JPS58115444A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS58115444A JPS58115444A JP21337681A JP21337681A JPS58115444A JP S58115444 A JPS58115444 A JP S58115444A JP 21337681 A JP21337681 A JP 21337681A JP 21337681 A JP21337681 A JP 21337681A JP S58115444 A JPS58115444 A JP S58115444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- charge
- layer
- hydrazone
- binder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0616—Hydrazines; Hydrazones
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＠嘴は、電子写真感光体に関し、詳しくは改良された
感度および耐久特性を有する電子写真感光体に関する。
感度および耐久特性を有する電子写真感光体に関する。
電子写真感光体で用いる光導電材料として、セレン、硫
化カド電つム、酸化亜鉛などの無機光導電性材料が知ら
れている。これらの光導電性材料社、数多くの利点１例
えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で電荷の
逸散が少ないことあるいは光照射によって連かに電荷を
逸散できるなどの利点をもっている反面、各種の欠点を
有している。例えば、セレン系感光体では、温度 Ｓ度
、ご与、圧力などの要因で容墨に結晶化が進み、特に雰
囲気ｉ１ｆが４０℃を越えると結晶化が着しくなり、帯
電性の低下や１偉に白い斑点が発生す、るといった欠点
がある。
化カド電つム、酸化亜鉛などの無機光導電性材料が知ら
れている。これらの光導電性材料社、数多くの利点１例
えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で電荷の
逸散が少ないことあるいは光照射によって連かに電荷を
逸散できるなどの利点をもっている反面、各種の欠点を
有している。例えば、セレン系感光体では、温度 Ｓ度
、ご与、圧力などの要因で容墨に結晶化が進み、特に雰
囲気ｉ１ｆが４０℃を越えると結晶化が着しくなり、帯
電性の低下や１偉に白い斑点が発生す、るといった欠点
がある。
また、セレン系感光体や硫化カドミウム系感光体は、多
湿下の経時の使用において安定し友感度と耐久性が得ら
れない欠点がある。
湿下の経時の使用において安定し友感度と耐久性が得ら
れない欠点がある。
また、酸化亜鉛系感光体は、ローズベンガルに代表され
る増感色素による増、・感効果を必要としているが、こ
の様な増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光光に
よる光退色を生じるため長期に亘って安定し九画儂を与
えることができない欠点を有している。
る増感色素による増、・感効果を必要としているが、こ
の様な増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光光に
よる光退色を生じるため長期に亘って安定し九画儂を与
えることができない欠点を有している。
一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする各種の有
機光導電性ポリマーが提案されて来九が、これらのポリ
マーは前述の無機系光導電材料に較べ成膜性、軽量性、
高生産性などの点で優れているにもかかわらず、今日ま
でその奥州化が困難であったのは、未だ十分表成膜性が
得られておらず、また感度、耐久特性および環境変化に
よる安定性の点で無機系光導電材料に較べ劣っている丸
めであう九。しかも、十分に高感度とする仁とができる
適当な増感剤が未だに見い出されていない。
機光導電性ポリマーが提案されて来九が、これらのポリ
マーは前述の無機系光導電材料に較べ成膜性、軽量性、
高生産性などの点で優れているにもかかわらず、今日ま
でその奥州化が困難であったのは、未だ十分表成膜性が
得られておらず、また感度、耐久特性および環境変化に
よる安定性の点で無機系光導電材料に較べ劣っている丸
めであう九。しかも、十分に高感度とする仁とができる
適当な増感剤が未だに見い出されていない。
この様なことから、近年有機光導電物質として鳥分子系
Ｏ％ＯＫ代わって、低分子量の有機光導電性物質の一発
が多く為されて来ている。
Ｏ％ＯＫ代わって、低分子量の有機光導電性物質の一発
が多く為されて来ている。
低分子量の有機光導電性物質の利点を挙げると、選択で
きる化合物の總■が広く倉ったことから、このうち感度
中膏電保持性の嵐いものを選択するととによって、従来
の有機光導電性ポリマーを用い丸線光体の欠点を改善で
自る様になつ九。
きる化合物の總■が広く倉ったことから、このうち感度
中膏電保持性の嵐いものを選択するととによって、従来
の有機光導電性ポリマーを用い丸線光体の欠点を改善で
自る様になつ九。
これまでに、例えば英１ｉｉ４Ｉ許嬉９３０Ｇ１１８号
、米１１４１１１１ｖ１ｇ４１８０９８７！、１ｉｉｌ
ｌＫ４２７８７４γ号会報などＫｌｌ示のヒドラゾン化
合物が提案されている。ヒドラゾン化合物をはじめとす
る低分子量の有機光導電性物質は、それ自身では成膜性
に乏しい丸め、例えばポリエステル、ポリスチレン、４
リカーボネート、ボリアリレーＦ、ポリメタタリル酸エ
ステル類、フェノ中シ樹脂などの絶縁性プリマーをバイ
ンダーとして用いる必要がある。
、米１１４１１１１ｖ１ｇ４１８０９８７！、１ｉｉｌ
ｌＫ４２７８７４γ号会報などＫｌｌ示のヒドラゾン化
合物が提案されている。ヒドラゾン化合物をはじめとす
る低分子量の有機光導電性物質は、それ自身では成膜性
に乏しい丸め、例えばポリエステル、ポリスチレン、４
リカーボネート、ボリアリレーＦ、ポリメタタリル酸エ
ステル類、フェノ中シ樹脂などの絶縁性プリマーをバイ
ンダーとして用いる必要がある。
バインダーとして使用する絶縁性ポリマーを選択する時
