JPH0792609B2

JPH0792609B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0792609B2
Application number: JP7795487A
Authority: JP
Inventors: 隆雄滝口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-03-31
Filing date: 1987-03-31
Publication date: 1995-10-09
Anticipated expiration: 2010-10-09
Also published as: JPS63244044A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は特定の分子構造を有するジスアゾ顔料を感光層
中に含有する新規な電子写真感光体に関する。

〔従来の技術〕

従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。

例えば、“RCA Review"Vol.23,P.413〜P.419（1962.9）
ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表がな
されており、又この顔料を用いた電子写真感光体が米国
特許第3397086号公報や米国特許第3816118号公報等に示
されている。その他に、電子写真感光体に用いる有機半
導体としては、例えば米国特許第4315983号公報、米国
特許第4327169号公報や“Research Disclosure"20517
（1981.5）に示されているピリリウム系染料、米国特許
第3824099号公報に示されているスクエアリック酸メチ
ン染料、米国特許第3898084号公報、米国特許第4251613
号公報等に示されたジスアゾ顔料等があげられる。

この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体
は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感度
および耐久性等に関して多くの問題を有している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、新規な光導電性材料を用いた電子写真
感光体を提供することにある。

本発明のもう一つの目的は、現在する全ての電子写真プ
ロセスに使用可能であり、実用的な高感度特性と繰り返
し使用における安定した電位特性をもつ電子写真感光体
を提供することにある。

本発明のさらに別の目的は、可視域から近赤外，赤外領
域にまたがる広い分光感度を有する電子写真感光体を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段および作用〕

本発明は導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光
体において、該感光層が下記一般式〔Ｉ〕で示されるジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする。

ただし、一般式〔Ｉ〕のR₁，R₂は水素、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基を
示し、具体的にはメチル，エチル，プロピル，イソプロ
ピル，ブチル,sec−ブチル,t−ブチル，メトキシ，エト
キシ，プロポキシ，フッ素，塩素，ヨウ素，臭素，シア
ノ，ニトロなどがあり、R₁，R₂はそれぞれ同じであって
も異なっていてもよい。

一般式〔Ｉ〕中のＡおよびＡ′はフェノール性OH基を有
するカプラー残基を示し、ＡおよびＡ′の示すカプラー
残基のより好ましい具体例としては以下に挙げる一般式
〔II〕〜〔VIII〕で示される。ここでA,A′はそれぞれ
同じであっても異なっていてもよい。

式〔II〕中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフ
ェニレンサルファイト環等の多環芳香環ないしは、ヘテ
ロ環を形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。

式〔II〕中のR₃，R₄は水素、置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基な
いしはR₃，R₄の結合する窒素原子とともに環状アミノ基
を示す。

アルキル基の具体例としてはチル、プロピル、ブチル等
が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチ
ル、ナフチルメチル等が、アリール基の具体例としては
フェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル等が、ヘ
テロ環基の具体例としてはカルバゾール、ジベンゾフラ
ン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、チアゾー
ル、ピリジン等があげられる。

一般式式〔III〕、〔IV〕中のR₅，R₆は水素、置換基を有して
いてもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基を示
す。R₅，R₆具体例は前記R₃，R₄と同じ例によって示され
る。

式〔II〕〜〔IV〕中の置換基R₃〜R₆の示すアルキル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテロ環基
は更に他の置換基例えばフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等
のハロゲン基、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、フェノキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シア
ノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニル
アミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換
アミノ基により置換されていてもよい。

一般式式〔Ｖ〕、〔VI〕中のＹは芳香族炭化水素の２価の基な
いしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。

芳香族炭化水素の２価の基としてはｏ−フェニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フェナンス
リレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基が挙げ
られる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基
としては、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジ
イル基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾール
ジイル基、6,7−キノリンジイル基等の２価の基が挙げ
られる。

一般式式〔VII〕中のR₇は置換基を有していてもよいアリール
基ないしはヘテロ環基を示し具体的にはフェニル、ナフ
チル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チェニル、フ
リル、カルバゾリル基を示す。

