JPH0380303B2 - - Google Patents

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JPH0380303B2
JPH0380303B2 JP12275685A JP12275685A JPH0380303B2 JP H0380303 B2 JPH0380303 B2 JP H0380303B2 JP 12275685 A JP12275685 A JP 12275685A JP 12275685 A JP12275685 A JP 12275685A JP H0380303 B2 JPH0380303 B2 JP H0380303B2
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electrophotographic photoreceptor
layer
residue
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JP12275685A
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Masakazu Matsumoto
Hajime Myazaki
Masataka Yamashita
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS61281243A publication Critical patent/JPS61281243A/ja
Publication of JPH0380303B2 publication Critical patent/JPH0380303B2/ja
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0687Trisazo dyes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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    • G03G5/0688Trisazo dyes containing hetero rings

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚〕 本発明は新芏な電子写真感光材料を利甚した電
子写真感光䜓に関するものであり、曎に詳しくは
特定の分子構造を有するトリスアゟ顔料を光導電
局䞭に含有する電子写真感光䜓に関するものであ
る。 〔埓来の技術〕 埓来より、光導電性を瀺す顔料や染料に぀いお
は、数倚くの文献等で発衚されおいる。 䟋えば、“RCA Review”Vol.23、P.413〜
P.4191962.9ではフタロシアニン顔料の光導電
性に぀いおの発衚がなされおおり、又このフタロ
シアニン顔料を甚いた電子写真感光䜓が米囜特蚱
第3397086号公報や米囜特蚱第3816118号公報等に
瀺されおいる。その他に、電子写真感光䜓に甚い
る有機半導䜓ずしおは、䟋えば米囜特蚱第
4315983号公報米囜特蚱第4327169号公報や
“Reseach Disclosure”205171981.5に瀺され
おいるピリリりム系染料、米囜特蚱第3824099号
公報に瀺されおいるスク゚アリツク酞メチン染
料、米囜特蚱第3898084号公報、米囜特蚱第
4251613号公報等に瀺されたゞスアゟ顔料などが
挙げられる。 この様な有機半導䜓は、無機半導䜓に范べお合
成が容易で、しかも芁求する波長域の光に察しお
光導電性をも぀様な化合物ずしお合成するこずが
でき、この様な有機半導䜓の被膜を導電性支持䜓
に圢成した電子写真感光䜓は、感色性が良くなる
ずいう利点を有しおいるが、感床および耐久性に
おいお実甚できるものは、ごく僅かである。 〔発明が解決しようずする問題点〕 本発明の目的は新芏な光導電性材料を提䟛する
こずにある。 本発明の別の目的は珟存するすべおの電子写真
プロセスにおいおも䜿甚可胜であり実甚䞊、優れ
た感床ず繰り返し䜿甚における安定な電䜍特性を
有する耐久性を備えた電子写真感光䜓を提䟛する
こずにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に埓぀お導電性基盀䞊に光導電局を有す
る電子写真感光䜓においお、光導電局に䞀般匏(1) 匏䞭、Ar1、Ar2及びAr3は眮換基を有しおもよ
いプニレン、䟡の瞮合倚環芳銙族基又は䟡
の耇玠環基を瀺し、はプノヌル性OH基を有
するカプラヌ残基を瀺すで衚わされるトリスア
ゟ顔料を含有するこずを特城ずする電匏写真感光
䜓が提䟛される。 䞊蚘䞀般匏(1)においおAr1〜Ar3の定矩ずしお
はプニレン基の倖䟡の瞮合倚環芳銙族基ずし
おは、䟋えばナフチレン、アントラニレン、ビフ
゚ニレン、フルオレニレン、−ケトフルオレニ
レン基などであり、䟡の耇玠環基ずしおは、䟋
えば䟡のキノリン基、䟡のカルバゟリル基、
䟡のベンゟオキサゟル基等であり、これ等は曎
に眮換基で眮換されおもよい。かような眮換基ず
しおは䟋えばメチル、゚チル、プロピル等のアル
キル基、ベンゞル、プネチル、ナフチルメチル
等のアラルキル基、プニル、ゞプニル、ナフ
チル等のアリヌル基、メトキシ、゚トキシ、ブト
キシ等のアルコキシ基、塩玠、臭玠、ペり玠、フ
ツ玠等のハロゲン原子、シアノ基、アセチル、ベ
