JPS59133550A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS59133550A JPS59133550A JP672383A JP672383A JPS59133550A JP S59133550 A JPS59133550 A JP S59133550A JP 672383 A JP672383 A JP 672383A JP 672383 A JP672383 A JP 672383A JP S59133550 A JPS59133550 A JP S59133550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- compd
- charge generating
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであり、特に８
００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ物理
的特性に優れた感光体を提供しようとするものである。
００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ物理
的特性に優れた感光体を提供しようとするものである。
（従来技術）
先ず従来の感光体の一例を第１図によシ説明する。アル
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１
２を真空蒸着法によシ形成したものであり、かかるＳｅ
感光体はその分光感度が第２図の曲線Ａで示されるよう
に５００ ｎｍＴｈ超えると急激に低下する。なお、こ
の感度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光
量の逆数を使用した（以下同じ）。
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１
２を真空蒸着法によシ形成したものであり、かかるＳｅ
感光体はその分光感度が第２図の曲線Ａで示されるよう
に５００ ｎｍＴｈ超えると急激に低下する。なお、こ
の感度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光
量の逆数を使用した（以下同じ）。
他にＳｅにテルル（’１１）’ｅ添加し分光感度を長波
長に伸ばしたＳｅ −Ｔｅ合金感光体もある。しかし、
このＳｓ −Ｔｅ Ｎ！＆光体はＴｏの添加量が増加す
るにつれて表面電荷の保持特性が不良となり事実上窓光
体として使用できない。そこで、更に他の例として第３
図のように導電性基板３１の上に５０μｍ程度のＳｅ層
３２を設けこの上にＳｅ −Ｔｅ合金層３３を２〜３μ
ｍ重層し上述した電荷保持特性を改善した２層型式のも
のがある。この表面層が５ｅｓｓＴｅｔｓの場合、その
分光感度は第２図の曲線Ｂで示されるように６５０ ｎ
ｍ以上で急激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不
能な１１どその感度が低下してしまう。
長に伸ばしたＳｅ −Ｔｅ合金感光体もある。しかし、
このＳｓ −Ｔｅ Ｎ！＆光体はＴｏの添加量が増加す
るにつれて表面電荷の保持特性が不良となり事実上窓光
体として使用できない。そこで、更に他の例として第３
図のように導電性基板３１の上に５０μｍ程度のＳｅ層
３２を設けこの上にＳｅ −Ｔｅ合金層３３を２〜３μ
ｍ重層し上述した電荷保持特性を改善した２層型式のも
のがある。この表面層が５ｅｓｓＴｅｔｓの場合、その
分光感度は第２図の曲線Ｂで示されるように６５０ ｎ
ｍ以上で急激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不
能な１１どその感度が低下してしまう。
更に第４図は、アルミニウム基板４１上に、クロロダイ
アンブルーまたけスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層４２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン
誘導体と？リカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層４３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ｎｍ以上の照射光に
対しては感光体として殆んど使用できない。
アンブルーまたけスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層４２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン
誘導体と？リカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層４３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ｎｍ以上の照射光に
対しては感光体として殆んど使用できない。
ところでレーザー光を光源とした電子写真用感光体ヲ用
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体レーザーを光源として用いる試みが
盛んに行われており、かかる半導体レーザー光源の発振
波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体レーザーを光源として用いる試みが
盛んに行われており、かかる半導体レーザー光源の発振
波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
（発明の目的）
現在上述した如（８００ｎｍ以上の光に対し高感度を示
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であり、
かかる８ ００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示
す感光体の出現が強く要求されている。
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であり、
かかる８ ００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示
