JPS61126553A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
jI!実トの利用分野
本発明は新規な電子写X1$党材料に間し、詳しくは#
#宇の分子構造を宥するメタロセン化合物を光導電層中
に余宥する電子’JtX感党体に間するものである。
#宇の分子構造を宥するメタロセン化合物を光導電層中
に余宥する電子’JtX感党体に間するものである。
従来の技術
を来より、光1實轢を示中a料や染料については、数多
〈の文献などで発表されでいる。
〈の文献などで発表されでいる。
例iば、RCA Review・Val、23..41
3〜4190982.9)ではフタロシアニン11斜の
光遍實性についての発表がなされており、又このフタロ
シアニン顔料を用いた賞子写X感光体が米国特許第33
87088号公報、m第38111118番公報等に示
されている。
3〜4190982.9)ではフタロシアニン11斜の
光遍實性についての発表がなされており、又このフタロ
シアニン顔料を用いた賞子写X感光体が米国特許第33
87088号公報、m第38111118番公報等に示
されている。
その池に、雷子写]E感光体に用いる宥祷半曙体として
は例えば米国特許第4315θ83 !公報、同第43
271894公報やRe5each Disclosu
re 20517(11181,5)に示されでいる
ピリリウム系染料、米国特許第38240911 ’k
’t> 贈に示されているスクエアリック峙メチン染
料、米国特許II、 3898084号公報1回第42
51613号公報等に示されたジスアゾ染料等が挙げら
れる。このような有機半導体は、無機半導体に比べて合
成が容易で、しかも要求する波長域の光に大して光導電
性をもつような化合物として合成することができ、この
ような有機半導体の被膜を導電性基体に形成した電子写
真感光体は、感色性がよくなるという利点を宥している
が、感度及び耐久性において実用できるものは極く僅か
である。
は例えば米国特許第4315θ83 !公報、同第43
271894公報やRe5each Disclosu
re 20517(11181,5)に示されでいる
ピリリウム系染料、米国特許第38240911 ’k
’t> 贈に示されているスクエアリック峙メチン染
料、米国特許II、 3898084号公報1回第42
51613号公報等に示されたジスアゾ染料等が挙げら
れる。このような有機半導体は、無機半導体に比べて合
成が容易で、しかも要求する波長域の光に大して光導電
性をもつような化合物として合成することができ、この
ような有機半導体の被膜を導電性基体に形成した電子写
真感光体は、感色性がよくなるという利点を宥している
が、感度及び耐久性において実用できるものは極く僅か
である。
発明が解決しようとする問題点
本発明者等は有機半導体材料の諸欠点を改良し優れた電
子写真特性を備えた光導電性材料を得べく鋭意研究の結
果本発明を完成するに至った。
子写真特性を備えた光導電性材料を得べく鋭意研究の結
果本発明を完成するに至った。
本発明の第1の目的は新規な有機半導体被膜を提供する
ことである。第2の目的は現存するすべての電子写真プ
ロセスにおいても使用可能であり、かつ循来の欠点を改
善してより高い電子写真応答利得の得られる電子写真感
光体を提供することである。
ことである。第2の目的は現存するすべての電子写真プ
ロセスにおいても使用可能であり、かつ循来の欠点を改
善してより高い電子写真応答利得の得られる電子写真感
光体を提供することである。
間四点を解決する生殺1作用
本発明は導電性基体と光導電層を有する電子写真感光体
において、前記光導電層が 但し、式中m及びnは0,1又は2の整数であり、Aは
イオウ原子又は酸!l原子を示し、Bは置換基を有して
もよいペンゾチイリウム環、ペンジオキソチイリウム環
、ナフトチイリウム環又はナフトオキンチイリウム環を
形成するに必要な残基を示し、置換基としてはメチル、
エチル、プロピル、ブチル等の低級アルキル基、フッ素
、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子又はニトロ基等
の官能基が挙げられる。Qは構造の一部が隣接メチン基
と共にシアニン銹導体の共役構造に寄与し得る環状基を
示し、具体的には置換され得るフェニル基、ナフチル某
1.アントラニル某、フラン某、チオフェン甚、ピロー
ル基、インオキサゾール基等であり1Mはjj、−V、
Or、 Fe、 Ca、 Ni及びRnから選択される
金属元素を示し、Xはアニオン官11@ 基Cに B
rて ニー、 BF、丁 ClO4″、 PF
、−、n、c((う−507等を示す、のメタロセン化
合物を含有することを#徴とする電子写真感光体から構
成さh゛る。
において、前記光導電層が 但し、式中m及びnは0,1又は2の整数であり、Aは
イオウ原子又は酸!l原子を示し、Bは置換基を有して
もよいペンゾチイリウム環、ペンジオキソチイリウム環
、ナフトチイリウム環又はナフトオキンチイリウム環を
形成するに必要な残基を示し、置換基としてはメチル、
エチル、プロピル、ブチル等の低級アルキル基、フッ素
、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子又はニトロ基等
の官能基が挙げられる。Qは構造の一部が隣接メチン基
と共にシアニン銹導体の共役構造に寄与し得る環状基を
示し、具体的には置換され得るフェニル基、ナフチル某
1.アントラニル某、フラン某、チオフェン甚、ピロー
ル基、インオキサゾール基等であり1Mはjj、−V、
Or、 Fe、 Ca、 Ni及びRnから選択される
金属元素を示し、Xはアニオン官11@ 基Cに B
rて ニー、 BF、丁 ClO4″、 PF
、−、n、c((う−507等を示す、のメタロセン化
合物を含有することを#徴とする電子写真感光体から構
成さh゛る。
大発明に用いられる一般式(1)のメタロセン化合物の
一般的な製法としては。
一般的な製法としては。
痩地式(3))IA、。
等の方法で合成される。
本発明で用いるメタロセン化合物の具体例を次に列挙す
る。
る。
化合物No。
−上記例示化合物は本発明の特許請求の範囲を限定する
ものではない。
ものではない。
前述のメタロセン化合物を有する被膜は光導電性を示し
、下達する電子写真感光体の感光層に用いることができ
る。
、下達する電子写真感光体の感光層に用いることができ
る。
すなわち本発明の具体例では透電性基体の上に前記一般
式(I)のメタロセン化合物を真空蒸着法により被膜形
成するか、あるいは適当なバインダー中に分散含有させ
て被膜形成することにより電子写真感光体を作成するこ
とができる。
式(I)のメタロセン化合物を真空蒸着法により被膜形
成するか、あるいは適当なバインダー中に分散含有させ
て被膜形成することにより電子写真感光体を作成するこ
とができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として上記光導電性被膜を適用す
ることができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として上記光導電性被膜を適用す
ることができる。
電萄発4:層は、十分な吸光陰を得るために、できる限
り多くの上記光導電性を示す化合物な含有し、かつ発生
した電荷キャリアの飛程を短くするために薄膜層、例え
ば5勝以下、好ましくは0.01〜liの膜厚をもつa
I薄膜層することが好ましい、このことは、入射光線の
大部分が電荷発生層で吸収されて、i&<の電荷キャリ
