JP2592268B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JP2592268B2 JP28951387A JP28951387A JP2592268B2 JP 2592268 B2 JP2592268 B2 JP 2592268B2 JP 28951387 A JP28951387 A JP 28951387A JP 28951387 A JP28951387 A JP 28951387A JP 2592268 B2 JP2592268 B2 JP 2592268B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特
定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導電層中に含有
する電子写真感光体に関する。
[従来の技術] 従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多
くの文献などで発表されている。
例えば、“RCA Review"Vol.23,p.413〜p.419(1962.
9)では、フタロシアニン顔料の光導電性についての発
表がされており、また、このフタロシアニン顔料を用い
た電子写真感光体が米国特許第3397086号明細書や米国
特許第3816118号明細書などに記載されている。その他
に、電子写真感光体に用いる有機半導体としては、例え
ば米国特許第4315983号明細書、米国特許第4327169号明
細書や“Reseach Disclosure"20517(1981.5)に記載さ
れているピリリウム系染料、米国特許第3824099号明細
書に記載されているスクエアリック酸メチン染料、米国
特許第3898084号明細書、米国特許第4251613号明細書な
どに記載されたジスアゾ顔料などが挙げられる。
このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が
容易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性を
もつような化合物として合成することができ、このよう
な有機半導体の被膜を導電性基板上に形成した電子写真
感光体は、感色性がよくなるという利点を有している
が、感度および耐久性などにおいて実用できるものは、
ごく僅かである。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、
現在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能
であり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安
定な電位特性を有する電子写真感光体を提供すること、
可視域から近赤外、赤外線領域にまたがる広い分光感度
を有する電子写真感光体を提供することにある。
[問題点を解決する手段、作用] 本発明は、導電性基板上に光導電層を有する電感光体
において、光導電層に下記一般式(1)で示すジスアゾ
顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体から構
成される。
一般式 式中、R1およびR2は同一または異なって、水素原子、
置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を示し、具体的には
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、s
−ブチル、t−ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など
の基が挙げられ、さらに、上記アルキル基、アルコキシ
基の有してもよい置換基としてはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子などハロゲン原子、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシなどのアルコキ
シ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジ
ノ、ピロリジノなどの置換アミノ基などが挙げられる。
A1およびA2は同一または異なってフェノール性水酸基
を有するカプラー残基を示し、好ましくは、下記一般式
(2)〜(8)に示すカプラー残基から選択される。
一般式 式中、Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、
ジベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾ
ナフトフラン環、ジフェニレンサルファイト環、フルオ
レノン環などの多環芳香環あるいはヘテロ環を形成する
に必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カ
ルバゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより
好ましい。
R3およびR4は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、アリール、アラルキル基、ヘテロ環基ないしは
R3、R4の結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示
す。
アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど、アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具
体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンス
リルなど、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、
ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジンなどが挙げられる。
一般式 式中、R5、R6は水素原子、置換基を有してもよいアル
キル基、アリール基あるいはアラルキル基を示す。R5
R6の具体例は前記のR3、R4と同じ例によって示される。
一般式(2)〜(4)中の置換基R3〜R6の示すアルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテ
ロ環基は、さらに他の置換基、例えばフッ素原子、塩素
原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などに
より置換されていてもよい。
一般式 一般式 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子
を環内に含むヘテロ環の2価の基を示し、芳香族炭化水
素の2価の基としてはo−フェニレンなどの単環芳香族
