JPS6392957A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な電子写真感光体に関するものであり、更
に詳しくは特定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導
電層中に含有する電子写真感光体に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機光
導電体をｔｉｔ層主成分として用いた電子写真感光体は
広（知られている。

一方、特定の有機化合物が光導電性を示すことが発見さ
れてから数多くの有機光導電体が開発されてきた。特に
光導電性を示す顔料や染料を用いた電子写真感光体につ
いては、例えば米国特許第３，３９７，０８６号、同第
３，８１６，１１８号公報等に示されているフタロシア
ニン顔料を用いた電子写真感光体、米国特許第４，３１
５，９８３号、同第４．３２７，１６９号公報等に示さ
れているピリリウム系染料を用いた電子写真感光体、米
国特許第３，８２４゜０９９号公報等に示されているス
クエアリック酸メチン染料を用いた電子写真感光体、米
国特許第４，２５１，６１３号、同第４，２７８，７４
７号、同４，２９３゜６２８号公報等に示されているジ
スアゾ顔料を用いた電子写真感光体などがあげられる。

この様な有機光導電体を用いた電子写真感光体はバイン
ダーを適当に選択することによって塗工方法で生産でき
るので、無機光導電体を用いたものに比べて、安価で極
めて容易に感光体の製造ができ、しかも有機顔料の選択
によって感光波長領域をコントロールできる、という利
点をもっている。しかし、この様な感光体は、感度およ
び耐久性に劣るため、これまで実用化されているものは
ごく僅かである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、新規な光導電性材料を提供することに
ある。本発明のもう一つの目的は、すべての電子写真プ
ロセスにおいて使用可能であり実用的な高感度特性と繰
り返し使用における安定な電位特性を有する電子写真感
光体を提供することにある。また、本発明の別な目的は
、可視域から近赤外、赤外領域にまたがる広い分光感度
を有する電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち本発明は、下記一般式（１）で示されるジスア
ゾ顔料を含有する光導電層を有することを特徴とする電
子写真感光体で′ｊｈる。

一般式（１）中Ｚは炭素原子または窒素原子を示す。Ｒ
１は水素原子、ニトロソ基、アルキル基、アラルキル基
、アリール基またはへテロ環基を示す。具体的には、例
えばアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、５ｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、
アリール基としてはフェニル、Ｐ−トルイル、アラルキ
ル基としてはベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、
ヘテロ環基としてはフリル、チオニル、ピロイル等が挙
げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１
の示すアルキル基、アリール基、アラルキル基またはへ
テロ環基が有してもよい置換基としては、フッ素、塩素
、ヨウ素、臭素等のハロゲン、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、フェノキシ等のアルコキシ基、
ニトロ基、シアノ基、ツメチルアミノ、ジベンジルアミ
ノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロ
リジノ等の置換アミン基などが挙げられる。

一般式（１）のＲ２，Ｒ３は、水素原子、ハロゲン、ニ
トロ基、シアノ基、アルキル基またはアルコキシ基を示
し、具体的にはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素、ニトロ、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、５
ｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシなどを示す。

Ｒ２，Ｒ３は同じであっても異なっていてもよい。

一般式（１）中のＡ１、Ａ２はフェノール性ＯＨ基を有
するカプラー残基を示し、Ａ１、Ａ２の示すカプラー残
基のより好ましい具体例としては一般式（２）〜（８）
で示される。

式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフェ
ニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしは、ヘテロ
環を形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。

式（２）中のＲ４，Ｒ５は水素原子、アルキル基、アリ
ール基、アラルキル基、ヘテロ環基ないしはＲ４，Ｒ５
の結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示す。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピル
、ブチル等、アラルキル基の具体例としてはベンジル、
フェネチル、ナフチルメチル等、アリール基の具体例と
してはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル等
、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、ジベンゾ
フラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール、チア
ゾール、ピリジン等が挙げられこれらの基は置換基を有
していてもよい。

式（２）中の置換基Ｒ４，Ｒ５の示すアルキル基、アリ
ール基、アラルキル基、ヘテロ環基は更に他の置換基１
例えばフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルア
ミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基により置
換されていてもよい。

式（３）中のＲ６は アリール基ないしはへテロ環基を示す。具体的にはフェ
ニル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チ
ェニル、フリル、カルバゾリル等を示し、これらは置換
基を有していてもよい。

