイルとから調製された膜の電子スペクトルを
図６として示した。

【００４０】製造例３ 製造例１において、モノクロロインジウムフタロシアニ
ンの代わりに特開昭５９−４４０５４号公報に記載され
た方法に準じて合成したモノクロロインジウムクロロフ
タロシアニンを使用した以外は製造例１に準じて本発明
のモノクロロインジウムクロロフタロシアニンの結晶を
製造した。この結晶のＸ線回折スペクトルおよび電子ス
ペクトルは図３および図４とそれぞれ同等であった。

【００４１】実施例１ 製造例１で製造したモノクロロインジウムフタロシアニ
ン化合物２．５ｇ、シリコン樹脂ＫＲ−２５５〔信越化
学工業社製 商品名〕 （固形分５０重量％）５．０ｇ
および１，２−ジクロロエタン９２．５ｇを配合し、こ
の混合液をボールミル（日本化学陶業社製３寸ポットミ
ル）を用いて８時間混練した。得られた顔料分散液をア
プリケータによりアルミニウム板（導電性支持体１００
ｍｍ×７０ｍｍ×０．１ｍｍ）上に塗工し、９０℃で１
５分間乾燥して厚さ０．５μｍの電荷発生層を形成し
た。

【００４２】１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン５ｇとポリカーボネート樹脂ユーピロンＳ−３０
００〔三菱瓦斯化学社製 商品名〕（固形分１００重量
％）１０ｇを塩化メチレンと１，１，１−トリクロロエ
タンの１：１（重量比）混合溶剤８５ｇに溶解して得ら
れた塗布液を用いて、上記基板の電荷発生層上に浸漬塗
工し、１２０℃で３０分間乾燥し、厚さ２０μｍの電荷
輸送層を形成した。

【００４３】静電気帯電試験装置（川口電機社製）を用
い、前記感光体を５ＫＷのコロナ放電で負に帯電させ
た。その後、ハロゲンランプを外部光源とし、モノクロ
メーター（リツ−応用光学社製）で単色光にして照射す
ることにより、該感光体の表面電位の光減衰を測定し
た。

【００４４】その結果、近赤外域の８００ｎｍの単色光
を用いた場合、半減露光量（Ｅ_1/2）（電位残留率が１
／２になる時間と光強度の積）は５．０ｍＪ／ｍ²であ
った。このときの感光体の帯電圧（初期の表面電位
Ｖ₀）は−９８０Ｖ、暗減衰（Ｖ_D）は９．３Ｖ／ｓｅ
ｃ、露光２０秒後の表面電位（残留電位Ｖ_R）は−５Ｖ
であった。

【００４５】実施例２〜３ 製造例２又は３で製造したモノクロロインジウムフタロ
シアニン化合物を用いてそれぞれ実施例１と同様の方法
で電荷発生層を形成した。この電荷発生層上に実施例１
と同様の方法で厚さ２０μｍの電荷輸送層を形成した。
こうして得られた感光体について、実施例１と同様にし
て、近赤外域の８００ｎｍの単色光を用いて測定した電
子写真特性の結果を表１として示した。

【００４６】

【表１】

【００４７】実施例４〜６ 実施例１乃至３に用いたモノクロロインジウムフタロシ
アニン化合物を用いてそれぞれ実施例１と同様の方法で
電荷発生層を形成した。次にｐ−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−ジフェニルヒドラゾン５ｇおよびポリカー
ボネート樹脂ユーピロンＳ−３０００ １０ｇを塩化メ
チレンと１，１，２−トリクロロエタンの１：１（重量
比）混合溶剤８５ｇに溶解して得られた塗布液を用い
て、上記基板の電荷発生層上に浸漬塗工し、１２０℃で
３０分間乾燥し、厚さ２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。こうして得られた感光体について、実施例１と同様
にして、近赤外域の８００ｎｍの単色光を用いて測定し
た電子写真特性の結果を表２として示した。