ンゟむル等のアシル基又はニトロ基等である。 さらに、䞀般匏(1)におけるのプノヌル性
OH基を有するカプラヌ残基のより奜たしい具䜓
䟋ずしおは、䟋えば䞋蚘の䞀般匏(2)〜(8)で瀺され
る 匏䞭はベンれン環ず瞮合しお眮換基を有しお
もよい倚環芳銙環あるいは耇玠環を圢成する残
基R3及びR4は氎玠原子、眮換基を有しおもよ
いアルキル、アラルキル、アリヌルあるいは耇玠
環基たたは䞀緒にな぀お窒玠原子ず共に環状アミ
ノ基を圢成するR5及びR6はそれぞれ眮換基を
有しおもよいアルキル、アラルキル、アリヌルを
瀺すは芳銙族炭化氎玠の䟡の基あるいは窒
玠原子ず䞀緒にな぀お耇玠環の䟡の基を圢成す
るR7、R8は氎玠原子眮換基を有しおもよいア
リヌルあるいは耇玠環基を瀺し、又は䞭心炭玠ず
共に〜員環を圢成する残基を瀺しこの〜
員環は瞮合芳銙族環を有しおいおもよい。R9及
びR10は氎玠原子、それぞれ眮換基を有しおもよ
いアルキル、アラルキル、アリヌルあるいは耇玠
環基を瀺す 䞊蚘の倚環芳銙環ずしおは䟋えばナフタレ
ン、アントラセン、カルバゟヌル、ベンズカルバ
ゟヌル、ゞベンゟフラン、ベンゟナフトフラン、
ゞプニレンサルフアむドなどが瀺される。これ
らは前蚘の劂き眮換基で眮換されおもよい。な
お、の瞮合した環はナフタレン、アントラセ
ン、ベンズカルバゟヌル、カルバゟヌルずするこ
ずが望たしい。たたR3、R4の堎合アルキルは䟋
えばメチル、゚チル、プロピル、ブチルなどが瀺
され、アラルキルは䟋えばベンゞル、プネチ
ル、ナフチルメチルなどであり、アリヌルは䟋え
ばプニル、ゞプニル、ナフチル、アンスリル
などである。ずくにR3が氎玠でありR4が−䜍
にハロゲン、ニトロ、シアノ、トリフルオロメ
ル、アセチル、ベンゟむルなどの電子吞匕性基及
びメチル、゚チル、ブチル等のアルキル基を有す
るプニル基である構造を有する化合物が奜たし
い。これらは眮換基を有しおもよい。耇玠環ずし
おはカルバゟヌル、ゞベンゟフラン、ベンズむミ
ダゟロン、ベンゟチアゟヌル、チアゟヌル、ピリ
ゞンなどが䟋瀺される。 R5及びR6の具䜓䟋は前蚘R3、R4で䟋瀺された
ものず同じものが挙げられる。R3〜R6は次の眮
換基䟋えばメチル、゚チル、プロピル等のアルキ
ル基、ベンゞル、プネチル、ナフチルメチル等
のアラルキル基、プニル、ゞプニル、ナフチ
ル等のアリヌル基、メトキシ、゚トキシ、プロポ
キシ等のアルコキシ基、フルオ、クロル、ブロ
モ、ペヌドなどのハロゲン、アセチル、ベンゟむ
ル等のアシル基、トリフルオロメチル基、ニトロ
基、シアノ基、ゞメチルアミノ、ゞ゚チルアミ
ノ、ゞベンゞルアミノ、ゞプニルアミノ等の眮
換アミノ基等により眮換されおいおも良い。 の定矩においお䟡の芳銙族炭化氎玠基ずし
おは䟋えば−プニレンの劂き単環匏芳銙族炭
化氎玠基、−ナフチレン、ペリナフチレン、
−アンスリレン、10−プナンスリレ
ンなどの瞮合倚環匏芳銙族炭化氎玠基が挙げられ
る。たた窒玠原子ず䞀緒にな぀お䟡の耇玠環を
圢成する䟋ずしおは、−ピラゟヌルゞむル
基、−ピリンゞむル基、−ピリミゞ
ンゞむル基、−むンダゟヌルゞむル基、
−ベンズむミダゟヌルゞむル基、−
キノリンゞむル基等の〜員耇玠環の䟡の基
が挙げられる。R7及びR8のアリヌル基又は耇玠
環基ずしおはプニル、ナフチル、アンスリル、
ピレニルなどピリゞル、チ゚ニル、フリル、カ
ルバゟリルなどが䟋瀺される。これらは前蚘の劂
き眮換基で眮換されおもよい。R7、R8の瀺すア
リヌル基、耇玠環基の眮換基ずしおはフツ玠、塩
玠、臭玠、ペり玠等のハロゲン、メチル、゚チ
ル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキ
シ、゚トキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ゞメチルアミノ、
ゞ゚チルアミノ、ゞプロピルアミノ、ゞベンゞル
アミノ、ゞプニルアミノ、モルホリノ、ピペリ
ゞノ、ピロリゞノ等の眮換アミノ基等があげられ
る。又R7、R8は䞭心炭玠ず共に〜員環を圢
成する残基を瀺すが、この〜員環は瞮合芳銙
族環を有しおいおもよい。このような䟋ずしおは
シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、−
フルオレニリデン、−キサンテニリデン等の基
が挙げられる。匏(8)䞭のR9、R10は氎玠原子眮換
基を有しおも良い、メチル、゚チル、プロピル、
ブチル等のアルキル基、ベンゞル、プネチル、
ナフチルメチル等のアラルキル基、プニル、ナ
フチル、アンスリル、ゞプニル等のアリヌル
基、又は、カルバゟヌル、ゞベンゟフラン、ベン
ズむミダゟロン、ベンズチアゟヌル、チアゟヌ
ル、ピリゞン等のヘテロ環基を衚わす。R9、R10
の瀺すアルキル基、アラルキル基、アリヌル、ヘ
テロ環基の眮換基ずしおは、フツ玠、塩玠、臭
玠、ペり玠等のハロゲン、メチル、゚チル、プロ
ピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、゚トキ
シ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコキシ基、ニ
トロ基、シアノ基、ゞメチルアミノ、ゞプロピル
アミノ、ゞベンゞルアミノ、ゞプニルアミノ、
モルホリノ、ピペリゞノ、ピロリゞノ等の眮換ア
ミノ基等が挙げられる。匏(7)、(8)䞭のはベンれ
ン環ず瞮合しお倚環芳銙環あるいは耇玠環を圢成
