JPS63163366A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野〕 本発明は新規な電子写真感光体に関するものであり、更
に詳しくは特定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導
電層中に含有する電子写真感光体に関するものである。

〔従来の技術〕

従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。

例えば、’　ＲＣＡ　Ｒｅｖｉ＠ｗ”Ｖｏｌ、　２３．
Ｐ、　４１３〜Ｐ、４１９（１９６２，９）ではフタロ
シアニン顔料の光導電性についての発表がなされており
、又このフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が
米国特許第３，３９７，０８６号公報や米国特許第３．
８１６，１１８号公報等に示されている。その他に、電
子写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国
特許第４，３１５，９８３号公報、米国特許第４．３２
７，１６９号公報や”　Ｒｓａ＠ａｅｈ　Ｄｌｓｅｌｏ
ｓｕｒ＠’２０５１７（１９８１，５）に示されている
ピリリウム系染料、米国特許第３，８２４，０９９号公
報に示されているスクエアリック醗メチン染料、米国特
許第３．８９８，０８４号公報、米国特許第４．２５１
，６１３号公報に示されたシスアゾ顔料等があげられる
。

この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体は
、感色性が良くなるという利点を有しているが、感度お
よび耐久性等にまだまだ解決すべき多くの問題点を有し
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は新規な光導電性材料を提供することにあ
る。

本発明のもう一つの別な目的は現在するすべての電子写
真ゾロセスにおいても使用可能であり実用的な高感度特
性と繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。

本発明の第二の別な目的は、可視域から近赤外、赤外領
域にまたがる広い分光感度を有する電子写真感光体を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は導電性基板上に光導電層を有する電子写真感光
体において、光導電層に一般式（１）で示されるジスア
ゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体であ
る。

一般式 ただし、一般式（１）中のＲ，、Ｒ２１Ｒ，は水素、ア
ルキル基（メチル、エチル、プロピル、イソゾロピル、
ブチル、　１ｅｅ−ブチル、ｔ−ブチル等）、アルコキ
シ基（メトキシ、エトキシ、プロ／ｄＰシ、フェノキシ
等）、ハロダン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、
シアン基、ニトロ基を示し、Ｒ１゜Ｒ２，Ｒ，はそれぞ
れ同じであっても異なりていてもよい。Ｒ４は水素、ア
ルキル基（メチル、エチル、グロビル、イソゾロビル、
ブチル、Ｓ・Ｃ−ブチル。

ｔ−メチル等）、アリール基（フェニル、ｐ−トルイル
等〕、アラルキル基（ペンノル、フェネチル、ナフチル
メチル等〕を示す。

一般式（１）中のＡ　、　Ａ’はフェノール性ＯＨ基を
有する力ゾラー残基を示し、Ａ　、　Ａ’の示すカブラ
−残基のより好ましい具体例としては一般式（２）〜（
８）で示され、Ａ　、　Ａ’は同じであっても異なって
いてもよい。

一般式 式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合して′ナフタレン環、
アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環゛、ノペンゾナフトフラン環、ジ
フェニレンサルファイト環等の多環芳香環ないしは、ヘ
テロ環を形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることが感度の
点でより好ましい。

式（２）中のＲ５，Ｒ６は水素、置換基を有していても
よいアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環
基ないしはＲ５，Ｒ６の結合する窒素原子とともに環状
アミノ基を示す。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、ゾロビル
、ブチル等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル
、フェネチル、ナフチルメチル等が、アリール基の具体
例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリ
ル等が、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、・
ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリノン等があげられる。

一般式 式（３）　ｅ　（４）中のＲ，、Ｒ８は水素、′ｔＮｔ
換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基を示す。Ｒ，＃　Ｒ８の具体例は前記Ｒ５＃　
Ｒ６と同じ例によって示される。

式（２）〜（４）中の置換基Ｒ５〜Ｒ８の示すアルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテロ
環基は更に他の置換基例えばフッ素、塩累、ヨウ素、臭
素等のハロゲン基、メチル、エチル、ゾロビル、イソプ
ロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、
プロＩキシ、フェノヤシ等のアルコキシ基、ニトロ基、
シアノ基、ジメチルアミノ、ノペン・クルアミノ、ジフ
ェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等
の置換アミン基により置換されていてもよい。