Ｒ６の示すアリール基、ヘテロ環基の有していてもよい
置換基としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲ
ン、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
等のアルキル基、メトナシ、エトキシ、プロポキシ、フ
ェノキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基が
挙げられる。

式（４）中のＲ７，Ｒ８は キ＃＃アルキル基、アリール基、アラルキル基、ないし
はへテロ環基を示し、これらの基は置換基を有していて
もよい。具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル
、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、
ナフチル、アンスリル、ジフェニル、カルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジンを示す。

式（４）中のＲ７，Ｒ８の示すアルキル基、アリール基
、アラルキル基、ヘテロ環基の有していてもよい置換基
としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルア
ミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げら
れる。

Ｈ または 式（５）、　　（６）中のＲ８は水素原子、アルキル基
、アリール基、アラルキル基を示し、これらの基は置換
基を有していてもよい。Ｒ９の具体例は前記Ｒ４＋　　
Ｒ５と同じ例によって示される。

Ｈ 式（７）、　　（８）中のＹは芳香族炭化水素の２価の
基ないしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を
示す。

芳香族炭化水素の２価の基としてはＯ−フェニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、０−ナフチレン、ペ
リナフチレン、ｌ、２−アンスリレン、９．１０−フェ
ナンスリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基
が挙げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２
価の基としては、３．４−ピラゾールジイル基、２，３
−ピリジンジイル基、４．５−ピリミジンジイル基、６
．７−インダゾールジイル基、６，７−キラリンジイル
基等の２価の基が挙げられる。

次に本発明で用いる一般式（１）で示されるジスアゾ顔
料の具体例を第１表および第２表に示す。

但し、具体例で示されるジスアゾ顔料は本発明の特許請
求の範囲を限定するものではない。

第１表　　（ただし、Ｚは炭素原子を示す）第２表　　
（ただし、Ｚは窒素原子を示す）これらジスアゾ顔料は
１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

また、本発明において用いられるこれらの顔料は、例え
ば一般式（９）および（１０）で示されるジアミンをＲ
。

Ｒ宜 常法により亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し、次
いで一般式（２）〜（８）で示されるフェノール性ＯＨ
を有するカップラーをアルカリの存在下に水系カップリ
ングするか、または前記ジアミンのテトラゾニウム塩を
ＢＦ４塩、ＰＦ６塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦
単離した後、適当な溶媒たとえばＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリ
の存在下にカップラーとカップリングすることにより容
易に製造することができる。次に本発明で用いるジスア
ゾ顔料の代表的な合成例を下記に示す。

合成例　（前記例示のジスアゾ顔料Ｎｏ、１の合成）ビ
ーカーに水３０ｍｆ、濃塩酸２７ｍ１冷却しながら撹拌
し液温を３℃とした。次に亜硝酸ソーダ４．７ｇを水１
０ｍＩ！に溶かした液を液温Ｏ〜５°Ｃの範囲にコント
ロールしながら２５分間で滴下し、適下終了後同温度で
更に３０分間撹拌した。反応液にカーボンを加え濾過し
てテトラゾ液を得た。

次に２！ビーカーに水７２５　ｍ　ｌを入れ水酸化ナト
リウム２７．６ｇを溶解した後ナフトールＡＳ　（３−
ヒドロキシ−２−ナフトエ酸アニリド）１８．１ｇを添
加して溶解した。このカプラー溶液を６℃に冷却し、液
温を６〜１０℃にコントロールしながら前述のテトラゾ
液を３０分間かけて撹拌上滴下して、その後２時間撹拌
し、更に１晩放置した。反応液を濾過後、水洗し、固形
分換算で７５．９ｇの水ペーストを得た。次に４３０ｇ
のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドを用い、室温で撹拌濾
過を４回繰り返した。その後４０８ｇのＭＥＫで２回撹
拌濾過を繰り返した後減圧乾燥し、精製顔料２０．０ｇ
　（収率８０．７９％）を得た。

融点　〉３００°Ｃ 元素分析 計算値（％）　　　　実験値（％） Ｃ７２，１９７２ＪＯ Ｈ４，２８４，３２ Ｎ　　　　　１４．９７　　　　、　　１５．０１０　
　　　８．５６　　　　　　８．５７以上代表的な顔料
の合成法について述べたが、一般式（１）で示される他
のジスアゾ顔料も同様にして合成される。

前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下達する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。

すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることにより電子写真感光体を調製することができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば５μｍ以下、好ましくｔｔ　ｏ、ｏ　１〜１μｍの
膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。

電荷発生層は、前述のジスアゾ顔料を適当なバインダー
に分散させ、これを基体の上に塗工することによって形
成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成すること
によって得ることができる。電荷発生層を塗工によって
形成する際に用いつるバインダーとしては広範な絶縁性
樹脂から選択・でき、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンなど
の有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、
ポリビニルブチラール、ボリアリレート（ビスフェノー
ルＡとフタル酸の縮重合体など。）、ポリカーボネート
、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、ア
クリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポ
リビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができ
る。電荷発生層中に含有する樹脂は、８０重量％以下、
好ましくは４０重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパツールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、ジクロ
ヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ。

Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル
などのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエス
テル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ンなどの芳香族類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、マイヤーバーコーティング法などのコーティング法を
用いて行なうことができる。乾燥は、室温における指触
乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、３
０℃〜２００℃の温度で５分〜２時間の範囲の時間で、
静止または送風下で行なうことができる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これ゛らの電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。この際、この電
荷輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくま
たその下に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合、電荷輸
送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり
、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロモアニ
ル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、２，４．７−　トリニトロ−９−フルオレノン、２，
４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したもの
等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ。

Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチ
ルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−
メチリデン−１Ｏ−二チルフエノチアジン、Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフ
ェノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズ
アルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエ
チルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾリノン
ー２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、２，５−ビス（ｐ
−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾール、１１−（ピリジル（２））　−３−（α−メチ
ル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、ｌ−フェニル−３−（
ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−（ｐ
−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル
−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、ス
ピロピラゾリン等のピラゾリン類、２−（ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−６−ジニチルアミノベンズオキサゾ
ール、２−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４−（ｐ
−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロフェニ
ル）オキサゾール等のオキサゾール系化合物、２−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノベン
ゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス（４−ジエ
チルアミノ−２−・メチルフェニル）−フェニルメタン
等のトリアリールメタン系化合物、１．１−ビス（４−
Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）へブタ
ン、１゜１．２．２−テトラキス（４−Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリー
ルアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラ
セン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９＝ビニルフエニ
ルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチ
ルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質が成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性
樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がるので
、必要以上に膜層を厚くすることができない。、一般的
には、５〜３０μｍであるが、好ましい範囲は８〜２０
μｍである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には
、前述した様な適当なコーティング法を用いることがで
きる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
としてはアルミニウムなどの金属板又は金属箔、アルミ
ニウム等の金属を蒸着したプラスチックフィルムあるい
はアルミニウム箔を紙とはり合わせたもの、導電処理を
施した紙等が使用される。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウム等によって形成できる。

下引層の膜厚は、０．１〜５μｍ１好ましくは０．５〜
３μｍが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
視像し、定着する方法もとれる。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。

現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正電荷
性トナーを用いる必要がある。

導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入され、そのあと基体
に達する。

一方、電荷発生層において生成した正孔は表面に達し、
表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラス
トが生じる。この様にして出来た静電潜像を正荷電性の
トナーで現像すれば可視像が得られる。これを直接定着
するか、あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルム
等に転写後視像し定着することができる。また、感光体
上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後視像し定着す
る方法も取れる。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基体に達する。一方、電荷発
生層において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰
が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。

現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷
性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述のジスアゾ顔料を
含有させた感光皮膜とすることができる。この感光皮膜
は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料をバイ
ンダーとともに塗工によって皮膜形成される。

本発明の別の具体例としては、前述のジスアゾ顔料を電
荷輸送物質とともに同一層に含有させた電子写真感光体
を挙げることができる。この際、前述の電荷輸送物質の
他に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフル
オレノンからなる電荷移動錯体を用いることができる。

この例の電子写真感光体は前述のジスアゾ顔料と電荷移
動錯体をテトラヒドロフランに溶解されたポリエステル
溶液中に分散させた後、皮膜形成させて調製できる。

いずれの感光体においても用いる顔料は一般式（１）で
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の
顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質で
あってもよい。又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を
組み合せて使用し、感光体の感度を高めたり、パンクロ
マチックな感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示
されるジスアゾ顔料を２種類以上組み合せたり、または
公知の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組み合せ
て使用することも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやＣＲＴプリンター、Ｌ
ＥＤプリンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電
子写真　応用分野にも広（用いる事が出来る。