する残基を瀺す。の倚環芳銙環ずしおは䟋えば
ナフタレン、アントラセン、カルバゟヌル、ベン
ズカルバゟヌル、ゞベンゟフラン、ベンゟナフト
フラン、ゞプニレンサルフアむドなどが瀺され
る。の結合した環はアントラセン環、ベンズカ
ルバゟヌル環、カルバゟヌル環ずする事がより望
たしい。特にベンズカルバゟヌル環は分光感床域
を長波長域にたで䌞す効果が著しく半導䜓レヌザ
ヌ領域に高感床を有する感光䜓の䜜成には奜適で
ある。 本発明は、本発明に甚いられるトリスアゟ顔料
の骚栌をなす䞭心アミンの窒玠原子䞊の氎玠をニ
トロン基に眮換するこず及びアミンに連なる䞭心
骚栌にアゟ基を有するこずにより顔料の特性に倉
化をもたらし、キダリア生成効率ないしは搬送性
のいずれか䞀方ないしは双方が良くなる為に、感
床や耐久䜿甚時における電䜍安定性が確保される
こずになる。 たた高感床化の分光、感床域の長波長化達成に
より高速の耇写機やレヌザヌビヌムプリンタヌ、
LEDプリンタヌ、液晶プリンタヌ等ぞの適甚が
可胜ずなり、曎に感光䜓の前歎によらず安定した
電䜍が確保される為画像的にも安定した矎しい画
像が埗られる。 本発明に甚いられるトリスアゟ顔料の代衚䟋を
以䞋に列挙する。 これらのトリスアゟ顔料は、皮たたは皮以
䞊組合せお甚いるこずができる。 たた、これらの顔料は、䟋えば䞀般匏 ただし、匏䞭のAr1、Ar2、Ar3は䞀般匏(1)にお
ける蚘号ず同様の意味を衚わす で瀺される玚アミンを有するゞアミンを垞法に
よりテトラゟ化ず同時にニトロ゜化し、次いで察
応するカプラヌをアルカリの存圚䞋に氎系カツプ
リングするか、たたは前蚘のゞアミンのテトラゟ
ニりム塩をホりフツ化塩あるいは塩化亜鉛耇塩等
の圢で䞀旊単離した埌、適圓な溶媒䟋えば
−ゞメチルホルムアミド、ゞメチルスルホキシド
等の溶媒䞭でアルカリの存圚䞋にカツプラヌずカ
ツプリングするこずにより容易に補造するこずが
できる。 次に、本発明で甚いるトリスアゟ顔料の代衚的
な合成䟋を䞋蚘に瀺す。 合成䟋  前蚘䟋瀺のトリスアゟ顔料No.の合成 500mlビヌカヌに氎80ml濃塩酞16.6ml0.19モ
ルを入れ氷氎济で冷华しながらゞアミン 8.800.029モル撹拌し液枩を℃ずした。
次に亜硝酞゜ヌダ6.20.090モルを氎mlに
溶かした液を液枩〜10℃の範囲にコントロヌル
しながら10分間で滎䞋し、滎䞋終了埌同枩床で曎
に30分撹拌した。反応液にカヌボンを加え過し
おテトラゟ化液を埗た。 次に、ビヌカヌにゞメチルホルムアミド
700mlを入れトリ゚チルアミン53.60.53モル
を加え−ヒドロキシ−−ナフト゚酞アニリド
16.060.061モルを添加しお溶解した。 このカプラヌ溶液を℃に冷华し液枩を〜10
℃にコントロヌルしながら前述のテトラゟ化液を
30分かけお撹拌䞋滎䞋しお、その埌適枩で時間
撹拌し曎に晩攟眮した。反応液を、過埌氎掗
過し固型分換算で粗補顔料23.5の氎ペヌスト
を埗た。 次に400mlの−ゞメチルホルムアミドを
甚い宀枩で撹拌過を回繰り返した。その埌
400mlのメチル゚チルケトンでそれぞれ回撹拌
過を繰り返した埌宀枩で枛圧也燥し粟補顔料
21.97を埗た。収率は86.0であ぀た。融点
250° 元玠分析 蚈算倀 実隓倀  70.90 70.48  4.12 4.25  15.90 15.98 以䞊代衚的な顔料の合成法に぀いお述べたが䞀
般匏(1)で瀺される倚のトリスアゟ顔料も同様にし
お合成される。 前述のトリスアゟ顔料を含有する被膜は光導電
性を瀺し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の感光
局に甚いるこずができる。 すなわち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の
䞊に前述のトリスアゟ顔料を真空蒞着法により被
膜圢成するか、あるいは適圓なバむンダヌ䞭に分
散含有させお被膜圢成するこずにより電子写真感
光䜓を調補するこずができる。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生局ずしお、前
述の光導電性被膜を適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前述の光導電性を瀺す化合物を含
有し、䞔぀発生した電荷キダリアの飛皋を短かく
するために薄膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜たしくは
0.01〜1Όの膜厚をも぀薄膜局ずするこずが奜たし
い。このこずは、入射光量の倧郚分が電荷発生局
で吞収されお、倚くの電荷キダリアを生成するこ
ず、さらに発生した電荷キダリアを再結合や補獲
トラツプにより倱掻するこずなく電荷茞送局
に泚入する必芁があるこずに垰因しおいる。 電荷発生局は、前述の化合物を適圓なバむンダ
ヌに分散させ、これの基䜓の䞊に塗工するこずに
よ぀お圢成でき、たた真空蒞着装眮により蒞着膜
を圢成するこずによ぀お埗るこずができる。電荷
発生局を塗工によ぀お圢成する際に甚いうるバむ
ンダヌずしおは広範な絶瞁性暹脂から遞択でき、
たたポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニル
アントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマヌから遞択できる。奜たしくは、ポリ
