JPS6145249A - 積層型電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
積層型電子写真感光体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6145249A JPS6145249A JP59166591A JP16659184A JPS6145249A JP S6145249 A JPS6145249 A JP S6145249A JP 59166591 A JP59166591 A JP 59166591A JP 16659184 A JP16659184 A JP 16659184A JP S6145249 A JPS6145249 A JP S6145249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- phthalocyanine
- layer
- vapor deposition
- chloroindium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- AHXBXWOHQZBGFT-UHFFFAOYSA-M 19631-19-7 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[In](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 AHXBXWOHQZBGFT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 8
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQYAPNPXXKRDF-UHFFFAOYSA-N 4-(2,3-dihydro-1h-pyrazol-3-yl)-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C1C=CNN1 JJQYAPNPXXKRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は積層型電子写真感光体に関し、さらに詳しくは
、〔従来の技術〕 近年、半導体レーザー光を光源とする電子写真用感光体
を用いたレーザービームプリンタが種々試みられている
。
、〔従来の技術〕 近年、半導体レーザー光を光源とする電子写真用感光体
を用いたレーザービームプリンタが種々試みられている
。
これは、高速記録、高解像度、低騒音、晋通紙の使用等
電子写真技術の特徴を利用するものである。このように
記録の高速性と高信頼性が要求されるレーザープリンタ
に用いられる感光体は、レーザー光の波長領域(700
nm以上の近赤外波長領域)に対して高感度であシ、且
つ、優れた耐久性を備えたもので々けれにならない。
電子写真技術の特徴を利用するものである。このように
記録の高速性と高信頼性が要求されるレーザープリンタ
に用いられる感光体は、レーザー光の波長領域(700
nm以上の近赤外波長領域)に対して高感度であシ、且
つ、優れた耐久性を備えたもので々けれにならない。
そこで、アルミニウムやガリウムを中心金属とする7り
ロシアニンを電荷発生層に用いた比較&≧域に光感度を
有する積層型電子写真感光体(fi+開昭57−148
745号、特開昭57−21i149号)が提案され、
″1九最近。
ロシアニンを電荷発生層に用いた比較&≧域に光感度を
有する積層型電子写真感光体(fi+開昭57−148
745号、特開昭57−21i149号)が提案され、
″1九最近。
クロロインジウムフタロシアニンとクロロインジウムク
ロロフタロシアニンとの混合物を電荷発生層に用いた積
層型電子写真感光体(特開昭59−44054号)が報
告されているが、これらの積層型電子写真感光体は、い
ずれも。
ロロフタロシアニンとの混合物を電荷発生層に用いた積
層型電子写真感光体(特開昭59−44054号)が報
告されているが、これらの積層型電子写真感光体は、い
ずれも。
金属7タロシアニンを導電性基板に蒸着後、特定の可溶
性溶剤を接触させることにより吸収ピークの長波長化を
図っている。この為、フタロシアニン電荷発生層の基板
からの溶解剥離が生じ易く、電荷発生層の基板への接着
性の点で部層がある。
性溶剤を接触させることにより吸収ピークの長波長化を
図っている。この為、フタロシアニン電荷発生層の基板
からの溶解剥離が生じ易く、電荷発生層の基板への接着
性の点で部層がある。
本発明の目的は750 um以上の長波長領域で高い光
感度を示し、且つ安定な積層型電子写真感光体の提供に
おる。
感度を示し、且つ安定な積層型電子写真感光体の提供に
おる。
本発明は、導電性基板上に、クロロインジウムフタロシ
アニンの蒸着層からなる電荷発生層と、電荷移動剤と結
着剤からなる電荷移動層を積層して積層型電子写真感光
体を製造する方法において、前記クロロインジウム7タ
ロシア二7(Q蒸着層をその蒸着時及び/又は蒸着後に
