JP2680059B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JP2680059B2
JP2680059B2 JP63204736A JP20473688A JP2680059B2 JP 2680059 B2 JP2680059 B2 JP 2680059B2 JP 63204736 A JP63204736 A JP 63204736A JP 20473688 A JP20473688 A JP 20473688A JP 2680059 B2 JP2680059 B2 JP 2680059B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子写真感光体に関し、詳しくは特定の構
造を有するジスアゾ顔料を含有する電子写真感光体に関
する。
[従来の技術] 従来、無機光導電物質からなる電子写真感光体として
は、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等を用いたもの
が広く用いられてきた。
一方、有機光導電物質からなる電子写真感光体として
は、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表される光導電
性ポリマーや2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾールの如き低分子の有機光
導電物質を用いたもの、更には、斯る有機光導電物質と
各種染料や顔料を組み合せたもの等が知られている。
有機光導電物質を用いた電子写真感光体は成膜性が良
く、施工により生産できる事、極めて生産性が高く、安
価な感光体を提供できる利点を有している。又、使用す
る染料や顔料等の増感光剤料の選択により、感色性を自
在にコントロールできる等の利点を有し、これまで幅広
い検討がなされてきた。特に、最近では、有機光導電性
顔料を電荷発生層とし、前述の光導電性ポリマーや、低
分子の有機光導電物質等からなる電荷輸送層を積層した
機能分離型感光体の開発により、従来の有機電子写真感
光体の欠点とされていた感度や耐久性に著るしい改善が
なされ、実用に供される様になってきた。
この種の感光体に使用されるジスアゾ顔料としては、
例えば特開昭56−143437号公報などに記載されるフェナ
ンスレンキノン系ジスアゾ顔料が知られている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながらこれらのジスアゾ顔料を用いた感光体は
感度、くり返し使用時の電位安定性の点で十分なもので
はなかった。
従って、本発明の目的は、新規な光導電性材料を提供
することにある。
本発明のもう一つの目的は実用的な高感度特性と繰り
返し使用時の安定した電位特性を有する電子写真感光体
を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 導電性支持体上に、アゾ顔料を含有する感光層を有す
る電子写真感光体において、前記アゾ顔料が下記一般式
(1−1)または(1−2) (式中、Ar1,Ar2はそれぞれ置換基を有してもよい2価
の、環状ケトンまたは環状キノンを表わす。Cp1,Cp2
それぞれフェノール性水酸基を有するカプラー残基を表
わす。Z1またはZ2は酸素原子または硫黄原子を表わす。
また、m,nはそれぞれ0または1を表わす。ただし、m,n
は同時に0ではなく、m+n=1のときはZ1またはZ2
硫黄原子であるか、Cp1とCp2が異なるカプラー残基であ
る。) (式中、Wは置換基を有してもよい2価の、芳香族炭化
水素基もしくは複素環基を表わす。Ar1,Ar2はそれぞれ
置換基を有してもよい2価の、環状ケトンまたは環状キ
ノンを表わす。Cp1,Cp2はそれぞれフェノール性水酸基
を有するカプラー残基を表わす。Z1またはZ2は酸素原子
または硫黄原子を表わす。) で示される化合物であることを特徴とする電子写真感光
体 一般式(1−1)及び(1−2)において、単結合、
又は置換基を有していても良い2価の芳香族炭化水素基
または複素環基を表わすWとしては、具体的にはベンゼ
ン環、ナフタレン環、アントラセン環等の芳香族炭化水
素基、ピリジン環、カルバゾール環、キノリン環等の複
素環基が挙げられる。
置換基を有していても良い2価の、環状ケトン、環状
キノンを表わすAr1,Ar2としては、具体的にはベンズア
ンスロン、フルオレノン等の環状ケトン、アントラキノ
ン、フェナントレンキノン、ピレンキノン、ペリレンキ
ノン等の環状キノンが挙げられる。
また、W,Ar1,Ar2の置換基としては、フッ素、塩素、
臭素等のハロゲン原子、又はメチル基、エチル基、プロ
ピル基等のアルキル基、ベンジル基、フェネチル基等の
アラルキル基、又はメトキシ基、エトキシ基等のアルコ
キシ基又はシアノ基、ニトロ基等があげられる。
Cp1,Cp2は同一又は異なるフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基を表わす。又、Zは酸素又は硫黄原子を
表わし、nは0又は1の整数を表わす。但しnとmは同
時に0ではなく、m+n=1のときはZ1またはZ2が硫黄
原子であるか、Cp1とCp2が異なるカプラー残基である。
カプラー残基Cp1,Cp2の好ましい例としては一般式
(2)〜(6)に示される化合物があげられる。
一般式 式(2)中のXはベンゼン環と縮合してナフタレン
環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾ
ール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、
ジフェニレンサルファイト環等の多環芳香環ないしは、
複素環を形成するに必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カ
ルバゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより
好ましい。
式(2)中のR1,R2は水素原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環
基を示す。また、R1およびR2は窒素原子とともに環状ア
ミノ基を形成してもよい。アルキル基の具体例としては
メチル、エチル、プロピル、ブチル等が、アラルキル基
の具体例としてはベンジル、フェネチル、ナフチルメチ
ル等が、アリール基の具体例としてはフェニル、ジフェ
ニル、ナフチル、アンスリル等が、ヘテロ環基の具体例
としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダ
ゾロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジン等が
あげられる。
Zは酸素または硫黄原子を表わし、pは0または1を
表わす。
一般式 式(3)中のR3は水素原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。R3
具体例は前記R1,R2と同じである。
式(2),(3)中の置換基R1,R2,R3の示すアルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、複素環
基は更に他の置換基例えばフッ素、塩素、ヨウ素、臭素
等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミン、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基
により置換されていてもよい。
一般式 式(4)中のYは芳香族炭化水素の2価の基または窒
素原子を環内に有する複素環の2価の基を示す。
芳香族炭化水素の2価の基としてはo−フェニレン等
の単環式芳香族炭化水素の2価の基、o−ナフチレン、
ペリナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フェナン
スリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の2価の基が挙
げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の2価の
基としては、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジン
ジイル基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾー
ルジイル基、6,7−キノリンジイル基等の2価の基が挙
げられる。
一般式 式(5)中のR4は置換基を有していてもよいアリール
基ないしは複素環基を示し具体的にはフェニル、ナフチ
ル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チェニル、フリ
ル、カルバゾリル基を示す。
R4の示すアリール基、複素環基の置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジル
アミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、
ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。Xは、一般
式(2)のXと同じ義である。
式(6)中のR5,R6は置換基を有していてもよいアル
キル基、アリール基、アラルキル基、ないしは複素環基
を示し具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、ナ
フチル、アンスリル、ジフェニル、カルバゾール、ジベ
ンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、
チアゾール、ピリジンを示す。
式(6)中のR5,R6の示すアルキル基、アリール基、
アラルキル基、複素環基の置換基としてはフッ素、塩
素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、ジメ、チルアミノ、ジベンジルアミノ、
ジフェニルアミン、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジ
ノ等の置換アミノ基が挙げられる。
Xは一般式(2)のXと同じ義である。
一般式(1−1)及び(1−2)中、Ar1,Ar2が一般
式(2),(5)または(6)であり、式中Xがベンゼ
ン環と縮合してベンズカルバゾール環を形成する残基よ
り構成される場合吸収域が近赤外領域付近まで伸びるの
で、半導体レーザー用の電荷発生材料として好都合であ
る。
以下に本発明のジスアゾ顔料の具体例を挙げる。
尚、本発明のジスアゾ顔料はこれに限定されるもので
はない。
本発明のジスアゾ顔料は対応するジアミンを常法によ
りテトラゾ化しアルカリ存在下、対応するカプラーとカ
ップリングするか、テトラゾニウム塩をホウフッ化塩、
または塩化亜鉛複塩等に変換した後、N,N−ジメチルア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中で、酢酸ソー
ダ、ピリジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミ
ン等の塩基の存在下、対応するカプラーとカップリング
することによって容易に合成できる。またAr1,Ar2が異
なる場合は先述のテトラゾニウ塩と第1カプラーを先に
カップリングさせ次いで第2カプラーをカップリングさ
せて合成するか、ジアミンの一方のアミノ基をアセチル
基等で保護しておきこれをジアゾ化し第1のカプラーを
カップリングさせた後、アセチル基等を塩酸等により加
水分解し、これを再びジアゾ化し第2のカプラーをカッ
プリングして合成することができる。
合成例−1 (前記ジスアゾ顔料No.17の合成) 500mlビーカーに水150ml、濃塩酸20ml(0.23mol)と 20.4g(0.032mol)を入れ、0℃まで冷却し、ここに、
亜硝酸ソーダ4.6g(0.067mol)を水10mlに溶かした液を
液温を5℃以下にコントロールしながら、10分間で液中
で滴下し、滴下終了後15分間撹拌した後、活性炭を加え
濾過した。得られたテトラゾ塩溶液にホウフッ化ソーダ
10.5g(0.096mol)を水40mlに溶かした液を滴下し、析
出したホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄後、アセトニ
トリルで洗浄し、室温で減圧乾燥した。
収量 14.2g,収率 67.3% 次に、500ビーカーにDMF400mlを入れ、 11.7g(0.04mol)を溶解し、液温を5℃まで冷却した
後、先に得られたホウフッ化塩15.8g(0.019mol)を溶
解し、次いでトリエチルアミン6.5g(0.064mol)を5分
間で滴下した。5分後に、その液の中に 16.1g(0.040mol、トリエチルアミン6.5g(0.064mol)
をDMF390mlに溶解した液を5分間で滴下した。滴下後2
時間撹拌した後に析出した顔料を濾過し、DMFで4回洗
浄し、次いで水洗、アセトン置換後、室温で乾燥した。
収量 19.8g,収率 76.7% 融点 300℃以上(分解) 元素分析 計算値(%) 実測値(%) C:75.14 75.10 N: 9.28 9.37 O: 3.54 3.51 前述のジスアズ顔料を有する被膜は光導電性を示し、
従って下述する電子写真感光体の感光層に用いることが
できる。
すなわち、本発明の具体例では導電性基板の上に前記
ジスアゾ顔料を適当なバインダー中に分散含有させて被
膜形成することにより電子写真感光体を作成することが
できる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光
層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感
光体における電荷発生層として、前述の特定のジスアゾ
顔料を含有する光導電性被膜を適用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限
り多くの光導電性を示す前述の特定のジスアゾ顔料を含
有し、かつ、発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面
ないしは導電性基板との界面まで効率的に輸送されるた
めに薄膜層、例えば5μm以下、好ましくは0.01〜1μ
mの膜厚をもつ薄膜層とすることが望ましい。
このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収さ
れて、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生
した電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ)により失
活することなく電荷輸送層に注入する必要があることに
起因している。
電荷発生層を施工によって形成する際に用いうるバイ
ンダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン
やポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選
択できる。
好ましくはポリビニルブチラール、ポリビニルベンザ
ール、ポリアリレート(ビスフェノールAとフタル酸の
縮重合体など)、ポリカーボネート、ポリエステル、フ
ェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリア
クリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セル
