JP2511291B2

JP2511291B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JP2511291B2
Application number: JP12384688A
Authority: JP
Inventors: 清志酒井; 悌互 ▲榊▼原; 春海酒匂; 昇司雨宮
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1988-05-23
Filing date: 1988-05-23
Publication date: 1996-06-26
Anticipated expiration: 2011-06-26
Also published as: JPH01293352A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特
定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導電層中に含有
する電子写真感光体に関する。

［従来の技術］従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多
くの文献などで発表されている。

例えば、“RCA Review"Vol.23,P.413〜P.419（1962.
9）ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表
がされており、またこのフタロシアニン顔料を用いた電
子写真感光体が米国特許第3397086号明細書や米国特許
第3816118号明細書などに記載されている。その他に、
電子写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米
国特許第4315983号明細書、米国特許第4327169号明細書
や“Reseach Disclosure"20517（1981.5）に記載されて
いるピリリウム系染料、米国特許第3824099号明細書に
記載されているスクエアリック酸メチン染料、米国特許
第3898084号明細書、米国特許第4251613号明細書などに
記載されたジスアゾ顔料などが挙げられる。

このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が
容易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性を
もつような化合物として合成することができ、このよう
な有機半導体の被膜を導電性基板に形成した電子写真感
光体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、
感度および耐久性において実用できるものは僅かであ
る。

［発明が解決しようとする課題］本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、
現在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能
であり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安
定な電位特性を有する電子写真感光体を提供することに
ある。

［課題を解決する手段、作用］本発明は、導電性基板上に光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層に下記一般式（１）で示すジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体
から構成される。

一般式式中、Ｒ₁およびＲ₂はアルキル基、芳香族炭化水素
基、芳香族複素環基を示し、上記基は置換基を有しても
よく、Ｒ₁、Ｒ₂は同じであっても異なっていてもよく、
Ａ₁およびＡ₂はフェノール性水酸基を有するカプラー残
基を示し、Ａ₁、Ａ₂は同じであっても異なっていてもよ
い。

具体的には、Ｒ₁、Ｒ₂は、アルキル基しては、例えば
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
の基、芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル、ナ
フチル、ベンジルなどの基、芳香族複素環基としては、
例えばピリジル、キノリルなどの基が挙げられ、上記基
の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、
ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノなどの置換
アミノ基が挙げられる。

Ａ₁およびＡ₂の示すフェノール性水酸基を有するカプ
ラー残基のより好ましい具体例としては、下記一般式
（２）〜（６）で示す残基が挙げられる。

一般式式中、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、
ジベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾ
ナフトフラン環、ジフェニレンサルファイト環、フルオ
レノン環などの多環芳香環あるいは複素環を形成するに
必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カ
ルバゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより
好ましい。

Ｒ₃およびＲ₄は水素原子、アルキル基、アリール、ア
ラルキル基、複素環基を示し、上記基は置換基を有して
もよく、またはＲ₃、Ｒ₄は結合する窒素原子とともに環
状アミノ基を示す。

具体的には、アルキル基としてはメチル、エチル、プ
ロピル、ブチルなどの基、アラルキル基としてはベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチルなどの基、アリール基
としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル
などの基、複素環基としてはカルバゾール、ジベンゾフ
ラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、チアゾ
ール、ピリジンなどの基が挙げられる。

一般式式中、Ｒ₅は水素原子、アルキル基、アリール基ある
いはアラルキル基を示し、上記基は置換基を有してもよ
い。具体的には、Ｒ₅は前記のＲ₃、Ｒ₄と同じ例によっ
て示される。

一般式（２）、（３）中の置換基Ｒ₃〜Ｒ₅の示すアル
キル基、アリール基、アラルキル基、複素環基は、さら
に他の置換基、例えばフッ素原子、塩素原子、ヨウ素原
子、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベン
ジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジ
ノ、ピロリジノなど置換アミノ基などにより置換されて
いてもよい。

一般式式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基または窒素原子
を環内に含むヘテロ環の２価の基を示し、芳香族炭化水
素の２価の基としてはｏ−フェニレンなどの単環芳香族
炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、ペリナフチレ
ン、1,2−アンスリレン、9,10−フェナンスリレンなど
の縮合多環芳香族炭化水素の２価の基が挙げられ、窒素
原子を環内に含む複素環の２価の基としては、3,4−ピ
ラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、4,5−ピリ
ミジンジイル基、6,7−インダゾールジイル基、6,7−キ
ノリンジイル基などの２価の基が挙げられる。

一般式式中、Ｒ₆はアリール基または複素環基を示し、上記
基は置換基を有してもよく、具体的にはアリール基とし
てはフェニル、ナフチル、アンスリル、ピレニルなどの
基、複素環基としてはピリジル、チエニル、フリル、カ
ルバゾリルなどの基が挙げられる。