炭化水素の2価の基、o−ナフチレン、ペリナフチレ
ン、1,2−アンスリレン、9,10−フェナンスリレンなど
の縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒素
原子を環内に含むヘテロ環の2価の基としては、3,4−
ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、4,5−ピ
リミジンジイル基、6,7−インダゾールジイル基、6,7−
キノリンジイル基などの2価の基が挙げられる。
一般式 式中、R7は置換基を有してもよいアリール基またはヘ
テロ環基を示し、具体的にはアリール基としてはフェニ
ル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ヘテロ環基とし
てはピリジル、チエニル、フリル、カルバゾリル基を示
す。さらにアリール基、ヘテロ環基の置換基としては、
フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、
シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェ
ニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど
置換アミノ基が挙げられる。
Xは前記一般式(2)中のXと同義である。
一般式 式中、R8およびR9は置換基を有してもよいアルキル
基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環基を示
し、具体的にはアルキル基としてはメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、アラルキル基としてはベンジル、フェ
ネチル、ナフチルメチル、アリール基としてはフェニ
ル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル、ヘテロ環基と
してはカルバゾリル、チエニル、ピリジル、フリルなど
が挙げられ、さらに、アルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、ヘテロ環基の置換基としては、フッ素原子、塩
素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどの
アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノ
キシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチ
ルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モル
ホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙
げられる。
Xは前記一般式(2)中のXと同義である。
以下に一般式(1)で示すジスアゾ顔料の代表的な具
体例を列挙するが、該具体例は本発明の特許請求の範囲
を限定するものではない。
例示顔料は、基本型において、相違部分であるR1
R2、A1およびA2を記載することで具体的構造を表わすこ
ととする。
基本型1 例示顔料(1) R1、R2:H 例示顔料(2) R1、R2:H 例示顔料(3) R1、R2:H 例示顔料(4) R1、R2:H 例示顔料(5) R1、R2:H 例示顔料(6) R1、R2:H 例示顔料(7) R1、R2:H 例示顔料(8) R1、R2:H 例示顔料(9) R1、R2:H 例示顔料(10) R1、R2:H 例示顔料(11) R1、R2:H 例示顔料(12) R1、R2:H 例示顔料(13) R1、R2:H 例示顔料(14) R1、R2:H 例示顔料(15) R1、R2:H 例示顔料(16) R1、R2:H 例示顔料(17) R1、R2:H 例示顔料(18) R1、R2:H 例示顔料(19) R1、R2:H 例示顔料(20) R1、R2:H 例示顔料(21) R1、R2:H 例示顔料(22) R1、R2:H 例示顔料(23) R1:H R2:−OC2H5 例示顔料(24) R1:H R2:−OCH3 例示顔料(25) R1、R2:H 例示顔料(26) R1、R2:H 例示顔料(27) R1、R2:H 例示顔料(28) R1、R2:H 例示顔料(29) R1、R2:H 例示顔料(30) R1、R2:H 例示顔料(31) R1、R2:H 例示顔料(32) R1、R2:H 例示顔料(33) R1、R2:H 例示顔料(34) R1、R2:H 例示顔料(35) R1:−CH3 R2:H 例示顔料(36) R1、R2:−CH3 例示顔料(37) R1:H R2:Cl 基本型2 例示顔料(38) R1:H R2:−NO2 基本型1 例示顔料(39) R1、R2:Cl 例示顔料(40) R1:H R2:−CH 上記具体例で示されるシズアゾ顔料は本発明の特許請
求の範囲を限定するものではない。
これらジスアゾ顔料は1種または2種以上組合せて用
いることができる。
本発明において用いられるこれらのジスアゾ顔料は、
例えば、下記で示されるジアミンを 常法により亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し、次
いで前記一般式(2)〜(8)で示すフェノール性水酸
基を有するカプラー残基を構成するカプラーをアルカリ
の存在下に水系カップリングするか、または前記ジアミ
ンのテトラゾニウム塩をBF4塩、PF6塩あるいは塩化亜鉛
複塩などの形で一旦単離した後、適当な溶剤、例えばN,
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなど
の溶剤中でアルカリ存在下にカプラーとカップリングす
ることにより容易に製造することができる。
合成例[例示顔料(1)の合成] 500mlビーカーに水200ml、濃塩酸41.7ml(0.49モ
ル)、下記アミン化合物26.1g(0.0725モル)を入れ、 氷水浴で冷却しながら撹拌し液温を3℃とした。
次に亜硝酸ソーダ10.5g(0.16モル)を水17mlに溶か
した液を液温0〜5℃の範囲にコントロールしながら25
分間で滴下し、滴下終了後同温度でさらに30分間撹拌し
た。
反応液にカーボンを加え、濾過し、テトラゾ化液を得
た。
次に3ビーカーに水1.5を入れ、水酸化ナトリウ
ム52.9g(1.32モル)を溶解した後ナフトールAS(3−
ヒドロキシ−2−ナフトエ酸アニリド)40.5g(0.154モ
ル)を添加して溶解した。このカプラー溶液を6℃に冷
却し、液温度を6〜10℃にコントロールしながら前記テ
トラゾ化液を30分間かけて撹拌下滴下して、その後、2
時間撹拌し、さらに一晩放置した。反応液を濾過後水洗
し、固形分換算で70.9gの水ペーストを得た。
次に、900mlのN,N−ジメチルホルムアミドを用い、室
温で撹拌濾過を4回繰り返した。
その後、900mlのメチルエチルケトンで2回撹拌濾過
を繰り返した後、減圧乾燥し、精製顔料54.3g、収率82.
