JPS59174845A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS59174845A JPS59174845A JP4896383A JP4896383A JPS59174845A JP S59174845 A JPS59174845 A JP S59174845A JP 4896383 A JP4896383 A JP 4896383A JP 4896383 A JP4896383 A JP 4896383A JP S59174845 A JPS59174845 A JP S59174845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- thf
- layer
- electric charge
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであり、痔に８
００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であり、かつ物
理的特性に優れた感光体を提供しようとするものである
。
００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であり、かつ物
理的特性に優れた感光体を提供しようとするものである
。
（従来技術）
先ず従来の感光体の一例を第１図により説明する。アル
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１
２を真空蒸着法により形成したものであり、かかるＳｅ
感光体はその分光感度が第４図の曲線Ａで示されるよう
に５００ｎｍを超えると急激に低下する。なお、この感
度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光量の
逆数を使用した（以下同じ）。
ミニウム等の導電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１
２を真空蒸着法により形成したものであり、かかるＳｅ
感光体はその分光感度が第４図の曲線Ａで示されるよう
に５００ｎｍを超えると急激に低下する。なお、この感
度の値は初期電位を２分の１にするのに要する露光量の
逆数を使用した（以下同じ）。
他にＳｅにテルル（Ｔｅ）’に添加し分光感度を長波長
に伸ばしたＳｅ −Ｔｅ合合金感体体ある。しかし、こ
のＳｅ −Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれ
て表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光体として
使用できない。そこで、更に他の例として第２図のよう
に導電性基板２１の上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設
けこの上にＳｅ −Ｔｅ合金層２３全２〜３μｍ重層し
上述した電荷保持特性を改善した２層型式のものがある
。この表面層がＳ ｅｓｓ Ｔ ｅｌｓの場合、その分
光感度は＠４図の曲線Ｂで示されるように６５０ｎｍ以
上で急激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不能な
ほどその感度が低下してしまう。
に伸ばしたＳｅ −Ｔｅ合合金感体体ある。しかし、こ
のＳｅ −Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれ
て表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光体として
使用できない。そこで、更に他の例として第２図のよう
に導電性基板２１の上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設
けこの上にＳｅ −Ｔｅ合金層２３全２〜３μｍ重層し
上述した電荷保持特性を改善した２層型式のものがある
。この表面層がＳ ｅｓｓ Ｔ ｅｌｓの場合、その分
光感度は＠４図の曲線Ｂで示されるように６５０ｎｍ以
上で急激に低下し７００ｎｍ以上では事実上使用不能な
ほどその感度が低下してしまう。
更に第３図は、アルミニウム基板３１上に、クロログイ
アンプル−またはスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン
誘導体とポリカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ｎｍ以上の照射光に
対しては感光体として殆んど使用できない。
アンプル−またはスクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この上に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラゾリン
誘導体とポリカーボネート樹脂との混合物のコーティン
グによる電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体である。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に６５０ｎｍ以上の照射光に
対しては感光体として殆んど使用できない。
ところでレーザー光を光源とした電子写真用感光体ヲ用
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体レーザー金光源として用いる試みが
盛んに行われており、か力）る半導体レーザー光源の発
振波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
いたレーザービームプリンタ等に対しては、その機能向
上の観点から半導体レーザー金光源として用いる試みが
盛んに行われており、か力）る半導体レーザー光源の発
振波長は８００〜８５０ｎｍが一般的である。
（発明の目的）
現在上述した如（８００ｎｍ以上の元に対し高感度を示
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であり、
かかる８００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示す感
光体の出現が強く要求されている。