には、感光体−が複写機の各種プロセス（帯電−露光−
塊像一転写一クリーニングなど）の繰り返しに耐え得る
物通的耐久性をもつことは勿論のことであるが、低分子
量の有機光導電性物質との相溶性がよいこと、籍に前述
の如きヒドラゾン化合物は絶縁性ポリマーの種類によっ
て結晶化を起こすことがある。
には、感光体−が複写機の各種プロセス（帯電−露光−
塊像一転写一クリーニングなど）の繰り返しに耐え得る
物通的耐久性をもつことは勿論のことであるが、低分子
量の有機光導電性物質との相溶性がよいこと、籍に前述
の如きヒドラゾン化合物は絶縁性ポリマーの種類によっ
て結晶化を起こすことがある。
また、ヒドラゾン化合物を電荷輸送層と電荷発生層から
なる積４１１に感光層の電荷輸送物質として使用し九時
には、ヒドラゾン化合物のバインダーが不都合な電荷ト
ラップを形成しないことが要求される。ヒドラゾン化合
物と絶縁性ポリマーの組合せにおいて、不゛都合な電荷
トラップが形成されると、繰シ返し露光および帯電を行
なう際、電荷輸送層中に電荷が次第に蓄積していき、そ
の結果残留、電位が増加していく仁とになる。しかも、
この様に蓄積された電荷は、熱や電界などの外的要因で
解放されることから、帯電電位の不安定性の増大の原因
ともなっている。
なる積４１１に感光層の電荷輸送物質として使用し九時
には、ヒドラゾン化合物のバインダーが不都合な電荷ト
ラップを形成しないことが要求される。ヒドラゾン化合
物と絶縁性ポリマーの組合せにおいて、不゛都合な電荷
トラップが形成されると、繰シ返し露光および帯電を行
なう際、電荷輸送層中に電荷が次第に蓄積していき、そ
の結果残留、電位が増加していく仁とになる。しかも、
この様に蓄積された電荷は、熱や電界などの外的要因で
解放されることから、帯電電位の不安定性の増大の原因
ともなっている。
電荷輸送物質とバインダーの好適な組合せＫついては、
法則的な選択手段がなく、その好適な組合せを数多くの
実験から決定しなければならない。
法則的な選択手段がなく、その好適な組合せを数多くの
実験から決定しなければならない。
本発明の目的は、曽違Ｏ如き欠点を有さない電子写真感
光体を提供する仁とにある。
光体を提供する仁とにある。
本発明の別の目的は、高感度を有し、且つ繰に返し耐久
特性を改善し九電子写真感光体を提供することＫある。
特性を改善し九電子写真感光体を提供することＫある。
本発明のかかる目的は、ヒドラゾン化合物とル
アクリ９二）１ｍ−スチレン共重合樹脂を含有する電子
写真感光体によって達成される。
写真感光体によって達成される。
本発明の１つＯＡ体例祉、電荷発生層とヒドラゾン化合
物を會有しえ電荷輸送層よ拳なる少なくとも２つの層を
有する電子写真感光体である。電荷輸送層は、電荷発生
層と電気的Ｋｌｌ触し、電界の存在下でヒドラゾン化合
物が仁の電荷発生層から注入される電荷キャリアを受取
るとともに輸送できる。この際、ヒドラゾン化合物は、
電荷発生層が感応するスペクトル領域の波長に対して、
全く非豪応性のものあるいはほとんど感応性をもってい
ないものから選択することが好ましい。
物を會有しえ電荷輸送層よ拳なる少なくとも２つの層を
有する電子写真感光体である。電荷輸送層は、電荷発生
層と電気的Ｋｌｌ触し、電界の存在下でヒドラゾン化合
物が仁の電荷発生層から注入される電荷キャリアを受取
るとともに輸送できる。この際、ヒドラゾン化合物は、
電荷発生層が感応するスペクトル領域の波長に対して、
全く非豪応性のものあるいはほとんど感応性をもってい
ないものから選択することが好ましい。
電荷輸送層の膜厚は、２〜１００ｔクロン、好ましくは
５〜２０ミクロンである。
５〜２０ミクロンである。
本発明で用いるヒドラゾン化合物とアクリロニトリル−
スチレン共重合樹脂（以下、単に「Ａ８樹脂」という）
との相互作用は、単なるヒドラゾン固容体に対するムＳ
樹脂の溶媒効果に依存しているのではなく、Ａ８樹脂と
ヒト２シン化合物に何らかの分子間化合物、たぶん電荷
移動錯体が形成されていることによるものと考えられる
。そして、この分子間化合物が電荷発生層で生成した電
荷を蓄積大ることなく、注入シよび搬送し、表面電位を
減衰させるのに有効に作用しているものと推察される。
スチレン共重合樹脂（以下、単に「Ａ８樹脂」という）
との相互作用は、単なるヒドラゾン固容体に対するムＳ
樹脂の溶媒効果に依存しているのではなく、Ａ８樹脂と
ヒト２シン化合物に何らかの分子間化合物、たぶん電荷
移動錯体が形成されていることによるものと考えられる
。そして、この分子間化合物が電荷発生層で生成した電
荷を蓄積大ることなく、注入シよび搬送し、表面電位を
減衰させるのに有効に作用しているものと推察される。
このために、本発明で用いるヒドラゾン化合物とＡ８樹
脂の組合せを用い九電子写真感光体を繰＃）返し使用し
九時でも帯電電位の変動を惹き起むさなくなると考えら
れる。
脂の組合せを用い九電子写真感光体を繰＃）返し使用し
九時でも帯電電位の変動を惹き起むさなくなると考えら
れる。
本発明で用いるヒドラゾン化合物は、特に下記一般式（
１）で示されるものが好ましい。
１）で示されるものが好ましい。
一般式（１）
式中、八はフェニル基、ナフチル基、アラルキル基など
の７リール基またはカルバゾール環、ピリジン環、フラ
ン環、オオフエン環、フェノチアジン環、フェノキサジ
ン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベ
ンズイミダゾール環などのへチル環から誘導される１価
の複素環基を示す。前記アリール基およびヘテロ環基は
、適！！＆な置換原子ｉ先は基を有していてもよい、具
体的な原子まえは基として敵、塩素原子、臭素原子など
のハルダン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミル基などのアルキル基、２−メトキシエテ
ル基、３−エトキシプロピル基、２−エトキシエチル基
、３−エトキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基な
どの置換アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノ基、 Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−
ジエチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ基、Ｎ、Ｎ−シトリルア蜜ノ基、Ｎ
、Ｎ−ジエチルアミノ基などのジー置換アミノ基、ピロ
リジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基などの環式アミ
ノ基などを挙げることができる。
の７リール基またはカルバゾール環、ピリジン環、フラ
ン環、オオフエン環、フェノチアジン環、フェノキサジ
ン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベ
ンズイミダゾール環などのへチル環から誘導される１価
の複素環基を示す。前記アリール基およびヘテロ環基は
、適！！＆な置換原子ｉ先は基を有していてもよい、具
体的な原子まえは基として敵、塩素原子、臭素原子など
のハルダン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミル基などのアルキル基、２−メトキシエテ
ル基、３−エトキシプロピル基、２−エトキシエチル基
、３−エトキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基な
どの置換アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノ基、 Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−
ジエチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ基、Ｎ、Ｎ−シトリルア蜜ノ基、Ｎ
、Ｎ−ジエチルアミノ基などのジー置換アミノ基、ピロ
リジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基などの環式アミ
ノ基などを挙げることができる。
鶴は、水嵩原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミノ基などのアルキル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基
、３−ヒドロキシプロピル基、３−エトキシプロピル基
、３−エトキシプロピル基などの置換アルキル基、フェ
ニル基、ナフチル基などの７リール基、４−Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミノフェニル基、４−Ｎ、Ｎ−シェチルアンノ
フェニル基、４−Ｎ、Ｎ−ジプロビルアンノブエ二に基
、４−Ｎ、Ｎ−ジベンジルアンノ７工二ル基、４−メト
中ジフェニル＆、ａ−エト中ジフェニル基、４−ブトキ
シフェニル基、４−エトキシ−２−メチルフェニル基、
トリル基、中シリル基などＯ置換アリール基、ベンジル
基、フェネチル基などのアラルキル基または４−メトキ
シベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−エト中シ
ー２−メチルベンジル基すどの置換アラルキル基を示す
。
チル基、アミノ基などのアルキル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基
、３−ヒドロキシプロピル基、３−エトキシプロピル基
、３−エトキシプロピル基などの置換アルキル基、フェ
ニル基、ナフチル基などの７リール基、４−Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミノフェニル基、４−Ｎ、Ｎ−シェチルアンノ
フェニル基、４−Ｎ、Ｎ−ジプロビルアンノブエ二に基
、４−Ｎ、Ｎ−ジベンジルアンノ７工二ル基、４−メト
中ジフェニル＆、ａ−エト中ジフェニル基、４−ブトキ
シフェニル基、４−エトキシ−２−メチルフェニル基、
トリル基、中シリル基などＯ置換アリール基、ベンジル
基、フェネチル基などのアラルキル基または４−メトキ
シベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−エト中シ
ー２−メチルベンジル基すどの置換アラルキル基を示す
。
九および塊は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などのアルキル基、２−エトキシエチル基、２−エ
トキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−エトキ
シプロピル基、３−エトキシブービル基、３−ヒドロ命
シブ■ビル基などの置換アルキル基、フェニル基、α−
ナフチル基、！−す７チル基などのアリール基、）ＩＪ
ル基、ｓ？シリル基、メトキシフェニル基、エトキシフ
ェニル基などの置換アリール基、ベンジル基、フェネチ
ル基などのアラルキルａｔ。
ル基などのアルキル基、２−エトキシエチル基、２−エ
トキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−エトキ
シプロピル基、３−エトキシブービル基、３−ヒドロ命
シブ■ビル基などの置換アルキル基、フェニル基、α−
ナフチル基、！−す７チル基などのアリール基、）ＩＪ
ル基、ｓ？シリル基、メトキシフェニル基、エトキシフ
ェニル基などの置換アリール基、ベンジル基、フェネチ
ル基などのアラルキルａｔ。
たけメチルベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシ
ベンジル基などの置換アラルキル基を示す。ｎは０ま九
はｌである。
ベンジル基などの置換アラルキル基を示す。ｎは０ま九
はｌである。
以下、本発明で用いう−るヒドラゾン化合物の具体例を
示す。
示す。
本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤を含有させるこ
とができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、塩化
ジフェニル、０−ターフェニル、Ｐ−ターフェニル、ジ
ブチルフタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチル７タレート、トリフェニル燐酸、メチルナフタ
リン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ジラウリル
