JPS63259572A - 電子写真感光体 - Google Patents
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特定
の分子構造を有するのジスアゾ顔料を感光層中に含有す
る電子写真感光体に関する。
の分子構造を有するのジスアゾ顔料を感光層中に含有す
る電子写真感光体に関する。
〔従来の技術]
従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多く
の文献などで発表されている。
の文献などで発表されている。
例えば、”RCA Review”Vol、23、P
、413〜F、419 (1962,9)ではフタロシ
アニン顔料の光導電性についての発表がされており、ま
たこのフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が米
国特許第3397086号明細書や米国特許第3816
118号明細書などに記載されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許第4315983号明細書、米国特許第432716
9号明細書や”Re5each Discl。
、413〜F、419 (1962,9)ではフタロシ
アニン顔料の光導電性についての発表がされており、ま
たこのフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が米
国特許第3397086号明細書や米国特許第3816
118号明細書などに記載されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許第4315983号明細書、米国特許第432716
9号明細書や”Re5each Discl。
5ure” 20517 (1981,5)に記載され
ているビリリウム系染料、米国特許第3824099号
明111I1書り記載されているスクエアリック酸メチ
ン染料、米国特許第3898084号明細書、米国特許
第4251613号明細書などに記載されたジスアゾ顔
料などが挙げられる。
ているビリリウム系染料、米国特許第3824099号
明111I1書り記載されているスクエアリック酸メチ
ン染料、米国特許第3898084号明細書、米国特許
第4251613号明細書などに記載されたジスアゾ顔
料などが挙げられる。
このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感
光体は、感色性が良くなるという利点を有しており、近
年実用化が急速に進行してきているが、感度および耐久
性において満足できるものは数少ない。
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感
光体は、感色性が良くなるという利点を有しており、近
年実用化が急速に進行してきているが、感度および耐久
性において満足できるものは数少ない。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、現
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供することにあ
る。
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供することにあ
る。
[問題点を解決する手段、作用]
本発明は、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感
光体において、感光層に下記一般式(1)で示されるジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体
から構成される。
光体において、感光層に下記一般式(1)で示されるジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体
から構成される。
一般式(1)
式中、R1およびR2は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアン基またはハロ
メチル基を示し、それぞれ同じであっても異なっていて
もよく、Zは窒素原子またはメチン基を示し、Aおよび
A′はフェノール性OH基を有するカプラー残基を示し
、AおよびA″は同じであっても異なっていてもよい。
キシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアン基またはハロ
メチル基を示し、それぞれ同じであっても異なっていて
もよく、Zは窒素原子またはメチン基を示し、Aおよび
A′はフェノール性OH基を有するカプラー残基を示し
、AおよびA″は同じであっても異なっていてもよい。
具体的には、アルキル基としてはメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、n−ブチル、t−ブチル
などが挙げられ、アルコキシ基とじてはメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、フェノキシなどの基が挙げられる。
ピル、イソプロピル、ブチル、n−ブチル、t−ブチル
などが挙げられ、アルコキシ基とじてはメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、フェノキシなどの基が挙げられる。
AおよびA′のフェノール性OH基を有するカプラー残
基のより好ましい具体例には、下記一般式(2)〜(9
)で示す残基が挙げられる。
基のより好ましい具体例には、下記一般式(2)〜(9
)で示す残基が挙げられる。
一般式
式中、Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナ
フトフラン環、ジフェこシンサルファイト環、フルオレ
ノン環などの多環芳香環あるいはへテロ環を形成するに
必要な残基を示す。
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナ
フトフラン環、ジフェこシンサルファイト環、フルオレ
ノン環などの多環芳香環あるいはへテロ環を形成するに
必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン壕、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
R3およびR4は水素原子、置換基を有してもよいアル
キル基、アリール、アラルキル基、ヘテロ環基ないしは
R3、R4の結合する窒素原子を環内に含む環状アミン
基を示す。
キル基、アリール、アラルキル基、ヘテロ環基ないしは
R3、R4の結合する窒素原子を環内に含む環状アミン
基を示す。
アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピル
、ブチルなど、アラルキル基の具体例としてはベンジル
、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具体
例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリ
ルなど、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジンなどが挙げられる。
、ブチルなど、アラルキル基の具体例としてはベンジル
、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具体
例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリ
ルなど、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジンなどが挙げられる。
一般式 Rr
式中、R5、R6は水素原子、置換基を宥してもよいア
ルキル基、アリール基あるいはアラルキル基を示す、R
5、R,の具体例は前記のR3、R4と同じ例によって
示される。
ルキル基、アリール基あるいはアラルキル基を示す、R
5、R,の具体例は前記のR3、R4と同じ例によって
示される。
一般式(2)〜(4)中の置換基R3〜R6の示すアル
キル基、アリール基、アラルキル基、フルコキシ基、ヘ
テロ環基は、さらに他の置換基、例えばフッ素原子、塩
素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどの
アルキル基。
キル基、アリール基、アラルキル基、フルコキシ基、ヘ
テロ環基は、さらに他の置換基、例えばフッ素原子、塩
素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどの
アルキル基。
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなどのア
ルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジ
ベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペ
リジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などにより置換さ
れていてもよい。
ルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジ
ベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペ
リジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などにより置換さ
れていてもよい。
一般式 、、−Y、、。
H
、、−Y、。
式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
環内に含むヘテロ環の2価の基を示し、芳香族炭化水素
の2価の基としては0−フェニレンなどの単環芳香族炭
化水素の2価の基、0−ナフチレン、ベリナフチレン、
l、2−アンスリレン、9.10−フェナンスリレンな
どの縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒
素原子を環内に含むヘテロ環の2価の基としては、3゜
4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、
4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾールジ
イル基、6.7−キラリンジイル基などの2価の基が挙
げられる。
環内に含むヘテロ環の2価の基を示し、芳香族炭化水素
の2価の基としては0−フェニレンなどの単環芳香族炭
化水素の2価の基、0−ナフチレン、ベリナフチレン、
l、2−アンスリレン、9.10−フェナンスリレンな
どの縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒
素原子を環内に含むヘテロ環の2価の基としては、3゜
4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、
4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾールジ
イル基、6.7−キラリンジイル基などの2価の基が挙
げられる。
一般式
式中、R7は置換基を有してもよいアリール基またはへ
テロ環基を示し、具体的にはアリール基としてはフェニ
ル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ヘテロ環基とし
てはピリジル、チェニル、フリル、カルバゾリル基を示
す、さらにアリール基、ヘテロ環基の置換基としては、
フッ素原子。
テロ環基を示し、具体的にはアリール基としてはフェニ
ル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ヘテロ環基とし
てはピリジル、チェニル、フリル、カルバゾリル基を示
す、さらにアリール基、ヘテロ環基の置換基としては、
フッ素原子。
塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェ
ノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミン基が
挙げられる。
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェ
ノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミン基が
挙げられる。
Xは前記一般式(2)中の又と同義である。
パX゛
式中、R8およびR9は置換基を有してもよいアルキル
基、アラルキル基、アリール基、またはへテロ環基を示
し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジル、フェ
ネチル、ナフチルメチル、アリール基としてはフェニル
、ジフェニル、ナフチル、アンスリル、ヘテロ環基とし
てはカルバゾリル、チェニル、ピリジル、フリルなどが
挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素原子、塩素
原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、ニドキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げ
られる。
基、アラルキル基、アリール基、またはへテロ環基を示
し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジル、フェ
ネチル、ナフチルメチル、アリール基としてはフェニル
、ジフェニル、ナフチル、アンスリル、ヘテロ環基とし
てはカルバゾリル、チェニル、ピリジル、フリルなどが
挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素原子、塩素
原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、ニドキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げ
られる。
Xは前記一般式(2)中の又と同義である。゛式中、F
itoおよびR11は水素原子、置換基を有してもよい
アルキル基、アラルキル基、アリール基、またはへテロ
環基を示し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エ
チル、プロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチル、アリール基としては
フェニル。
itoおよびR11は水素原子、置換基を有してもよい
アルキル基、アラルキル基、アリール基、またはへテロ
環基を示し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エ
チル、プロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチル、アリール基としては
フェニル。
ジフェニル、ナフチル、アンスリル、ジフェニル、ヘテ
ロ環基としてはカルバゾリル、チェニル、ピリジル、フ
リルなどが挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル
基、アリール基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素
原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ
、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基
、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミ
ン基が挙げられる。
ロ環基としてはカルバゾリル、チェニル、ピリジル、フ
リルなどが挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル
基、アリール基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素
原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ
、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基
、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミ
ン基が挙げられる。
又は前記一般式(2)中のXと同義である。
次に本発明に用いられるジスアゾ顔料の一般的な製法に
ついて説明する。
ついて説明する。
一般式(1)で示されるジスアゾ顔料でAおよびA′が
同一である場合は下記一般式(10)で示されるジアミ
ンを亜硝酸ソーダまたはニトロシル硫酸などの常法によ
りテトラゾニウム塩とし、(式中、R1、R2、Zは、
一般式(1)におけると同義)カプラー成分であるA、
A’と水系カップリングを行なうか、あるいは得られた
テトラゾニウム塩をホウフッ化塩などの安定な塩として
取り出したのち、DMFなどの有機溶剤中でカップリン
グを行なうことで合成でき、A、A’が異なる場合はカ
ップリング反応の際、まず第一のカプラー成分とカップ
リングを行ないモノアゾ体としたのち、第二のカプラー
成分とカップリングを行ないジスアゾ顔料とするか、も
しくは二つのカプラー成分を混合してカップリング反応
に付して合成することができるが、確実に非対称顔料を