アを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結
合や捕獲(トラップ)により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに起因している。
り多くの上記光導電性を示す化合物な含有し、かつ発生
した電荷キャリアの飛程を短くするために薄膜層、例え
ば5勝以下、好ましくは0.01〜liの膜厚をもつa
I薄膜層することが好ましい、このことは、入射光線の
大部分が電荷発生層で吸収されて、i&<の電荷キャリ
アを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結
合や捕獲(トラップ)により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに起因している。
電荷発4一層は、前述の化合物を適当なバインダーに分
散させ、これを導電゛性基体の上に塗工することによっ
て形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成する
ことに・、よって得ることができる、電荷発生層を塗工
によって形成する際に用い得るバインダーとしては広範
な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマーから選択できる。
散させ、これを導電゛性基体の上に塗工することによっ
て形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成する
ことに・、よって得ることができる、電荷発生層を塗工
によって形成する際に用い得るバインダーとしては広範
な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマーから選択できる。
好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレート(ビ
スフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、ポリカー
ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド
、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹
脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂を挙げることがで
きる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下
、好ましくは40重畢%以下が適している、これらの樹
脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異なり、また
下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないものから選択す
ることが好ましい。
スフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、ポリカー
ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド
、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹
脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂を挙げることがで
きる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下
、好ましくは40重畢%以下が適している、これらの樹
脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異なり、また
下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないものから選択す
ることが好ましい。
具体的な有機溶剤としてはメタノール、エタノール、イ
ンプロパツール等のアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N −ジメチルアセトアミ
ド、等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコール七ツメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩化メ
チレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエ
チレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベン
ゼン、ジクミルベンゼン等の芳香族類等を用いることが
できる。
ンプロパツール等のアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N −ジメチルアセトアミ
ド、等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコール七ツメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩化メ
チレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエ
チレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベン
ゼン、ジクミルベンゼン等の芳香族類等を用いることが
できる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーティングコーティング
法等のコーティング法を用いて行なうことかで゛きる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーティングコーティング
法等のコーティング法を用いて行なうことかで゛きる。
乾燥は室温におけ、る指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい、加熱乾、aは30〜200℃で5分〜2時間
の範囲で静止又は送風下で行なうことができる。
好ましい、加熱乾、aは30〜200℃で5分〜2時間
の範囲で静止又は送風下で行なうことができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電化発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを装
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層のとにa層されてもよく、又その下
に積層されていてもよい。
おり、電界の存在下で電化発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを装
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層のとにa層されてもよく、又その下
に積層されていてもよい。
電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下
、!荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応す
る電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ま