ビニルブチラヌル、ポリアリレヌトビスプノ
ヌルずフタル酞の瞮重合䜓など。ポリカヌボ
ネヌト、ポリ゚ステル、プノキシ暹脂、ポリ酢
酞ビニル、アクリル暹脂、ポリアクリルアミド暹
脂、ポリアミド、ポリビニルピリゞン、セルロヌ
ス系暹脂、りレタン暹脂、゚ポキシ暹脂、カれむ
ン、ポリビニルアルコヌル、ポリビニルピロリド
ンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずができる。電荷
発生局䞭に含有する暹脂は、80重量以䞋、奜た
しくは40重量以䞋が適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述の電荷茞送局や䞋匕局を
溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。具
䜓的な有機溶剀ずしおは、メタノヌル、゚タノヌ
ル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、アセ
トン、メチル゚チルケトン、ゞクロヘキサノンな
どのケトン類、−ゞメチルホルムアミド、
−ゞメチルアセトアミドなどのアミド類、
ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレングリコ
ヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル類、酢酞
メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ゞクロル゚チレン、四塩化
炭玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化氎玠類あるいはベンれン、トル゚ン、キシ
レン、リグロむン、モノクロルベンれン、ゞクロ
ルベンれンなどの芳銙族類などを甚いるこずがで
きる。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。也燥は、宀枩に
おける指觊也燥埌、加熱也燥する方法が奜たし
い。加熱也燥は、30℃〜200℃の枩床で分〜
時間の範囲の時間で、静止たたは送颚䞋で行なう
こずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよくたたその䞋に積局
されおいおもよい。電荷茞送局が電荷発生局の䞊
に圢成される堎合電荷茞送局における電荷キダリ
アを茞送する物質以䞋、単に電荷茞送物質ずい
うは、前述の電荷発生局が感応する電磁波の波
長域に実質的に非感応性であるこずが奜たしい。
ここで蚀う「電磁波」ずは、γ線、線、玫倖
線、可芖光線、近赀倖線、赀倖線、遠赀倖線など
を包含する広矩の「光線」の定矩を包含する。電
荷茞送局の光感応性波長域が電荷発生局のそれず
䞀臎たたはオヌバヌラツプする時には、䞡者で発
生した電荷キダリアが盞互に補獲し合い、結果的
には感床の䜎䞋の原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおは、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノ゚チレ
ン、テトラシアノキノゞメタン、−ト
リニトロ−−フルオレノン、−
テトラニトロ−−フルオレノン、−
トリニトロ−−ゞシアノメチレンフルオレノ
ン、−テトラニトロキサントン、
−トリニトロチオキサントン等の電子
吞匕性物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化し
たもの等がある。 正孔茞送物質ずしおは、ピレン、−゚チルカ
ルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチリ
デン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞプ
ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チルカ
ルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン−10
−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミノベ
ンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラゟ
ン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−−
α−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−ピ
ロリゞノベンズアルデヒド−−ゞプニル
ヒドラゟン、−トリメチルむンドレニ
ン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メチ
ルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟン等のヒド
ラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミノフ
゚ニル−−オキサゞアゟヌル、−
プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−〔キノリル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−−ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−−ゞ゚ル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリン、−〔−メトキシ−ピリゞ
ル(2)〕−−−ゞ゚ルアミノスチリル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−〔ピリゞル(3)〕−−−ゞ゚ルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン、−〔レピゞル(2)〕−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル、−メチル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、−
〔ピリゞル(2)〕−−α−メチル−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリン、−プニル−−−ゞ
゚チルアミノスチリル−−メチル−−−
ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、−プ
ニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チルアミノ
スチリル−−−ゞ゚チルアミノプニル
ピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピラゟリン
類、−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ
゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−−ゞ
゚チルアミノプニル−−−ゞメチルアミ
ノプニル−−−クロロプニルオキサ
ゟヌル等のオキサゟヌル系化合物、−−ゞ
゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チルアミノベ
ンゟチアゟヌル等のチアゟヌル系化合物、ビス
−ゞ゚チルアミノ−−メチルプニル−フ
゚ニルメタン等のトリアリヌルメタン系化合物、
−ビス−−ゞ゚チルアミノ−
−メチルプニルヘプタン、−
テトラキス−−ゞメチルアミノ−−
メチルプニル゚タン等のポリアリヌルアルカ
ン類、−ゞプニルアミノ−4′−メトキシスチ
ルベン、4′−ゞ゚チルアミノスチリル−−
−゚チルカルバゟヌル等のスチルベン系化合
物、トリプニルアミン、ポリ−−ビニルカル
バゟヌル、ポリビニルピレン、ポリビニルアント
ラセン、ポリビニルアクリゞン、ポリ−−ビニ
ルプニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデ
ヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホルムアルデヒド
暹脂等がある。 これらの有機電荷茞送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
りムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質に成膜性を有しおいない時には、
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマヌ、アクリロニト
リル−ブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂、あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌを挙げるこずが
できる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には、〜30Όであるが、奜たし
い範囲は〜20Όである。塗工によ぀お電荷茞送
局を圢成する際には、前述した様な適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が導電性をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アル
ミニりム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞり
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、む
ンゞりム、金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞化む
ンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム−酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフ
タレヌト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンな
ど、導電性粒子䟋えば、アルミ粉末、酞化ス
ズ、酞化亜鉛、酞化チタン、カヌボンブラツク、
銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプラス
チツク又は前蚘導電性基䜓の䞊に被芆した基䜓、
導電性粒子をプラスチツクや玙に含浞した基䜓を
導電性ポリマヌを有するプラスチツクなどを甚い
るこずができる 導電局ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ニトロセ
ルロヌス、゚チレン−アクリル酞コポリマヌ、ポ
リアミドナむロン、ナむロン66、ナむロン
610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1Ό〜5Ό、奜たしくは0.5Ό〜
3Όが適圓である。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送物質が
電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送局衚面
を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光するず露
光郚では電荷発生局においお生成した電子が電荷
茞送局に泚入され、そのあず方面に達しお正電荷
を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間
に静電コントラストが生じる。この様にしおでき
た静電朜像を負荷電性のトナヌで珟像すれば可芖
像が埗られる。これを盎接定着するか、あるいは
トナヌ像を玙やプラスチツクフむルム等に転写
埌、珟像し定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおも良く、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送物質から成る堎
合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その埌
衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは
逆に正電荷性トナヌを甚いる必芁がある。 導電局・電荷茞送局・電荷発生局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお、電荷茞送物質
が電子茞送性物質からなるずきは、電荷発生局衚
面を負に垯電する必芁があり垯電埌露光するず、
露光郚では電荷発生局においお生成した電子は電
荷茞送局に泚入され、そのあず基盀に達する。䞀
方電荷発生局においお生成した正孔は衚面に達し
衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間に静電コン
トラストが生じる。この様にしおできた静電朜像
を正電荷性のトナヌで珟像すれば可芖像が埗られ
る。これを盎接定着するか、あるいはトナヌ像を
玙やプラスチツクフむルム等に転写埌珟像し定着
するこずができる。たた、感光䜓䞊の静電朜像を
転写玙の絶瞁局䞊に転写埌珟像し、定着する方法
もずれる。珟像剀の皮類や珟像方法、定着方法は
公知のものや公知の方法のいずれを採甚しおもよ
く、特定のものに限定されるものではない。 䞀方電荷発生局が正孔茞送性物質からなるずき
は、電荷発生局衚面を正に垯電する必芁があり、
垯電埌露光するず露光郚では電荷発生局においお
生成した正孔は電荷茞送局に泚入されその埌基盀
に達する。䞀方電荷発生局においお生成した電子
は衚面に達し衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの
間に静電コントラストが生じる。珟像時には電子
茞送性物質を甚いた堎合ずは逆に負電荷性トナヌ
を甚いる必芁がある。 たた、本発明の別の具䜓䟋では、前述のヒドラ
ゟン類、ピラゟリン類、オキサゟヌル類、チアゟ
ヌル類、トリアリヌルメタン類、ポリアリヌルア
ルカン類、トリプニルアミン、ポリ−−ビニ
ルカルバゟヌル類など有機光導電性物質や酞化亜
鉛、硫化カドミりム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剀ずしお前述のトリスアゟ顔料を含有
させた感光被膜ずするこずができる。この感光被
膜は、これらの光導電性物質ず前述のトリスアゟ
顔料をバむンダヌずずもに塗工によ぀お被膜圢成
される。 本発明の別の具䜓䟋ずしおは前述のトリスアゟ
顔料を電荷茞送物質ずずもに同䞀局に含有させた
電子写真感光䜓を挙げるこずができる。この際前
述の電荷茞送物質の他にポリ−−ビニルカルバ
ゟヌルずトリニトロフルオレノンからなる電荷移
動錯䜓化合物を甚いるこずができる。この䟋の電
子写真感光䜓は前述のトリスアゟ顔料ず電荷移動
錯䜓化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポ
リ゚ステル溶液䞭に分散させた埌、被膜圢成させ
お調補できる。 いずれの感光䜓においおも甚いる顔料は䞀般匏
(1)で瀺されるトリスアゟ顔料から遞ばれる少なく
ずも䞀皮類の顔料を含有しその結晶圢は非晶質で
あ぀おも結晶質であ぀おもよい。 又必芁に応じお光吞収の異なる顔料を組合せお
䜿甚し感光䜓の感床を高めたり、パンクロマチツ
クな感光䜓を埗るなどの目的で䞀般匏(1)で瀺され
るトリスアゟ顔料を皮類以䞊組合せたり、たた
は公知の染料、顔料から遞ばれた電荷発生物質ず
組合せお䜿甚するこずも可胜である。 本発明の電子写真感光䜓は電子写真耇写機に利
甚するのみならず、レヌザヌプリンタヌやCRT
プリンタヌ、LEDプリンタヌ、液晶プリンタヌ、