一般式 式（５）　、　＜６）中のＹは芳香族炭化水素の２価の
基ないしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を
示す。

芳香族炭化水素の２価の基としては０−７エニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、〇−ナフチレン、ペ
リナフチレン、１，２−アンスリレン、９，１０−フェ
ナンスリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基
が挙げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２
価の基としては、３，４−ピラゾールノイル基、２，３
−ピリジン・ジイル基、４．５−ビリミシンジイル基、
６，７−インダゾールノイル基、６，７−キラリンノイ
ル基等の２価の基が挙げられる。

一般式 式（７）中のＲ７は置換基を有していてもよいアＩＪ−
ル基ないしはへテロ環基を示し具体的にはフェニル、ナ
フチル、アンスリル、ピレニル、ピリゾル、チェニル、
フリル、カルバゾリル基を示す。

Ｒ７の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としてはフ
ッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エ
チル、プロピル、インプロピル、エチル等のアルキル基
、メトキシ、エトキシ、ゾロポキシ、フェノキシ等のア
ルコキシ基、ニトロ基、シアン基、ジメチルアミノ、ジ
ベンゾルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペ
リツノ、ピロリツノ等の置換アミノ基が挙げられる。

式（８）中の８１０　＃　Ｒ１１は置換基を有していて
もよいアルキル基、アリール基、アラルキル基、ないし
はへテロ環基を示し具体的にはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、
フェニル、ナフチル、アンスリル、ジフェニル、カルバ
ゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズ
チアゾール、チアゾール、ビリノンを示す。

式（８）中のＲ１゜、Ｒ１，の示すアルギル基、アリー
ル基、アラルキル基、ヘテロ環基の置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチ
ル、プロピル、インプロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノ中シ等のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベ
ンゾルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリ
ツノ、ピロリツノ等の置換アミン基が挙げられる。

次に本発明に用いられるジスアゾ顔料の一般的な製法に
ついて述べる。

一般式（１）で示されるジスアゾ顔料でＡ　、　Ａ’が
同一である場合、一般式（９） （Ｒ１ｔ　Ｒ２＃　Ｒ５ｔ　Ｒ４は一般式（１）に記載
した内容に等しい） で示されるシアミンを亜硝酸ソーダ又はニトロシル硫酸
等の常法によりテトラゾニウム塩としカプラー成分であ
るＡ　、　Ａ’　　と水系カップリングを行なうかある
いは得られたテトラゾニウム塩をホウフッ化塩等の安定
な塩として取り出したのちＤＭＦ等の有機溶剤中でカッ
プリングを行なうことで得ることができる。Ａ　、　Ａ
’が異なる場合はカップリング反応の際まず第一のカプ
ラー成分とカップリングを行ないモノアノ体としたのち
第二のカプラー成分と力、プリングを行ないジスアゾ顔
料とするか、若しくは２つのカプラー成分を混合して力
、ブリング反応を行なうことで得ることができるが、確
実に非対称顔料を得るためには前者の方法が好ましい。

次に本発明で用いるジスアゾ顔料の具体例を第１表に列
挙する。ただし第１表の具体例で示されるジスアゾ顔料
は本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。

前述のシスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下達する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。

すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のシスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることにより電子写真感光体を調製することができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば５μ以下、好ましくは０．０１〜１μの膜厚をもつ
薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量の
大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリア
を生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結合
や捕獲（トラ、デ〕により失活することなく電荷輸送層
に注入する必要があることに帰因している。

電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダーに分散
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することによっ
て得ることができる。電荷発生層を塗工によって形成す
る際に用いつる・１インダーとしては広範な絶縁性樹脂
から選択でき、マタポリーＮ−ビニルカルバゾール、−
リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機光
導電性プリマーから選択できる。好ましくは、Ｉリビニ
ルプチラール、ボリアリレート（ビスフェノールＡとフ
タ／Ｌ’＆の縮重合体など。）／リカーゲ＊−４．／リ
エステル、フェノキシ樹脂、４り酢酸ビニル、アクリル
樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、Ｉリアミド、ポリビニ
ルぎりジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキ
シ樹脂、カゼイン、／＋７ビニルアルコール、ぼりビニ
ルビクリトンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。