R₇の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシ等のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベ
ンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリ
ジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

一般式式〔VIII〕中のR₈，R₉は置換基を有していてもよいアル
キル基、アリール基、アラルキル基、ないしはヘテロ環
基を示し具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニ
ル、ナフチル、アンスリル、ジフェニル、カルバゾー
ル、ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチア
ゾール、チアゾール、ピリジンを示す。

式〔VIII〕中のR₈，R₉の示すアルキル基、アリール基、
アラルキル基、ヘテロ環基の置換基としてはフッ素、塩
素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシ等のアルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジル
アミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、
ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

次に本発明で用いるジスアゾ顔料の具体例を第１表に列
挙する。ただし本発明はそれに限定されるものではな
い。

ジスアゾ顔料は１種または２種以上組み合わせて用いる
ことができる。

次に本発明に用いられるジスアゾ顔料の一般的な製法に
ついて述べる。

一般式〔Ｉ〕で示されるジスアゾ顔料でA,A′が同一で
ある場合、一般式〔IX〕で示されるジアミンを亜硝酸ソ
ーダ又はニトロシル硫酸等を用いる常法によりテトラゾ
ニウム塩とし、カプラー成分であるA,A′と水系カップ
リングをを行なわせるかあるいは得られたテトラゾニウム塩をホ
ウフッ化塩等の安定な塩として取り出したのち、ジメチ
ルホルムアミド等の有機溶液中でカップリングを行なわ
せることで得ることができる。A,A′が異なる場合はカ
ップリング反応の際まず第一のカプラー成分とカップリ
ングを行なわせ、モノアゾ体としたのち第二のカプラー
成分とカップリングを行なわせ、ジスアゾ顔料とする
か、若しくは２つのカプラー成分を混合してカップリン
グ反応を行なわせることで得ることができるが、確実に
非対称顔料を得るためには前者の方法が好ましい。次に
本発明で用いるジスアゾ顔料の代表的な合成例を下記に
示す。

合成例（前記例示のジスアゾ顔料No.1の合成） 300mlのビーカーに水60ml、濃塩酸12.5ml（0.141モ
ル）、構造式で表わされる化合物5.70g（0.0216モル）を入れ、氷水
浴で冷却しながら攪拌し液温を３℃とした。次に亜硝酸
ソーダ3.20g（0.0464モル）を水10mlに溶かした液を液
温０〜５℃の範囲にコントロールしながら25分間て滴下
し、滴下終了後同温度で更に30分間攪拌した。反応液に
カーボンを加え過してテトラゾ液を得た。

次に１のビーカーに水500mlを入れ水酸化ナトリウム1
5.8g（0.395モル）を溶解した後ナフトールAS（３−ヒ
ドロキシ−２−ナフトエ酸アニリド）12.1g（0.0.460モ
ル）を添加して溶解した。このカプラー溶液を６℃に冷
却し、液温を６〜10℃にコントロールしながら前記テト
ラゾ化液を30分間かけて攪拌下滴下して、その後２時間
攪拌し、更に１晩放置した。反応液を過後、水洗し、
固形分換算で17.5gの水ペーストを得た。次に300mlのN,
N−ジメチルホルムアミドを用い、室温で攪拌過を４
回繰り返した。その後のメチルエチルケトンで２回攪拌
過を繰り返した後減圧乾燥し、精製顔料14.3g（81.6
％）を得た。

融点＞300℃ 元素分析計算値（％）実験値（％）Ｃ 72.41 72.33 Ｈ 3.47 3.51 Ｎ 10.34 10.27 以上代表的な顔料の合成法について述べたが、一般式
〔Ｉ〕で示される他のジスアゾ顔料も同様にして合成さ
れる。

前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下述する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。

すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のジスアゾ顔料を適当なバインダー中に分散含有させて
被膜形成することにより感光体を製造することができ
る。

