JPH01140164A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0681—Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特定
の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導電層中に含有す
る電子写真感光体に関する。
の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導電層中に含有す
る電子写真感光体に関する。
[従来の技術]
従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多く
の文献などで発表されている。
の文献などで発表されている。
例えば、” RCA Rev I ew” V o
l 、 23、P、413〜F、419 (1962,
9)ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表
がされており、またこのフタロシアニン顔料を用いた電
子写真感光体が米国特許第3397086号明細書や米
国特許第3816118号明細書などに記載されている
。その他に、電子写真感光体に用いる有機半導体として
は、例えば米国特許第4315983号明細書、米国特
許第4327169号明細書や°’Re5each
Discl。
l 、 23、P、413〜F、419 (1962,
9)ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表
がされており、またこのフタロシアニン顔料を用いた電
子写真感光体が米国特許第3397086号明細書や米
国特許第3816118号明細書などに記載されている
。その他に、電子写真感光体に用いる有機半導体として
は、例えば米国特許第4315983号明細書、米国特
許第4327169号明細書や°’Re5each
Discl。
5ure″20517 (1981,5)に記載されて
いるピリリウム系染料、米国特許第3824099号明
細書に記載されているスクエアリック酸メチン染料、米
国特許第3898084号明細書、米国特許第4251
613号明細書などに記載されたジスアゾ顔料などが挙
げられる。
いるピリリウム系染料、米国特許第3824099号明
細書に記載されているスクエアリック酸メチン染料、米
国特許第3898084号明細書、米国特許第4251
613号明細書などに記載されたジスアゾ顔料などが挙
げられる。
このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性基板に形成した電子写真感光
体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感
度および耐久性において実用できるものは僅かである。
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性基板に形成した電子写真感光
体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感
度および耐久性において実用できるものは僅かである。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、現
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供すること、可
視域から近赤外、赤外領域にまたがる広い分光感度を有
する電子写真感光体を提供することにある。
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供すること、可
視域から近赤外、赤外領域にまたがる広い分光感度を有
する電子写真感光体を提供することにある。
[問題点を解決する手段、作用]
本発明は、導電性基板上に光導電層を有する電子写真感
光体において、光導電層に下記一般式(1)で示すジス
アゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体か
ら構成される。
光体において、光導電層に下記一般式(1)で示すジス
アゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体か
ら構成される。
一般式
式中、A、およびA2はフェノール性水酸基を有するカ
プラー残基を示し、A1、A2は同じであっても異なっ
ていてもよく、R,、R2、R3およびR4は水素原子
、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基
またはシアノ基を示、R,、R2、R3、R4は同じで
あっても異なっていてもよい。
プラー残基を示し、A1、A2は同じであっても異なっ
ていてもよく、R,、R2、R3およびR4は水素原子
、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基
またはシアノ基を示、R,、R2、R3、R4は同じで
あっても異なっていてもよい。
具体的には、フルキル基としてはメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、S−ブチル、t−ブチル
などの基、アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ、
プロポキシなどの基、ハロゲン原子としては塩素原子、
フッ素原子、ヨウソ原子、臭素原子が挙げられる。
ピル、イソプロピル、ブチル、S−ブチル、t−ブチル
などの基、アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ、
プロポキシなどの基、ハロゲン原子としては塩素原子、
フッ素原子、ヨウソ原子、臭素原子が挙げられる。
A1およびA2の示すフェノール性水酸基を有するカプ
ラー残基のより好ましい具体例としては、下記一般式(
2)〜(8)で示す残基が挙げられる。
ラー残基のより好ましい具体例としては、下記一般式(
2)〜(8)で示す残基が挙げられる。
一般式
式中、又はベンゼン環と縮合してナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナ
フトフラン環、ジフェニレンサルファイド環、フルオレ
ノン環などの多環芳香環あるいはへテロ環を形成するに
必要な残基を示す。
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナ
フトフラン環、ジフェニレンサルファイド環、フルオレ
ノン環などの多環芳香環あるいはへテロ環を形成するに
必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
R5およびR6は水素原子、置換基を有してもよいアル
キル基、アリール、アラルキル基、ヘテロ環基ないしは
R5、R,の結合する窒素原子を環内に含む環状アミ7
基を示す。
キル基、アリール、アラルキル基、ヘテロ環基ないしは
R5、R,の結合する窒素原子を環内に含む環状アミ7
基を示す。
アルキル基の具体例としてはメチル、エチル。
プロピル、ブチルなど、7ラルキル基の具体例としては
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール
基の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリルなど、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾ
ール、ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチ
アゾール、チアゾール、ピリジンなどが挙げられる。
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール
基の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリルなど、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾ
ール、ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチ
アゾール、チアゾール、ピリジンなどが挙げられる。
一般式 R7
式中、R7、R,は水素原子、置換基を有してもよいア
ルキル基、アリール基あるいはアラルキル基を示す、R
7、Raの具体例は前記の15゜R6と同じ例によって
示される。
ルキル基、アリール基あるいはアラルキル基を示す、R
7、Raの具体例は前記の15゜R6と同じ例によって
示される。
一般式(2)〜(4)中の置換基R5〜R8の示すアル
キル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘ
テロ環基は、さらに他の置換基、例えばフッ素原子、塩
素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどの
アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノ
キシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアン基、ジメチ
ルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モル
ホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミン基など
により置換されていてもよい。
キル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘ
テロ環基は、さらに他の置換基、例えばフッ素原子、塩
素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどの
アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノ
キシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアン基、ジメチ
ルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モル
ホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミン基など
により置換されていてもよい。
一般式 、Y・、
H
1、Y 、。
式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
環内に含むペテロ環の2価の基を示し、芳香族炭化水素
の2価の基としては0−フェニレンなどの単環芳香族炭
化水素の2価の基、0−ナフチレン、ペリナフチレン、
1.2−アンスリレン、9.10−フェナンスリレンな
どの縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒
素原子を環内に含むペテロ環の2価の基としては、3゜
4−ピラゾールジイル基、2.3−ピリジンジイル基、
4,5−ピリミジンジイル基、6’、7−インダゾール
ジイル基、6.7−キラリンジイル基などの2価の基が
挙げられる。
環内に含むペテロ環の2価の基を示し、芳香族炭化水素
の2価の基としては0−フェニレンなどの単環芳香族炭
化水素の2価の基、0−ナフチレン、ペリナフチレン、
1.2−アンスリレン、9.10−フェナンスリレンな
どの縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒
素原子を環内に含むペテロ環の2価の基としては、3゜
4−ピラゾールジイル基、2.3−ピリジンジイル基、
4,5−ピリミジンジイル基、6’、7−インダゾール
ジイル基、6.7−キラリンジイル基などの2価の基が
挙げられる。
一般式
式中、R9は置換基を有してもよいアリール基またはへ
テロ環基を示し、具体的にはアリール基としてはフェニ
ル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ヘテロ環基とし
てはピリジル、チエニル、フリル、カルバゾリル基を示
す。
テロ環基を示し、具体的にはアリール基としてはフェニ
ル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ヘテロ環基とし
てはピリジル、チエニル、フリル、カルバゾリル基を示
す。
さらにアリール基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ
素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ
基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換ア
ミノ基が挙げられる。
素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ
基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換ア
ミノ基が挙げられる。
Xは前記一般式(2)中のXと同義である。
−1、J
式中、RLOおよびR11は置換基を有してもよいアル
キル基、アラルキル基、アリール基、またはへテロ環基
を示し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エチル
、プロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジル、
フェネチル、ナフチルメチル、アリール基としてはフェ
ニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル、ヘテロ環基
としてはカルバゾリル、チエニル、ピリジル、フリルな
どが挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素原子、
塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェ
ノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミ7基が
挙げられる。
キル基、アラルキル基、アリール基、またはへテロ環基
を示し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エチル
、プロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジル、
フェネチル、ナフチルメチル、アリール基としてはフェ
ニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル、ヘテロ環基
としてはカルバゾリル、チエニル、ピリジル、フリルな
どが挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素原子、
塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェ
ノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミ7基が
挙げられる。
Xは前記一般式(2)中のXと同義である。
以下に本発明の一般式(1)で示すジスアゾ顔料の代表
的な具体例を列挙する。
的な具体例を列挙する。
例示顔料は、基本型において、相違部分であるA1.A
2 、RL 、R2、R3、R4のみを記載することで
具体的構造を表わすこととする。
2 、RL 、R2、R3、R4のみを記載することで
具体的構造を表わすこととする。
例示顔料(1)
例示顔料(2)
例示顔料(3)
例示顔料(4)
例示顔料(5)
例示顔料(6)
例示顔料(7)
例示顔料(8)
A1.A2: CユH5
H
例示顔料(9)
i
例示顔料(10)
例示顔料(l 1)
A1.A2: cHm
H
例示顔料(13)
例示顔料(14)
例示顔料(15)
例示顔料(16)
例示顔料(17)
例示顔料(18)
例示顔料(20)
例示顔料(21)
例示顔料(22)
例示顔料(23)
例示顔料(24)
例示顔料(25)
例示顔料(26)
例示顔料(27)
例示顔料(28)
例示顔料(29)
例示顔料(30)
基本型2
例示顔料(31)
R2ニーNo工
R2ニーCN
例示顔料(33)
基本型3
例示顔料(34)
R3、R4: −0(R3
例示顔料(35)
R3:HR4ニーCH3
例示顔料(36)
R3、R4: −CH3
例示顔料(37)
基本型4
例示顔料(38)
基本yf15
例示顔料(39)
A1.A2: CH3
H
R2ニーCH3R3、R4: C1
例示顔料(40)
R2:HR3:)I、R4ニーON
上記具体例で示したジスアゾ顔料は本発明の特許請求の
範囲を限定するものではない。
範囲を限定するものではない。
これらジスアゾ顔料は、1種または2種以上組み合せて
用いることができる。
用いることができる。
これらのジスアゾ顔料は、例えば下記構造式の常法によ
り亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し1次いで一般
式(2)〜(8)で示すフェノール性水酸基を有するカ
プラー残基を有するカプラーをアルカリの存在下に水系
カップリングするか、または、前記ジアミンのテトラゾ
ニウム塩をBF4塩、PF6塩あるいは塩化亜鉛複塩な
どの形で一旦単離した後、適当な溶剤、例えばN、N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶
剤中でアルカリの存在下でカプラーとカップリングする
ことにより容易に合成することができる。
り亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し1次いで一般
式(2)〜(8)で示すフェノール性水酸基を有するカ
プラー残基を有するカプラーをアルカリの存在下に水系
カップリングするか、または、前記ジアミンのテトラゾ
ニウム塩をBF4塩、PF6塩あるいは塩化亜鉛複塩な
どの形で一旦単離した後、適当な溶剤、例えばN、N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶
剤中でアルカリの存在下でカプラーとカップリングする
ことにより容易に合成することができる。
前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下達する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