電荷発生層中に含有する樹脂は、８０重を憾以下、好ま
しくは４０重を慢以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の１類によって異
なり、また下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましいＧ具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソゾロ−ノールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒ
ドロフラン、ジオヤサン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
などのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの
脂肪族ノ・ロダン化炭化水素類あるいはベンゼン、トル
エン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、プレード；−ティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、３０℃〜２００℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
層における電荷キャリアを輸送する物質（以下、単に電
荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感応する電
磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい
。ここで言う「電磁波」とは、ｒ線、Ｘ線、紫外線、可
視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線な、どを包含する
広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーパーラ、
プする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に捕
獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、　２ｔ４＝７−　）ジニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン
、２，４．７−　）ジニトロ−９−ジシアノメチレンフ
ルオレノ’ｓ　２Ａｐ５ｐ７−チトラニトロキサントン
、　２，４．８−　）リニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したもの
等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソゾロピルカル／４ゾール、Ｎ−メチル−
Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾノー３−
メチリデン−９−エチルカルバゾール、　Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−二チルフヱ
ノチアジン、　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メ
チリデン−１０−エチルフェノキサ・シン、Ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ　−・ジフェニルヒ
ドラジノ、Ｐ−ノエチルアミノペンズアルデヒドーＮ−
α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾン、ｐ−ピロリジ
ノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ、
Ｌ３ｔ３−　）　Ｉ７メチルインドレニンーω−アルデ
ヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒト９ラゾン、Ｐ−ノエチル
ペンズアルデヒドー３−メチルベンズチア！リノン−２
−ヒト９ラゾン等のヒドラゾン類、２１５−　ヒス（ｐ
−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサゾア
ゾール、１−フェニル−５−（Ｐ−・ゾエチルアミノス
チリＡ／）−ｓ−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン、１−（キノリル（２）　）　−３−ＣＰ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニルンビラゾリン、１−〔ピリジル（２）　）　−３−
（Ｐ−ジエチルアミノフェニルンー５−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−［”６−メドキシー
ビリゾＮ（２）］−５−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル
〕−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニ／Ｌ／）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（３）　）　−ａ　−＜　ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔レピジル（２）　）　−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）〕
−５−ＣＰ−ジエチルアミノスチリル−４−メチル−３
−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル〕ヒラゾリン、１−〔
ピリジル（２）　）　−３−（α−メチル−Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−、ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、・１−フェニル−５−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−４−メチル−３−（Ｐ−ゾエチル
アミノフェニル〕ビラソリン、１−フェニル−５−（α
−ペアー）ｋ−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（
Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラ
ゾリンなどのピラゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−６−ノエチルアミノベンズオキサゾール、
２−（Ｐ−ジエチルアミノフエニＡ／）　−４−（Ｐ−
ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロフェニル
〕オキサゾール等のオキサゾール系化合物、２−ＣＰ−
ジエチルアミノスチリル〕−６−、；／エチルアミノベ
ンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニルメタン
等のトリアリールメタン系化合物、１，１−ビス（４−
Ｎ、Ｎ　−ジエチルアミン−２−メチルフェニル）ヘゲ
タン、１．１，２．２−テトラヤス（４−Ｎ、Ｎ−ツメ
チルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリ
ールアルカン類％Ｉ’リフェニルアミン、／ＩＪ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、Ｉリピニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、Ｉリピニルアクリジン、７／ＩＪ−９−ビ
ニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等があ
る。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
？リアリレート、？リエステル、Ｉリカーゲネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコーリマー、
アクリロニトリループタノエンコＩリマー、−リビニル
プチラール、Ｉリピ二ルホルマール、Ｉリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいはポＩＪ　−Ｎ−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、−リピニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜３０μであるが、好ましい範囲は８〜２０μ
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述した様な適当なコーティング法を用いることができる
。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、／４ナジウム、モリブデン、クロム、チタン
、二、ケル、インジウム、金や白金などを用いることが
でき、その他にアルミニラみ、アルミニウム合金、酸化
インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金など
を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラス
チック（例えば−リエチレン、ポリゾロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、−リフ、化エチレンなど）、導電性粒子（例えば、カ
ーゲンブラック、銀粒子など）を適当なバインダーとと
もにプラスチ、りの上に被覆した基体、導電性粒子をプ
ラスチックや紙に含浸した基体や導電性−リマーを有す
るプラスチ、りなどを用いることができる・導電層と感
光層の中間に、□バリヤー機能と接着機能をもつ下引層
を設けることもできる。下引層ハ、カゼイン、ポリビニ
ルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル
酸コ、ｊ？　＋Ｊママ−ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、Ｉリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は、０．１〜５μ、好ましくは０．５〜３
μが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の頓に積層した感光体
を使用する場合ておいて電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やグラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。