加熱処理することによル、可溶性溶剤を接触させること
なしに、前記目的を達成した。
アニンの蒸着層からなる電荷発生層と、電荷移動剤と結
着剤からなる電荷移動層を積層して積層型電子写真感光
体を製造する方法において、前記クロロインジウム7タ
ロシア二7(Q蒸着層をその蒸着時及び/又は蒸着後に
加熱処理することによル、可溶性溶剤を接触させること
なしに、前記目的を達成した。
本発明で用いられるクロロインジウムフタロシアニンは
で表わされるインジウムを中心金属とし、該インジウム
に塩素が結合した7タロシアニンであって、既知の方法
ニょグ製造することができる。すなわち、三塩化インジ
ウムとフタロニトリルとの混合物をキノリンを溶媒とし
て230〜260℃で加熱し、反応させた後、生成物を
P取した。
で表わされるインジウムを中心金属とし、該インジウム
に塩素が結合した7タロシアニンであって、既知の方法
ニょグ製造することができる。すなわち、三塩化インジ
ウムとフタロニトリルとの混合物をキノリンを溶媒とし
て230〜260℃で加熱し、反応させた後、生成物を
P取した。
一般に、精製はトリクロaベンゼン、ベンゼン等による
ソークスレー抽出で行われる。更に、α−クロ四ナフタ
レン等で再結晶させることによシ、純度の高いクロαイ
ンジウム7タロシアニノを製造することができる。
ソークスレー抽出で行われる。更に、α−クロ四ナフタ
レン等で再結晶させることによシ、純度の高いクロαイ
ンジウム7タロシアニノを製造することができる。
本発明の積層感光体は、導電性基板にクロロインジウム
7タロシアニンを蒸着加熱処理して形成した電荷発生層
、更に電荷移動剤を結着剤と共に溶剤に溶かした液を塗
布してなる電荷移動層とから構成される。
7タロシアニンを蒸着加熱処理して形成した電荷発生層
、更に電荷移動剤を結着剤と共に溶剤に溶かした液を塗
布してなる電荷移動層とから構成される。
電荷発生局は、前記したクロロインジウムフタロシアニ
ンを10−1〜10−’Paの真空下で導電性基板上に
o、oi〜1μmの厚さで蒸着させることによ多形成す
ることがでキル。り■目インジウムフタロシアニンの蒸
着膜の加熱処理方法としては、蒸着膜を作成後、赤外線
ランプ、電熱ヒーターあるいは、加熱炉によル不活性ガ
ス気流下又は減圧下で加熱する方法、もしくは蒸着膜作
成時に導電性基板を赤外線ランプや電熱ζ−ターで加熱
しておく方法がある。
ンを10−1〜10−’Paの真空下で導電性基板上に
o、oi〜1μmの厚さで蒸着させることによ多形成す
ることがでキル。り■目インジウムフタロシアニンの蒸
着膜の加熱処理方法としては、蒸着膜を作成後、赤外線
ランプ、電熱ヒーターあるいは、加熱炉によル不活性ガ
ス気流下又は減圧下で加熱する方法、もしくは蒸着膜作
成時に導電性基板を赤外線ランプや電熱ζ−ターで加熱
しておく方法がある。
その際の加熱温度は使用する導電性基板にょシ異なるが
、50〜350℃が好適で、150〜350’Cがより
好適である。また、蒸着膜作成時に基板を加熱しておく
場合、蒸着時の基板温度は50〜350’Cが好ましく
、80〜250℃がよシ好ましい。
、50〜350℃が好適で、150〜350’Cがより
好適である。また、蒸着膜作成時に基板を加熱しておく
場合、蒸着時の基板温度は50〜350’Cが好ましく
、80〜250℃がよシ好ましい。
加熱時間は、加熱温度によ)異な九5o〜100”C程
度の加熱の場合は200〜500分、100〜200”
C程度の加熱の場合は、約100〜200分、2oo〜
3oo℃程度の加熱の場合は、約10〜100分、30
0”C以上の場合社、3〜10分が各々好ましい。
度の加熱の場合は200〜500分、100〜200”
C程度の加熱の場合は、約100〜200分、2oo〜
3oo℃程度の加熱の場合は、約10〜100分、30
0”C以上の場合社、3〜10分が各々好ましい。
クロロインジウム7タロシアニンの蒸着膜は加熱処理す
ることによjl)、780〜850 nmの波長範囲に
極大吸収波長を有するようになる。第2図は、クロロイ
ンジウムフタロシアニンをガラス基板上に4X10−’
Paの真空下、約150OAの厚さで作成した蒸着膜(
加熱処理前)とこれと同様に作成し、引き続いて窒素気
流下250℃で5分間加熱処理した蒸着膜(加熱処理後
)とを各々準備し、測定した吸収スペクトルである。第
2図に示すように蒸着膜の最大吸収ピークは、加熱前に
は725 nmだったものが加熱後に800nmとなっ
た。
ることによjl)、780〜850 nmの波長範囲に
極大吸収波長を有するようになる。第2図は、クロロイ
ンジウムフタロシアニンをガラス基板上に4X10−’
Paの真空下、約150OAの厚さで作成した蒸着膜(
加熱処理前)とこれと同様に作成し、引き続いて窒素気
流下250℃で5分間加熱処理した蒸着膜(加熱処理後
)とを各々準備し、測定した吸収スペクトルである。第
2図に示すように蒸着膜の最大吸収ピークは、加熱前に
は725 nmだったものが加熱後に800nmとなっ
た。