しい。
、!荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応す
る電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ま
しい。
ここで言う「電磁波」とはγ線、X線、紫外線、可視光
線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包金する広義の
「光線」の定義を儒膏する。電荷輸送層の光感応性波長
域が電荷発生層のそれと一致又はオーバーラツプする時
には3両者で・発生した電荷キャリアが相互に捕獲し合
い、結果的には感度の低下の原因となる。
線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包金する広義の
「光線」の定義を儒膏する。電荷輸送層の光感応性波長
域が電荷発生層のそれと一致又はオーバーラツプする時
には3両者で・発生した電荷キャリアが相互に捕獲し合
い、結果的には感度の低下の原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送物質と正孔輸送物質があ
り、電子輸送物質としては、クロルアニル、ブロモアニ
ル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、 2.4.7−)ジニトロ−8−フルオレノン、 2
,4,5.7−テトラニトロ−8−フルオレノン、 2
,4.7−)ジニトロ−8−ジシアノメチレンフルオレ
ノン、2.4.5.7−チトラニトロキサントン、2.
4.8− )リニトロチオキサントン等の電子吸引性物
質やこれ等電子吸引性物質を高分子化したもの等がある
。
り、電子輸送物質としては、クロルアニル、ブロモアニ
ル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、 2.4.7−)ジニトロ−8−フルオレノン、 2
,4,5.7−テトラニトロ−8−フルオレノン、 2
,4.7−)ジニトロ−8−ジシアノメチレンフルオレ
ノン、2.4.5.7−チトラニトロキサントン、2.
4.8− )リニトロチオキサントン等の電子吸引性物
質やこれ等電子吸引性物質を高分子化したもの等がある
。
正孔輸送物質としては、ピレン、N−エチルカルバゾー
ル、N−イソプロピルカルバゾール、N−メチル−N−
7二二ルヒドラジノー3−メチリデン−8−エチルカル
バゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−8−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、 N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン
−10−工゛チルフェノキサジン、P−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、ρ
コ″゛ジエチルアミ/ベンズアルデヒドーN−α−ナフ
チルーN−フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズ
アルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、1.3.
3−)ジメチルインドレニン−ω−アルデヒド−N、N
−ジフェニルヒドラゾン、P−ジエチルベンズアルデヒ
ド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等
のヒドラゾン類、2.5−ビスCP−ジエチルアミノフ
ェニル) −1,3,4−オキサジアゾール、1−フェ
ニル−3−(P−ジエチルアミノスチリル) −5−(
P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−【キノ
リル(2)]−3−(P −ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1
−「ピリジル(2)1−3−(P−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−(6−メドキシーピリジル(2)1−3−(P
−ジエチルアミノスチリル)−5−(−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−rピリジル(3)]−3−
(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−[レビジル(2)1
−3−(−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエ
チル7ミノフエニル)ピラゾリン、■−〔ピリジル(2
)I−3−(P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチ
ル−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、
1−(ピリジル(2) ] −3−(α−メチル−P−
ジエチルアミノスチリル) −5−(P−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、!−フェニルー3−(P−ジ
エチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−3−
(α−ベンジル−P−ジエチルアミノスチリル)−5−
(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロピ
ラゾリン等のピラゾリン類、 2−(P−ジエチルアミ
ノスチリル)−8−ジエチルアミノベンズオキサゾール
、 2−(P−ジエチルアミノフェニル)−4−(P−
ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニル
)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、 2−(P
−ジエチルアミノスチリル)−B−ジエチルアミノベン
ゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニル゛メタン
等のトリアリールメタン系化合物、、l、1−ビス(4
−N、N−ジエチルアミノ−2−メチルフエニ・ル)へ
ブタン、1.1.2.2−テトラキス(4−N、N−ジ
メチルアミノ−2−メチルフェニル)エタン等のポリア
リールアルカン類。
ル、N−イソプロピルカルバゾール、N−メチル−N−
7二二ルヒドラジノー3−メチリデン−8−エチルカル
バゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−8−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、 N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン
−10−工゛チルフェノキサジン、P−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、ρ
コ″゛ジエチルアミ/ベンズアルデヒドーN−α−ナフ
チルーN−フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズ
アルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、1.3.