本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発生層と電
荷輸送層に機能分離した電子写真感光体においてその電
荷発生層として前述の光導電性被膜を適用することがで
きる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示すジスアゾ顔料を含有し、且
つ発生した電荷キャリアが電荷輸送層との界面ないしは
導電性基板との界面まで効率的に輸送されるために薄膜
層、例えば５μ以下、好ましくは0.01〜１μの膜厚をも
つ薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量
の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリ
アを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結
合や捕獲（トラップ）により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに帰因している。

電荷発生層は、前述したジスアゾ顔料を適当なバインダ
ーに分散させ、これを支持体の上に塗工することによっ
て形成できる。

上記バインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択で
き、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリ
マーから選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルベンザール、ポリアリレート（ビスフェ
ノールＡとフタル酸の縮重合体など）、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、
アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エ
ポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができ
る。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好
ましくは40重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、ジクロヘキサノンなどのケトン類、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、
塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリク
ロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるい
はベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いること
ができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもまたその
下に積層されていてもよい。

電荷輸送物質には電子輸送性物質と正孔輸送性物質があ
る。電荷輸送性物質としては、クロルアニル、ブロモア
ニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリニトロ
−９−ジシアノメチレンフルオレノン、2,4,5,7−テト
ラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサント
ン等の電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子
化したもの等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−９−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒド
ラジノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジン、
N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−10−エ
チルフェノキサジン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジノベ
ンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−ジ
エチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾリノ
ン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス（Ｐ
−ジエチルアミノフェニル）−1,3,4−オキサジアゾー
ル、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（２）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−〔ピリジル（３）〕−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−
ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）−４−（Ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾール等のオ
キサゾール系化合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−６−ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾ
ール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチル
フェニル）−フェニルメタン等のトリアリールメタン系
化合物、α−フェニル−４−N,N′−ジフェニルアミノ
スチルベン、Ｎ−エチル−３−（α−フェニルスチリ
ル）−カルバゾール等のスチルベン系化合物1,1−ビス
（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）ヘ
プタン、1,1,2,2−テトラキス（４−N,N−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリールアル
カン類、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、
ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニルアン
トラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカル
バゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性がない時には、適当なバインダー
を選択することによって被膜形成できる。バインダーと
して使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロ
ニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリアクリ
ルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂、
あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリ
マーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜30μであるが、好ましい範囲は８〜20μであ
る。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述し
た様な適当なコーティング法を用いることができる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する支持体の上に設けられる。導電
層を有する支持体としては、支持体自体が導電性をもつ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いるこ
とができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、
酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプ
ラスチック（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル
樹脂、ポリフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例え
ば、アルミニウム粉末、酸化チタン、酸化錫、酸化亜
鉛、カーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダ
ーとともにプラスチックの上に被覆した支持体、導電性
粒子をプラスチックまたは前記導電性基体や紙に含浸し
た支持体や導電性ポリマーを有するプラスチックなどを
用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキシメ
チル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化
アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は、0.1〜５μ、好ましくは0.5〜３μが適
当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送物質か
らなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要があ
り、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において生
成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に達
して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。この様にしてできた
静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得ら
れる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙や
プラスチックフィルム等に転写後、現像し定着すること
ができる。

また、電子写真感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類
や現像方法、定着方法は公知のものから採用しても良
く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場
合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。

導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送物質
からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要が
あり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層において
生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基盤に達
する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面に達
し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電性
のトナーで現像すれば可視像が得られる。これを直接定
着するか、あるいはトナー像を紙やプラスチックフィル
ム等に転写後現像し定着することができる。また、感光
体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像し、定
着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法、定着方
法は公知のものから採用してもよく、特定のものに限定
されるものではない。

一方電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電荷
発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光する
と露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷輸
送層に注入されその後基盤に達する。一方電荷発生層に
おいて生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が生じ
未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像時に
は電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性トナー
を用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾーン類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述のジスアゾ顔料を
含有させた感光被膜とすることができる。この感光被膜
は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料をバイ
ンダーとともに塗工によって被膜形成される。