電荷移動層は、電荷発生層で発生したキャリアを感光体
表面まで移動させる層であシ、所望の感光領域の光に対
して分光感度をもたない物質が好ましい。電荷移動層は
、電荷移動剤と結着剤とから成り、電荷移動剤としては
ホール伝導性物質が使用され、例えばカルバゾール、ピ
ラゾリン、オキサジアゾール、チアゾール、イミダゾー
ル等の複素環化合物の誘導体:ヒドラゾン誘導体;トリ
フェニルメタン銹導体;ポリ−N−ビニルカルバゾール
及びその誘導体が挙げられる。結着剤としては、例えは
ポリスチレン、ポリアクリルアミド、ポリ−N−ビニル
カルバゾールの類キビニル重合体や、ポリカーボネート
樹脂の如き縮合樹脂が用いられるが、絶縁性で支持体に
対して接着性の有る樹脂はすべて使用することができる
。電荷移動剤の結着剤に対する重量比は01〜0.8で
よく、13〜Q、6がより望ましい。
表面まで移動させる層であシ、所望の感光領域の光に対
して分光感度をもたない物質が好ましい。電荷移動層は
、電荷移動剤と結着剤とから成り、電荷移動剤としては
ホール伝導性物質が使用され、例えばカルバゾール、ピ
ラゾリン、オキサジアゾール、チアゾール、イミダゾー
ル等の複素環化合物の誘導体:ヒドラゾン誘導体;トリ
フェニルメタン銹導体;ポリ−N−ビニルカルバゾール
及びその誘導体が挙げられる。結着剤としては、例えは
ポリスチレン、ポリアクリルアミド、ポリ−N−ビニル
カルバゾールの類キビニル重合体や、ポリカーボネート
樹脂の如き縮合樹脂が用いられるが、絶縁性で支持体に
対して接着性の有る樹脂はすべて使用することができる
。電荷移動剤の結着剤に対する重量比は01〜0.8で
よく、13〜Q、6がより望ましい。
所定量の電荷移動剤と結着剤は、共に適当な溶媒に溶解
させ、ワイヤバー、ドクターブレード、スピンナー等に
より電荷発生層上に塗布され、電荷移動層が形成される
。この電荷移動層の厚さは10〜20μmが好ましい。
させ、ワイヤバー、ドクターブレード、スピンナー等に
より電荷発生層上に塗布され、電荷移動層が形成される
。この電荷移動層の厚さは10〜20μmが好ましい。
ここで、適当な溶媒としては、電荷移動剤と結着剤の両
方を溶解する溶媒であれば使用することができ、例えば
ジオキサン、塩化メチレン等が挙げられる。
方を溶解する溶媒であれば使用することができ、例えば
ジオキサン、塩化メチレン等が挙げられる。
本発明の感光体に使用される導電性基板としては、例え
ばアルミニウム等の金属板または金属箔、アルミニウム
等の金属を蒸着したプラスチックフィルム、或いは導電
処理を施した紙などが用いられる。
ばアルミニウム等の金属板または金属箔、アルミニウム
等の金属を蒸着したプラスチックフィルム、或いは導電
処理を施した紙などが用いられる。
以下、実施例及び比較例によシ本発明を具体的に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限シ、以下の実施例
に限定されるものではない。
るが、本発明はその要旨を越えない限シ、以下の実施例
に限定されるものではない。
実施例1
三塩化インジウム8g及びフタロニトリル22gをキノ
リン150d中に入れ、240℃で2時間加熱攪拌した
後、生成物を濾取し、ンークスレー抽出器を用いてベン
ゼン溶媒で洗浄して、27gのクロロインジウムフタロ
シアニンを得た。
リン150d中に入れ、240℃で2時間加熱攪拌した
後、生成物を濾取し、ンークスレー抽出器を用いてベン
ゼン溶媒で洗浄して、27gのクロロインジウムフタロ
シアニンを得た。
このようにして得たクロロインジウム7タロシアニンを
4×10″″4 p aの真空下でアルミニウム基板上
に1500叉蒸着した後、窒素気流下、電気炉を用いて
250℃で15分間加熱処理した。
4×10″″4 p aの真空下でアルミニウム基板上
に1500叉蒸着した後、窒素気流下、電気炉を用いて
250℃で15分間加熱処理した。
1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン10重
量部、ポリカーボネート樹脂(ゼネラルエレクトリック
社製)10重量部及びトリクロロエタン150重景部か
らなる溶液を調整し、これを先に用意したアルミラム基
板上に形成されたクロロインジウムフタロシアニン蒸着
層上にワイヤーバーコードし、100℃で1時間乾燥し
、膜厚12μmの電荷移動層を形成させて電子写真感光
体を作製した。
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン10重
量部、ポリカーボネート樹脂(ゼネラルエレクトリック
社製)10重量部及びトリクロロエタン150重景部か
らなる溶液を調整し、これを先に用意したアルミラム基
板上に形成されたクロロインジウムフタロシアニン蒸着
層上にワイヤーバーコードし、100℃で1時間乾燥し
、膜厚12μmの電荷移動層を形成させて電子写真感光
体を作製した。
この積層型電子写真感光体を6KVの放電で負に帯電さ
せ。
せ。
引き続いて&soowキセノンランプ光源から干渉フィ