3−)ジメチルインドレニン−ω−アルデヒド−N、N
−ジフェニルヒドラゾン、P−ジエチルベンズアルデヒ
ド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等
のヒドラゾン類、2.5−ビスCP−ジエチルアミノフ
ェニル) −1,3,4−オキサジアゾール、1−フェ
ニル−3−(P−ジエチルアミノスチリル) −5−(
P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−【キノ
リル(2)]−3−(P −ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1
−「ピリジル(2)1−3−(P−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−(6−メドキシーピリジル(2)1−3−(P
−ジエチルアミノスチリル)−5−(−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−rピリジル(3)]−3−
(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−[レビジル(2)1
−3−(−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエ
チル7ミノフエニル)ピラゾリン、■−〔ピリジル(2
)I−3−(P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチ
ル−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、
1−(ピリジル(2) ] −3−(α−メチル−P−
ジエチルアミノスチリル) −5−(P−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、!−フェニルー3−(P−ジ
エチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−3−
(α−ベンジル−P−ジエチルアミノスチリル)−5−
(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロピ
ラゾリン等のピラゾリン類、 2−(P−ジエチルアミ
ノスチリル)−8−ジエチルアミノベンズオキサゾール
、 2−(P−ジエチルアミノフェニル)−4−(P−
ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニル
)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、 2−(P
−ジエチルアミノスチリル)−B−ジエチルアミノベン
ゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニル゛メタン
等のトリアリールメタン系化合物、、l、1−ビス(4
−N、N−ジエチルアミノ−2−メチルフエニ・ル)へ
ブタン、1.1.2.2−テトラキス(4−N、N−ジ
メチルアミノ−2−メチルフェニル)エタン等のポリア
リールアルカン類。
トリフェニルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、
ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルアクリジン、ポリ−9−ビニルフェニルアントラセン
、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール
−ホルムアルデヒド樹脂等がある。これらの有機電荷輸
送物質の他にセレン、セレン−テルル、アモルファスシ
リコン、硫化カドミウム等の無祷材料も用いることがで
きる。
ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルアクリジン、ポリ−9−ビニルフェニルアントラセン
、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール
−ホルムアルデヒド樹脂等がある。これらの有機電荷輸
送物質の他にセレン、セレン−テルル、アモルファスシ
リコン、硫化カドミウム等の無祷材料も用いることがで
きる。
又、これらの電荷輸送物質はLM又は2種以上銅合せて
用いることができる。
用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の絶縁性
樹脂あるいはポリ−に一ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポ
リマーを挙げることができる。
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の絶縁性
樹脂あるいはポリ−に一ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポ
リマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般的
には5〜30gであるが、好ましい範囲は8〜20Ij
、である、塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述したような適当なコーティング法を用いることがで
きる。
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般的
には5〜30gであるが、好ましい範囲は8〜20Ij
、である、塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述したような適当なコーティング法を用いることがで
きる。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、al電層を有する基体の上に設けられる。導
電層を有する茎体としては、′X体自体が導電性をもつ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金、や白金等を用いるこ
とができ。
感光層は、al電層を有する基体の上に設けられる。導
電層を有する茎体としては、′X体自体が導電性をもつ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金、や白金等を用いるこ
とができ。
その他にアルミニウム、・アルミニウム合金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空茄着法によ一つ゛て被膜形成された層を有するプラス
チック例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフッ化エチレン等)、導電性粒子(例えばカーボン
ブラック、銀粒子等)を適当なバインダーとともにプラ
スチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプラスチッ
クや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有するプラス
チック等を用いることができる。
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空茄着法によ一つ゛て被膜形成された層を有するプラス
チック例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフッ化エチレン等)、導電性粒子(例えばカーボン
ブラック、銀粒子等)を適当なバインダーとともにプラ
スチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプラスチッ
クや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有するプラス
チック等を用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。
つ下引層を設けることもできる。
下引層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド
、(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重
合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン等)、ポリウ
レタン、ゼラチン。
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド
、(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重
合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン等)、ポリウ
レタン、ゼラチン。
酸化アルミニウム等によって形成できる。
下引層の膜厚は0.1〜5終、好ましくは0.5〜3糾
が適当である。
が適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電S露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後表面に達
して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電S露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後表面に達
して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負a′!1.性のトナ
ーで現像すれば可視像が得られる。これを直接定着する
か、あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルム等に
転写後、現像しでi?着することができる。 又、感光
体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像し、定
着する方法もとれる。
ーで現像すれば可視像が得られる。これを直接定着する
か、あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルム等に
転写後、現像しでi?着することができる。 又、感光
体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像し、定
着する方法もとれる。
現像剤の種類や現像方法定着方法は公知のものや公知の