す感光体はほとんど見出されていないのが実情であり、
かかる８００ｎｍ以上の長波長光に対し高感度を示す感
光体の出現が強く要求されている。
ここに発明者等はかかる事情に鑑み鋭意研究を行った結
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性物質を用いたものが８０
０ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを見
出しこの発明を完成したのである。
果、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸送層をこ
の順に設けた機能分離型感光体において、該電荷発生層
として後記詳述する有機導電性物質を用いたものが８０
０ｎｍ以上の波長光で驚くほどの高感度を示すことを見
出しこの発明を完成したのである。
（発明の構成）
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導電性物質
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、Ｍｅはインジウム ｉｎ、Ｘは塩素Ｃｔである
）にて表わされるインジウムフタロ７アニンを用いたこ
七を特徴とする電子写真用感光体である。
による電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発生層と
して、一般式、 （式中、Ｍｅはインジウム ｉｎ、Ｘは塩素Ｃｔである
）にて表わされるインジウムフタロ７アニンを用いたこ
七を特徴とする電子写真用感光体である。
以下、この発明を具体的な実施例により詳細に説明する
。
。
（実施例）
実施例１
オルト７りロジニトリル１２．８２と純度９９．９９９
％の塩化インジウムＩｎＣｔ３５．６ ｆ ｆフラスコ
中の１００ ｍｅのキノｊＪン中に加え還流しながら約
４０分間反応させた。得られた生成物の構造は上記一般
式にて表わされるフタロシアニンであること、及びその
元素分析を行った結果、元素の比はＣ３２Ｈ１６，５Ｎ
７６ｇｅｔ１．１ Ｉｎ０．９であり、ｃｉの１個が上
記一般式の中心金属き結合したは１１ Ｃａ２ＨｔａＮ
ｇＣｔｌＩｎｔの元素比からなる上記一般式で示される
フタロシアニン（以下ＩｎＣｔＰｃと云う）であること
全確認した。次にこのＩｎＣｔＰｃ２真空蒸着装置中の
アルミするつぼに０．０１ Ｐ入れ、該るつぼ温度５０
０℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成し
た（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９０
０ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。
％の塩化インジウムＩｎＣｔ３５．６ ｆ ｆフラスコ
中の１００ ｍｅのキノｊＪン中に加え還流しながら約
４０分間反応させた。得られた生成物の構造は上記一般
式にて表わされるフタロシアニンであること、及びその
元素分析を行った結果、元素の比はＣ３２Ｈ１６，５Ｎ
７６ｇｅｔ１．１ Ｉｎ０．９であり、ｃｉの１個が上
記一般式の中心金属き結合したは１１ Ｃａ２ＨｔａＮ
ｇＣｔｌＩｎｔの元素比からなる上記一般式で示される
フタロシアニン（以下ＩｎＣｔＰｃと云う）であること
全確認した。次にこのＩｎＣｔＰｃ２真空蒸着装置中の
アルミするつぼに０．０１ Ｐ入れ、該るつぼ温度５０
０℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成し
た（膜厚０．０２μｍ）。この薄膜試料の６００〜９０
０ｎｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。
同図中曲線Ｃは上記薄膜試料そのもののスペクトルであ
り、７４５ｎｍにて最大ピークを示した。
り、７４５ｎｍにて最大ピークを示した。
次にこの薄膜試料をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の蒸
気中にて２０時間曝露処理したもののスペクトルは曲線
りにて示したように吸収ピークが長波長側の８５０ ｎ
ｍに７７トした。
気中にて２０時間曝露処理したもののスペクトルは曲線
りにて示したように吸収ピークが長波長側の８５０ ｎ
ｍに７７トした。
次に上記のＩｎＣｔＰｃを第６図に示した如く抵抗加熱
蒸着法により、アルミニウム基板６１上に電荷発生層６
２として０．２μｍ膜厚で形成し、これ’ｋＴＨＦ蒸気
中に２０時間＠露後、その上にＴＨＦに溶解した電子写
真用ポリビニルカルバゾール樹脂をコーティングし該Ｔ
ＨＦｔ−充分乾燥させることにより電荷輸送層６３（８
μｍ厚）を形成し感光体を作成した。
蒸着法により、アルミニウム基板６１上に電荷発生層６
２として０．２μｍ膜厚で形成し、これ’ｋＴＨＦ蒸気
中に２０時間＠露後、その上にＴＨＦに溶解した電子写
真用ポリビニルカルバゾール樹脂をコーティングし該Ｔ
ＨＦｔ−充分乾燥させることにより電荷輸送層６３（８
μｍ厚）を形成し感光体を作成した。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感度を測定
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
同図によれば本実施例による感光体は波長９００ｎｍに
おいても１．０ｃｒｎ２／μＪの高い感度が認められ、
上述した一般的な半導体レーザー元の波長である８００
〜８５０ｎｍにおいて１．３０２／μＪと云う充分な高
感度を示した。
おいても１．０ｃｒｎ２／μＪの高い感度が認められ、
上述した一般的な半導体レーザー元の波長である８００
〜８５０ｎｍにおいて１．３０２／μＪと云う充分な高
感度を示した。
実施例２
実施例１に準じアルミニウム基板上に同様のＩｎＣｔＰ
ｃ ｆ真空蒸着法により０．２μｍ形成し、その後実施
例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わスニポリビニル
力ルパゾールのＴＨＦ溶？ｌｌコーティングし乾燥厚さ
８μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得た。
ｃ ｆ真空蒸着法により０．２μｍ形成し、その後実施