得るためには前者の方法が好ましい。
同一である場合は下記一般式(10)で示されるジアミ
ンを亜硝酸ソーダまたはニトロシル硫酸などの常法によ
りテトラゾニウム塩とし、(式中、R1、R2、Zは、
一般式(1)におけると同義)カプラー成分であるA、
A’と水系カップリングを行なうか、あるいは得られた
テトラゾニウム塩をホウフッ化塩などの安定な塩として
取り出したのち、DMFなどの有機溶剤中でカップリン
グを行なうことで合成でき、A、A’が異なる場合はカ
ップリング反応の際、まず第一のカプラー成分とカップ
リングを行ないモノアゾ体としたのち、第二のカプラー
成分とカップリングを行ないジスアゾ顔料とするか、も
しくは二つのカプラー成分を混合してカップリング反応
に付して合成することができるが、確実に非対称顔料を
得るためには前者の方法が好ましい。
以下に本発明の一般式(1)で示されるジスアゾ顔料の
代表的な具体例を列挙する。
代表的な具体例を列挙する。
基本型(1)
AおよびA′が同一の場合
リH
基本型(2)
AおよびAoが同一の場合
基本型(3)
n
M
AおよびAoが同一の場合
六、゛ A ゛よびA′
基本型(4)
AおよびAoが同一の場合
基本型(5)
H3
AおよびAoが同一の場合
六 A ゛よびA。
基本型(6)
AおよびAoが同一の場合
六・ A よびAo
基本型(1)
AおよびAoが異なる場合
六、 A A’
I
以上の具体例は特許請求の範囲を限定するものではない
。
。
ここで例示顔料(1)の合成例を説明する。
500m文ビーカーに水100m文、濃塩酸11 、7
mJL (0、132モル)を入れ、氷水浴で冷却しな
がら、6,4゛−ジアミノ−3°−オキソ−(インデン
−1’ 、2’ :2,3−キノリン)5.23g (
0,020モル)を加え、攪拌しつり液温を3℃とした
。
mJL (0、132モル)を入れ、氷水浴で冷却しな
がら、6,4゛−ジアミノ−3°−オキソ−(インデン
−1’ 、2’ :2,3−キノリン)5.23g (
0,020モル)を加え、攪拌しつり液温を3℃とした
。
次に、亜硝耐ソーダ2.90g(0,042モル−)を
水10mJlに溶かした液を液温を5℃以下にコントロ
ールしながら10分間で滴下し、滴下終了後、同温度で
さらに30分間攪拌した。
水10mJlに溶かした液を液温を5℃以下にコントロ
ールしながら10分間で滴下し、滴下終了後、同温度で
さらに30分間攪拌した。
反応液にカーボンを加え、濾過した後に、ホウフッ化ソ
ーダ6.55g(0,,060モル)を水10mJLに
溶かした液を滴下し、析出したホウフッ化塩を濾取し、
水洗後、真空乾燥した。
ーダ6.55g(0,,060モル)を水10mJLに
溶かした液を滴下し、析出したホウフッ化塩を濾取し、
水洗後、真空乾燥した。
収量5.40g、収率79.7%
次に1文ビーカーにDMF600m文を入れ。
これにナフトールAS(2−ヒドロキシ−3−ナフトエ
酸アニリド)8.84gを溶解し、液温を5・cに冷却
し、先に得たホウフッ化塩5.40g(0、0160モ
ル)を溶解した後、トリエチルアミン3.40g (0
,0336モル)を10分間で滴下し、その後2時間攪
拌した。
酸アニリド)8.84gを溶解し、液温を5・cに冷却
し、先に得たホウフッ化塩5.40g(0、0160モ
ル)を溶解した後、トリエチルアミン3.40g (0
,0336モル)を10分間で滴下し、その後2時間攪
拌した。
反応液を濾過した後、N、N−ジメチルホルムアミド6
00mJ1で5回洗浄し、アセトンで置換し、真空乾燥
により目的のジスアゾ顔料である例示顔料(1)を得た
。
00mJ1で5回洗浄し、アセトンで置換し、真空乾燥
により目的のジスアゾ顔料である例示顔料(1)を得た
。
収量10.8g、収率83%(ホウフッ化塩ベース)
元素分析
計算値 実測値
C74,15% 74.10%
8 3.87% 3.90%
N ’12.11% 12.1096前述のジス
アゾ顔料を有する被膜は光導電性を上記具体例で示した
ジスアゾ顔料は本発明の特許請求の範囲を限定するもの
ではない。
アゾ顔料を有する被膜は光導電性を上記具体例で示した
ジスアゾ顔料は本発明の特許請求の範囲を限定するもの
ではない。
前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下述する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
って下述する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
即ち1本発明の具体例では導電性支持体の上に前述のジ
スアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるい
は適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成するこ
とにより電子写真感光体を作成することができる。
スアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるい
は適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成するこ
とにより電子写真感光体を作成することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層はJ十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示すジスアゾ顔料を含有し、か
つ発生した電荷キャリアの飛程を短くするために薄膜層
、例えば5ル以下、好ましくは0.O1〜IILの膜厚
をもつ薄膜層とすることが好ましい。
多くの前述の光導電性を示すジスアゾ顔料を含有し、か
つ発生した電荷キャリアの飛程を短くするために薄膜層
、例えば5ル以下、好ましくは0.O1〜IILの膜厚
をもつ薄膜層とすることが好ましい。
このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収されて
多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキャ
リアを再結合や捕獲(トラップ)により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに起因している
。
多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキャ
リアを再結合や捕獲(トラップ)により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに起因している
。
電荷発生層は、前記ジスアゾ顔料を適当なバインダーに
分散させ、これを導電性支持体の上に塗工することによ
って形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成す
ることによって得ることができる。電荷発生層を塗工に
よって形成する際に用い得るバインダーとしては広範な
絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンな
どの有機光導電性ポリマーから選択できる。
分散させ、これを導電性支持体の上に塗工することによ
って形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成す
ることによって得ることができる。電荷発生層を塗工に
よって形成する際に用い得るバインダーとしては広範な
絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンな
どの有機光導電性ポリマーから選択できる。
好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレート(ビ
スフェノールAとフタル酸のfIn合体など)、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリル7ミド、ポリアミ
ド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポリウレ
タン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール
、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げること
ができる。
スフェノールAとフタル酸のfIn合体など)、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリル7ミド、ポリアミ
ド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポリウレ
タン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール
、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げること
ができる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40i量%以下が適している。
しくは40i量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。
具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン1.N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチ
レングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、
8%メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレンなどの脂肪属ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化
水素類などを用いることができる。
イソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン1.N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチ
レングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、
8%メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレンなどの脂肪属ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化
水素類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、マ
イヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、
ローラーコーティング法、カーテンコールコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、マ
イヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、
ローラーコーティング法、カーテンコールコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい、加熱乾燥は、30〜200℃の温度で5分〜
2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。
好ましい、加熱乾燥は、30〜200℃の温度で5分〜
2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、また
その下にa層されていてもよい。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、また
その下にa層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、
電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロモアニル、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2
,4.7−1リニトロ−9−フルオレノン、2,4,5
.7−チトラニトロキサントン、2,4.8−トリニド
ロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸
引性物質を高分子化したものなどがある。
物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、
電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロモアニル、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2
,4.7−1リニトロ−9−フルオレノン、2,4,5
.7−チトラニトロキサントン、2,4.8−トリニド
ロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸
引性物質を高分子化したものなどがある。
正孔輸送性物質としてはピレン、N−エチルカルバゾー
ル、N−イソプロピルカルバゾール、N−メチルーN−
フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカル
バゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン。
ル、N−イソプロピルカルバゾール、N−メチルーN−
フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカル
バゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン。
N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10
−エチルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N−フ
ェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒド−
N、N−ジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン類、2
.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール、l−フェニル−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−[6−メドキシーピリジル(2
)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジ
ル(3)] −3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−
メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−フェニル−3−(α−ベンジル−p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンなどのピラゾリン類、2−(p−ジエチル
アミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオキサゾ
ール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4−(p
−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニ
ル)オキサゾールなどのオキサゾール系化合物、2−(
p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベ
ンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物、ビス(4−
ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタ
ンなどのトリアリールメタン系化合物、4−N、N−ジ
フェニルアミノスチルベン、4−メチル−4’−N、N
−ジフェニルアミノスチルベン、4−エトキシ−4”−
N。
−エチルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N−フ
ェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒド−
N、N−ジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン類、2
.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール、l−フェニル−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−[6−メドキシーピリジル(2
)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジ
ル(3)] −3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−
メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−フェニル−3−(α−ベンジル−p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンなどのピラゾリン類、2−(p−ジエチル
アミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオキサゾ
ール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4−(p
−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニ
ル)オキサゾールなどのオキサゾール系化合物、2−(
p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベ
ンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物、ビス(4−
ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタ
ンなどのトリアリールメタン系化合物、4−N、N−ジ
フェニルアミノスチルベン、4−メチル−4’−N、N
−ジフェニルアミノスチルベン、4−エトキシ−4”−
N。
N−ジエチルアミノスチリベン、3−メトキシ−4’
−N 、 N−ジフェニルアミノスチルベン、α−(4
−N、N−ジメチルアミノフェニル)−4−ジフェニル
アミノスチルベン、α−(4−N、N−ジエチルアミノ
フェニル)−4−ジフェニルアミノスチルベン、1−フ
ェニル−4−(4−N、N−ジフェニルアミノフェニル
)−1,3−ブタジェン、1−トリル−4−(4−N、
N−ジフェニル7ミノフエニル)−1,3−ブタジェン
、1−フェニル−4−(4−N、N−ジベンジルアミノ
フェニル)−1,3−ブタジェンなどのスチリル系化合
物、1.1ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−メ
チルフェニル)へブタン、1.1,2.2−テトラキス
(4−N、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)
エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホル
ムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂などがある。
−N 、 N−ジフェニルアミノスチルベン、α−(4
−N、N−ジメチルアミノフェニル)−4−ジフェニル
アミノスチルベン、α−(4−N、N−ジエチルアミノ
フェニル)−4−ジフェニルアミノスチルベン、1−フ
ェニル−4−(4−N、N−ジフェニルアミノフェニル
)−1,3−ブタジェン、1−トリル−4−(4−N、
N−ジフェニル7ミノフエニル)−1,3−ブタジェン
、1−フェニル−4−(4−N、N−ジベンジルアミノ
フェニル)−1,3−ブタジェンなどのスチリル系化合
物、1.1ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−メ
チルフェニル)へブタン、1.1,2.2−テトラキス
(4−N、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)
エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホル
ムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂などがある。
これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テル
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は1種または2種以上組合
せて用いることができる。
せて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していないときには適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は。
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は。
例えばアクリル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリルー
スチシンフポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコ
ポリマー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
填素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニル
カルバゾールポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーが挙げられる。
ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリルー
スチシンフポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコ
ポリマー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
填素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニル
カルバゾールポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーが挙げられる。
電荷輸送層は、電荷キャリアーを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般
的には5〜30ILであるが、好ましい範囲は8〜20
pである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述したような適当なコーティング法を用いることがで
きる。
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般
的には5〜30ILであるが、好ましい範囲は8〜20
pである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述したような適当なコーティング法を用いることがで
きる。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電性支持体の上に設けられる。導電性支持
体としては、支持体自体が導電性をもつもの、例えばア
ルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス
、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル
、インジウム、金や白金などが用いられる。
感光層は、導電性支持体の上に設けられる。導電性支持
体としては、支持体自体が導電性をもつもの、例えばア
ルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス
、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル
、インジウム、金や白金などが用いられる。
その他にアルミニウム、アルミニウム合金、S化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばカーボンブ
ラック、銀粒子など)を適当なバインダー樹脂に分散し
た導Tt層を有する支持体、導電性粒子をプラスチック
や紙に含浸した支持体や導電性ポリマーを有するプラス
チックなどを用いることができる。
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばカーボンブ
ラック、銀粒子など)を適当なバインダー樹脂に分散し
た導Tt層を有する支持体、導電性粒子をプラスチック
や紙に含浸した支持体や導電性ポリマーを有するプラス
チックなどを用いることができる。
導電性支持体と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機
能をもつ下引層を設けることもできる。
能をもつ下引層を設けることもできる。
下引層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、エチレン−アクリル酸フボリマー、ポリアミド
(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610.共重合
ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリウ
レタン、ゼラチン、醸化アルミニウムなどによって形成
できる。下引層の膜厚は0.1〜5pL、好ましくは0
.5〜3ルが適当である。
ロース、エチレン−アクリル酸フボリマー、ポリアミド