【００４８】

【表２】

【００４９】比較例１ インオーガニック ケミストリーに記載された方法に準
じて合成したモノクロロインジウムフタロシアニン（Ｘ
線回折スペクトルが図１のもの）を２×１０^-5ｍｍＨｇ
の真空下で、アルミ蒸着基板上に真空蒸着して電荷発生
層を形成した。この電荷発生層上に実施例１と同様の方
法で厚さ２０μｍの電荷輸送層を形成した。こうして得
られた感光体について、実施例１と同様にして近赤外域
の８００ｎｍの単色光を用いて電子写真特性を測定した
ところ、初期帯電Ｖ₀は−９００Ｖ、暗減衰Ｖ_Dは２７Ｖ
／ｓｅｃ、感度Ｅ_1/2は３１ｍＪ／ｍ²、残留電位−１０
Ｖであった。

【００５０】比較例２ 比較例１に用いたモノクロロインジウムフタロシアニン
化合物の代わりに特開昭５９−４４０５４号公報に記載
された方法に準じて合成したモノクロロインジウムクロ
ロフタロシアニン化合物を用いて比較例１と同様の方法
で電荷発生層を形成した。この電荷発生層上に実施例５
と同様の方法で厚さ２０μｍの電荷輸送層を形成した。
こうして得られた感光体について、実施例１と同様にし
て近赤外域の８００ｎｍの単色光を用いて電子写真特性
を測定したところ、初期帯電Ｖ₀は−８００Ｖ、暗減衰
Ｖ_Dは３０Ｖ／ｓｅｃ、感度Ｅ_1/2は３５ｍＪ／ｍ²、残
留電位は−１５Ｖであった。

【００５１】

【発明の効果】本発明の製造法によって得られる新規な
塩素化インジウムフタロシアニンを用いた電子写真感光
体は、半導体レーザ発振領域である８００ｎｍ前後の長
波長域に対して高い感度を示す特性を有し、特にレーザ
ビームプリンタに用いた場合、優れた効果を発揮する。
また、本発明の電子写真感光体は、上述のレーザビーム
プリンタのみでなく、ＬＥＤを光源としたプリンタ、更
には半導体レーザを光源としてその他の光記録デバイス
にも好適に応用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】モノクロロインジウムフタロシアニンのＸ線回
折スペクトル。

【図２】濃硫酸で処理したモノクロロインジウムフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル。

【図３】テトラヒドロフランで処理したモノクロロイン
ジウムフタロシアニンのＸ線回折スペクトル。

【図４】テトラヒドロフランで処理したモノクロロイン
ジウムフタロシアニンの電子スペクトル。

【図５】メチルエチルケトン処理したモノクロロインジ
ウムフタロシアニンのＸ線回折スペクトル。

【図６】メチルエチルケトン処理したモノクロロインジ
ウムフタロシアニンの電子スペクトル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板垣 幹雄 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣｕＫαのＸ線回折スペクトルにおいて
   ブラッグ角（２θ±０．２度）が６．７度、７．４度、
   １３．５度、１４．９度、１５．９度、１６．８度、２
   ４．８度および２６．２度に回折ピークを有する塩素化
   インジウムフタロシアニン。
2. 【請求項２】 アモルファス状態の塩素化インジウムフ
   タロシアニンを、エーテル系溶媒及び／またはケトン系
   溶媒で処理することを特徴とするＸ線回折スペクトルに
   おいてブラッグ角（２θ±０．２度）が６．７度、７．
   ４度、１３．５度、１４．９度、１５．９度、１６．８
   度、２４．８度および２６．２度に回折ピークを有する
   塩素化インジウムフタロシアニンの製造法。
3. 【請求項３】 導電性支持体上に有機光導電性物質を含
   有する光導電層を有する電子写真感光体において、前記
   有機光導電性物質がＣｕＫαのＸ線回折スペクトルにお
   いてブラッグ角（２θ±０．２度）が６．７度、７．４
   度、１３．５度、１４．９度、１５．９度、１６．８
   度、２４．８度および２６．２度に回折ピークを有する
   塩素化インジウムフタロシアニンである電子写真感光
   体。
4. 【請求項４】 塩素化インジウムフタロシアニンがモノ
   クロロインジウムフタロシアニン又はモノクロロインジ
   ウムクロロフタロシアニンである請求項３記載の電子写
   真感光体。