す感光体の出現が強く要求されている。
ここに発明者等はかかる事情に鑑み鋭意研究を行った結
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性ｍ個を用いたものが８０
０ ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを
見出しこの発明を完成したのである。
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性ｍ個を用いたものが８０
０ ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを
見出しこの発明を完成したのである。
（発明の構成）
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導電性物質
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、ＭｅはアルミニウムＡｔ 、 Ｘは臭素Ｂｒで
ある）にて表わされるアルミニウムフタロシアニンで該
アルミニウムフタロシアニンのベンゼン環の水素の一部
が臭素で置換されたフタロシアニンを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体である。
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、ＭｅはアルミニウムＡｔ 、 Ｘは臭素Ｂｒで
ある）にて表わされるアルミニウムフタロシアニンで該
アルミニウムフタロシアニンのベンゼン環の水素の一部
が臭素で置換されたフタロシアニンを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体である。
この発明において、上述したアルミニウムフタロシアニ
ンのベンゼン環の水素の一部の臭素置換とは、これら水
素の１個以上の臭素による置換を意味するものである。
ンのベンゼン環の水素の一部の臭素置換とは、これら水
素の１個以上の臭素による置換を意味するものである。
後記する実施例では、これが−個の場合について詳述し
であるが合成方法によっては２個以上の場合が可能であ
シ、更にこれら２個以上の水素が臭素にて置換されたも
のの使用が略同様にこの発明の目的を達成し得るのであ
る。
であるが合成方法によっては２個以上の場合が可能であ
シ、更にこれら２個以上の水素が臭素にて置換されたも
のの使用が略同様にこの発明の目的を達成し得るのであ
る。
以下、この発明を具体的な実施例にょシ詳細に説明する
。
。
（実施例）
実施例１
オルトフタロソニトリル１２．８ ｆと純度９９．９９
９％の臭化７／ｌ／ミニウムＡｔＢｒ５６．６８ ｆを
３００ ℃（７）マントルヒーター中のビーカー中で
攪拌混合しながら反応させた。得られた生成物の構造は
上記一般式にて表わされる７タロシアニンであること、
及びその元素分析を行った結果、元素の比はＣ３２Ｈ１
５，５Ｎ７．８Ｂ ｒ ２．２Ａｔ１．１であＱｌこの
中のＢｒのうち１個が上記一般式の中心金属と結合して
おシ残シの１個はフタロシアニン環の周囲のベンゼン環
に結合したほぼＣｓｚＨｘｇＮｓＢ ｒ鵞Ａ４の元累比
からなる上記一般式で示されるフタロシアニン（以下Ａ
ｔＢｒＰｃ （Ｂｒ ）と云う）であることを確認した
。
９％の臭化７／ｌ／ミニウムＡｔＢｒ５６．６８ ｆを
３００ ℃（７）マントルヒーター中のビーカー中で
攪拌混合しながら反応させた。得られた生成物の構造は
上記一般式にて表わされる７タロシアニンであること、
及びその元素分析を行った結果、元素の比はＣ３２Ｈ１
５，５Ｎ７．８Ｂ ｒ ２．２Ａｔ１．１であＱｌこの
中のＢｒのうち１個が上記一般式の中心金属と結合して
おシ残シの１個はフタロシアニン環の周囲のベンゼン環
に結合したほぼＣｓｚＨｘｇＮｓＢ ｒ鵞Ａ４の元累比
からなる上記一般式で示されるフタロシアニン（以下Ａ
ｔＢｒＰｃ （Ｂｒ ）と云う）であることを確認した
。
次にこのＡｔＢｒＰｃ（Ｂｒ） ｋ真空蒸着装置中のア
ルミするつほに０．０１ ｆ入れ、該るつぼ温度５００
℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成した
（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９００
ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。
ルミするつほに０．０１ ｆ入れ、該るつぼ温度５００
℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成した
（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９００
ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。
同図中曲線Ｃは上記薄膜試料そのもののスペクトルであ
５．７３０ｎｍＫて最大ピークを示した。
５．７３０ｎｍＫて最大ピークを示した。
次にこの薄膜試料をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の蒸
気中にて２０時間曝露処理したもののスペクトルは曲線
りにて示したように吸収ピークラ６５０ｎｍ及び７８０
ｎｍに有するスペクトルに変化した。
気中にて２０時間曝露処理したもののスペクトルは曲線
りにて示したように吸収ピークラ６５０ｎｍ及び７８０
ｎｍに有するスペクトルに変化した。
次に上記のＡｔＢｒＰｃ（Ｂｒ）を第６図に示した如く
抵抗加熱蒸着法により、アルミニウム基板６１上に電荷
発生層６２として０．２μｍ膜厚で形成し、これｆ、Ｔ
ＨＦ蒸気中に２０時間曝露後、その上にＴＨＦに溶解し
た電子写真用ぼりビニルカルバゾール樹脂をコーティン
グし該ＴＨＦ’に充分乾燥させることによシミ荷輸送層
６３（１２μｍ厚）を形成し感光体を作成した。
抵抗加熱蒸着法により、アルミニウム基板６１上に電荷
発生層６２として０．２μｍ膜厚で形成し、これｆ、Ｔ
ＨＦ蒸気中に２０時間曝露後、その上にＴＨＦに溶解し
た電子写真用ぼりビニルカルバゾール樹脂をコーティン
グし該ＴＨＦ’に充分乾燥させることによシミ荷輸送層