方法のいずれを採用してもよく、特定のものに限定され
るものではない。
方法のいずれを採用してもよく、特定のものに限定され
るものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送Fj奢面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した止孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電苛衛中・
和し1表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる、現像時には電子輸送性物質を用いた
場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。
輸送Fj奢面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した止孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電苛衛中・
和し1表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる、現像時には電子輸送性物質を用いた
場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。
!$電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した感光
体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電萄発生層負に帯電する必要があり
、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において生成
した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基体に達する
。一方、電荷発生層において生成した正札は表面に達し
表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電社コントラ
ストが生じる。このようにしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可褥、fRが得られる。
体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電萄発生層負に帯電する必要があり
、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において生成
した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基体に達する
。一方、電荷発生層において生成した正札は表面に達し
表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電社コントラ
ストが生じる。このようにしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可褥、fRが得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラス
チックフィルム等に転写後現像し定着することができる
。
チックフィルム等に転写後現像し定着することができる
。
又、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり帯電後露光する
と、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基体に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。
荷発生層表面を正に帯電する必要があり帯電後露光する
と、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基体に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。
惟
現像時には電子輸送毒物質を用いた場合とは逆に負電荷
性トナーを用いる必要がある。
性トナーを用いる必要がある。
又、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、ピ
ラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリ
ールメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニル
アミン、ポリーN−ビニルカルバゾール類等有機光導電
咀物質や酸化無鉛、硫化カドミウム、セレン等の無機光
導電性物質の増感剤として前述のメタロセン化合物を含
有させた感光被膜とすることが、でき・る。この感光被
膜は、これらの光導電性物質と°前述のメタロセン化合
物をバインダーとともに塗Tによって被膜形成される。
ラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリ
ールメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニル
アミン、ポリーN−ビニルカルバゾール類等有機光導電
咀物質や酸化無鉛、硫化カドミウム、セレン等の無機光
導電性物質の増感剤として前述のメタロセン化合物を含
有させた感光被膜とすることが、でき・る。この感光被
膜は、これらの光導電性物質と°前述のメタロセン化合
物をバインダーとともに塗Tによって被膜形成される。
又本発明の別の具体例としては特開昭49−91848
3号公報(光導電性部材)に開示されているような電荷
移動錯体中に電荷発生材料を添加したタイプの感光体と
して使用することもできる。
3号公報(光導電性部材)に開示されているような電荷
移動錯体中に電荷発生材料を添加したタイプの感光体と
して使用することもできる。
いずれの感光体においても、本発明の一般式(I)で示
される化合物から選ばれる少なくとも1#類のメタロセ
ン化合物を含有し必要に応じて光吸収の異なる他の光導
電性顔料や染料を組合せて使用することによって、この
感光体の感度を高めたり、あるいはパンクロマチックな
感光体として作成することも可能である。
される化合物から選ばれる少なくとも1#類のメタロセ
ン化合物を含有し必要に応じて光吸収の異なる他の光導
電性顔料や染料を組合せて使用することによって、この
感光体の感度を高めたり、あるいはパンクロマチックな
感光体として作成することも可能である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやCRTプリンター等の
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーザープリンターやCRTプリンター等の
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例1〜14
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2g、28%アンモニア水1g、水222mfL)
をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1゜0川となるよう
に塗布し、乾燥した。
1.2g、28%アンモニア水1g、水222mfL)
をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1゜0川となるよう
に塗布し、乾燥した。
次に、ブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2
gをイソプロピルアルコール95mJ1で溶かした溶液
に、具体例として挙げた14種のメタロセン化合物5g
を夫々加えて14種の塗工液を調製した。
gをイソプロピルアルコール95mJ1で溶かした溶液
に、具体例として挙げた14種のメタロセン化合物5g
を夫々加えて14種の塗工液を調製した。
各塗工液をサンドミル分散した後、夫々前述のカゼイン
下引層の上に乾燥後の膜厚が0.1鉢となるようにマイ
ヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成させた。
下引層の上に乾燥後の膜厚が0.1鉢となるようにマイ
ヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成させた。
次いで、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N−α
−ナフチル−N−フェニルヒドラゾンを5gとポリメチ
ルメタクリレート(数平均分子量10万)5gをベンゼ
ン70rnlに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後
の膜厚が12鉢となるようにマイヤーバーで@布し、乾
燥して電荷輸送層を形成した。
−ナフチル−N−フェニルヒドラゾンを5gとポリメチ
ルメタクリレート(数平均分子量10万)5gをベンゼ
ン70rnlに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後
の膜厚が12鉢となるようにマイヤーバーで@布し、乾
燥して電荷輸送層を形成した。
このようにして作成した14種の電子写真感光体を川口
型41k(株)製静電°複写紙試験装置にodelSP
−428を用いてダイナミック方式で一5KVでコロナ
帯電し、暗所で1秒間保持した後、照度 5nutで4
秒間露光し、帯電特性を調べた。
型41k(株)製静電°複写紙試験装置にodelSP
−428を用いてダイナミック方式で一5KVでコロナ
帯電し、暗所で1秒間保持した後、照度 5nutで4
秒間露光し、帯電特性を調べた。
帯電特性としては、初期帯電電位(Ve、)と1秒間暗
減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量
(El/2)を測定した。又、201 ux、5ecn
光後の残留電位をV、で表わした。
減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量
(El/2)を測定した。又、201 ux、5ecn
光後の残留電位をV、で表わした。
この結果を第1表に示す。
M41表
実施例 化合物 V、(−V ) E 1 / 2
V、(−V )El ux、5ec) 1 1 1105
3.1 02 2 G
oo 3.1 03
3 810 3.0
04 4 805 3.