ロース系樹脂、ウレタン樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙
げることができる。電荷発生層中に含有する樹脂は80重
量%以下、好ましくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって
異なり、また下述する電荷輸送層や下引層を溶解しない
ものから選択することが好ましい。
具体的な有機溶剤としてはメタノール、エタノール、
イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジクロルヘ
キサノンなどのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロル
エチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、
キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。
施工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法
が好ましい。加熱乾燥は30〜200℃の温度で5分〜2時
間の範囲で静止または送風下で行なうことができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続され
ており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷
キャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。
この際電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていて
もよく、また下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸
送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、電荷
輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電磁
波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい。
ここでいう電磁波は、γ線、X線、紫外線、可視光
線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
定義を包含する。
電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一
致またはオーバーラップする時には、両者で発生した電
荷キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下
の原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,5,
7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン
などの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子
化したものなどがある。
正孔輸送性物質としてはピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフ
ェニルヒドラゾン、p−ピロリジノベンズアルデヒド−
N,N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズアル
デヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾ
ンなどのヒドラゾン系化合物、2,5−ビス(p−ジエチ
ルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピ
リジル(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)
−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1
−[ピリジル(3)]−3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−[ピリジル(2)]−3−(p−ジエチルアミ
ノスチリル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなど
のピラゾリン類、a−フェニル−4−N,N−ジフェニル
アミノスチルベン、N−エチル−3(d−フェニルスチ
リル)カルバゾール、9−ジベンジルアミノベンジリデ
ン−9H−フルオレノン、5−p−ジトリルアミノベンジ
リデン−5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテン等のスチ
リル系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−
6−ジエチルアミノベンズオキサゾール、2−(p−ジ
エチルアミノフェニル)−4−(p−ジメチルアミノフ
ェニル)−5−(2−クロロフェニル)オキサゾールな
どのオキサゾール系化合物、2−(p−ジエチルアミノ
スチリル)−6−ジエチルアミノベンゾチアゾールなど
のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)−フェニルメタンなどのトリアリー
ルメタン系化合物、1,1−ビス(4−N,N−ジエチルアミ
ノ−2−メチルフェニル)ヘプタン、1,1,2,2テトラキ
ス(4−N,N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)
エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−9−ビニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂な
どが挙げられる。
これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上
組合せて用いることができる。
電荷輸送物質が成膜性を有していないときには適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。バ
インダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹
脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマ
ー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーなどが挙げられる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には5〜30μmであるが、好ましい範囲は8〜20μm
である。施工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述したような適当なコーティング法を用いることができ
る。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からな
る感光層は、導電層を有する基板の上に設けられる。か
かる基板としては、基板自体が導電性を有する。例えば
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレ
ス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケ
ル、インジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他には、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチッ
ク(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど)を用いることができ、導電性粒
子(例えばカーボンブラック、銀粒子など)を適当なバ
インダーとともにプラスチックの上に被覆した基板、導
電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基板や導電性ポ
リマーを有するプラスチックなどを用いることができ
る。
導電性基板と感光層の中間にバリヤー機能と接着機能
を有する下引層を設けることもできる。下引層はカゼ
イ、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレ
ン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド、(ナイロン
6、ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アル
コキシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチ
ン、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5μm、好ましくは0.5〜3μ
mが適当である。
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した
感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送
性物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層に
おいて生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、
表面に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生
じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで
現像すれば、可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラ
スチックフィルムなどに転写後、現像し定着することが
できる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法も公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、
電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露
光すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が
電荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を
中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コ
ントラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用い
たときとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した
電子写真感光体を使用する場合において、電荷輸送物質
が電子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面を負
に帯電する必要があり、帯電後露光すると、露光部では
電荷発生層において生成した電子は電荷輸送層に注入さ
れ、その後基板に達する。一方電荷発生層において生成
した正孔は表面に到達し、表面電位の減衰が生じ、未露
光部との間に静電コントラストが生じる。このようにし
てできた静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するかあるいはトナー像
を紙やプラスチックフィルムなどに転写後現像し定着す
ることができる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方電荷輸送物質が正孔輸送物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電
荷輸送層に注入され、その後基板に達する。一方電荷発
生層において生成した電子は表面に到達し、表面電位の
減衰が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負
荷電性トナーを用いる必要がある。
さらに本発明の別の具体例として、前述のジスアゾ顔
料を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた電子写真
感光体を挙げることができる。この際、前述の電荷輸送
物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニトロ
フルオレノンからなる電荷移動錯化合物を用いることが
できる。
この例の電子写真感光体は、前記ジスアゾ顔料と電荷
移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエ
ステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成でき
る。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般
式(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくと
も1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であって
も結晶質であってもよい。
また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用
し感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体
を得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔
料を2種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料か
ら選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能
である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザービームプリンター、CRTプリンタ
ー、LEDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版な
どの電子写真応用分野にも広く用いることができる。
実施例1〜26 アルミニウム板上にカゼインのアンモニア水溶液(カ
ゼイン11.2%、アンモニア水1g、水222ml)をマイヤー
バーで乾燥後の膜厚で1.0μmとなる様に塗布し乾燥し
た。
次に前記例示のジスアゾ顔料No1、5gをシクロヘキサ
ノン95mlにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)
2gを溶かした液に加えサンドミルで20時間分散した。こ
の分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚
が0.2μmとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電
荷発生層を形成した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂
(数平均分子量100000)5gをベンゼン40mlに溶解しこれ
を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が20μmとなる様にマ
イヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し実施例
1の感光体を作成した。ジスアゾ顔料No1に代えて第1
表に示す他の例示顔料を用いた実施例2〜26に対応する
感光体を全く同様にして作成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機
(株)製静電複写紙試験装置ModelSP−428を用いてスタ
ティック方式で−5kVでコロナ帯電し暗所で1秒間保持
した後照度10luxで露光し帯電特性を調べた。
帯電特性としては表面電位(V0)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量(E 1/2)を
測定した。この結果を第1表に示す。
比較例1,2 実施例1のジスアゾ顔料に代えて下記構造式で示され
るジスアゾ顔料を用い他は実施例1と全く同様に比較例
1,2に対応する感光体を作成し、同様に帯電特性を評価
した。その結果を第2表に示す。
実施例27〜31 実施例3,4,9,17,20に用いた感光体を用い、繰返し使
用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方法とし
ては、−5.6kVのコロナ帯電器、露光々学系、現像器、
転写帯電器、除電露光々学系、及び、クリーナーを備え
た電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付けたこ
の複写機はシリダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得
られる構成になっている。この複写機を用いて、初期の
明部電位(VL)と暗部電位(VD)を夫々−200v、−700V
付近に設定し、5000回使用した後の明部電位(VL)暗部
電位(VD)の変動量ΔVL,ΔVDを測定した。この結果を
第3表に示す。尚ΔVL,ΔVDにおける負記号は、電位絶
対値の低下を表わし、正記号は、電位の絶対値の上昇を
表わす。
比較例3,4 比較例1,2で作成した感光体を実施例27と同様に繰返
し使用時の電位変動を測定した。その結果を第4表に示
す。
第3表、第4表より本発明のジスアゾ顔料を用いた感
光体は繰返し使用時の電位変動が少ないことがわかる。
実施例32 アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィル
ムのアルミニウム面上に膜厚0.5μmのポリビニルアル
コールの被膜を形成した。次に実施例2で用いたジスア
ゾ顔料の分散液を先に形成したポリビニルアルコール層
の上に乾燥後の膜厚が0.2μmとなる様にマイヤーバー
で塗布し乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで構造式 で示されるスチリル化合物5gとポリアリレート樹脂(ビ
スフェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合
体)5gをテトラヒドロフラン40mlに溶かした液を電荷発
生層の上に乾燥後の膜厚が18μmとなる様に塗布し乾燥
して電荷輸送層を形成した。こうして調整した感光体の
帯電極性及び耐久性を実施例1及び27と同様の方法によ
って測定した。この結果を次に示す。
V0:685(−V),E 1/2:2.7(lux・sec) ΔVD:+5(V),ΔVL:±0(V) 実施例33 実施例2で作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層
を逆の順番で塗布した感光体を作成し、実施例1と同様
に帯電特性を評価した。ただし帯電特性は+とした V0:700(+V),E 1/2:2.8(lux・sec) 実施例34 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2,4,7−トリ
ニトロ−9−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキジ
フェニル−2,2′−プロパンカーボネート(分子量300,0
00)5gをモノクロルベンゼン70mlに溶解して作成した塗
布液を乾燥後の塗工量が12g/m2となる様に塗布し、乾燥
した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の
方法で帯電測定を行った。この時、帯電極性は+とし
た。この結果を以下に示す。
V0:695(+V),E 1/2:3.9(lux・sec) 実施例34 厚さ100μmのアルミニウム板上にカゼインのアンモ
ニウム水溶液を塗布し乾燥して膜厚0.5μmの下引層を
形成した。
次に、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン5gとポ
リ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量300,000)5
gをテトラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯体化
合物を形成した。この電荷移動錯体化合物と前記例示の
ジスアゾ顔料No1、1gをポリエステル樹脂(バイロン:
東洋紡製)5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に
加え分散した。この分散液を下引層の上に塗布し乾燥し
て16μmの感光体を作成した。
こうして調製した感光体の帯電特性を実施例1と同様
の方法によって測定した。この結果を次に示す。但し帯
電極性は+とした。
V0:700(+V),E 1/2:4.5(lux・sec) [発明の効果] 本発明のジスアゾ顔料を感光層に用いることにより、
感光層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリア
の輸送効率のいずれか一方、あるいは双方が改善され、
感度及耐久使用時に於ける電位安定性の良好な電子写真
感光体を提供することができる。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導電性支持体上に、アゾ顔料を含有する感
    光層を有する電子写真感光体において、前記アゾ顔料が
    下記一般式(1−1)または(1−2) (式中、Ar1,Ar2はそれぞれ置換基を有してもよい2価
    の、環状ケトンまたは環状キノンを表わす。Cp1,Cp2
    それぞれフェノール性水酸基を有するカプラー残基を表
    わす。Z1またはZ2は酸素原子または硫黄原子を表わす。
    また、m,nはそれぞれ0または1を表わす。ただし、m,n
    は同時に0ではなく、m+n=1のときはZ1またはZ2
    硫黄原子であるか、Cp1とCp2が異なるカプラー残基であ
    る。) (式中、Wは置換基を有してもよい2価の、芳香族炭化
    水素基もしくは複素環基を表わす。Ar1,Ar2はそれぞれ
    置換基を有してもよい2価の、環状ケトンまたは環状キ
    ノンを表わす。Cp1,Cp2はそれぞれフェノール性水酸基
    を有するカプラー残基を表わす。Z1またはZ2は酸素原子
    または硫黄原子を表わす。) で示される化合物であることを特徴とする電子写真感光
    体。
  2. 【請求項2】アゾ顔料を含有する感光層が、少なくとも
    電荷輸送層と一般式(1−1)または(1−2)で示さ
    れるアゾ顔料を含有する電荷発生層の2層からなる請求
    項1記載の電子写真感光体。
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