チオプロピオネート、亀５−ジニトロナリチル酸などを
挙げることができる。
とができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、塩化
ジフェニル、０−ターフェニル、Ｐ−ターフェニル、ジ
ブチルフタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチル７タレート、トリフェニル燐酸、メチルナフタ
リン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ジラウリル
チオプロピオネート、亀５−ジニトロナリチル酸などを
挙げることができる。
ヒドラゾン化合物およびム８樹脂を溶解する有機溶剤は
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサンなど
のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類
、ベンゼン、キシレン、トリエン、篭ツタ四ルベンゼン
、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいは夕ａロホル
ム、塩化メチレン、二塩化メチレン、四塩化炭素、トリ
タールエチレン塩素化脂肪族炭化水素類などであゐ。こ
れら０ム８樹脂を含、む溶液は、溶液安定性が良く、ゲ
ル化する仁とがないので、最期に１つて保存する仁とが
可−である。ム８樹脂（対する前述の有機溶剤の重量比
は１：１．１ｉｊ１１！でよい。
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサンなど
のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類
、ベンゼン、キシレン、トリエン、篭ツタ四ルベンゼン
、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいは夕ａロホル
ム、塩化メチレン、二塩化メチレン、四塩化炭素、トリ
タールエチレン塩素化脂肪族炭化水素類などであゐ。こ
れら０ム８樹脂を含、む溶液は、溶液安定性が良く、ゲ
ル化する仁とがないので、最期に１つて保存する仁とが
可−である。ム８樹脂（対する前述の有機溶剤の重量比
は１：１．１ｉｊ１１！でよい。
本発明で用いるム８樹脂は、・０−ＳＯモルＸのスチレ
ンを含むものが好ましい。
ンを含むものが好ましい。
電荷輸送層は、ム８樹脂の他に、適幽な絶縁性ポリマー
を含有させるヒとができる。例えば、ビスフェノールＡ
とフタル酸からなるボリアリレート、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリメチルメタクリレートなどを適！！＆
な割合で含有できる。
を含有させるヒとができる。例えば、ビスフェノールＡ
とフタル酸からなるボリアリレート、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリメチルメタクリレートなどを適！！＆
な割合で含有できる。
また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの１１１党導電性
ポリマーを含有することもできる。
ポリマーを含有することもできる。
前述のヒドラゾン化合物、ムＳ樹脂と有機溶剤を含有す
る溶液は、下達の電荷発生層あるいは基体に塗布および
乾鎗されて電荷輸送層を形成できる。仁の溶液を塗布す
る際（は、例えば浸漬コーティング法、スプレーコーテ
ィング法、スピンナーコーティング法、ピードコーティ
ング法、ブレードコーティング法、カーテンコーティン
グ法などのコーティング法を用いることができ、乾燥は
ＩＯ℃〜２００Ｃ，好ましくは２０℃〜１５０℃の範囲
の温度で５分〜５時間、好ましくは１０分〜２時間の時
間で送風乾燥または静止乾燥下で行うことができる。
る溶液は、下達の電荷発生層あるいは基体に塗布および
乾鎗されて電荷輸送層を形成できる。仁の溶液を塗布す
る際（は、例えば浸漬コーティング法、スプレーコーテ
ィング法、スピンナーコーティング法、ピードコーティ
ング法、ブレードコーティング法、カーテンコーティン
グ法などのコーティング法を用いることができ、乾燥は
ＩＯ℃〜２００Ｃ，好ましくは２０℃〜１５０℃の範囲
の温度で５分〜５時間、好ましくは１０分〜２時間の時
間で送風乾燥または静止乾燥下で行うことができる。
ヒドラゾン化合物とムＳ樹脂を組合せることにより、寸
法安定性、強度、剛性、衝撃強さ、耐候性などの物理的
強度を付与できるに＠ぎらず、この電子写真感光体の特
性、例えば１縦、表面電位特性と安定し九耐久特性を定
める上にも重要な因子を与えている。これらの点につい
ては、下達の実施例で明らふ、にする。
法安定性、強度、剛性、衝撃強さ、耐候性などの物理的
強度を付与できるに＠ぎらず、この電子写真感光体の特
性、例えば１縦、表面電位特性と安定し九耐久特性を定
める上にも重要な因子を与えている。これらの点につい
ては、下達の実施例で明らふ、にする。
電荷発生層は、スーダンレッド、ダイアンブルー、ジェ
ナスグリーンＢｔｋどのアゾ顔料、アルゴールイエロー
、ピレンキノン、インダンスレンブリリアントバイオレ
ット＆ＢＰ１にどの命ノン顔料、今ノシア二ン顔料、ペ
リレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等のインジゴ顔料
、インドアアーストオレンジトナーなどのビスペンシイ
ミダゾール顔料、鯛ツ声ロシアエンなどのフタロシアニ
ン顔料、キナクリドン顔料、ピリリウ五粂料あるい祉チ
アピリリウム染料とボリアリレートからなる共晶体等の
電荷尭生物質をポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、アタリル、ポリビュルビａす
）”ン、ホ９に！ニルブチツール、メチルセルロース、
ヒトａ４Ｆジグｇビルメチルセルａ−スなどのバインダ
ー樹脂に分散させて、電荷輸送層あるｈＦｉ基体上に塗
布して形成させ丸ものが従来よ）知られている。あるい
は、セレン蒸着層、女しンーテルル蒸着層、アモルファ
スシリコン層（グロー放電中アーク放電によ）形成で亀
る）を電荷発生層としてｊｌｌいることも有効であ為。
ナスグリーンＢｔｋどのアゾ顔料、アルゴールイエロー