現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正電荷
性トナーを用いる必要がある。

導電ｌ→・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光
体を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性
物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必
要があり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基盤
に達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面
に達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷
電性のトナーで現像すれば可視像が得られる。

これを直接定着するか、あるいはトナー傷を紙やプラス
チ、クフィルム等に転写後現像し定着することができる
。また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用してもよく、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基盤に達する。一方、電荷発生
層において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像
時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性ト
ナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オやサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、Ｉリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述のシスアゾ顔料を
含有させた感光被膜とすることができる。この感光被膜
は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料をバイ
ンダーとともに塗工によりて被膜形成される。

本発明の別の具体例としては、前述のジスアゾ顔料を電
荷輸送物質とともに同一１−に含有させた′電子写真感
光体を挙げることができる。この際、前述の電荷輸送物
質の他にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類トリニトロフ
ルオレノンから々る電荷移動錯体化合物を用いることが
できる。この例の電子写真感光体は前述のシスアゾ顔料
と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解され
たポリエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて
調製できる。

いずれの感光体くおいても用いる顔料は一般式（１）で
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一１類の
顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質で
あってもよい。又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を
組合せて使用し感光体の感度を高めたり、・９ンクロマ
チツクな感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示さ
れるシスアゾ顔料を２種以上組合せたり、または公知の
染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用す
ることも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやＣＲＴグリンター、Ｌ
ＥＤｆリンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電
子写真応用分野にも広く用いる事ができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例によって更に説明する。

実施例１〜２５ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン１
１．２俤、アンモニア水１１．水２２２ｍｊ）をマイヤ
ーパーで乾燥後の膜厚が１．０μとなる様に塗布し乾燥
した。

次に前記例示のジスアゾ顔料Ａ１：５．Ｓ’ｔ−エタノ
ール９５Ｍにツチラール樹脂（ブチラール化度６３モル
’１）２１ｉを溶かした液に加えサンドミルで２時間分
散した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾
燥後の膜厚が０．５μとなる様にマイヤーパーで塗布し
乾燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物５１１とポリメチルメタクリレート
樹脂（ａ平均分子ｇ１０００００　）５１をぺ７ゼン７
０ｄに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
１２μとなる様にｉイヤーパーで塗布し乾燥して電荷輸
送層を形成し実施例１の感光体を作成した。シスアゾ顔
料Ａ１に代えて第１表に示す他の例示顔料を用い実施例
２〜２５に対応する感光体を全く同様にして作成した。

この様にして作成した電子写真感光体を静電複写紙試験
架［（月日電機（株）　裂Ｍｏｄ＠１８　Ｐ−４２８）
を用いてスタティック方式で一３ｋＶでコロナ帯電し暗
所で１秒間保持した後、照度２　ｌｕｘで露光し帯電特
性を調べた。