さらにアリール基、複素環基の置換基としてはフッ素
原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ
基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換
アミノ基が挙げられる。

Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。

一般式式中、Ｒ₇およびＲ₈はアルキル基、アラルキル基、ア
リール基、または複素環基を示し、上記基は置換基を有
してもよく、具体的にはアルキル基としてはメチル、エ
チル、プロピル、ブチルなどの基、アラルキル基として
はベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどの基、ア
リール基としては、フェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリルなどの基、複素環基としてはカルバゾリル、
チエニル、ピリジル、フリルなどの基が挙げられ。

上記基の置換基としてはフッ素原子、塩素原子、ヨウ
素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなど
のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミ
ノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ基が挙げ
られる。

Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。

以下に本発明の一般式（１）で示すジスアゾ顔料の代
表的な具体例を列挙する。

例示顔料は、基本型において、相違部分であるＲ₁、
Ｒ₂、Ａ₁、Ａ₂のみを記載することで具体的構造を表わ
すこととする。

基本型上記具体例で示したジスアゾ顔料は本発明の特許請求
の範囲を限定するものではない。

これらジスアゾ顔料は、１種または２種以上組み合せ
て用いることができる。

これらのジスアゾ顔料は、例えば下記構造式のジアミ
ンを常法により亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し、次
いで一般式（２）〜（６）で示すフェノール性水酸基を
有するカプラー残基を有するカプラーをアルカリの存在
下に水系カップリングするか、または、前記ジアミンの
テトラゾニウム塩をBF₄塩、PF₆塩あるいは塩化亜鉛複塩
などの形で一旦単離した後、適当な溶剤、例えばN,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶
剤中でアルカリの存在下でカプラーとカップリングする
ことにより容易に合成することができる。

合成例（例示顔料（１）の合成） 500mlビーカーに水180ml、濃塩酸37.4ml（0.44モル）
および 26.3g（0.0649モル）を入れ、氷水浴で冷却しながら攪
拌し液温を３℃とした。次に亜硝酸ソーダ9.5g（0.14モ
ル）を水15mlに溶かした液を液温０〜５℃の範囲にコン
トロールしながら25分間で滴下し、滴下終了後同温度で
さらに30分間攪拌した。反応液にカーボンを加え、濾過
してテトラゾ化液を得た。

次に3lビーカーに水1.5lを入れ、水酸化ナトリウム4
7.3g（1.18モル）を溶解した後、ナフトールAS（３−ヒ
ドロキシ−２−ナフトエ酸アニリド）36.3g（0.138モ
ル）を添加して溶解した。このカプラー溶液を６℃に冷
却し、液温６〜10℃にコントロールしながら前述のテト
ラゾ化液を30分間かけて攪拌下滴下して、その後２時間
攪拌し、さらに一晩放置した。

反応液を濾過後水洗し、固形分換算で65.2gの水ペー
ストを得た。次に900mlのN,N−ジメチルホルムアミドを
用い、室温で攪拌濾過を４回繰り返した。その後900ml
のMEKで２回撹拌濾過を繰り返した後減圧乾燥し、精製
顔料51.1g（収率82.6％）を得た。融点＞300℃ 元素分析計算値（％）実験値（％）Ｃ 75.63 75.67 Ｈ 4.20 4.27 Ｎ 11.76 11.74 以上代表的な顔料の合成法について述べたが、一般式
（１）で示す他のジスアゾ顔料も同様にして合成され
る。

前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、
従って下述する電子写真感光体の光導電層に用いること
ができる。

即ち、本発明の具体例では導電性基板の上に前述のジ
スアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるい
は適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成するこ
とにより電子写真感光体を作成することができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の光導
電層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真
感光体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜
を適用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限
り多くの前述の光導電性を示すジスアゾ顔料を含有し、
かつ発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面ないしは
導電性支持体との界面まで効率的に輸送されるために、
薄膜層、例えば５μ以下、好ましくは0.01〜１μの膜厚
をもつ薄膜層とすることが好ましい。

このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収され
て多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキ
ャリアを再結合や捕獲（トラップ）により失活すること
なく電荷輸送層に注入する必要があることに起因してい
る。

電荷発生層は、前記ジスアゾ顔料を適当なバインダー
に分散させ、これを導電性基板の上に塗工することによ
って形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成す
ることによって得ることができる。

電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイ
ンダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン
やポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選
択できる。

好ましくはポリビニルブチラール、ポリアリレート
（ビスフェノールＡとフタル酸の縮重合体など）、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリア
ミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポリウ
レタン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げるこ
とができる。

電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好ま
しくは40重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって
異なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないも
のから選択することが好ましい。