、ピレンキノン、インダンスレンブリリアントバイオレ
ット＆ＢＰ１にどの命ノン顔料、今ノシア二ン顔料、ペ
リレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等のインジゴ顔料
、インドアアーストオレンジトナーなどのビスペンシイ
ミダゾール顔料、鯛ツ声ロシアエンなどのフタロシアニ
ン顔料、キナクリドン顔料、ピリリウ五粂料あるい祉チ
アピリリウム染料とボリアリレートからなる共晶体等の
電荷尭生物質をポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、アタリル、ポリビュルビａす
）”ン、ホ９に！ニルブチツール、メチルセルロース、
ヒトａ４Ｆジグｇビルメチルセルａ−スなどのバインダ
ー樹脂に分散させて、電荷輸送層あるｈＦｉ基体上に塗
布して形成させ丸ものが従来よ）知られている。あるい
は、セレン蒸着層、女しンーテルル蒸着層、アモルファ
スシリコン層（グロー放電中アーク放電によ）形成で亀
る）を電荷発生層としてｊｌｌいることも有効であ為。
電荷発生層を調製する際、ボールミル、振励建ル、アト
ライター、をンドオル、ロールンル表どや分散機を用い
て１述の電荷発生性物質をバインダー中に分散できる。
ライター、をンドオル、ロールンル表どや分散機を用い
て１述の電荷発生性物質をバインダー中に分散できる。
バインダーとして用いる樹脂は、例えばポリビニルブチ
ラール、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニリデン、ボリア建ド、塩化ゴム、ポリビニルトル
エン、ポリ塩化ビニル、エチルセルロース、ポリビニル
ピリジン、スチレン−無水マレイｙｅｓ−ｓポリマーな
どを挙けることができる。この様なバインダーが電荷発
生層に占める割合は、電荷発生層の総重量の８０重量に
以下、好ましくは５０重量Ｘ以下が望ましい。
ラール、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニリデン、ボリア建ド、塩化ゴム、ポリビニルトル
エン、ポリ塩化ビニル、エチルセルロース、ポリビニル
ピリジン、スチレン−無水マレイｙｅｓ−ｓポリマーな
どを挙けることができる。この様なバインダーが電荷発
生層に占める割合は、電荷発生層の総重量の８０重量に
以下、好ましくは５０重量Ｘ以下が望ましい。
々どを挙げることができる。この際に用いる有機溶剤と
しては、前述の電荷輸送層と下達の下引ｒ−を溶解しな
いものから選択することが好ましい。
しては、前述の電荷輸送層と下達の下引ｒ−を溶解しな
いものから選択することが好ましい。
電荷発生層の膜厚は、十分な歇光度を得る丸めにできる
限り多くの染料や顔料などからなる電荷発生性物質を含
有し、且つ発生し九電荷中ヤリアの飛薯を短かくする丸
めに薄膜層、例えばｌンクロン以下、好ましくは０．１
−１ ｔクロン以下の膜厚の薄膜層とすることが必要で
ある。
限り多くの染料や顔料などからなる電荷発生性物質を含
有し、且つ発生し九電荷中ヤリアの飛薯を短かくする丸
めに薄膜層、例えばｌンクロン以下、好ましくは０．１
−１ ｔクロン以下の膜厚の薄膜層とすることが必要で
ある。
このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収され
て多くの電荷キャリアを生成すること、さらには発生し
た電荷中ヤリアを再結合や捕獲によ）失活することなく
電荷輸送層に注入する必要があることに帰因している。
て多くの電荷キャリアを生成すること、さらには発生し
た電荷中ヤリアを再結合や捕獲によ）失活することなく
電荷輸送層に注入する必要があることに帰因している。
入射光は、電荷発生層の感応波長域から選択され、通常
電荷発生層はＸ纏、紫外線、可視光線、近赤外線。
電荷発生層はＸ纏、紫外線、可視光線、近赤外線。
赤外線に感応することができる。
電荷輸送層は、電荷発生層の上に積層されていることが
好ましいが、またその道の積層構造であってもよい。基
体はアルミニウム、黄銅、ステンレスなどの金属、まえ
はポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリエチレン、ナイ田ン、ポリ
スチレン、フェノール樹脂などの高分子材料、硬質紙等
の材料を円ｗ１＃に成麿するか、フィル導電処理をする
必要があるが、その際には導電性物質の含浸、金属箔の
′ラミネート、金属の蒸着などの方法がある。
好ましいが、またその道の積層構造であってもよい。基
体はアルミニウム、黄銅、ステンレスなどの金属、まえ
はポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリエチレン、ナイ田ン、ポリ
スチレン、フェノール樹脂などの高分子材料、硬質紙等
の材料を円ｗ１＃に成麿するか、フィル導電処理をする
必要があるが、その際には導電性物質の含浸、金属箔の
′ラミネート、金属の蒸着などの方法がある。
これらの基体の上には、バリヤー機能と下引機能を一つ
下引層（接着層）を設けることができる。
下引層（接着層）を設けることができる。
下引層は電荷輸送層の接着性改良、塗工性改良、基体の
保護、基体上の欠陥の被覆、基体からの電荷注入性改良
、感光層の電気的破壊に対する保護などのために形成さ
れる。下引層Ｏ材料としては、ポリビニルアルマール、
ポリーＮ−ピニルイ耐ダゾール、ポリエチレンオキシド
、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレンーア
タリル酸コポリマー、カゼイン、ポリアミド、共重合ナ
イロン、ニカワ、ゼラチン、等が知られている。これら
はそれぞれに適し九溶剤に溶解されて基体上に塗布され
る。その膜厚紘０．２〜２４１！度である。
保護、基体上の欠陥の被覆、基体からの電荷注入性改良
、感光層の電気的破壊に対する保護などのために形成さ
れる。下引層Ｏ材料としては、ポリビニルアルマール、
ポリーＮ−ピニルイ耐ダゾール、ポリエチレンオキシド
、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレンーア
タリル酸コポリマー、カゼイン、ポリアミド、共重合ナ
イロン、ニカワ、ゼラチン、等が知られている。これら
はそれぞれに適し九溶剤に溶解されて基体上に塗布され