例１におけるＴＨＦ溶媒蒸気処理を行わスニポリビニル
力ルパゾールのＴＨＦ溶？ｌｌコーティングし乾燥厚さ
８μｍの電荷輸送層を形成し感光体を得た。
この実施例２の感光体の分光感度を同様に測定し、第７
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、波長８００〜８
５０ｎｍにおいて２ ｃｍ２／μＪ１９００ｎｍにおい
て１．６０２／μＪの高感度を示すことが明らかであっ
た。即ち本実施例による感光体は、電荷発生層の溶媒蒸
気処理を行わなくても非常に高感度を示し、８００〜８
５０ ｎｍの元を発振する半導体レーザーを光源とした
上記レーザービームプリンタ用の感光体として一層優れ
て居り、しかも溶媒蒸気処理を行わないことから製作工
程が簡略化できる長所がある。
図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、波長８００〜８
５０ｎｍにおいて２ ｃｍ２／μＪ１９００ｎｍにおい
て１．６０２／μＪの高感度を示すことが明らかであっ
た。即ち本実施例による感光体は、電荷発生層の溶媒蒸
気処理を行わなくても非常に高感度を示し、８００〜８
５０ ｎｍの元を発振する半導体レーザーを光源とした
上記レーザービームプリンタ用の感光体として一層優れ
て居り、しかも溶媒蒸気処理を行わないことから製作工
程が簡略化できる長所がある。
実施例３
実施例と同様にして電荷発生層としてアルミニウム基板
上にＩｎＣ１Ｐｃを真空蒸着法により、０．２μｍ厚に
形成した。次にＴＨＥ’溶媒蒸気処理を行わずに、この
上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−（４’−
ソエチルアミノスｆ ！Ｊ ル） −５−（４“−ヅエ
チルアミノフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹
脂（ユニオンカーバイド社製）と全重量比で１ ： １
ｉＴｎＦ溶液に溶解したものをコーティングして形成し
た（乾燥膜厚６μｍ）。
上にＩｎＣ１Ｐｃを真空蒸着法により、０．２μｍ厚に
形成した。次にＴＨＥ’溶媒蒸気処理を行わずに、この
上にピラゾリン誘導体中、１−フェニル−３−（４’−
ソエチルアミノスｆ ！Ｊ ル） −５−（４“−ヅエ
チルアミノフェニル）−２−ピラゾリンとフェノキシ樹
脂（ユニオンカーバイド社製）と全重量比で１ ： １
ｉＴｎＦ溶液に溶解したものをコーティングして形成し
た（乾燥膜厚６μｍ）。
なお、このピラゾリン誘導体はベンズアルデヒドとアセ
トンカラインタジエン−２−オンを作成し、これとフエ
ニルヒドラゾノを反応させる方法で合成した。
トンカラインタジエン−２−オンを作成し、これとフエ
ニルヒドラゾノを反応させる方法で合成した。
得られた感光体の分光感度を同様に測定し結果を第７図
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２とほぼ同様に
８００〜８５０ ｎｍ波長において１．７ｃｒｎ２／μ
Ｊ、９００ｎｍにおいて１．５ｃｒｎ２／μＪの高感度
を示した。そしてこの実施例３は、実施例２の電荷輸送
層がピラゾリン誘導体であっても、高感度な感光体を得
ることができ上述の８００〜８５０ｎｍの光波長の光源
を用いるレーザービームプリンタ用感党体として非常に
優れていた。
の曲線Ｇで示したが、上記実施例１及び２とほぼ同様に
８００〜８５０ ｎｍ波長において１．７ｃｒｎ２／μ
Ｊ、９００ｎｍにおいて１．５ｃｒｎ２／μＪの高感度
を示した。そしてこの実施例３は、実施例２の電荷輸送
層がピラゾリン誘導体であっても、高感度な感光体を得
ることができ上述の８００〜８５０ｎｍの光波長の光源
を用いるレーザービームプリンタ用感党体として非常に
優れていた。
（発明の効果）
本発明による感光体は以上説明した如く使用する電荷発
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能さなりまた使用相料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、ファックスまたはＬＥＤ’ｅ元源としたプリンタ
特に半導体レーザーを光源としたその他の記録デバイス
および光センサにも適用できる効果がある。
生層が例えば０．２μｍ程度のごく薄い膜で十分である
ので、真空装置を使用する時間が短時間で済み、感光体
の製造が容易で安価に量産が可能さなりまた使用相料が
有機物であることからその廃棄に際しての問題が少ない
。更に、本発明感光体はレーザービームプリンタのみで
なく、ファックスまたはＬＥＤ’ｅ元源としたプリンタ
特に半導体レーザーを光源としたその他の記録デバイス
および光センサにも適用できる効果がある。
第１図は従来のＳｅ感光体の断面図、第２図は従来のＳ
ｅ 、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感元体の断面図、第３図
は従来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４
図は該感光体の分光感度曲線図、第５図は本発明にて用
いられるフタロシアニン顔料の元吸収スペクトル図、第
６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発明の感光体
の分光感度曲線図である。 ３１．６１・・・導電性支持体、３２．６２・・・電荷
発生層、３３．６２・・・電荷輸送層。 特許出願人 沖電気工業株式会社
ｅ 、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感元体の断面図、第３図
は従来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４
図は該感光体の分光感度曲線図、第５図は本発明にて用
いられるフタロシアニン顔料の元吸収スペクトル図、第
６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発明の感光体
の分光感度曲線図である。 ３１．６１・・・導電性支持体、３２．６２・・・電荷
発生層、３３．６２・・・電荷輸送層。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に、有機光導電性物質による電荷発生層