(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610.共重合
ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリウ
レタン、ゼラチン、醸化アルミニウムなどによって形成
できる。下引層の膜厚は0.1〜5pL、好ましくは0
.5〜3ルが適当である。
導電性支持体、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した
感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送
性物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層に
おいて生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、
表面に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ
、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送
性物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層に
おいて生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、
表面に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ
、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。
像すれば、可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラス
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中
和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた
ときとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中
和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた
ときとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
導電性支持体、′rl荷輸送層、電荷発生層の順に積層
した電子写真感光体を使用する場合において、電荷輸送
物質が電子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面
を負に帯電する必要があり、帯を後露光すると、露光部
では電荷発生層において生成した電子は電荷輸送層に注
入され、その後基体に達する。一方電荷発生層において
生成した正孔は表面に到達し、表面電位の減衰が生じ、
未露光部との間に静電コントラストが生じる。このよう
にしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば
可視像が得られる。これを直接定着するかあるいはトナ
ー像を紙やプラスチックフィルムなどに転写後現像し定
着することができる。
した電子写真感光体を使用する場合において、電荷輸送
物質が電子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面
を負に帯電する必要があり、帯を後露光すると、露光部
では電荷発生層において生成した電子は電荷輸送層に注
入され、その後基体に達する。一方電荷発生層において
生成した正孔は表面に到達し、表面電位の減衰が生じ、
未露光部との間に静電コントラストが生じる。このよう
にしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば
可視像が得られる。これを直接定着するかあるいはトナ
ー像を紙やプラスチックフィルムなどに転写後現像し定
着することができる。
また感光体上の静TIL潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用してもよく、特定のものに限定されるものではない。
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方電荷発生層が正孔輸送物質からなるときは、電荷発
生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると
、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷輸
送層に注入され、その後基体に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に到達し、表面電位の減衰
が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると
、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷輸
送層に注入され、その後基体に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に到達し、表面電位の減衰
が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負荷電
性トナーを用いる必要がある。
性トナーを用いる必要がある。
また、本発明の別の具体例では前述のヒドラゾン類、ピ
ラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリ
ールメタン類、ポリアリールフルカン類、トリフェニル
アミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機光導
電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの無
機光導電性物質の増感剤として前記一般式(1)で示さ
れるジスアゾ顔料を含有させた感光被膜とすることがで
きる。この感光被膜は、これらの光導電性物質と前記ジ
スアゾ顔料をバインダーと共に塗工によって被膜形成さ
れる。
ラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリ
ールメタン類、ポリアリールフルカン類、トリフェニル
アミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機光導
電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの無
機光導電性物質の増感剤として前記一般式(1)で示さ
れるジスアゾ顔料を含有させた感光被膜とすることがで
きる。この感光被膜は、これらの光導電性物質と前記ジ
スアゾ顔料をバインダーと共に塗工によって被膜形成さ
れる。
さらに本発明の別の具体例として、前述の一般式(1)
で示されるジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層
に含有させた電子写真感光体を挙げることができる。こ
の際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯
化合物を用いることができる。
で示されるジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層
に含有させた電子写真感光体を挙げることができる。こ
の際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯
化合物を用いることができる。
この例の電子写真感光体は、前記ジスアゾ顔料と電荷移
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成できる
。
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成できる
。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。
また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料
を2種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料
を2種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
[実施例]
実施例1〜14
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2% アンモニア水1g、水222履交)をマイヤ
ーバーで乾燥後の膜厚が 1.0ルとなるように塗布し