6%を得た。
融点>300℃ 元素分析 計算値(%) 実験値(%) C 79.30 79.25 H 4.41 4.38 N 9.25 9.20 前記一般式(1)で示すジスアゾ顔料を含有する被膜
は、光導電性を示し、従って下述する電子写真感光体の
感光層に用いることができる。
すなわち、本発明の具体例では導電性基板の上に前記
のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることにより電子写真感光体を作成することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光
層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感
光体における電荷発生層として、前述の特定のジスアゾ
顔料を含有する光導電性被膜を適用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限
り多くの光導電性を示す前述の特定のジスアゾ顔料を含
有し、かつ、発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面
ないしは導電性基板との界面まで効率的に輸送されるた
めに薄膜層、例えば5μ以下、好ましくは0.01〜1μの
膜厚をもつ薄膜層とすることが望ましい。
このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収さ
れて、多くの電荷キヤリアを生成すること、さらに発生
した電荷キヤリアを再結合や捕獲(トラップ)により失
活することなく電荷輸送層に注入する必要があることに
起因している。
電荷発生層は前述の特定のジスアゾ顔料を適当なバイ
ンダーに分散させ、これを導電性基板の上に塗工するこ
とによって形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を
形成することによって得ることができる。電荷発生層を
塗工によって形成する際に用いうるバインダーとしては
広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビニル
カルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマーから選択できる。
好ましくはポリビニルブチラール、ポリビニルベンゾ
ール、ポリアリレート(ビスフェノールAとフタル酸の
縮重合体など)、ポリカーボネート、ポリエステル、フ
ェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリア
クリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セル
ロース系樹脂、ウレタン樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙
げることができる。電荷発生層中に含有する樹脂は80重
量%以下、好ましくは40重量%以下が適している。
塗工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法
が好ましい。加熱乾燥は30〜200℃の温度で5分〜2時
間の範囲で静止または送風下で行なうことができる。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって
異なり、また下述する電荷輸送層や下引層を溶解しない
ものから選択することが好ましい。
具体的な有機溶剤としてはメタノール、エタノール、
イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジクロルヘ
キサノンなどのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロル
エチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、
キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続され
ており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷
キヤリアを受け取るとともに、これらの電荷キヤリアを
表面まで輸送できる機能を有している。
この際電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていて
もよく、また下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物質(以
下、電荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応
する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好
ましい。
ここでいう電磁波とは、γ線、X線、紫外線、可視光
線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
光線の定義を包含する。
電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一
致またはオーバーラップする時には、両者で発生した電
荷キヤリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下
の原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,5,
7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン
などの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子
化したものなどがある。
正孔輸送性物質としてはピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフ
ェニルヒドラゾン、p−ピロリジノベンズアルデヒド−
N,N−ジフェニルヒドラソン、p−ジエチルベンズアル
デヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾ
ンなどのヒドラゾン類、2,5−ビス(p−ジエチルアミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−フェニ
ル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル
(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピ
リジル(3)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)
−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1
−[ピリジル(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−
ジエチルアミノベンズオキサゾール、2−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)−4−(p−ジメチルアミノフェニ
ル)−5−(2−クロロフェニル)オキサゾールなどの
オキサゾール系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−6−ジエチルアミノベンゾチアゾールなどのチ
アゾール系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メ
チルフェニル)−フェニルメタンなどのトリアリールメ
タン系化合物、1,1−ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−
2−メチルフェニル)ヘプタン、1,1,2,2テトラキス
(4−N,N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)エ
タンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルアミ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−9−ビニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂な
どが挙げられる。
これらを有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上
組合せて用いることができる。
電荷輸送物質が成膜性を有していないときには適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。バ
インダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹
脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマ
ー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーなどが挙げられる。
電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には5〜30μであるが、好ましい範囲は8〜20μであ
る。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述し
たような適当なコーティング法を用いることができる。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からな
る感光層は、導電層を有する基板の上に設けられる。か
かる基板としては、基板自体が導電性を有する、例えば
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレ
ス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケ
ル、インジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他には、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチッ
ク(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど)を用いることができ、導電性粒
子(例えばカーボンブラック、銀粒子など)を適当なバ
インダーとともにプラスチックの上に被覆した基板、導
電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基板や導電性ポ
リマーを有するプラスチックなどを用いることができ
る。
導電性基板と感光層の中間にバリヤー機能と接続機能
を有する下引層を設けることもできる。下引層はカゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレ
ン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド、(ナイロン
6、ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アル
コキシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチ
ン、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5μ、好ましくは0.5〜3μが
適当である。
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した
感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送
性物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層に
おいて生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、
表面に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生
じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで
現像すれば、可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラ
スチックフィルムなどに転写後、現像し定着することが
できる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、
電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露
光すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が
電荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を
中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コ
ントラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用い
たときとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した
電子写真感光体を使用する場合において、電荷輸送物質
が電子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面を負
に帯電する必要があり、帯電後露光すると、露光部では
電荷発生層において生成した電子は電荷輸送層に注入さ
れ、その後基板に達する。一方電荷発生層において生成
した正孔は表面に到達し、表面電位の減衰が生じ、未露
光部との間に静電コントラストが生じる。このようにし
てできた静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するかあるいはトナー像
を紙やプラスチックフィルムなどに転写後現像し定着す
ることができる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方電荷発生層が正孔輸送物質からなるときは、電荷
発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光する
と、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基板に達する。一方電荷発生
層において生成した電子は表面に到達し、表面電位の減
衰が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負
荷電性トナーを用いる必要がある。
さらに本発明の別の具体例として、前述の一般式
(1)で示すジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一
層に含有させた電子写真感光体を挙げることができる。
この際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカ
ルバゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動
錯化合物を用いることができる。
この例の電子写真感光体は、前記ジスアゾ顔料と電荷
移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエ
ステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成でき
る。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般
式(1)で示すジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも1
種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結
晶質であってもよい。
また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用
し感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体
を得るなどの目的で一般式(1)で示すジスアゾ顔料を
2種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から選
ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能であ
る。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、LED
プリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの電子
写真応用分野にも広く用いることができる。
[実施例] 実施例1〜15 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン
11.2g、アンモニア水1g、水222ml)をマイヤーバーで乾
燥後の膜厚が1.0μとなるように塗布し乾燥した。
次に、前記例示顔料(1)の5gをエタノール95mlにブ
チラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2gを溶解した
液に加え、サンドミルで2時間分散した。この分散液を
先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5μと
なるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を
形成した。