及び電荷輸送層をこの順に形成した機能分離型電子写真
用感光体において、上記電荷発生層として、一般式、 （式中ＭｅはインジウムＩｎ、Ｘは塩素ｃｔ −ｃ’あ
る）にて表わされるインソウムフタロシアニンヲ用いた
ことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896383A JPS59174845A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真用感光体 |
| DE3411070A DE3411070C2 (de) | 1983-03-25 | 1984-03-26 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| US07/015,599 US4731312A (en) | 1983-03-25 | 1987-02-17 | Photoconductor for electrophotography comprises indium phthalocyanine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896383A JPS59174845A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59174845A true JPS59174845A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12817930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4896383A Pending JPS59174845A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59174845A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6145249A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS57153982A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Compressor |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4896383A patent/JPS59174845A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS57153982A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Compressor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6145249A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59166959A (ja) | 積層型電子写真感光体 | |
| JPH035744B2 (ja) | ||
| JPH0934142A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0435754B2 (ja) | ||
| US4731312A (en) | Photoconductor for electrophotography comprises indium phthalocyanine | |
| JPS59133551A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5944053A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6059354A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP3343275B2 (ja) | フタロシアニン組成物、その製造法、これを用いた電子写真感光体および電荷発生層用塗液 | |
| JPS59174845A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| EP0288876B1 (en) | Electrophotographic plate | |
| JPS59133550A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59174847A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59174846A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6059355A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0727245B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59128544A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS60260054A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2961915B2 (ja) | ジスチリル化合物およびその製造方法 | |
| JPS58123542A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH05165232A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS58158649A (ja) | 積層型電子写真感光体 | |
| JP2707630B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3567586B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62177069A (ja) | 新規なフタロシアニン結晶およびこれを用いた電子写真用感光体 |