る。その膜厚紘０．２〜２４１！度である。
本発明に用いられるヒドラゾン化合物は正孔輸送性であ
勢、導電層、電荷発生層、電荷輸送層のｌ１ｌＩＫ積層
した感光体を使用する場会、電荷輸送層表面を負に蕾電
する必要があ〉帯電、露光すると露光部ては電荷発生層
において生成し先止孔が電荷輸送層に注入され、そＯ゛
あと表面に遺して員電荷を中和し表両電位の減衰が生じ
未露光部とＯＦ４に蕾電コントラストが生じる。
勢、導電層、電荷発生層、電荷輸送層のｌ１ｌＩＫ積層
した感光体を使用する場会、電荷輸送層表面を負に蕾電
する必要があ〉帯電、露光すると露光部ては電荷発生層
において生成し先止孔が電荷輸送層に注入され、そＯ゛
あと表面に遺して員電荷を中和し表両電位の減衰が生じ
未露光部とＯＦ４に蕾電コントラストが生じる。
ＩＩｉ儂化するには質来期いられてき先程々の現惨法を
４１１７％るヒとがでｔ＆為。
４１１７％るヒとがでｔ＆為。
本発明の電子写真感受体の別の具体例で社、ヒドラゾン
化合物とム８樹脂を含有する層を感光層として用いるこ
とができる。この感光層には、適ｍａｓｍｓ、儒Ｌｄ米
ｔｌＡ＊Ｗｔ１Ｍｓ ！Ｓ Ｓ”４７４５号、同筒３５
４７４３８号などＫｌｌ示Ｏビ９９ウム染料、米−善許
嬉３ｓｌｌ！０７号などＫｌｌ示のシアニン染料、善■
ＷＢ４７−１０７８５号Ｋｌｌ示Ｏビ啼すウム染料とボ
リアリレートの共晶体をＭｌい為ことがで龜る。
化合物とム８樹脂を含有する層を感光層として用いるこ
とができる。この感光層には、適ｍａｓｍｓ、儒Ｌｄ米
ｔｌＡ＊Ｗｔ１Ｍｓ ！Ｓ Ｓ”４７４５号、同筒３５
４７４３８号などＫｌｌ示Ｏビ９９ウム染料、米−善許
嬉３ｓｌｌ！０７号などＫｌｌ示のシアニン染料、善■
ＷＢ４７−１０７８５号Ｋｌｌ示Ｏビ啼すウム染料とボ
リアリレートの共晶体をＭｌい為ことがで龜る。
以下、木見明を実施例に従って説明する。
実施例１
エニージ−ランド童うクチツクカゼインを１０部（重量
部、以下同様）針りとり、水９０部に分散させた後、ア
ンモニ“ア水１部を加えて溶解させ九。一方、ヒドロキ
シプロピルメチル七ル胃−ス樹脂（商品名：メトａ−ズ
６０８８５０％信越化学製）ＩＩＩを水２０部に溶解さ
せ、次いで両者を混合して下引色層の塗布液を作つ九。
部、以下同様）針りとり、水９０部に分散させた後、ア
ンモニ“ア水１部を加えて溶解させ九。一方、ヒドロキ
シプロピルメチル七ル胃−ス樹脂（商品名：メトａ−ズ
６０８８５０％信越化学製）ＩＩＩを水２０部に溶解さ
せ、次いで両者を混合して下引色層の塗布液を作つ九。
この痕をｇｏ＊ｘｓｏｏ■のＭシリンダーに浸漬法で塗
布し、８０℃で１０分間乾燥させ、１０μ犀の下引き層
を形成し丸。
布し、８０℃で１０分間乾燥させ、１０μ犀の下引き層
を形成し丸。
次に下記構造式のビスアゾ顔料を１０１１ポリビニルブ
チラール樹脂（商品名；エスレツタＢＸＬ、積水化学＠
製）８部およびシターヘキ賃ノン６０部をｌφガラスピ
ーズを用い九ナンド電ル装置で２０時間分散し友。この
分散筒にメチルエチルケトン１００部を加えて、上記下
引き層上に浸漬塗布し、１００℃、５分間の乾燥をして
ａ１５Ｊｌ厚の電荷発生層を形成し丸。
チラール樹脂（商品名；エスレツタＢＸＬ、積水化学＠
製）８部およびシターヘキ賃ノン６０部をｌφガラスピ
ーズを用い九ナンド電ル装置で２０時間分散し友。この
分散筒にメチルエチルケトン１００部を加えて、上記下
引き層上に浸漬塗布し、１００℃、５分間の乾燥をして
ａ１５Ｊｌ厚の電荷発生層を形成し丸。
次いで、前記例示の化合物ム５のヒドラゾン化合物１６
部とム８樹脂（商品名：ナンレツタスーＣ：三菱モンす
ント化威＄ｌ１１１０部をモノタロルベンゼ）／７０１
１Ｋ＃郷させえ。これを電萄発生層上Ｋｌｋ布し、ｌ・
・℃で１時間熱風乾燥して１２ｓ厚の電荷輸送層を形成
しえ。
部とム８樹脂（商品名：ナンレツタスーＣ：三菱モンす
ント化威＄ｌ１１１０部をモノタロルベンゼ）／７０１
１Ｋ＃郷させえ。これを電萄発生層上Ｋｌｋ布し、ｌ・
・℃で１時間熱風乾燥して１２ｓ厚の電荷輸送層を形成
しえ。
電荷輸送層の上からタースハツチ法で密着性を調べると
Ｚｏｏ ／ ｌｅｅであ砂剥離はなかつ丸。
Ｚｏｏ ／ ｌｅｅであ砂剥離はなかつ丸。
剥離試験をしてい１にい電子写真感光体を、−５６［ｆ
コロナ帯電、画像露光、乾式トナー現前、普通紙へのト
ナー転写、ウレタンゴムプレード（硬５１７０、圧力Ｓ
ｇｗ／ｌｓ 、感光体に対する角度２０）によるタリ
ーエンダニ薯等を有する電子写真複写機に取り付けて電
子写真特性を評価し丸。
コロナ帯電、画像露光、乾式トナー現前、普通紙へのト
ナー転写、ウレタンゴムプレード（硬５１７０、圧力Ｓ
ｇｗ／ｌｓ 、感光体に対する角度２０）によるタリ
ーエンダニ薯等を有する電子写真複写機に取り付けて電
子写真特性を評価し丸。
電子写真特性の評価は、初期電位（Ｔｏ ）および感度
、そしてｓｏｏｏｓｏｍｅ返し使用した時の帯電電位お
よび感度の測定によりえ、感度は、餉紀−Ｌ６ｆｆのコ
ロナ帯電し先後の６秒間暗減衰させ走時の電位を号に減
衰するに必要な露光量（８％ルックス・秒）を測定する
ことによって評価し丸。これらの結”果を＃Ｉ１表に示
す。
、そしてｓｏｏｏｓｏｍｅ返し使用した時の帯電電位お
よび感度の測定によりえ、感度は、餉紀−Ｌ６ｆｆのコ
ロナ帯電し先後の６秒間暗減衰させ走時の電位を号に減
衰するに必要な露光量（８％ルックス・秒）を測定する
ことによって評価し丸。これらの結”果を＃Ｉ１表に示
す。
第１表
比較例１〜２
実施例１で用いたヒドラゾ／化合物に代えて、ｌ−フェ
ニル−３−（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリ
ンを用いたほかは、実施例１と全く同様の方法で比較用
感光体を作成した。
ニル−３−（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリ
ンを用いたほかは、実施例１と全く同様の方法で比較用
感光体を作成した。
また、もう１つの比較試料として２．２−ビス（４−Ｎ
、Ｎ−ジメチルアミノフェニル）プロパンを用いた感光
体を作成し友。
、Ｎ−ジメチルアミノフェニル）プロパンを用いた感光
体を作成し友。
これら感光体の電子写真特性を実施例１と一様の方法に
よって測定した。これらの結果を菖２表に示す。
よって測定した。これらの結果を菖２表に示す。
嬉 ２ 表