本発明の別の具体例としては既述の一般式〔Ｉ〕で示さ
れるジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有
させた電子写真感光体を挙げることができる。この際前
述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
とトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物
を用いることができる。この例の電子写真感光体は前述
のジスアゾ顔料と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフ
ランに溶解されたポリエステル溶液中に分散させた後、
被膜形成させて製造できる。

いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
〔Ｉ〕で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
一種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。又必要に応じて光吸収の異なる
顔料を組合せて使用し感光体の感度を高めたり、バンク
ロマチックな感光体を得るなどの目的で一般式〔Ｉ〕で
示されるジスアゾ顔料を２種類以上組合せたり、または
公知の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて
使用することも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやCRTプリンター、LEDプ
リンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電子写真
応用分野にも広く用いる事ができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明す
る。

実施例１〜20 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン1
1.2％アンモニア水1g,水222ml）をマイヤーバーで乾燥
後の膜厚が1.0μとなる様に塗布し乾燥した。次に、先
に列示したジスアゾ顔料No.（１）5gをエタノール95ml
にブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）2gを溶か
した液に加え、サンドミルで３時間分散した。この分散
液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5
μとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生
層を形成した。次いで構造式のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂
（数平均分子量100000）5gをベンゼン70mlに溶解し、こ
れを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μとなる様にマ
イヤーバーで塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し実施
例１の感光体を製造した。ジスアゾ顔料No.1に代えて第
２表に示す他の例示顔料を用い、実施例２〜20に対応す
る電子写真感光体を全く同様にして製造した。

この様にして製造した電子写真感光体を静電複写紙試験
装置（Model SP−428、川口電機（株）製）を用いてス
タディック方式で−5kVでコロナ帯電し、暗所で１秒間
保持した後、照度2luxで露光し帯電特性を調べた。帯電
特性としては表面電位(V₀)と１秒間暗減衰させた時の電
位を1/2に減衰するに必要な露光量（E_1/2）を測定した
この結果を第２表に示す。

第２表の結果から本発明の電子写真感光体はいずれも十
分な帯電能と十分な感度を有していることが判る。

実施例21〜25 実施例1,2,5,8,14に用いた電子写真感光体を用い、繰り
返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方
法としては−5.6kVのコロナ帯電器、露光光学系、現像
器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを備
えた電子写真複写機のシリンダーに電子写真感光体を貼
り付けた。この複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写
紙上に画像が得られる構成になっている。この複写機を
用いて初期の明部電位(V_L)と暗部電位(V_D)をそれぞれ−
100V,−600V付近に設定し、5000回使用した後の明部電
位(V_L)暗部電位(V_D)を測定した。この結果を第３表に示
す。

実施例26 実施例１で作成した電荷発生層の上に、2,4,7−トリニ
トロ−９−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキシジ
フェニル−2,2′−プロパンカーボネート（分子量300,0
00）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解して調製した塗
布液を乾燥後の塗工量が10g/m²となる様に塗布し、乾燥
した。

こうして製造した電子写真感光体について実施例１と同
様の方法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は＋
とした。この結果を第４表に示す。

第４表 V₀：600ボルト E_1/2： 3.8 lux・sec 実施例27 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5μのポリビニルアルコールの被膜を形
成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液を
先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後の膜
厚が0.6μとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して
電荷発生層を形成した。次いで構造式のピラゾリン化合物5gとポリアリレート（ビスフェノー
ルＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かした液を電荷発生層の上に
乾燥後の膜厚が10μとなる様に塗布し、乾燥して電荷発
生層を形成した。こうして製造した電子写真感光体の帯
電特性および耐久特性を実施例21〜25と同様の方法によ
って測定した。この結果を第５表に示す。

第５表の結果より、本発明の電子写真感光体は感度も良
く、耐久使用時の電位安定性も良好である。

実施例28 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液
を塗布し、乾燥して膜厚0.5μの下引層を形成した。

次に2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量300,000）5gを
テトラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯体化合物
を形成した。この電荷移動錯体化合物と前記例示のジス
アゾ顔料No.12,1gをポリエステル（バイロン：東洋紡
製）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え分
散した。この分散液を下引層の上に塗布し、乾燥して厚
み12μの電子写真感光体を製造した。