2 55 5 595
3.4 08 11
800 3.3 07
7 810 3.2
58 8 605 3.
0 011 9 [83
,1010108053,20 It II 800
3.4 512 12
810 3.5 013
13 805 3、
li 1014 14
800 3.6 5比較例1
〜5 比較化合物 構造式 記載文献C!+1
. CxH,f− C,HtCJし■ !I+開昭57−48245 と記比較化合物を、実施例工のメタロセン化合物に代え
て、その他は実施例1と全く同罎にして感光体を作成し
、特性を調べ、その結果を第2表に示した。
V、(−V )El ux、5ec) 1 1 1105
3.1 02 2 G
oo 3.1 03
3 810 3.0
04 4 805 3.
2 55 5 595
3.4 08 11
800 3.3 07
7 810 3.2
58 8 605 3.
0 011 9 [83
,1010108053,20 It II 800
3.4 512 12
810 3.5 013
13 805 3、
li 1014 14
800 3.6 5比較例1
〜5 比較化合物 構造式 記載文献C!+1
. CxH,f− C,HtCJし■ !I+開昭57−48245 と記比較化合物を、実施例工のメタロセン化合物に代え
て、その他は実施例1と全く同罎にして感光体を作成し
、特性を調べ、その結果を第2表に示した。
1112表
比較例 比ff V(−V) El/2
V(−V)化合wR<l ux、s@c) 1 8G5 5.4 40 2 2 1i20 5.$ 503
3 5!90’ 7.2 304
j 810 8.0 205 5
800 !1.0 30比較例は、いず
れも−感度が大発明の実施例よりも低く、残留電位が失
きい。
V(−V)化合wR<l ux、s@c) 1 8G5 5.4 40 2 2 1i20 5.$ 503
3 5!90’ 7.2 304
j 810 8.0 205 5
800 !1.0 30比較例は、いず
れも−感度が大発明の実施例よりも低く、残留電位が失
きい。
ざらに実施例1で用−レーた帯電′測i裟舒を用い。
ダイナミック方式で実施例1と同じ帯電露光操作を50
00回繰り返し帯電初期電位V6と露光後の残留電位v
FLの変化を調べ、第3表に示した。
00回繰り返し帯電初期電位V6と露光後の残留電位v
FLの変化を調べ、第3表に示した。
なお実施例1〜4の感光体についても同じ測定を実施し
た。
た。
第3表(hり返し特性)
初期特性 5000回繰り返し後実施例 LLL
u LLn しLn 組Ln比較例 1 805 40 8110
目02 820 50 TOO130
481020TOO130 比較例の感光体がいずれも初期残留電位が高いのに対応
して峰り返し使用時の残留電位が蕩しく高く、それに押
しトげられてV6も高く実用ト’*y轢に欠は大きなP
JW4である。
u LLn しLn 組Ln比較例 1 805 40 8110
目02 820 50 TOO130
481020TOO130 比較例の感光体がいずれも初期残留電位が高いのに対応
して峰り返し使用時の残留電位が蕩しく高く、それに押
しトげられてV6も高く実用ト’*y轢に欠は大きなP
JW4である。
それに反し、本発明の実施例のものは、61り返し使用
後も極めて安定であり、字用トすぐれた特性を具備して
いることが明白である。
後も極めて安定であり、字用トすぐれた特性を具備して
いることが明白である。
実施例15〜17
実施例1と同様にしてアルミ板トにカゼインの下引層を
塗布した。
塗布した。
次に実施例1で用いたヒドラゾン化合物を電荷輸送物質
とする賃箭輸送層を乾帰後のN[が12ルとなるように
マイヤーバーで@布し、乾楊して1荷輸送層を形成し凱 次いで実施例1.8.10の3Mの楡T3#を電荷輸送
層のトに岐憧後のsmが0.1iとなるようにマイヤー
バーでa布し、1tf4!bして電荷発ル層を形成した
。このようにして作成した3Mの電子算X絡光体を実施
例!と同極にして帯電特性を調べた、この+5KVでコ
ロナ帯電した。この結要を第4表に示す。
とする賃箭輸送層を乾帰後のN[が12ルとなるように
マイヤーバーで@布し、乾楊して1荷輸送層を形成し凱 次いで実施例1.8.10の3Mの楡T3#を電荷輸送
層のトに岐憧後のsmが0.1iとなるようにマイヤー
バーでa布し、1tf4!bして電荷発ル層を形成した
。このようにして作成した3Mの電子算X絡光体を実施
例!と同極にして帯電特性を調べた、この+5KVでコ
ロナ帯電した。この結要を第4表に示す。
第4表
実施例 化合物 V、(+ V) El/2
Vo(+ V)(i ux、5ec) 15 1 595 2
.9 018 8
580 3.3 1017
10 5115 3.4
15実施例18 ポリ−N−ビニルカルバゾールのIgと前記例示メタロ
セン化合物No、 3の5gを1.2−ジクロルエタン
lOgに加えた後、十分に撹拌した。
Vo(+ V)(i ux、5ec) 15 1 595 2
.9 018 8
580 3.3 1017
10 5115 3.4
15実施例18 ポリ−N−ビニルカルバゾールのIgと前記例示メタロ
セン化合物No、 3の5gを1.2−ジクロルエタン
lOgに加えた後、十分に撹拌した。
こうして調製した塗工液をアルミM9したポリエチレン