って下達する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
即ち1本発明の具体例では導電性基板の上に前述のジス
アゾ顔料を真空蒸若法により被膜形成するか、あるいは
適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成すること
により電子写真感光体を作成することができる。
アゾ顔料を真空蒸若法により被膜形成するか、あるいは
適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成すること
により電子写真感光体を作成することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示すジスアゾ顔料を含有し、か
つ発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面ないしは導
電性基板との界面まで効率的に輸送されるために、薄膜
層、例えば5ル以下、好ましくは0.0l−1LLの膜
厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。
多くの前述の光導電性を示すジスアゾ顔料を含有し、か
つ発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面ないしは導
電性基板との界面まで効率的に輸送されるために、薄膜
層、例えば5ル以下、好ましくは0.0l−1LLの膜
厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。
このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収されて
多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキャ
リアを再結合や捕獲(トラップ)により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに起因している
。
多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキャ
リアを再結合や捕獲(トラップ)により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに起因している
。
電荷発生層は、前記ジスアゾ顔料を適当なバインダーに
分散させ、これを導電性基板の上に塗工することによっ
て形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成する
ことによって得ることができる。
分散させ、これを導電性基板の上に塗工することによっ
て形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成する
ことによって得ることができる。
電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。
好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレート(ビ
スフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、ポリカー
ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド
、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることが
できる。
スフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、ポリカー
ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド
、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることが
できる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40重量%以下が適している。
しくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。
具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソプロパツールなどのアルコール類。
イソプロパツールなどのアルコール類。
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなど
のケトン類、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−
ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル
類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、
四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪属ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン。
のケトン類、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−
ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル
類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、
四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪属ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン。
キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族炭化水素類などを用いることがで
きる。
ベンゼンなどの芳香族炭化水素類などを用いることがで
きる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーニーティング法
スピンナーコーティング法、ビードコーチインク法、マ
イヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、
ローラーコーティング法。
スピンナーコーティング法、ビードコーチインク法、マ
イヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、
ローラーコーティング法。
カーテンコールコーチインク法などのコーティング法を
用いて行なうことができる。
用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい、加熱乾燥は、30〜200℃の温度で5分〜
2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。
好ましい、加熱乾燥は、30〜200℃の温度で5分〜
2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、また
その下に積層されていてもよい。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、また
その下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、電荷輸
送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電磁波
の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい、こ
こでいう電磁波とは、γ線、X線、紫外線、可視光線、
近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の光線
の定義を包含する。
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、電荷輸
送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電磁波
の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい、こ
こでいう電磁波とは、γ線、X線、紫外線、可視光線、
近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の光線
の定義を包含する。
電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致
またはオーバーラツプする時には、両者で発生した電荷
キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。
またはオーバーラツプする時には、両者で発生した電荷
キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テトラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,