帯ＩＥ特性としては表面電位（Ｖ　）と１秒間暗減衰さ
せた時の電位を１７２に減衰するに必要な露光量（Ｅ、
／２）を測定した。この結果を第２表に示す。

また、比較顔料として以下に示されるシスアゾ顔料を合
成し、これらを実施例１と同様に評価し、結果を実施例
と共に第２表に示す。

第２表 第２表（つづき） 第２表の結果から比較顔料に比べ本発明になる感光体は
いずれも十分な感度、電位特性を有していることが明ら
かである・ 実施例２６〜３０ 実施例１，２，９．１４．２２に用いた感光体を用い、
繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した
。方法としては−５，６ｋＶのコロナ帯電器、露光光学
系、現偉器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリー
ナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼
り付けたこの複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙
上に画像が得られる構成になっている。この複写機を用
いて初期の明部電位（ＶＬ）と暗部電位（ｖＤ）をそれ
ぞれ−１３０Ｖ　、−６Ｏ０Ｖ付近に設定し５０００回
使用した後の明部電位（ＶＬ）、暗部電位（ＶＤ）を測
定した。この結果を第３表に示す。

第３表 また比較顔料１，３を用い、実施例２６と同様に評価し
た結果を第４表に示す。

第４表 第３表、第４表の結果より本発明になる顔料は繰り返し
使用時もｖＩ）・ｖＬの安定性が良好でありたＯ 実施例３１ 実施例１で作成した電荷発生層の上Ｋ、２，４．７−ド
リニトロー９−フルオレノン５１とプリー４．４′−ジ
オキシジフェニル−２，２′−プロア々ンカーデネート
（分子量３００，０００　）５　＃をテトラヒドロフラ
ン７０ｒＩＬｔに溶融して作成した塗布液を乾燥後の塗
工量が１０１／ｍ”となる様に塗布し、乾燥した。

こうして作成した゛１子写真感光体を実施例１と同様の
方法で帯電測定を行なりた。この時、帯電極性は十とし
た。この結果を以下に示す。

Ｖ　　　：＄６００ゲルト Ｅ　　　　＠　２．７　１ｕｘ、ｍ＠ｃ上の結果から、
良好な感度が得られた。

実施例３２ アルミ蒸着プリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚０．５μのＩリピニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上だ乾燥後の
膜厚が０．５μとなる様にマイヤー・９−で塗布し乾燥
して電荷発生層を形成した。次いで構造式 の♂ラゾリン化合物５Ｉとボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル戚−イソフタル葭の縮１合体）
５Ｊｌをテトラヒドロフラン７０ｍに溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が１０μとなる様に塗布し乾
燥して電荷輸送層を形成した。こうして調製した感光体
の帯電特性および耐久特性を実施例３１と同様の方法に
よって測定した。この結果を第５表に示す。

第５表 Ｖｏ　：０５９０＆ル） Ｅ　　’　２．８１ｕｘｓａ＠ｃ １／２＠ 耐久特性 第５表の結果より感度も良く耐久使用時の電位安定性も
良好である。

実施例３３ 厚さ１００μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布し乾燥して膜厚０．５μの下引層を形成した・ 次に２．４．７−　）リニトロー９−フルオレノン５１
と一す−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子ｆｔ３０
０，０００　）５．９をテトラヒドロフラン７０ｄに溶
かして電荷移動錯体化合物を形成した。この電荷移動錯
体化合物と前記例示のシスアゾ顔料蔦２：１Ｎ′ｆｔ−
リエステル樹脂を（）櫂イロン：東洋紡製）！Ｍ、をテ
トラヒドロフラン７０ｍに溶かした液に加え分散し九。

この分散液を下引層の上に塗布し乾燥して１２μの感光
体を作成した。

こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
１と同様の方法によって測定した。この結果を以下に示
す。但し帯電極性はｅとした。

■。　：ｅ６２０ボルト Ｅ　　”　３．０１ｕｘ＊ｓｓｅ しｔ　・ 上の結果から、良好な感度が得られ九。

実施例３４ 実施例３３で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカ
ゼイン層上〈実施例１の電荷輸送層、１！荷発生層を順
次積層し、層構成を異にする以外は実施例１と全く同様
にして感光体を形成し、実施例１と同様に帯電特性を測
定した。但し帯電極性をｅとした。この結果を以下に示
す。