６３（１２μｍ厚）を形成し感光体を作成した。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感度を測定
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
同図によれば本実施例による感光体は波長９００ｎｍに
おいても０．６ｍ”／μＪの高い感度が認められ、上述
した一般的な半導体レーザー光の波長である８００〜８
５０ ｎｍにおいて１ｃｔｎ”／μＪと云う充分な高感
度を示した。
おいても０．６ｍ”／μＪの高い感度が認められ、上述
した一般的な半導体レーザー光の波長である８００〜８
５０ ｎｍにおいて１ｃｔｎ”／μＪと云う充分な高感
度を示した。
実施例２
実施例１に準じアルミニウム基板上に同様のＡｔＢｒＰ
ｃ（Ｂｒ）を真空蒸着法によ、９０．２ ／ｊ ｍ形成
し、その後実施例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わ
ずにポリビニルカルバゾールのＴＨＦｉｉをコーティン
グし乾燥厚さ１２μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得
た。
ｃ（Ｂｒ）を真空蒸着法によ、９０．２ ／ｊ ｍ形成
し、その後実施例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わ
ずにポリビニルカルバゾールのＴＨＦｉｉをコーティン
グし乾燥厚さ１２μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得
た。
この実施例２の感光体の分光感度を同様に測定し、第７
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、上記実施例１の
電荷発生層をＴＨＦ溶媒蒸気処理して作成した感光体に
比し、波長９００ ｎｍＫおける感度は若干低かったが
８００〜８５０ｎｍにおいて１ｃｒｎ２／μＪの高感度
を示すことが明らかであった。即ち本実施例による感光
体は、電荷発生層の溶媒蒸気処理を行わなくても非常に
高感度を示し、８００〜８５０ ｎｍの光を発振する半
導体レーザーを光源とした上記レーザービームプリンタ
用の感光体として一層優れて居り、しかも溶媒蒸気処理
を行わないことから製作工程が簡略化できる長所がある
。
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、上記実施例１の
電荷発生層をＴＨＦ溶媒蒸気処理して作成した感光体に
比し、波長９００ ｎｍＫおける感度は若干低かったが
８００〜８５０ｎｍにおいて１ｃｒｎ２／μＪの高感度
を示すことが明らかであった。即ち本実施例による感光
体は、電荷発生層の溶媒蒸気処理を行わなくても非常に
高感度を示し、８００〜８５０ ｎｍの光を発振する半
導体レーザーを光源とした上記レーザービームプリンタ
用の感光体として一層優れて居り、しかも溶媒蒸気処理
を行わないことから製作工程が簡略化できる長所がある
。
実施例３
実施例と同様にして電荷発生層としてアルミニウム基板
上にＡｔＢｒＰｃ（Ｂｒ）を真空蒸着法によｐｌｏ、２
μｍ厚に形成した。次にＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わずに
、この上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−（
４’−１７エチルアミノスチリル）−５−（４“−ソエ
チルアミノフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹
脂（ユニオンカーバイド社製）とを重量比で１＝１をＴ
ＨＦ溶液に溶解したものをコーティングして形成した（
乾燥膜厚１０μｍ）。なお、このピラゾリン誘導体はベ
ンズアルデヒドとアセトンからペンタジェン−２−オン
全作成し、これとフエニルヒドラゾノを反応させる方法
で合成した。
上にＡｔＢｒＰｃ（Ｂｒ）を真空蒸着法によｐｌｏ、２
μｍ厚に形成した。次にＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わずに
、この上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−（
４’−１７エチルアミノスチリル）−５−（４“−ソエ
チルアミノフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹
脂（ユニオンカーバイド社製）とを重量比で１＝１をＴ
ＨＦ溶液に溶解したものをコーティングして形成した（
乾燥膜厚１０μｍ）。なお、このピラゾリン誘導体はベ
ンズアルデヒドとアセトンからペンタジェン−２−オン
全作成し、これとフエニルヒドラゾノを反応させる方法
で合成した。
得られた感光体の分光感度を同様に測定し結果を第７図
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２と＃１ぼ同様
に８００〜８５０ｎｍ波長において１ｔＹｎ２／μＪの
高感度を示した。そしてこの実施例３は、実施例２の電
荷輸送層がピラゾリン誘導体であっても、高感度な感光
体を得ることができ上述の８００〜８５０ ｎｍの光波
長の光源を用いるレーザービームプリンタ用感光体とし
て非常に優れていた。
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２と＃１ぼ同様
に８００〜８５０ｎｍ波長において１ｔＹｎ２／μＪの
高感度を示した。そしてこの実施例３は、実施例２の電
荷輸送層がピラゾリン誘導体であっても、高感度な感光
体を得ることができ上述の８００〜８５０ ｎｍの光波
長の光源を用いるレーザービームプリンタ用感光体とし
て非常に優れていた。
（発明の効果）
本発明による感光体は以上説明した如く使用する電荷発
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能となシまた使用材料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、フアツクスまたはＬＥＤを光源としたプリンタ特
に半導体レーザーを光源としたその他の記録デバイスお
よび光センサにも適用できる効果がある。