以下、本発明を実施例によって説明する。

実施例１〜２０ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン１
１．２％、アンモニア水１ｇ、水２２２ｍＩりをマイヤ
ーバーで乾燥後の膜厚が１．０μｍとなる様に塗布し乾
燥した。

次に前記例示のジスアゾ顔料Ｎα（１）５ｇをエタノー
ル９５ｍｆにブチラール樹脂（ブチラール化度６３モル
％）２ｇを溶かした液に加えサンドミルで２時間分散し
た。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後
の膜厚が０．５μｍとなる様にマイヤーバーで塗布し乾
燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式のヒドラゾ
ン化合物５ｇとポリメチルメタクリレート樹脂（数平均
分子量１１０００００）５をベンゼン７０ｍｊｌ！に溶
解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１２μｍ
となる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を
形成し実施例１の感光体を作成した。ジスアゾ顔料Ｎα
１に代えて第３表に示す他の例示顔料を用い実施例２〜
２０に対応する感光体を全（同様にして作成した。

この様にして作成した電子写真感光体を川口電機■製静
電複写紙試験装置ＭｏｄｅＩ　　５Ｐ−４２８を用いて
スタティック方式で一５ＫＶでコロナ帯電し暗所で１秒
間保持した後照度２Ｉ！ｕｘで露光し帯電特性を調べた
。

帯電特性としては表面電位（ＶＯ）と１秒間暗減衰させ
た時の電位を外に減衰するに必要な露光量（Ｅ　’Ａ　
）を測定した。この結果を第３表に示す。

第３表 実施例２１ 実施例１で作成した電荷発生層の上に、２，４．７−ト
リニトロ−９−フルオレノン５ｇとポリ−４，４′−ジ
オキシジフェニル−２，２′　−プロパンカーボネート
（分子量３００．０００）　５ｇをテトロヒドラフラン
７０ｍｊｌ’に溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工
量が１０ｇ／ｒｒｉとなる様に塗布し乾燥した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行った。この時、帯電極性はＯとした。

この結果を第４表に示す。

第４表 ｖｏ　：　０７００　ボルト Ｅ％　　：　　　２．０　１ｕｘ１１ｓｅｃ実施例２２ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚Ｏ２，５μｍのポリビニルアルコールの被
膜を形成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分
散液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥
後の膜厚が０．５μｍとなる様に妥イヤーバーで塗布し
乾燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式 のピラゾリン化合物５ｇとボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）
５ｇをテトロヒドラフラン７０ｍ１に溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が１０μｍとなる様に塗布し
乾燥して電荷輸送層を形成した。

こうして調製した感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例１と同様の方法によって測定した。

この結果を第５表に示す。

第５表 Ｖｏ　：　０７１０　　ボルト Ｅ；’２　　：　　２．Ｏｌｕｘ−ｓｅｃ耐久特性 第５表の結果より感度も良（耐久使用時間の電位安定性
も良好である。

実施例２３ 厚さ１００μｍのアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し、乾燥して膜厚０．５μｍの下引層を形成
した。

次に２．４．７−　トリニトロ−９−フルオレノン５ｇ
とポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量３００
．０００）　５ｇをテトラヒドロフラン７０ｍ　ｌに溶
かして電荷移動錯体を形成した。この電荷移動錯体と前
記例示のジスアゾ顔料Ｎ　ｏ　、（２）　ｌ　ｇをポリ
エステル樹脂（バイロン：東洋紡製）５ｇをテトラヒド
ロフラン７０ｍ　ｌに溶かした液に加え分散した。この
分散液を下引層の上に塗布し乾燥して１２μｍの感光体
を作成した。

こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
１と同様の方法によって測定した。この結果を第６表に
示す。但し帯電極性は■とした。

第６表 ｖｏ　：　■　６９０　ボルト Ｅｙ２：　　　　２．２　１ｕｘ＊ｓｅｃ実施例２４ 実施例２３で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカ
ゼイン層上に実施例１の電荷輸送層、電荷発生層を順次
積層し、層構成を異にする以外は実施例１と全く同様に
して感光体を形成し、実施例１と同様に帯電特性を測定
した。但し、帯電極性を■とした。この結果を第７表に
示す。