テレフタレートフィルムの上に乾ms厚が15&Lにな
るようにドクターブレードにより塗布した。
テレフタレートフィルムの上に乾ms厚が15&Lにな
るようにドクターブレードにより塗布した。
この感光体の帯電特性を実施例1と同様の方法によって
III?シた。但し、帯電極性はプラスとした。この結
果v0は+590 、 E l/2は3.21 ux、
secであった。
III?シた。但し、帯電極性はプラスとした。この結
果v0は+590 、 E l/2は3.21 ux、
secであった。
実施例19
前記実施例18の電子写真感光体の作成に使用した例示
メタロセン化合物No、 3に代え前記例示メタロセン
化合物No、 2を用いた鉋は実施例18と全く同様の
方法で感光体を作成した後、この感光体の帯電特性を測
定した。但し、帯tm性をプy X トL/ タm コ
(F)結果!t 、 Vot* + 5110 、 E
1/2は2.91 ux、gecであった・ 実施例20 11子酸化亜鉛(堺化学(株) I 5aze!200
0 )10g、アクリル系樹脂(三菱レーヨン(株)製
ダイヤナールLROO9) 4 g、 )ルエンlO
g及び前記例示メタロセン化合物jlo、12を10’
mgをボールミル中で十分に混合し、得られた塗工液を
アルミ1M着したポリエチレンテレフタレートフィルム
の上にドクターブレードにより乾燥膜厚が21終になる
ように塗布し、乾燥して電子写真感光体を作成した。
メタロセン化合物No、 3に代え前記例示メタロセン
化合物No、 2を用いた鉋は実施例18と全く同様の
方法で感光体を作成した後、この感光体の帯電特性を測
定した。但し、帯tm性をプy X トL/ タm コ
(F)結果!t 、 Vot* + 5110 、 E
1/2は2.91 ux、gecであった・ 実施例20 11子酸化亜鉛(堺化学(株) I 5aze!200
0 )10g、アクリル系樹脂(三菱レーヨン(株)製
ダイヤナールLROO9) 4 g、 )ルエンlO
g及び前記例示メタロセン化合物jlo、12を10’
mgをボールミル中で十分に混合し、得られた塗工液を
アルミ1M着したポリエチレンテレフタレートフィルム
の上にドクターブレードにより乾燥膜厚が21終になる
ように塗布し、乾燥して電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体の分光感曜を電子写真法の分光写真
により測定したところ、前述のメタロセン化合物を含有
していrい酸化亜鉛被膜に比較して1本実施例の感光体
は、長波長側に感度を有していることが判明した。
により測定したところ、前述のメタロセン化合物を含有
していrい酸化亜鉛被膜に比較して1本実施例の感光体
は、長波長側に感度を有していることが判明した。
実施例21
厚さ100g厚のアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し、乾−して膜厚1.1gの下引層を形成し
た。
溶液を塗布し、乾−して膜厚1.1gの下引層を形成し
た。
次に2.4.7− )リニトロー3−フルオレノン5g
とポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万
)5gをテトラヒドロフラン70m1に溶かして電荷移
動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化合物と前記例
示メタロセン化合物No、10のIgをポリエステル(
バイロン、1i洋紡繍(株)袈)5gをテトラヒドロフ
ラン70rnlに溶かした掖に加え、分散した。この分
散液を、下引層の上に乾燥後の膜厚が12gとなるよう
に塗布し、乾燥した。こうして作成した感光体の帯電特
性を実施例1と同様の方法で測定した。但し帯電極性は
7’ 5 X トL ター コノM果1t、 Voは+
585V、 E 1/2は3.89. ux、 sec
を示した。
とポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万
)5gをテトラヒドロフラン70m1に溶かして電荷移
動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化合物と前記例
示メタロセン化合物No、10のIgをポリエステル(
バイロン、1i洋紡繍(株)袈)5gをテトラヒドロフ
ラン70rnlに溶かした掖に加え、分散した。この分
散液を、下引層の上に乾燥後の膜厚が12gとなるよう
に塗布し、乾燥した。こうして作成した感光体の帯電特
性を実施例1と同様の方法で測定した。但し帯電極性は
7’ 5 X トL ター コノM果1t、 Voは+
585V、 E 1/2は3.89. ux、 sec
を示した。
実施例22
アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム、のア
ルミ面上に膜厚1.1μのポリビニルアルコールの被膜
を形成した0次に実施例3で用いた前述のメタロセン化
合物No、3の分散液を先に形成したポリビニルアルコ
ール層のHに、乾燥後の膜厚が0.5蜘となるようにマ
イヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
ルミ面上に膜厚1.1μのポリビニルアルコールの被膜
を形成した0次に実施例3で用いた前述のメタロセン化