レヌザヌ補版等の電子写真応甚分野にも広く甚い
る事ができる。 〔実斜䟋〕 以䞋本発明を実斜䟋によ぀お説明する。 実斜䟋 〜42 アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2、アンモニア氎、氎222mlを
マむダヌバヌで也燥埌の膜厚が1.0Όずなる様に塗
垃し也燥した。 次に前蚘䟋瀺のトリスアゟ顔料No.、を゚
タノヌル9.5mlにブチラヌル暹脂ブチラヌル化
床63モルを溶かした液に加えサンドミル
で時間分散した。この分散液を先に圢成したカ
れむン局の䞊に也燥埌の膜厚が0.5Όずなる様にマ
むダヌバヌで塗垃し也燥しお電荷発生局を圢成し
た。次いで構造匏 のヒドラゟン化合物ずポリメチルメタクリレ
ヌト暹脂数平均分子量100000をベンれン
70mlに溶解しこれを電荷発生局の䞊に也燥埌の膜
厚が12Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し也燥し
お電荷茞送局を圢成し実斜䟋の感光䜓を䜜成し
た。トリスアゟ顔料No.に代えお第䞀衚に瀺す他
の䟋瀺顔料を甚い実斜䟋〜42に察応する感光䜓
を党く同様にしお䜜成した。 この様にしお䜜成した電子写真感光䜓を川口電
気(æ ª)補静電耇写玙詊隓装眮Model SP−428を甚
いおスタテむツク方匏で−5kVでコロナ垯電し暗
所で秒間保持した埌照床2luxで露光し垯電特性
を調べた。垯電特性ずしおは衚面電䜍V0ず
秒間暗枛衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するに
必芁な露光量E1/2を枬定した。この結果を第
衚に瀺す。
【衚】
【衚】
【衚】 比范䟋 〜 䟋瀺トリスアゟ顔料(1)(3)(4)に代えお顔料の䞭心
骚栌を
【匏】 型ずした、公開特蚱公報昭58−132242蚘茉のアゟ
顔料No.、No.、No.、の顔料を甚いお比范資料
、、を䜜成した。次に䟋瀺トリスアゟ顔料
(1)141934に代えお顔料の䞭心骚栌を順
に ずした比范顔料を甚い比范䟋、、、を䜜
成した。 比范顔料〜を甚いた比范資料〜に぀い
お、実斜䟋ず同様にしお垯電枬定を行぀た。 第衚に本発明に察比させた比范䟋の特性を瀺
す。
【衚】  第衚のデヌタより抜粋
第衚の結果より明らかなように本発明の感光
䜓は顔料の䞭心骚栌に
【匏】基を有しおいるこずず、トリスアゟ型で あるこずにより、電子写真的な感床が著しく良奜
になるこずが確認された。 実斜䟋 43〜48 実斜䟋、、、12、14、25に甚いた感光䜓
を甚い繰返し䜿甚時の明郚電䜍ず暗郚電䜍の倉動
を枬定した。方法ずしおは−5.6kVのコロナ垯電
噚、露光光孊系、珟像噚、転写垯電噚、陀電露光
光孊系およびクリヌナヌを備えた電子写真耇写機
のシリンダヌに感光䜓を貌り付けた。この耇写機
は、シリンダヌの駆動に䌎い、転写玙䞊に画像が
埗られる構成にな぀おいる。この耇写機を甚いお
初期の明郚電䜍VLず暗郚電䜍VDをそれ
ぞれ−100V、−600V付近に蚭定し5000回䜿甚し
た埌の明郚電䜍VL、暗郚電䜍VDを枬定し
た。この結果を第衚に瀺す。
【衚】 実斜䟋 49 実斜䟋で䜜成した電荷発生局の䞊に、
−トリニトロ−−フルオレノンずポ
リ−−ゞオキシゞプニル−2′−プロ
パンカヌボネヌト分子量300000をテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解しお䜜成した塗垃液を也
燥埌の塗工量が10m2ずなる様に塗垃し、也燥
した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同様の方法で垯電枬定を行な぀た。この時、垯電
極性はずした。この結果を第衚に瀺す。 第衚 V0580ボルト E1/23.4lux.sec 実斜䟋 50 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚0.5Όのポリビニルアルコヌ
ルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋で甚いたトリスアゟ顔料の分散
液を先に圢成したポリビニルアルコヌル局の䞊
に、也燥埌の膜厚が0.5Όずなる様にマむダヌバヌ
で塗垃し、也燥しお電荷発生局を圢成した。 次いで、構造匏 のピラゟリン化合物ずポリアリレヌト暹脂
ビスプノヌルずテレフタル酞−む゜フタル
酞の瞮重合䜓をテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が
10Όずなる様に塗垃し也燥しお電荷茞送局を圢成
した。 こうしお調補した感光䜓の垯電特性および耐久
特性を実斜䟋及び実斜䟋43ず同様の方法によ぀
お枬定した。この結果を第衚に瀺す。
【衚】 第衚の結果より感床も良く耐久䜿甚時の電䜍
安定性も良奜である。 実斜䟋 51 厚さ100ミクロン厚のアルミ板䞊にカれむンの
アンモニア氎溶液を塗垃し、也燥しお膜厚0.5ミ
クロンの䞋匕局を圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノンずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平
均分子量300000をテトラヒドロフラン70ml
に溶かしお電荷移動錯化合物を圢成した。この電
荷移動錯化合物ず前蚘䟋瀺のトリスアゟ顔料No.