5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5
.7−チトラニトロキサントン、2,4.8−トリニド
ロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸
引性物質を高分子化したものなどがある。
があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テトラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,
5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5
.7−チトラニトロキサントン、2,4.8−トリニド
ロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸
引性物質を高分子化したものなどがある。
正札輸送性物質としてはピレン、N−エチルカルバゾー
ル、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール。
ル、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール。
N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−1〇
−エチルフェノチアジン、p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ピロリ
ジノベンズアルデヒド−N。
−エチルフェノチアジン、p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ピロリ
ジノベンズアルデヒド−N。
N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズアルデ
ヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン
などのヒドラゾン類、2.5−ビス(p−ジエチルアミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、l−フ
ェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(
p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリ
ジル(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン。
ヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン
などのヒドラゾン類、2.5−ビス(p−ジエチルアミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、l−フ
ェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(
p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリ
ジル(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン。
l−[6−メドキシーピリジル(2)] −3−(p−
ジエチルアミノスチリル)−s−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−[レビジル(2)]−3−
(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、l−[ピリジル(3)]
−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(
2)]−3−((p−ジエチル7ミノスチリル)−4−
メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、l−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル
)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、2
−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−シエチルアミ
ノベンズオキサゾール、2−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−4−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−(
2−クロロフェニル)オキサゾールなどのオキサゾール
系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−
シエチルアミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化
合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル
)−フェニルメタンなどのトリアリールメタン系化合物
、1.1−ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−メ
チルフェニル)へブタン、1,1,2.2−テトラキス
(4−N 、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル
)エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニル
アミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピ
レン、ポリビニルアントラセン。
ジエチルアミノスチリル)−s−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−[レビジル(2)]−3−
(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、l−[ピリジル(3)]
−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(
2)]−3−((p−ジエチル7ミノスチリル)−4−
メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、l−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル
)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、2
−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−シエチルアミ
ノベンズオキサゾール、2−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−4−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−(
2−クロロフェニル)オキサゾールなどのオキサゾール
系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−
シエチルアミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化
合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル
)−フェニルメタンなどのトリアリールメタン系化合物
、1.1−ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−メ
チルフェニル)へブタン、1,1,2.2−テトラキス
(4−N 、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル
)エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニル
アミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピ
レン、ポリビニルアントラセン。
ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルフェニルアン
トラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカル
バゾール−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
トラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカル
バゾール−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テル
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は1種または2種以上組合
せて用いることができる。