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能となシまた使用材料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、フアツクスまたはＬＥＤを光源としたプリンタ特
に半導体レーザーを光源としたその他の記録デバイスお
よび光センサにも適用できる効果がある。
第１図は従来のＳｅ感光体の断面図、第２図は該感光体
の分光感度曲線図、第３図は従来のＳｅ。 Ｓｅ −Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第４図は従来
の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第５図は本
発明にて用いられる７タロシアニン顔料の光吸収スペク
トル図、第６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発
明の感光体の分光感度曲線図である。 ４１．６１・・・導電性支持体、４２．６２・・・電荷
発生層、４３．６３・・・電荷輸送層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１１ 第３図 第４図 第６図
の分光感度曲線図、第３図は従来のＳｅ。 Ｓｅ −Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第４図は従来
の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第５図は本
発明にて用いられる７タロシアニン顔料の光吸収スペク
トル図、第６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発
明の感光体の分光感度曲線図である。 ４１．６１・・・導電性支持体、４２．６２・・・電荷
発生層、４３．６３・・・電荷輸送層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１１ 第３図 第４図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に、有機光導電性物質による電荷発生層
及び電荷輸送層をこの順に形成した機能分離型電子写真
用感光体において、上記電荷発生層として、一般式、 （式中Ｍｅはアルミニウム）、ｔ、Ｘｔｒｉ臭素Ｂｒで
ある）にて表わされるアルミニウムフタロシアニンで該
アルミニウムフタロシアニンのベンゼン環の水素の一部
が臭素で置換されたフタロシアニンを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP672383A JPS59133550A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 電子写真用感光体 |
| US06/528,122 US4587188A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-31 | Phthalocyanine photoconductor for electrophotography |
| DE3332005A DE3332005C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP672383A JPS59133550A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133550A true JPS59133550A (ja) | 1984-07-31 |
Family
ID=11646173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP672383A Pending JPS59133550A (ja) | 1982-09-06 | 1983-01-20 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133550A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288554A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-15 | プ−マライセン ツツトキムスライトス オ−ワイ | 連続材料ウエブの横断面の特性を測定する方法 |
| JPS6343155A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | フタロシアニン化合物を用いた電子写真用感光体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211149A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Laminated type electrophotographic receptor |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP672383A patent/JPS59133550A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211149A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Laminated type electrophotographic receptor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288554A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-15 | プ−マライセン ツツトキムスライトス オ−ワイ | 連続材料ウエブの横断面の特性を測定する方法 |
| JPS6343155A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | フタロシアニン化合物を用いた電子写真用感光体 |
| JPH0469952B2 (ja) * | 1986-08-11 | 1992-11-09 | Asahi Chemical Ind |
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