こうして製造した電子写真感光体の帯電特性と耐久特性
を実施例１と同様の方法によって測定した。この結果を
第６表に示す。但し帯電極性はとした。

第６表 V₀:620 Ｖ E_1/2： 3.5 lux・sec 実施例29 実施例28で用いたアルミ基体のカゼイン層上に実施例１
の電荷輸送層、電荷発生層を順次積層し層構成を異にす
る以外は実施例１と全く同様にして電子写真感光体を製
造し、実施例１と同様に帯電特性を測定した。但し帯電
極性をとした。この結果を第７表に示す。

第７表 V₀：600 Ｖ E_1/2： 3.9 lux・sec 実施例30 実施例10で用いた電子写真感光体を780nmに発振波長を
もつ半導体レーザーにより露光したところ、780nmにお
ける分光感度は2.1μJ/cm²（半減露光量）であった。

次にこの感光体をキャノンLBP−CXのドラム上に塗布し
実写テストを行なったところ、カブリのない良好な画像
が得られた。また、これは10000回繰り返しても変わる
ことはなかった。

実施例31〜34 実施例30において例示化合物18に代えて25,26,31,38を
用いた他は同様にしてドラム状の感光体を製造した。そ
れぞれの電子写真感光体の780nmにおける分光感度は第
８表に示す通りであった。

第８表例示化合物 25,26,31,38 半減露光量（μJ/cm²） 2.8 1.7 1.8 1.5 次に実施例30と同様にして実写テストを行なったとこ
ろ、カブリの無い画像が得られ、これは10000回繰り返
しても変化はなかった。

〔発明の効果〕

本発明によれば特定構造のアゾ顔料を感光層に含有させ
る事により感光層内部に於けるキャリア―発生効率ない
しはキャリア―輸送効率のいずれが一方ないしは双方が
良くなる事が推定され、高感度で耐久使用時に於ける電
位安定性のすぐれた感光体が得られる。また半導体レー
ザーの発振波長域においても高感度でカブリのない良好
な画像を得ることができる。さらに可視域から近赤外、
赤外領域にまたがる広い分光感度を有する電子写真感光
体を得ることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に感光層を有する電子写真
感光体において、該感光層が下記一般式［Ｉ］で示され
るジスアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感
光体。（ただし式［Ｉ］中R₁，R₂は水素、アルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基を示
し、R₁，R₂はそれぞれ同じであっても異なっていてもよ
い。また式［Ｉ］中A,A′はフェノール性OH基を有するカプ
ラー残基を示し、A,A′は同じであっても異なっていて
もよい。
【請求項２】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［II］で示される特許請求の範囲第（１）項記載
の電子写真感光体。（式［II］中Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環ない
しはヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。またR₃お
よびR₄は水素、置換基を有していてもよいアルキル基、
アリール基、アラルキル基ヘテロ環基ないしはR₃，R₄の
結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示す。）
【請求項３】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［III］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。（ただし式［III］中のR₅は置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。）
【請求項４】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［IV］で示される特許請求の範囲第（１）項記載
の電子写真感光体。（ただし式［IV］中のR₆は置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。）
【請求項５】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［Ｖ］で示される特許請求の範囲第（１）項記載
の電子写真感光体。（ただし式［Ｖ］中のＹは芳香族炭化水素の２価の基な
いしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。）
【請求項６】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［VI］で示される特許請求の範囲第（１）項記載
の電子写真感光体。（ただし式［VI］中のＹは芳香族炭化水素の２価ないし
は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。）
【請求項７】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［VII］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。（ただし式［VII］中のR₇は置換基を有していてもよい
アリール基ないしはヘテロ環基を示し、Ｘは前記一般式
［II］中のＸと同じ意味を表わす。）
【請求項８】前記一般式［Ｉ］中のＡおよびＡ′が下記
一般式［VIII］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。（式［VIII］中のR₈，R₉は置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基、ないしはヘテロ
環基を示す。Ｘは前記一般式［II］中のＸと同じ意味を
表わす。）