１−４Ｇｏ ｅＪ −４００１１，０２−６１０１
１４−５５０１３，０ 比較例３〜口 下記５１１３表に示す電荷輸送物質とバインダーの組合
せを用い九電萄輸送層を実施ＳＳで調製した電荷発生層
の上に同様の方法で積層し九。
１４−５５０１３，０ 比較例３〜口 下記５１１３表に示す電荷輸送物質とバインダーの組合
せを用い九電萄輸送層を実施ＳＳで調製した電荷発生層
の上に同様の方法で積層し九。
これらの比較用感光体の特性を実施例１と同様の方法で
測定した。これらの結果を１１４表に示す。
測定した。これらの結果を１１４表に示す。
ｍＳ表
比較例 電荷輸送物質 バインダー前記例
示の化合物１１の ボリスチレンンナント化成製） ４ ｌ−フェニル−３−（４同 上−Ｎさ−ジエチ
ルアミノ スチリル）−５−（４− Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノフ ェニル）ピラゾリ／ Ｓ ２，２−ビス（４−Ｎ、Ｎ−同 上ジメチル
アミノフェニル） プロパン ６ 前記例示の化合物ム５の ボリカーメネート
ヒドラゾン （商品名：テイジンパ／ラ
イト：書入製） ７ ｌ−フェニル−３−（４同 上−Ｎ、Ｎ−ジエ
チルアミノ ８ ２．２−ビス（４−Ｎ、Ｎ−同 上ジメチルアミ
ノフェニル） プロパン ｌＥ４表 ３ −６００ １′ＬＯ−５７０１４，５４
−５９０１！Ｉ −３００１１，０５−４２０
１４，０−５４０２０，０ ６−６００１８−４８６１１，０ ７−６００１ａＯ−３！！０ ９０８ −６
１０ １１．０ −５６０ １３．０
ポリ力−ｌネート＃１ｍ１Ｆを用いえ比較例では、塗布
液が２日目で完全にゲル化した。またポリスチレンを用
いえ比較例では、Ｓ＋ＶＣが９０ＸＲＨの時、クラッタ
を生じ、画像にもクラッタに帰因するクラッタ模様が現
われ九が、実施例ＩＫ示す本発明の感光体では、これら
Ｏ欠点は全くｍ察されなかった。
示の化合物１１の ボリスチレンンナント化成製） ４ ｌ−フェニル−３−（４同 上−Ｎさ−ジエチ
ルアミノ スチリル）−５−（４− Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノフ ェニル）ピラゾリ／ Ｓ ２，２−ビス（４−Ｎ、Ｎ−同 上ジメチル
アミノフェニル） プロパン ６ 前記例示の化合物ム５の ボリカーメネート
ヒドラゾン （商品名：テイジンパ／ラ
イト：書入製） ７ ｌ−フェニル−３−（４同 上−Ｎ、Ｎ−ジエ
チルアミノ ８ ２．２−ビス（４−Ｎ、Ｎ−同 上ジメチルアミ
ノフェニル） プロパン ｌＥ４表 ３ −６００ １′ＬＯ−５７０１４，５４
−５９０１！Ｉ −３００１１，０５−４２０
１４，０−５４０２０，０ ６−６００１８−４８６１１，０ ７−６００１ａＯ−３！！０ ９０８ −６
１０ １１．０ −５６０ １３．０
ポリ力−ｌネート＃１ｍ１Ｆを用いえ比較例では、塗布
液が２日目で完全にゲル化した。またポリスチレンを用
いえ比較例では、Ｓ＋ＶＣが９０ＸＲＨの時、クラッタ
を生じ、画像にもクラッタに帰因するクラッタ模様が現
われ九が、実施例ＩＫ示す本発明の感光体では、これら
Ｏ欠点は全くｍ察されなかった。
実施例２
アル電ニウム蒸着を施し九厚さ１０Ｇ Ｉｔの二軸砥伸
ポリエチレ／テレフタレートフィルムを基体とし、これ
にポリアミド樹脂（商品名ニアＺランＣＭ８０００
：東しｍｌ）のメタノール−Ｎ−トルエン溶液をロール
コ−ターで塗布し、Ｏ，Ｓμ厚の下引層を４うけ九。
ポリエチレ／テレフタレートフィルムを基体とし、これ
にポリアミド樹脂（商品名ニアＺランＣＭ８０００
：東しｍｌ）のメタノール−Ｎ−トルエン溶液をロール
コ−ターで塗布し、Ｏ，Ｓμ厚の下引層を４うけ九。
次に、実施例１で作成し九電荷発生層分散液にメチルエ
チルケトン２００部を混合して塗布液とし、下引層上に
ロールコータ−で塗布して０．１５μの電荷発生層をも
うけた。
チルケトン２００部を混合して塗布液とし、下引層上に
ロールコータ−で塗布して０．１５μの電荷発生層をも
うけた。
次いで、前記例示の化合物ム９のヒドラゾン化合物１０
部、Ａ８＠脂（商品名ニライタツタＡ１００ＰＣ：三井
東圧化学製）１０部、トルエン５０部とメチルエチルケ
トン５０１１を拠金して塗布液を調製し、辷れを先に形
成し九電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１２μとなる様
に被覆した。
部、Ａ８＠脂（商品名ニライタツタＡ１００ＰＣ：三井
東圧化学製）１０部、トルエン５０部とメチルエチルケ
トン５０１１を拠金して塗布液を調製し、辷れを先に形
成し九電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１２μとなる様
に被覆した。
こうして作成したシートを１３６φｘ ３００■のシリ
ンダーに巻き付け、シートのアルミニウム蒸着面の導通
をとり、感光体とし、これを実施例１と同様の方法で測
定した。これらの結果をｇＳ表に示す。
ンダーに巻き付け、シートのアルミニウム蒸着面の導通
をとり、感光体とし、これを実施例１と同様の方法で測
定した。これらの結果をｇＳ表に示す。
ｌｓ５表
２ −５９０ ９．７ −５７０
１０．１実施例３〜７ 厚さ１００ ｆｉのアルミニウム板上にセレン−テルル
（テルル１０ｗｔに）を厚さＣＬ＠ｓに蒸着し電荷発生
層を形威しえ０次にム８１ｍ脂（商品名：ライタラタム
ＩＧＯＰＣ、三井東圧化学＄１）ＳＦと次表に示すヒド
ラゾン化合物５ｆをモノタロルベンゼン７０−に濤かし
た液を電荷発生層上Ｋ１１ｌ布乾燥し、膜厚が１１声の
電荷輸送層を形成し友。この様にして作成し良電子写真
感光体を実施例１と同様にして帯電特性を調べ、その結
果を第６表に示した。
１０．１実施例３〜７ 厚さ１００ ｆｉのアルミニウム板上にセレン−テルル
（テルル１０ｗｔに）を厚さＣＬ＠ｓに蒸着し電荷発生
層を形威しえ０次にム８１ｍ脂（商品名：ライタラタム
ＩＧＯＰＣ、三井東圧化学＄１）ＳＦと次表に示すヒド
ラゾン化合物５ｆをモノタロルベンゼン７０−に濤かし
た液を電荷発生層上Ｋ１１ｌ布乾燥し、膜厚が１１声の
電荷輸送層を形成し友。この様にして作成し良電子写真
感光体を実施例１と同様にして帯電特性を調べ、その結
果を第６表に示した。
第６表
ａ ４２ −６００ ９．３ −５７
０ ９．５４ Ｉ６５ −６１０
９．５ −５８０ ９．８５ ４１４ −