乾燥した。
1.2% アンモニア水1g、水222履交)をマイヤ
ーバーで乾燥後の膜厚が 1.0ルとなるように塗布し
乾燥した。
次に、前記例示顔料(1)の5gをエタノール95II
1文にブチラール樹脂(ブチラール化度60モル%)2
gを溶解した液に加え、サンドミルで4時間分散した。
1文にブチラール樹脂(ブチラール化度60モル%)2
gを溶解した液に加え、サンドミルで4時間分散した。
この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜
厚が0.5ルとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。
厚が0.5ルとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。
のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート(
a平均分子量10万)5gをベンゼ?/7011立に溶
解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が14ルと
なるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を
形成し、実施例1の電子写真感光体を作成した。 例示
顔料(1)に代え他の例示顔料を用い実施例2〜14に
対応する電子写真感光体を全く同様にして作成した。
a平均分子量10万)5gをベンゼ?/7011立に溶
解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が14ルと
なるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を
形成し、実施例1の電子写真感光体を作成した。 例示
顔料(1)に代え他の例示顔料を用い実施例2〜14に
対応する電子写真感光体を全く同様にして作成した。
このようにして作成した電子写真感光体を静電複写紙試
験装置(Model 5P−428、川口電機■製)
を用い、スタチック方式で−5,4KVでコロナ帯電し
、暗所で1秒間保持した後、照度2ルツクスで露光し、
帯電特性を調べた。
験装置(Model 5P−428、川口電機■製)
を用い、スタチック方式で−5,4KVでコロナ帯電し
、暗所で1秒間保持した後、照度2ルツクスで露光し、
帯電特性を調べた。
帯電特性としては表面電位(Vo )と1秒間暗減衰さ
せた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量(El
/2)を測定した。結果を示す。
せた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量(El
/2)を測定した。結果を示す。
−六 V −V El/2 1
uxsec1 (1) Boo
3.62 (2) 620 3
.63 (4) 580 4.0
4 (7) 610 4.05
(8) 630 3.46
(10) 650 3.67 (11
) 680 3.88 (14)
680 3.49 (17)
600 3.61 o (21) 6
30 4.011 (25) 660
3.612 (35) 650
3.813 (39) 600 4
.214 (44) 630 3.4
さらに、実施例1,5.6.8.11で使用した電子写
真感光体を使用して、縁り返し使用時の明部電位と暗部
電位の変動を測定した。
uxsec1 (1) Boo
3.62 (2) 620 3
.63 (4) 580 4.0
4 (7) 610 4.05
(8) 630 3.46
(10) 650 3.67 (11
) 680 3.88 (14)
680 3.49 (17)
600 3.61 o (21) 6
30 4.011 (25) 660
3.612 (35) 650
3.813 (39) 600 4
.214 (44) 630 3.4
さらに、実施例1,5.6.8.11で使用した電子写
真感光体を使用して、縁り返し使用時の明部電位と暗部
電位の変動を測定した。
方法としては、−5,6KVのコロナ帯電器。
露光光学系、現像器、転写?i7電器、除電露光光学系
およびクリナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに
感光体を貼り付けた。この複写機はシリンダーの駆動に
伴い、転写紙上に画像が得られる構成になっている。
およびクリナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに
感光体を貼り付けた。この複写機はシリンダーの駆動に
伴い、転写紙上に画像が得られる構成になっている。
この複写機を用いて初期の明部電位(VL )と暗部電
位(VD)をそれぞれ−100V、−600V付近に設
定し、5,000回使用した後の明部電位(VL )と
暗部電位(VD )を測定した。
位(VD)をそれぞれ−100V、−600V付近に設
定し、5,000回使用した後の明部電位(VL )と
暗部電位(VD )を測定した。
この結果を示す。
1 610 too Boo 110冊
600 100 580 120実施例15 実施例1で形成した電荷発生層の上に2,4゜7−ドリ
ニトロー9−フルオレノン5 g トyf! IJ −
4,4−ジオキシジフェニル−2,2−プロパンカーボ
ネート(分子i30万)5gをテトラヒドロフラン70
m1に溶解して調製した塗布液を、乾燥後の塗工量が1
0g/m2となるように塗布して乾爆した。
600 100 580 120実施例15 実施例1で形成した電荷発生層の上に2,4゜7−ドリ
ニトロー9−フルオレノン5 g トyf! IJ −
4,4−ジオキシジフェニル−2,2−プロパンカーボ
ネート(分子i30万)5gをテトラヒドロフラン70
m1に溶解して調製した塗布液を、乾燥後の塗工量が1
0g/m2となるように塗布して乾爆した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で?Lft測定を行なった。このときの帯電極性は十
とした。結果を示す。
法で?Lft測定を行なった。このときの帯電極性は十
とした。結果を示す。
vo :+620V、
El/2:4.6JLux、Sec
実施例16
アルミ蒸着ポリエチレンテレツクレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5JLのポリビニルアルコールの被膜
を形成した0次に実施例1で用いたジスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が 0.5gとなるようにマイヤーバーで塗布し
乾爆して電荷発生層を形成した。
ミ面上に膜厚0.5JLのポリビニルアルコールの被膜
を形成した0次に実施例1で用いたジスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が 0.5gとなるようにマイヤーバーで塗布し
乾爆して電荷発生層を形成した。
のピラゾリン化合物5gとボリアリレート(ビスフェノ
ールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)5g
をテトラヒドロフラン70m1に溶解した液を電荷発生
層の上に乾燥後の膜厚が13用となるように塗布し乾燥
して電荷輸送層を形成した。こうして作成した感光体の
帯電特性および耐久特性を実施例1と同様の方法によっ
て測定した。結果を示す。
ールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)5g
をテトラヒドロフラン70m1に溶解した液を電荷発生
層の上に乾燥後の膜厚が13用となるように塗布し乾燥
して電荷輸送層を形成した。こうして作成した感光体の
帯電特性および耐久特性を実施例1と同様の方法によっ
て測定した。結果を示す。
Voニー610V、
El/2 : 4.01ux、see
耐久特性
初期 Vo ニー600V、VL ニー100V5千枚
耐久後 VD ニー570V、VL ニー120V上記の結果の
とおり、感度も良好で、耐久使用時の電位安定性も良好
である。
耐久後 VD ニー570V、VL ニー120V上記の結果の
とおり、感度も良好で、耐久使用時の電位安定性も良好
である。
実施例17
厚さ100ttのアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し乾燥して0.5.の下引層を形成した。
溶液を塗布し乾燥して0.5.の下引層を形成した。
次に2.4.7−)ジニトロ−9−フルオレノン5gと
ポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万)
5gをテトラヒドロフランの7011文に溶解して電荷
移動錯化合物を調製した。
ポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万)
5gをテトラヒドロフランの7011文に溶解して電荷
移動錯化合物を調製した。
この電荷移動錯化合物と前記例示顔料(43)の1gを
ポリエステル樹脂(数平均分子量2万)5gをテトラヒ
ドロフラン70m文に溶解した液に加え分散した。この
分散液を下引層の上に塗布し乾燥して膜厚 12ルとし
た。
ポリエステル樹脂(数平均分子量2万)5gをテトラヒ
ドロフラン70m文に溶解した液に加え分散した。この
分散液を下引層の上に塗布し乾燥して膜厚 12ルとし
た。
作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例1と同様の
方法により測定した。但し、帯電極性は十とした。結果
を示す。
方法により測定した。但し、帯電極性は十とした。結果
を示す。
VO:+650V、
El/2: 3.61ux、sec
実施例18
実施例1で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカゼ
イン層上に実施例1と同様の電荷輸送層と電荷発生層を
順次積層し、層構成を相違する他は同様にして感光体を
作成した。
イン層上に実施例1と同様の電荷輸送層と電荷発生層を
順次積層し、層構成を相違する他は同様にして感光体を
作成した。
実施例1と同様の方法で帯電特性を測定した。
但し、帯電極性は十とした。
vo :+600V、
El/2:4.0文ux、sec
[発明の効果]
本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を感光
層に用いることにより、当該のジスアゾ顔料を含む感光
層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリア輸送
効率のいずれか一方ないし双方が良くなることが推定さ
れ、高感度で耐久使用時における電位安定性の優れたも
のとして顕著な効果を奏する。
層に用いることにより、当該のジスアゾ顔料を含む感光
層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリア輸送
効率のいずれか一方ないし双方が良くなることが推定さ
れ、高感度で耐久使用時における電位安定性の優れたも
のとして顕著な効果を奏する。
特許出願人 キャノン株式会社
代 理 人 弁理士 狩野 有
Claims (9)
- (1)導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体
において、感光層に下記一般式(1)で示されるジスア
ゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、R_1およびR_2は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基または
ハロメチル基を示し、それぞれ同じであっても異なって
いてもよく、Zは窒素原子またはメチン基を示し、Aお
よびA′はフェノール性OH基を有するカプラー残基を
示し、AおよびA′は同じであっても異なつていてもよ
い。 - (2)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(2)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中、Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいはヘ
テロ環を形成するに必要な残基、R_3およびR_4は
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基、ヘテロ環基またはR_3、R_4の
結合する窒素原子を環内に含む環状アミノ基を示す。 - (3)一般式(1)中のAおよびA′の一方または双方
が下記一般式(3)で示されるフェノール性OH基を有
するカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電
子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(3) 式中、R_5は置換基を有してもよいアルキル基アリー
ル基あるいはアラルキル基を示す。 - (4)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(4)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) 式中、R_6は置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基またはアラルキル基を示す。 - (5)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(5)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。 - (6)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(6)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。 - (7)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(7)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(7) 式中、R_7は置換基を有してもよいアリール基または
ヘテロ環基を示し、Xは前記一般式(2)中のXと同義
である。 - (8)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(8)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(8) 式中、R_8およびR_9は置換基を有してもよいアル
キル基、アリール基、アラルキル基またはヘテロ環基を
示し、Xは前記一般式(2)中のXと同義である。 - (9)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(8)で示されるフェノール性OH基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(9) 式中、R_1_0およびR_1_1は水素原子または置
換基を有してもよいアルキル基、アリール基、アラルキ
ル基またはヘテロ環基を示し、Xは前記一般式(2)中
のXと同義である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9311587A JPS63259572A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9311587A JPS63259572A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63259572A true JPS63259572A (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=14073520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9311587A Pending JPS63259572A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63259572A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0655655A1 (en) * | 1993-10-04 | 1995-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus which employs the same |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9311587A patent/JPS63259572A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0655655A1 (en) * | 1993-10-04 | 1995-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus which employs the same |
US5527653A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus which employ the same |
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