せて用いることができる。
電荷輸送物質が成膜性を有していないときには適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は。
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は。
例えばアクリル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−
スチレンコポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコ
ポリマー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニル
カルバゾールポリビニル7ントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーが挙げられる。
ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−
スチレンコポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコ
ポリマー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニル
カルバゾールポリビニル7ントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーが挙げられる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般的
には5〜30.であるが、好ましい範囲は8〜20IL
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述したような適当なコーティング法を用いることができ
る。
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般的
には5〜30.であるが、好ましい範囲は8〜20IL
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述したような適当なコーティング法を用いることができ
る。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電層を有する基板の上に設けられる。導電
層を有する基板としては、基板自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、
ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン
、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられる。
感光層は、導電層を有する基板の上に設けられる。導電
層を有する基板としては、基板自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、
ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン
、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられる。
その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された暦を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル
、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリフ
ッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばカーボンブラ
ック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラス
チックの上に被覆した基板、導電性粒子をプラスチック
や紙に含浸した基板や導電性ポリマーを有するプラスチ
ックなどを用いることができる。
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された暦を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル
、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリフ
ッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばカーボンブラ
ック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラス
チックの上に被覆した基板、導電性粒子をプラスチック
や紙に含浸した基板や導電性ポリマーを有するプラスチ
ックなどを用いることができる。
導電性基板と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能
をもつ下引層を設けることもできる。
をもつ下引層を設けることもできる。
下引層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド
(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重合
ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリウ
レタン、ゼラチン。
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド
(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重合
ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリウ
レタン、ゼラチン。
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は0.1〜5IL、好ましくは0゜5〜3
終が適当である。
終が適当である。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した感
光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性
物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必
要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子は電荷輸送層に注入され、その後、基
板に達する。
光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性
物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必
要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子は電荷輸送層に注入され、その後、基
板に達する。
一方、電荷発生層において生成した正孔は1表面に達し
1表面型位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。
1表面型位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。
像すれば、可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナ゛−像を紙やプラ
スチックフィルムなどに転写後、現像し定着することが
できる。
スチックフィルムなどに転写後、現像し定着することが
できる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後視
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなる場合、電荷
発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後基板に達する。一方、電荷発
生層において生成した電子は1表面に達し、表面電位の
減衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる
。現像時には電子輸送性物質を用いたときとは逆に負荷
電性トナーを用いる必要がある。
発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後基板に達する。一方、電荷発
生層において生成した電子は1表面に達し、表面電位の
減衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる
。現像時には電子輸送性物質を用いたときとは逆に負荷
電性トナーを用いる必要がある。
また1本発明の別の具体例として、前述の一般式(1)
で示すジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含
有させた電子写真感光体を挙げることができる。この際
、前述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾ
ールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯化合
物を用いることができる。
で示すジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含
有させた電子写真感光体を挙げることができる。この際
、前述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾ
ールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯化合
物を用いることができる。
この例の電子写真感光体は、前記ジスアゾ顔料と電荷移
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成できる
。
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成できる
。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
(1)で示すジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも1種
類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶
質であってもよい、また、必要に応じて光吸収の異なる
顔料を組合せて使用し感光体の感度を高めたり、パンク
ロマチックな感光体を得るなどの目的で一般式(1)で
示すジスアゾ顔料を2種類以上組合せたり、または公知
の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用
することも可能である。
(1)で示すジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも1種
類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶
質であってもよい、また、必要に応じて光吸収の異なる
顔料を組合せて使用し感光体の感度を高めたり、パンク
ロマチックな感光体を得るなどの目的で一般式(1)で
示すジスアゾ顔料を2種類以上組合せたり、または公知
の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用
することも可能である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
[実施例]
実施例1−15
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液をマイヤーバ
ーで乾燥後の膜厚が 1.OILとなるように塗布し乾
燥した。
ーで乾燥後の膜厚が 1.OILとなるように塗布し乾
燥した。
次に、前記例示顔料(1)の5gをエタノール95+*
Jlにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2
gを溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散した。
Jlにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2
gを溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散した。
この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜
厚が0.5庵となるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。
厚が0.5庵となるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。
のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート(
数平均分子量lO万)5gをベンゼン70IInに溶解
し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が16gとな
るようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形
成し、実施例1の電子写真感光体を作成した。
数平均分子量lO万)5gをベンゼン70IInに溶解
し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が16gとな
るようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形
成し、実施例1の電子写真感光体を作成した。
例示顔料(1)に代え他の例示顔料を用い実施例2〜1
5に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成した
。
5に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成した
。
このようにして作成した電子写真感光体を静電複写紙試
験装置(Model EPA−8100、川口電機輛
製)を用い、スタティック方式で一6KVでコロナ帯電
し、暗所で1秒間保持した後、照度2ルツクスで露光し
、帯電特性を調べた。
験装置(Model EPA−8100、川口電機輛
製)を用い、スタティック方式で一6KVでコロナ帯電
し、暗所で1秒間保持した後、照度2ルツクスで露光し
、帯電特性を調べた。
帯電特性としては、表面電位(vO)と1秒間暗減衰さ
せた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光! (E
1/2)を測定した。結果を示す。
せた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光! (E
1/2)を測定した。結果を示す。
・ 八 V −V El/2 lu
x 5ec1 (1) 620 4.0
2 (2) 610 2.33
(3) s15 3.04 (8)
590 3.65’ (10) 600
2.86 (13) 585 3.8
’7 (14) 620 3.38
(16) 625 3.29 (18)
590 2.710 (22) 6
10 2.311 (24) 625
2.512 (21) 600 3.01
3 (30) 605 3.114 (
38) 620 2.915 (38)
625 3.2上記の結果から1本発明の電子写
真感光体はいずれも十分な帯電能と十分な感度を有して
いることが分る。
x 5ec1 (1) 620 4.0
2 (2) 610 2.33
(3) s15 3.04 (8)
590 3.65’ (10) 600
2.86 (13) 585 3.8
’7 (14) 620 3.38
(16) 625 3.29 (18)
590 2.710 (22) 6
10 2.311 (24) 625
2.512 (21) 600 3.01
3 (30) 605 3.114 (
38) 620 2.915 (38)
625 3.2上記の結果から1本発明の電子写
真感光体はいずれも十分な帯電能と十分な感度を有して
いることが分る。
実施例16〜20
実施例1.2,4.6.10で作成した電子写真感光体
を用い繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測
定した。方法としては−6,5KVのコロナ帯電器、露
光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系および
クリーナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光
体を貼り付けた。この複写機はシリンダーの駆動に伴な
い、転写紙上に画像が得られる構成になっている。
を用い繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測
定した。方法としては−6,5KVのコロナ帯電器、露
光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系および
クリーナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光
体を貼り付けた。この複写機はシリンダーの駆動に伴な
い、転写紙上に画像が得られる構成になっている。
この複写機を用いて、初期の明部電位(VL )と暗部
電位(VD)を、ツレツレ、−100V、−600V付
近に設定し、5.ooo回使用した後の明部電位(VL
)と暗部電位(vo )を測定した。結果を示す。
電位(VD)を、ツレツレ、−100V、−600V付
近に設定し、5.ooo回使用した後の明部電位(VL
)と暗部電位(vo )を測定した。結果を示す。
20 to 595 1
10実施例21 厚さ100ttのアルミ板上にカゼインの7ンモ二7水
溶液を塗布、乾燥して膜厚0.5ILの下引層を形成し
た。
10実施例21 厚さ100ttのアルミ板上にカゼインの7ンモ二7水
溶液を塗布、乾燥して膜厚0.5ILの下引層を形成し
た。
次に、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン5g
とポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子1k30
万)5gをテトラヒドロフラン70m文に溶かして電荷
移動錯化合物を調製した。
とポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子1k30
万)5gをテトラヒドロフラン70m文に溶かして電荷
移動錯化合物を調製した。
この電荷移動錯化合物と例示顔料(3)の1gをポリエ
ステル(商品名バイロン、東洋紡■製)5gをテトラヒ
ドロフラン70m1に溶かした液に加え、分散した。こ
の分散液を下引層の上に塗布、乾燥して12μの層を形
成し、電子写真感光体を作成した。
ステル(商品名バイロン、東洋紡■製)5gをテトラヒ
ドロフラン70m1に溶かした液に加え、分散した。こ
の分散液を下引層の上に塗布、乾燥して12μの層を形
成し、電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体の電子写真特性を実施例1と同様の
方法により測定した。但し、帯電は十とした。結果を示
す。
方法により測定した。但し、帯電は十とした。結果を示
す。
V6:+600V
El/2:4.2Jlux、sec
実施例22
実施例21で用いたカゼイン層を形成したアルミ基板の
カゼイン層上に、実施例1の電荷輸送層、電荷発生層を
順次JMl!シ、層構成を異にする他は実施例1と全く
同様にして電子写真感光体を作成し、実施例1と同様の
方法により電子写真特性を測定した。但し、帯電極性は
十とした。
カゼイン層上に、実施例1の電荷輸送層、電荷発生層を
順次JMl!シ、層構成を異にする他は実施例1と全く
同様にして電子写真感光体を作成し、実施例1と同様の
方法により電子写真特性を測定した。但し、帯電極性は
十とした。
結果を示す。
V6 :+800V
El/2 : 4.3iuX、Sec
実施例23
実施例11で作成した電子写真感光体を780nmに発
掘波長を有する半導体レーザーにより露光したところ1
分光感度は2.0JLJ/cm2 (半減露光量)で
あった。
掘波長を有する半導体レーザーにより露光したところ1
分光感度は2.0JLJ/cm2 (半減露光量)で
あった。
次に、この感光体塗布液をレーザービームプリンター(
商品名LBP−CX、キャノン■製)の 、ドラム上
に塗布し、実写テストを行なったところ、カブリのない
良好な画像が得られた。また、これは10,000回繰
り返しても変ることなく良好な画像が得られた。
商品名LBP−CX、キャノン■製)の 、ドラム上
に塗布し、実写テストを行なったところ、カブリのない
良好な画像が得られた。また、これは10,000回繰
り返しても変ることなく良好な画像が得られた。
実施例24
実施例23で使用した電子写真感光体における例示顔料
(24)に代え、(17)、(18)。
(24)に代え、(17)、(18)。
(23)、(34)を用いた他は同様にしてドラム上の
感光体を作成した。
感光体を作成した。
それぞれの感光体の780nmにおける分光感度を測定
した。結果を示す。
した。結果を示す。
例示顔料 半減露光量(pJ/cm2)(17)
2・5 (18) 3.1 (23) 2.6 (34) 2.8 次に実施例23と同様にして実写テストを行なったとこ
ろカブリのない画像が得られ、これは1万回繰り返して
も変化はなかった。
2・5 (18) 3.1 (23) 2.6 (34) 2.8 次に実施例23と同様にして実写テストを行なったとこ
ろカブリのない画像が得られ、これは1万回繰り返して
も変化はなかった。
[発明の効果]
本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を光導
電層に含有することにより、当該ジスアゾ顔料を含む光
導電層内部における電荷キャリア発生効率ないしは電荷
キャリア輸送効率のいずれかの一方または双方が良くな
ることが推定され。
電層に含有することにより、当該ジスアゾ顔料を含む光
導電層内部における電荷キャリア発生効率ないしは電荷
キャリア輸送効率のいずれかの一方または双方が良くな
ることが推定され。
高感度で耐久使用時における電位安定性の優れた電子写
真感光体であり、また、半導体レーザーの発振波長域に
おいても高感度でカブリのない良好な画像を得ることが
できる。
真感光体であり、また、半導体レーザーの発振波長域に
おいても高感度でカブリのない良好な画像を得ることが
できる。
Claims (8)
- (1)導電性基板上に光導電層を有する電子写真感光体
において、光導電層に下記一般式(1)で示すジスアゾ
顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 式中、A_1およびA_2はフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基を示し、A_1、A_2は同じであって
も異なっていてもよく、R_1、R_2、R_3および
R_4は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基またはシアノ基を示、R_1、R_2
、R_3、R_4は同じであっても異なっていてもよい
。 - (2)一般式(1)中のA_1、A_2の一方または双
方が下記一般式(2)で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中、Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいはヘ
テロ環を形成するに必要な残基、R_5およびR_6は
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基、ヘテロ環基またはR_5、R_6の
結合する窒素原子を環内に含む環状アミノ基を示す。 - (3)一般式(1)中のA_1およびA_2の一方また
は双方が下記一般式(3)で示すフェノール性水酸基を
有するカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の
電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(3) 式中、R_7は置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基あるいはアラルキル基を示す。 - (4)一般式(1)中のA_1、A_2の一方または双
方が下記一般式(4)で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) 式中、R_8は置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基またはアラルキル基を示す。 - (5)一般式(1)中のA_1、A_2の一方または双
方が下記一般式(5)で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。 - (6)一般式(1)中のA_1、A_2の一方または双
方が下記一般式(6)で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。 - (7)一般式(1)中のA_1、A_2の一方または双
方が下記一般式(7)で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(7) 式中、R_9は置換基を有してもよいアリール基または
ヘテロ環基を示し、Xは前記一般式(2)中のXと同義
である。 - (8)一般式(1)中のA_1、A_2の一方または双
方が下記一般式(8)で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(8) 式中、R_1_0およびR_1_1は置換基を有しても
よいアルキル基、アリール基、アラルキル基またはヘテ
ロ環基を示し、Xは前記一般式(2)中のXと同義であ
る。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29744387A JPH01140164A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29744387A JPH01140164A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01140164A true JPH01140164A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17846583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29744387A Pending JPH01140164A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01140164A (ja) |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP29744387A patent/JPH01140164A/ja active Pending
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