ルター(東芝ガラス社製)を通して取シ出した単色光を
この感光体に照射し、感光体の表面電位を十に減少させ
るのに必要な光量を測定し、その光量の逆数(i/μJ
)をもって感度とした。実施例1の分光感度を第1図に
示す。このように実施例1の感光体は、750〜800
nmの波長領域で、t5cffl/μJの高感度を示
した。
ルター(東芝ガラス社製)を通して取シ出した単色光を
この感光体に照射し、感光体の表面電位を十に減少させ
るのに必要な光量を測定し、その光量の逆数(i/μJ
)をもって感度とした。実施例1の分光感度を第1図に
示す。このように実施例1の感光体は、750〜800
nmの波長領域で、t5cffl/μJの高感度を示
した。
比較のために、実施例1と同様にクロロインジウム7タ
ロシアニンの蒸着膜を作成し、加熱処理せずに、他は実
施例1と同様に電子写真感光体を作成して、分光感度を
測定し、第1図に示した。
ロシアニンの蒸着膜を作成し、加熱処理せずに、他は実
施例1と同様に電子写真感光体を作成して、分光感度を
測定し、第1図に示した。
実施例2
実施例1で得られたクロロインジウムフタロシアニンを
4X10−’Paの真空下でアルミニウム基板上に、同
基板を100℃に赤外線ランプで加熱しながら、150
0A蒸着した後、この上に実施例1と同様に電荷移動層
を形成させて電子写真感光体を作製した。
4X10−’Paの真空下でアルミニウム基板上に、同
基板を100℃に赤外線ランプで加熱しながら、150
0A蒸着した後、この上に実施例1と同様に電荷移動層
を形成させて電子写真感光体を作製した。
この積層型電子写真感光体の分光感度を実施例1と同様
の方法で測定したところ、実施例1の感光体とほぼ同じ
分光感度を得た。
の方法で測定したところ、実施例1の感光体とほぼ同じ
分光感度を得た。
本発明の積層型電子写真感光体は、電荷発生層に用いた
クロロインジウムフタロシアニンの蒸着層を加熱処理す
るコトニよ広クロロインジウムフタロシアニンの結晶性
が向上し、結晶表面の不整によるキャリヤのトラップが
大きく減少するために800〜850 nmの長波長領
域において十分な分光感度を有するものでアリ、特に7
50〜850nm前後の光源を用いたレーザービームプ
リンタ用の感光体として優れている。
クロロインジウムフタロシアニンの蒸着層を加熱処理す
るコトニよ広クロロインジウムフタロシアニンの結晶性
が向上し、結晶表面の不整によるキャリヤのトラップが
大きく減少するために800〜850 nmの長波長領
域において十分な分光感度を有するものでアリ、特に7
50〜850nm前後の光源を用いたレーザービームプ
リンタ用の感光体として優れている。
また、本発明の製造方法による積層型電子写真感光体は
可溶性溶剤処理を行ったものと異な島溶解剥離の問題が
無く、よって、電荷発生層と基板との接着性も良好でお
る。
可溶性溶剤処理を行ったものと異な島溶解剥離の問題が
無く、よって、電荷発生層と基板との接着性も良好でお
る。
本発明の積層型電子写真感光体は、レーザープリンタの
みでなく、半導体レーザー等の750〜850 nmの
光源を使用したその他の各種光記録デバイスにも応用す
ることができる。
みでなく、半導体レーザー等の750〜850 nmの
光源を使用したその他の各種光記録デバイスにも応用す
ることができる。
第1図は、本発明の実施例及び比較例における各感光体
の波長(nm)と感度(cIn”/μJ)の関係〔分光
感度〕を示すグラフである。 第2図1ri*クロロインジウムフタロシアニン蒸着膜
の加熱処理前後の波長(nm)と吸光度の関係を示すグ
ラフである。 代理人 弁理士 高 橋勝 利 第10 直長(nm)
の波長(nm)と感度(cIn”/μJ)の関係〔分光
感度〕を示すグラフである。 第2図1ri*クロロインジウムフタロシアニン蒸着膜
の加熱処理前後の波長(nm)と吸光度の関係を示すグ
ラフである。 代理人 弁理士 高 橋勝 利 第10 直長(nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、780〜850nmの波長範囲に最大吸収波長を有
するクロロインジウムフタロシアニンの蒸着層からなる
電荷発生層を有することを特徴とする積層型電子写真感
光体。 2、導電性基板上に、クロロインジウムフタロシアニン
の蒸着層からなる電荷発生層と、電荷移動剤と結着剤か
らなる電荷移動層を積層して積層型電子写真感光体を製
造する方法において、前記クロロインジウムフタロシア
ニンの蒸着層をその蒸着時及び/又は蒸着後に加熱処理
することにより、該蒸着層に780〜850nmの波長
範囲に最大吸収波長を有せしめたことを特徴とする積層