５８０ ９．９ −５７０ １α２６ ４
１５ −５９０ ９．７ −５７０ ＩＱ
、１７ ４１８ −６００ ９．６ −５
８０ ９．８実施例８ 真空装置内に厚さ０．２−のアルミ基板をセットシ、十
分真空排気した後、水素ガスとシラ／ガス（水素ガスに
対し１５容積％）を導入し、ついで１３．５ ＭＨｚの
高鵬波電界をかけてダロー放電によシ基板上に厚さ０．
３μのアモーファスシリコンの電荷発生層を形成し九。
０ ９．５４ Ｉ６５ −６１０
９．５ −５８０ ９．８５ ４１４ −
５８０ ９．９ −５７０ １α２６ ４
１５ −５９０ ９．７ −５７０ ＩＱ
、１７ ４１８ −６００ ９．６ −５
８０ ９．８実施例８ 真空装置内に厚さ０．２−のアルミ基板をセットシ、十
分真空排気した後、水素ガスとシラ／ガス（水素ガスに
対し１５容積％）を導入し、ついで１３．５ ＭＨｚの
高鵬波電界をかけてダロー放電によシ基板上に厚さ０．
３μのアモーファスシリコンの電荷発生層を形成し九。
真空装置内を大気圧にもどした後、試料をとりだし上記
電荷発生層上にＡ８樹脂（商品名ニライタツクＡＩＧＯ
ＰＣ二三井東圧化学製）５ｔと前記例示の化合物４２１
のヒドラゾ：ｌ化合物５ｔをモノタロルベンゼンｌｓ〇
−に溶かし免液を塗布乾燥し、塗工量１ Ｇ ｆ／−の
電荷輸送層を形成しえ。
電荷発生層上にＡ８樹脂（商品名ニライタツクＡＩＧＯ
ＰＣ二三井東圧化学製）５ｔと前記例示の化合物４２１
のヒドラゾ：ｌ化合物５ｔをモノタロルベンゼンｌｓ〇
−に溶かし免液を塗布乾燥し、塗工量１ Ｇ ｆ／−の
電荷輸送層を形成しえ。
ζうして得られ友感光体を帯電・露光実験装置に設置し
、ｅ５１ｆｆでコ交す帯電し直ちに光像を照射した。光
像はりｙダステンランプ光源を用い透過層のテストチャ
ートを通して照射され丸。
、ｅ５１ｆｆでコ交す帯電し直ちに光像を照射した。光
像はりｙダステンランプ光源を用い透過層のテストチャ
ートを通して照射され丸。
その後直ちに正荷電性のｓｇＩ剤（トナーと中ヤリャー
を含む）を感光体表面にカスケードすることＫよって感
光体表面ＫｊＬ好なトナー画像を得九。
を含む）を感光体表面にカスケードすることＫよって感
光体表面ＫｊＬ好なトナー画像を得九。
Claims (1)
- ヒドラゾン化合物とアタリ四ニトリルースチレン共重合
樹脂を含有する層を有することを善黴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21337681A JPS58115444A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21337681A JPS58115444A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115444A true JPS58115444A (ja) | 1983-07-09 |
| JPH0324660B2 JPH0324660B2 (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16638160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21337681A Granted JPS58115444A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115444A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112153A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-30 | Canon Inc | 電子写真画像形成方法 |
| JPS6461757A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Mita Industrial Co Ltd | Organic photosensitive body |
| US4848627A (en) * | 1986-10-21 | 1989-07-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Storage box for vehicles |
| JPH01307759A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0258064A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真感光体 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21337681A patent/JPS58115444A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112153A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-30 | Canon Inc | 電子写真画像形成方法 |
| JPH0336425B2 (ja) * | 1984-11-06 | 1991-05-31 | Canon Kk | |
| US4848627A (en) * | 1986-10-21 | 1989-07-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Storage box for vehicles |
| JPS6461757A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Mita Industrial Co Ltd | Organic photosensitive body |
| JPH01307759A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0258064A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324660B2 (ja) | 1991-04-03 |
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