26を、ポリ゚ステル暹脂バむロン東
掋玡補をテトラヒドロフラン70mlに溶かし
た液に加え、分散した。この分散液を䞋匕局の䞊
に也燥埌の膜厚が12ミクロンずなる様に塗垃し、
也燥した。 こうした調補した感光䜓の垯電特性ず耐久特性
を実斜䟋ず同様の方法によ぀お枬定した。この
結果を第衚に瀺す。䜆し、垯電極性はずし
た。
〔発明の効果〕
本発明は特定のアゟ顔料を感光局に甚いる事に
より、圓該のアゟ顔料を含む感光局内郚に斌ける
キダリダヌ発生効率ないしはキダリダヌ茞送効率
のいずれか䞀方ないしは双方が良くなり、感床や
耐久䜿甚時に斌ける電䜍安定性の優れた感光䜓が
埗られる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性基盀䞊に光導電局を有する電子写真感
    光䜓においお、光導電局に䞀般匏(1) 匏䞭、Ar1、Ar2及びAr3は眮換基を有しおもよ
    いプニレン、䟡の瞮合倚環芳銙族基又は䟡
    の耇玠環基を瀺し、はプノヌル性OH基を有
    するカプラヌ残基を瀺すで衚わされるトリスア
    ゟ顔料を含有するこずを特城ずする電子写真感光
    䜓。  䞊蚘䞀般匏におけるが䞋蚘䞀般匏〜で
    瀺される特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写真感
    光䜓 匏䞭、はベンれン環ず瞮合しお倚環芳銙環あ
    るいは耇玠環を圢成する残基R3及びR4は氎玠
    原子、眮換基を有しおいおもよいアルキル、アラ
    ルキル、アリヌルあるいは耇玠環基たたは䞀緒に
    な぀お窒玠原子ず共に環状アミノ基を圢成する残
    基R5及びR6はそれぞれ眮換基を有しおもよい
    アルキル、アラルキル、アリヌル基を瀺すは
    芳銙族炭化氎玠の䟡の基あるいは窒玠原子ず䞀
    緒にな぀お耇玠環の䟡の基を圢成する残基
    はベンれン環ず瞮合しお倚環芳銙環あるいは耇玠
    環を圢成する残基R7及びR8は氎玠原子、それ
    ぞれ眮換基を有しおもよいアルキル、アラルキ
    ル、アリヌル基あるいは耇玠環基を瀺し、又は
    R7、R8の結合する炭玠原子ず共に〜員環を
    圢成する残基を瀺し、この〜員環は瞮合芳銙
    族環を有しおいおもよいR9及びR10は氎玠原
    子、眮換基を有しおもよいアルキル、アラルキ
    ル、アリヌル又は耇玠環基を瀺す。  䞊蚘光導電局が電荷発生局ず電荷茞送局ずよ
    りなる機胜分離型であり、該電荷発生局に䞊蚘䞀
    般匏(1)で瀺されるトリスアゟ顔料を含有せる特蚱
    請求の範囲第項及び第項の電子写真感光䜓。  䞊蚘䞀般匏(2)におけるR3が氎玠であり、R4
    が次の䞀般匏 匏䞭R11はハロゲン、ニトロ、シアノ、トリフ
    ルオロメチル、アシル基より遞ばれる眮換基で
    衚わされる眮換プニルである特蚱請求の範囲第
    項の電子写真感光䜓。  䞊蚘䞀般匏(1)におけるが䞀般匏(9) 匏䞭R12は眮換基を有しおもよいプニル基を
    瀺す で衚わされる特蚱請求の範囲第項および第項
    の電子写真感光䜓。
JP12275685A 1985-06-07 1985-06-07 電子写真感光䜓 Granted JPS61281243A (ja)

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