次いで、構造式 のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート(数
平均分子量10万)5gをベンゼン70mlに溶解し、これを電
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が16μとなるようにマイヤ
ーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例1
の電子写真感光体を作成した。
例示顔料(1)に代えて他の例示顔料を用い、実施例
2〜15に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成
した。
こうして作成した電子写真感光体を静電複写紙試験装
置(ModelEPA−8100、川口電機(株)製)を用い、スタ
テイツク方式で−6KVでコロナ帯電し、暗所で1秒間保
持した後、照度2ルックスの光で露光し、帯電特性を調
べた。
帯電特性としては表面電位(V0)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量(E1/2)を
測定した。結果を示す。
この結果から、本発明の電子写真感光体はいずれも十
分な帯電能と十分に感度を有していることが分る。
実施例16〜20 実施例1、2、4、6、10、で作成した電子写真感光
体を用い、繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動
を測定した。
方法としては、−6.5KVのコロナ帯電器、露光光学
系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリー
ナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼
り付けた。この複写機はシリンダーの駆動に伴ない、転
写紙上に画像が得られる構成になっている。この複写機
を用い、初期の明部電位(VL)と暗部電位(VD)を、そ
れぞれ−100V、−600V付近に設定し、5,000回使用した
後の明部電位(VL)と暗部電位(VD)を測定した。結果
を示す。
実施例21 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布し、乾燥して膜厚0.5μの下引層を形成した。
次に2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン5gとポリ
−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万)5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯体化合物を
形成した。この電荷移動錯体化合物と前記例示顔料
(3)の1gをポリエステル樹脂(商品名バイロン、東洋
紡(株)製)5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液
に加え分散した。この分散液を下引層の上に塗布し、乾
燥した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の
方法で帯電特性を測定した。但し、帯電極性は+とし
た。結果を示す。
V0:+600V E1/2:3.1lux,sec 実施例22 実施例21で用いたカゼイン層を形成したアルミ基板の
カゼイン層上に、実施例1と同様の電荷輸送層、電荷発
生層を順次積層し、層構成を異にする他は実施例1と全
く同様にして電子写真感光体を作成し、実施例1と同様
の方法により帯電特性を測定した。但し、帯電極性は+
とした。
結果を示す。
V0:+600V E1/2:4.1lux,sec 実施例23 実施例11で用いた感光体を780nmに発振波長をもつ半
導体レーザーにより露光した。
780nmにおける分光感度は1.7μJ/cm2(半減露光量)
であった。
次に、この感光体をキヤノン(株)製、商品名LBP−C
Xのドラムに塗布し、実写テストを行なったところ、カ
ブリのない良好な画像が得られた。
また、これは1万回繰り返しても変ることなく良好な
画像が得られた。
実施例24 実施例23における例示顔料(25)に代え例示顔料(1
7)、(18)、(23)、(26)を用いた他は、同様にし
て感光体を作成した。
それぞれの感光体の780nmにおける分光感度を示す。
次に実施例23と同様にして実写テストを行なったとこ
ろカブリのない画像が得られ、これは1万回繰り返して
も変化はなかった。
[発明の効果] 本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を感
光層に含有することにより、当該ジスアゾ顔料を含む感
光層内部における電荷キヤリア発生効率ないしは電荷キ
ヤリア輸送効率のいずれかの一方または双方が良くなる
ことが推定され、高感度で耐久使用時における電位安定
性の優れた電子写真感光体である。また、半導体レーザ
ーの発振波長域においても高感度でカブリのない良好な
画像を得ることができる優れた電子写真感光体である。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導電性基板上に光導電層を有する電子写真
    感光体において、光導電層に下記一般式(1)で示すジ
    スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光
    体。 一般式 式中、R1およびR2は水素原子、置換基を有してもよいア
    ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基また
    はシアノ基を示し、R1、R2は同じであっても異なってい
    てもよく、A1およびA2はフェノール性水酸基を有するカ
    プラー残基を示し、A1、A2は同じであっても異なってい
    てもよい。
  2. 【請求項2】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(2)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいはヘ
    テロ環を形成するに必要な残基、R3およびR4は水素原
    子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、ア
    ラルキル基、ヘテロ環基あるいはR3、R4の結合する窒素
    原子とともに環状アミノ基を示す。
  3. 【請求項3】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(3)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、R5は置換基を有してもよいアルキル基、アリール
    基あるいはアラルキル基を示す。
  4. 【請求項4】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(4)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、R6は置換基を有してもよいアルキル基、アリール
    基またはアラルキル基を示す。
  5. 【請求項5】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(5)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
    環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。
  6. 【請求項6】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(6)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基または窒素原子を
    環内に含むヘテロ環の2価の基を示す。
  7. 【請求項7】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(7)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、R7は置換基を有してもよいアリール基またはヘテ
    ロ環基を示し、Xは前記一般式(2)中のXと同義であ
    る。
  8. 【請求項8】一般式(1)中のA1、A2の一方または双方
    が下記一般式(8)で示すフェノール性水酸基を有する
    カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体。 一般式 式中、R8およびR9は置換基を有してもよいアルキル基、
    アリール基、アラルキル基またはヘテロ環基を示し、X
    は前記一般式(2)中のXと同義である。
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