合物No、3の分散液を先に形成したポリビニルアルコ
ール層のHに、乾燥後の膜厚が0.5蜘となるようにマ
イヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
次に1−1ピリジル(2)]−3−(P−ジエチルアミ
ノスチリル) −5−(P−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリンの5gとボリアリレート(ビスフェノールA
とテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)5gをテト
ラヒドロフラン70m1に溶かした液を電荷発生層の上
に乾msの膜厚がlOgとなるように塗布し、乾燥して
電荷輸送層を形成した。
ノスチリル) −5−(P−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリンの5gとボリアリレート(ビスフェノールA
とテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)5gをテト
ラヒドロフラン70m1に溶かした液を電荷発生層の上
に乾msの膜厚がlOgとなるように塗布し、乾燥して
電荷輸送層を形成した。
こうして作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例1
と同様の方法によって測定した。この結果は次のとおり
であった。
と同様の方法によって測定した。この結果は次のとおり
であった。
Vo: −805V 、 El/2 :’3.
4 nuz、sec発明の効果 以上で明らかなように二°−木発明は前記特定のメタロ
セン化合物を用いることで、高感度かつ繰り返し特性が
良く、又、どのような帯電モードにおいても使用できる
電子写真感光体を得ることができたものである。
4 nuz、sec発明の効果 以上で明らかなように二°−木発明は前記特定のメタロ
セン化合物を用いることで、高感度かつ繰り返し特性が
良く、又、どのような帯電モードにおいても使用できる
電子写真感光体を得ることができたものである。
Claims (1)
- (1)導電性基体と光導電層を有する電子写真感光体に
おいて、前記光導電層が 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 但し、式中m及びnは0、1又は2の整数であり、Aは
イオウ原子又は酸素原子を示し、Bは置換基を有しても
よいベンゾチイリウム環、ベンゾオキソチイリウム環、
ナフトチイリウム環又はナフトオキソチイリウム環を形
成するに必要な残基を示し、Qは構造の一部が隣接メチ
ン基と共にシアニン誘導体の共役構造に寄与し得る環状
基を示し、MはTi、V、Cr、Fe、Co、Ni及び
Rnから選択される金属元素を示し、X^−はアニオン
官能基を示す、のメタロセン化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59248044A JPS61126553A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59248044A JPS61126553A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61126553A true JPS61126553A (ja) | 1986-06-14 |
JPH0514897B2 JPH0514897B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=17172356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59248044A Granted JPS61126553A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61126553A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0237355A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 積層薄膜および電子写真感光体の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248044A patent/JPS61126553A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0237355A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 積層薄膜および電子写真感光体の製造方法 |
JPH0468626B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1992-11-02 | Idemitsu Kosan Co |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0514897B2 (ja) | 1993-02-26 |
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