Ｖｏ　：＄５９０＆＃ト Ｅ　　　　’　　２．９　１ｕｘａｍ＊ｅ１／２　’ 上の結果から、良好な感度が得られた。

実施例３５ 実施例７で用いた感光体ｔ−７８０ｗｍに見損波長をも
つ半導体レーザーにより露光したところ７８０−におけ
る分光感度は１．２μＪ／ｃｍ”　（半減露光量）であ
った。

次にこの感光体をキャノンＬＢＰ　−ＣＸのドラム上に
塗布し実写テストを行なったところカプリのない良好な
画像が得られた。また、これは１００００回繰り返して
も変わることはなかった。

実施例３６ 実施例３５において例示化合物潟８に代えて黒１７．２
５，３６，３８を用いた他は同様にしてドラム状の感光
体を作成した。それぞれの感光体の７８０１における分
光感度は第６表に示す通りであった。

第６表 例示化合物４　　　　１７　２５　３６　３８半減露光
ｆ（μＪ／ｅｔａ”　）　　　１．２　１．３　２．０
　２．５次に実施例３６と同様にして実写テストを行な
りたところカプリの無い画像が得られ、これは１０００
０回繰り返しても変化はなかった。

〔発明の効果〕

以上から明かな如く、本発明は特定のアゾ顔料を感光層
に用いる事により当該のアゾ顔料を含む感光層内部に於
けるキャリア発生効率ないしはキャリア輸送効率のいず
れか一方ないしは双方が良くなる事が推定され、高感度
で耐久使用時に於ける電位安定性のすぐれた感光体が得
られる。また半導体レーザーの見損波長域においても高
感度でカプリのない良好な画像を得ることができる。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基板上に光導電層を有する電子写真感光体
   において、光導電層に一般式（１）で示されるジスアゾ
   顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （ただし式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は水素、アルキル
   基、アルコキシ基、ハロゲン基、シアノ基又はニトロ基
   を示し、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３はそれぞれ同じであっ
   ても異なっていてもよい、Ｒ＿４は水素、アルキル基、
   アリール基、アラルキル基を示す。 Ａ、Ａ′はフェノール性ＯＨ基を有するカプラー残基を
   示し、Ａ、Ａ′は同じであっても異なっていてもよい。 ）
2. （２）一般式（１）中のＡが下記一般式（２）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （ただし、式中、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン
   環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾ
   ール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、
   ジフェニルサルファイト環等の多環芳香環ないしは、ヘ
   テロ環を形成するに必要な残基を示す。 Ｒ＿５、Ｒ＿６は水素、置換基を有していてもよいアル
   キル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基ないし
   はＲ＿５、Ｒ＿６の結合する窒素原子とともに環状アミ
   ノ基を示す。）
3. （３）一般式（１）中のＡが下記一般式（３）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） （ただし式中、Ｒ＿７は置換基を有していてもよいアル
   キル基、アリール基、アラルキル基を示す。）
4. （４）一般式（１）中のＡが下記一般式（４）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（４） （ただし式中、Ｒ＿６は置換基を有していてもよいアル
   キル基、アリール基、アラルキル基を示す。）
5. （５）一般式（１）中のＡが下記一般式（５）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） （ただし式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基ないしは
   窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。）
6. （６）一般式（１）中のＡが下記一般式（６）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（６） （ただし式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基ないしは
   窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。）
7. （７）一般式（１）中のＡが下記一般式（７）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（７） （ただし式中、Ｒ＿９は置換基を有していてもよいアリ
   ール基ないしはヘテロ環基を示し、Ｘはベンゼン環と縮
   合してナフタレン環、アントラセン環、カルバゾール環
   、ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾ
   ナフトフラン環、ジフェニレンサルファイト環等の多環
   芳香環ないしは、ヘテロ環を形成するに必要な残基を示
   す。）
8. （８）一般式（１）中のＡが下記一般式（８）で示され
   る特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（８） （ただし式中、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１は置換基を有し
   ていてもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基な
   いしはヘテロ環基を示す、Ｘはベンゼン環と縮合してナ
   フタレン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンズ
   カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフ
   ラン環、ジフェニレンサルファイト環等の多環芳香環な
   いしは、ヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。）