型電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59166591A JPS6145249A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59166591A JPS6145249A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6145249A true JPS6145249A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15834117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59166591A Pending JPS6145249A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6145249A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
JPS5944054A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS59155851A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-09-05 | イ−ストマン コダック カンパニ− | 赤外スペクトル領域輻射に敏感な多層式活性光導電要素 |
JPS59166959A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型電子写真感光体 |
JPS59174845A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166591A patent/JPS6145249A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
JPS5944054A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS59155851A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-09-05 | イ−ストマン コダック カンパニ− | 赤外スペクトル領域輻射に敏感な多層式活性光導電要素 |
JPS59166959A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型電子写真感光体 |
JPS59174845A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59155851A (ja) | 赤外スペクトル領域輻射に敏感な多層式活性光導電要素 | |
JPH0453307B2 (ja) | ||
JPH035745B2 (ja) | ||
JPS59214034A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP3292304B2 (ja) | 感光体用ブロッキング層 | |
JPS6145249A (ja) | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 | |
JPH0330854B2 (ja) | ||
JPH05341538A (ja) | ラダポリマーを含む光導電性像形成部材 | |
US4567125A (en) | Electrophotographic recording material | |
US3982937A (en) | Electrophotographic recording material | |
JPH0695409A (ja) | 積層画像形成部材 | |
JPH0330853B2 (ja) | ||
JPS5811902B2 (ja) | アリ−ルジアミント 4,10− ベンゾチオキサンテン 3,1’− ジカルボンサンアンヒドリドトカラノ シユクゴウセイセイブツノ セイホウ | |
JPS6310420B2 (ja) | ||
JPS5931965A (ja) | 電子写真用感光体及びその製造法 | |
JP5254543B2 (ja) | 光導電体コンポーネント | |
JPS61124951A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH04278957A (ja) | 電子写真用感光体とその製造方法 | |
JPS58115444A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6383732A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS5930541A (ja) | 電子写真用感光体及びその製造方法 | |
JPS62119547A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS58158649A (ja) | 積層型電子写真感光体 | |
JPS6211858A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS60260054A (ja) | 電子写真用感光体 |