具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン
類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチ
レングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレンなどの脂肪属ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化
水素類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコールコーティ
ング法などのコーティング法を用いて行なうことができ
る。

乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法
が好ましい。加熱乾燥は、30〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続され
ており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷
キャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。この際、この電
荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
たその下に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸
送層における電荷キャリアを輸送する物質（以下、電荷
輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感応する電磁
波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい。
ここでいう電磁波とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光
線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
光線の定義を包含する。

電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一
致またはオーバーラップする時には、両者で発生した電
荷キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下
の原因となる。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,5,
7−テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン
などの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子
化したものなどがある。

正孔輸送性物質としてはピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒ
ドラジノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフ
ェニルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−
N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルベンズアル
デヒド−３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾ
ンなどのヒドラゾン類、2,5−ビス（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）−1,3,4−オキサジアゾール、１−フェニ
ル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル
（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（３）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−［ピリジル（２）］−３−（（ｐ−ジエチルフミノス
チリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピ
ラゾリン類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６
−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェ
ニル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾールなど
のオキサゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−６−ジエチルアミノベンゾチアゾールなどの
チアゾール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−
メチルフェニル）−フェニルメタンなどのトリアリール
メタン系化合物、1,1−ビス（４−N,N−ジエチルアミノ
−２−メチルフェニル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラキ
ス（４−N,N−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）
エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホル
ムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂などが挙げられる。

これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質が成膜性を有していないときには適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。バ
インダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹
脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールポ
リビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーが挙げられる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には５〜30μであるが、好ましい範囲は８〜20μであ
る。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述し
たような適当なコーティング法を用いることができる。

このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からな
る光導電層は、導電性基板の上に設けられる。導電性基
板としては、基板自体が導電性をもつもの、例えばアル
ミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、
バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、
インジウム、金や白金などが用いられる。

その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチッ
ク（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例えばカーボン
ブラック、銀粒子など）を適当なバインダーとともにプ
ラスチックの上に被覆した導電性基板、導電性粒子をプ
ラスチックや紙に含浸した導電性基板や導電性ポリマー
を有するプラスチックなどを用いることができる。

導電性基板と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機
能をもつ下引層を設けることもできる。下引層はカゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレ
ン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、
ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。下引層の膜
厚は0.1〜５μ、好ましくは0.5〜３μが適当である。

導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した
感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送
性物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する
必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層に
おいて生成した電子は電荷輸送層に注入され、その後、
基板に達する。

一方、電荷発生層において生成した正孔は、表面に達
し、表面電位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。

このようにしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで
現像すれば、可視像が得られる。

これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラ
スチックフィルムなどに転写後、現像し定着することが
できる。

また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなる場合、電
荷発生層表面に正に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後基板に達する。一方、電荷
発生層において生成した電子は、表面に達し、表面電位
の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いたときとは逆に負
荷電性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例として、前述の一般式
（１）で示すジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一
層に含有させた電子写真感光体を挙げることができる。
この際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動
錯化合物を用いることができる。

この例の電子写真感光体は、前記ジスアゾ顔料と電荷
移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエ
ステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成でき
る。

いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般
式（１）で示すジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも１
種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結
晶質であってもよい。また、必要に応じて光吸収の異な
る顔料を組合せて使用し感光体の感度を高めたり、パン
クロマチックな感光体を得るなどの目的で一般式（１）
で示すジスアゾ顔料を２種類以上組合せたり、または公
知の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使
用することも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、LED
プリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの電子
写真応用分野にも広く用いることができる。

［実施例］実施例１〜15 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン
11.2g,アンモニア水1g、水222ml）をマイヤーバーで乾
燥後の膜厚が1.0μとなるように塗布し乾燥した。

次に、例示顔料（１）の5gをエタノール95mlにブチラ
ール樹脂（ブチラール化度63モル％）に2gを溶解した液
に加え、サンドミルで２時間分散した。この分散液を先
に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5μとな
るようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形
成した。

次いで、構造式のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート（数
平均分子量10万）5gをベンゼン70mlに溶解し、これを電
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μとなるようにマイヤ
ーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例１
の電子写真感光体を作成した。

例示顔料（１）に代え他の例示顔料を用い実施例２〜
15に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成し
た。

このようにして作成した電子写真感光体を静電複写紙
試験装置（Model EPA-8100、川口電機（株）製）を用
い、スタテイツク方式で−5KVでコロナ帯電し、暗所で
１秒間保持した後、照度２ルックスで露光し、帯電特性
を調べた。

帯電特性としては、表面電位（Ｖ₀）と１秒間暗減衰
させた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量（E1/
2）を測定した。結果を示す。