第７表 ｖｏ　：　■　７００　ボルト Ｅ′Ａ：２．２１ｕＸＩＩＳｅＣ 実施例２５〜２９ 実施例３．６．　１１．　１４．　１７に用いた感光体
を用い、繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を
測定した。方法としては−５，６ＫＶのコロナ帯電器、
露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系及び
クリーナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光
体を貼り付けたこの複写機はシリンダーの駆動に伴ない
、転写紙上に画像が得られる構成になっている。この複
写機を用いて初期の明部電位（Ｖｔ、）と暗部電位（Ｖ
Ｄ）をそれぞれ−１７０Ｖ、−７００Ｖ付近に設定し、
５０００回使用した後の明部電位（Ｖｔ、）、暗部電位
（ＶＤ）を測定した。この結果を第８表に示す。

実施例３０ 実施例１９で用いた感光体を７８０ｎｍに発振波長をも
つ半導体レーザーにより露光したところ７８０ｎｍにお
ける分光感度は１．２μＪ／ｃｍ”　　（半減露光量）
であった。

次にこの半導体をキャノンＬＢＰ−ＣＸのドラム上に塗
布し実写テストを行なったところカブリのない良好な画
像が得られた。また、これは１ｏｏｏ。

回繰り返しても変ることはなかった。

実施例３１〜３４ 実施例３０において例示化合物７４に代えて１２゜２０
．２５．３１を用いた他は同様にしてドラム状の感光体
を作成した。それぞれの感光体の７８０ｎｍにおける分
光感度は第９表に示す通りであった。

第９表 例示化合物　　　　１２．　２０．　２５．　３１半減
露光１ｔ（μＪ／ｃｒｔｆ）！、２．　１．３．　２．
０．　２．５次に実施例３０と同様にして実写テストを
行なったところカブリの無い画像が得られ、これは１０
０００回繰り返しても変化はなかった。

〔発明の効果〕

本発明は特定のアゾ顔料をン傳重層に用いる事により、
このアゾ顔料を含むｆＣ／獅を層内部に於けるキャリア
ー発生効率ないしはキャリアー輸送効率のいずれか一方
ないしは双方が良（なるため、高感度で耐久使用時に於
ける電位安定性のすぐれた感光体が得られる。また半導
体レーザーの発振波長域においても高感度でカブリのな
い良好な画像を得ることができる。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料を含有
   する光導電層を有することを特徴とする電子写真感光体
   。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ただし、式（１）中Ｚは炭素原子または窒素原子を示す
   。Ｒ＿１は水素原子、ニトロソ基、アルキル基、アラル
   キル基、アリール基またはヘテロ環基を示す。Ｒ＿２、
   Ｒ＿３は水素原子、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基また
   はアルキル基、アルコキシ基を示し、Ｒ＿２、Ｒ＿３は
   それぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、Ａ
   ＿１、Ａ＿２はフェノール性ＯＨ基を有するカプラー残
   基を示し、Ａ＿１、Ａ＿２はそれぞれ同じであっても異
   なっていてもよい。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（２）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） 式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
   ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
   、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフエ
   ニレンサルフアイト環等の多環芳香環ないしは、ヘテロ
   環を形成するに必要な残基を示す。 式（２）中Ｒ＿４、Ｒ＿５は水素原子、アルキル基、ア
   リール基、アラルキル基、ヘテロ環基ないしはＲ＿４、
   Ｒ＿５の結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示す
   。）
3. （３）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（３）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） 式（３）中のＲ＿６はアリール基ないしはヘテロ環基を
   示しＸは一般式（２）中のＸと同じ意味を表わす。
4. （４）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（４）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式　 ▲数式、化学式、表等があります▼（４） 式（４）中のＲ＿７、Ｒ＿８はアルキル基、アリール基
   、アラルキル基、ないしはヘテロ環基を示す。 Ｘは一般式（２）中のＸと同じ意味を表わす。
5. （５）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（５）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式　 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） 式（５）中のＲ＿９はアルキル基、アリール基、アラル
   キル基を示す。
6. （６）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（６）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式　 ▲数式、化学式、表等があります▼（６） 式（６）中のＲ＿９は一般式（５）のＲ＿９と同じ意味
   を表わす。
7. （７）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（７）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式　 ▲数式、化学式、表等があります▼（７） 式（７）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒
   素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
8. （８）特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）中のＡ
   ＿１、Ａ＿２が下記一般式（８）で示される特許請求の
   範囲第（１）項記載の電子写真感光体。 一般式　 ▲数式、化学式、表等があります▼（８） 式（８）中、Ｙは一般式（７）中のＹと同じ意味を表わ
   す。