上記の結果から、本発明の電子写真感光体はいずれも
十分な帯電能と十分な感度を有していることが分る。

実施例16〜20 実施例１、２、４、６、10で作成した電子写真感光体
を用い繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測
定した。

方法としては−5.6KVのコロナ帯電器、露光光学系、
現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナー
を備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付
けた。この複写機はシリンダーの駆動に伴ない、転写紙
上に画像が得られる構成になっている。

この複写機を用いて、初期の明部電位（Ｖ_L）と暗部
電位（Ｖ_D）を、それぞれ−100V、−600V付近に設定
し、5,000回使用した後の明部電位（Ｖ_L）と暗部電位
（Ｖ_D）を測定した。結果を示す。

実施例21 実施例１で形成した電荷発生層の上に、2,4,7−トリ
ニトロ−９−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキシ
ジフェニル−2,2−プロパンカーボネート（分子量30
万）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解して調製した塗
布液を乾燥後の塗工量が10g/m²となるように塗布し、乾
燥した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の
方法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は＋とし
た。結果を示す。

Ｖ₀：＋590V E1/2:2.4lux,sec 実施例22 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのア
ルミ面上に膜厚0.5μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後の
膜厚が0.5μとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。

次いで、構造式のピラゾリン化合物5gとポリアリレート（ビスフェノー
ルＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かした液を電荷発生層の上に
乾燥後の膜厚が10μとなるように塗布し乾燥して電荷輸
送層を形成した。こうして作成した電子写真感光体につ
いて帯電特性および耐久特性を実施例１および実施例16
と同様の方法により測定した。結果を示す。

Ｖ₀：−600V E1/2:2.9lux,sec 耐久特性初期Ｖ_D：−600V Ｖ_L：−100V ５千枚耐久後Ｖ_D：−610V Ｖ_L：−110V 上記の結果から、感度も良く、耐久使用時の電位安定
性も良好である。

実施例23 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液（前出）を塗布し、乾燥して膜厚0.5μの下引層を形
成した。

次に、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量30万）5gを
テトラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯化合物を
調製した。この電荷移動錯化合物と例示顔料（３）の1g
をポリエステル（商品名バイロン、東洋紡（株）製）5g
をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え、分散し
た。この分散液を下引層の上に塗布、乾燥して12μの層
を形成し、電子写真感光体を作成した。この電子写真感
光体の電子写真特性を実施例１と同様の方法により測定
した。但し、帯電極性は＋とした。結果を示す。

Ｖ₀：＋600V E1/2:2.4lux,sec ［発明の効果］本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を光
導電層に含有することにより、当該ジスアゾ顔料を含む
光導電層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリ
ア輸送効率のいずれかの一方または双方が良くなること
が推定され、高感度で耐久使用時における電位安定性の
優れた電子写真感光体である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上に光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層に下記一般式（１）で示すジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光
体。一般式式中、Ｒ₁およびＲ₂はアルキル基、芳香族炭化水素基、
芳香族複素環基を示し、上記基は置換基を有してもよ
く、Ｒ₁、Ｒ₂は同じであっても異なっていてもよく、Ａ
₁およびＡ₂はフェノール性水酸基を有するカプラー残基
を示し、Ａ₁、Ａ₂は同じであっても異なっていてもよ
い。
【請求項２】一般式（１）中のＡ₁、Ａ₂の一方または双
方が下記一般式（２）で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である請求項１記載の電子写真感光体。一般式式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成するに必要な残基、Ｒ₃およびＲ₄は水素原
子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基
を示し、上記基は置換基を有してもよく、またはＲ₃、
Ｒ₄は結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示す。
【請求項３】一般式（１）中のＡ₁およびＡ₂の一方また
は双方が下記一般式（３）で示すフェノール性水酸基を
有するカプラー残基である請求項１記載の電子写真感光
体。一般式式中、Ｒ₅はアルキル基、アリール基あるいはアラルキ
ル基を示し、上記基は置換基を有してもよい。
【請求項４】一般式（１）中のＡ₁、Ａ₂の一方または双
方が下記一般式（４）で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体。一般式式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基または窒素原子を
環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項５】一般式（１）中のＡ₁、Ａ₂の一方または双
方が下記一般式（５）で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である請求項１記載の電子写真感光体。一般式式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成するに必要な残基、Ｒ₆はアリール基または
ヘテロ環基を示し、上記基は置換基を有してもよい。
【請求項６】一般式（１）中のＡ₁、Ａ₂の一方または双
方が下記一般式（６）で示すフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基である特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体。一般式式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成するに必要な残基、Ｒ₇およびＲ₈はアルキル
基、アリール基、アラルキル基または複素環基を示し、
上記基は置換基を有してもよい。