JPH0254275A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- G03G5/0681—Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子写真感光体に関し、詳しくは特定の構造
を有するジスアゾ顔料を含有する電子写真感光体に関す
る。
を有するジスアゾ顔料を含有する電子写真感光体に関す
る。
[従来の技術]
従来、無機光導電物質からなる電子写真感光体としては
、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等を用いたものが
広く用いられてきた。
、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等を用いたものが
広く用いられてきた。
一方、有機光導電物質からなる電子写真感光体としては
、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表される光導電性
ポリマーや2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル
)−1,3,4−オキサジアゾールの如き低分子の有機
光導電物質を用いたもの、丈には、斯る有機光導電物質
と各種染料や顔料を組み合せたもの等が知られている。
、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表される光導電性
ポリマーや2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル
)−1,3,4−オキサジアゾールの如き低分子の有機
光導電物質を用いたもの、丈には、斯る有機光導電物質
と各種染料や顔料を組み合せたもの等が知られている。
有機光導電物質を用いた電子写真感光体は成膜性が良く
、施工により生産できる事、極めて生産性が高く、安価
な感光体を提供できる利点を有している。又、使用する
染料や顔料等の増感光剤料の選択により、感色性を自在
にコントロールできる等の利点を有し、これまで幅広い
検討がなされてきた。特に、最近では、有機光導電性顔
料を電荷発生層とし、前述の光導電性ポリマーや、低分
子の有機光導電物質等からなる電荷輸送層を積層した機
能分離型感光体の開発により、従来の有機電子写真感光
体の欠点とされていた感度や耐久性に著るしい改善がな
され、実用に供される様になってきた。
、施工により生産できる事、極めて生産性が高く、安価
な感光体を提供できる利点を有している。又、使用する
染料や顔料等の増感光剤料の選択により、感色性を自在
にコントロールできる等の利点を有し、これまで幅広い
検討がなされてきた。特に、最近では、有機光導電性顔
料を電荷発生層とし、前述の光導電性ポリマーや、低分
子の有機光導電物質等からなる電荷輸送層を積層した機
能分離型感光体の開発により、従来の有機電子写真感光
体の欠点とされていた感度や耐久性に著るしい改善がな
され、実用に供される様になってきた。
この種の感光体に使用されるジスアゾ顔料としては1例
えば特開昭56−143437号公報などに記載される
フェナンスレンキノン系ジスアゾ顔料が知られている。
えば特開昭56−143437号公報などに記載される
フェナンスレンキノン系ジスアゾ顔料が知られている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながらこれらのジスアゾ顔料を用いた感光体は感
度、くり返し使用時の電位安定性の点で十分なものでは
なかった。
度、くり返し使用時の電位安定性の点で十分なものでは
なかった。
従って、本発明の目的は、新規な光導電性材料を提供す
ることにある。
ることにある。
本発明のもう一つの目的は実用的な高感度特性と繰り返
し使用時の安定した電位特性を有する電子写真感光体を
提供することにある。
し使用時の安定した電位特性を有する電子写真感光体を
提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に従って、導電性支持体上に、アゾ顔料を含有す
る感光層を有する電子写真感光体において、前記アゾ顔
料が一般式、 (式中、Wは単結合、または置換基を有してもよい2価
の、芳香族炭化水素基もしくは複素環基を表わす。Ar
4 、Ar2はそれぞれ置換基を有してもよい2価の、
環状ケトンまたは環状キノンを表わす* CPI 、c
pzはそれぞれフェノール性水酸基を有するカプラー残
基を表わす。Zは酸素原子または硫黄原子を表わす、ま
た、m、nはそれぞれ0またはlを表わす。ただし、m
、nは同時にOではない。) で示される化合物であることを特徴とする電子写真感光
体が提供される。
る感光層を有する電子写真感光体において、前記アゾ顔
料が一般式、 (式中、Wは単結合、または置換基を有してもよい2価
の、芳香族炭化水素基もしくは複素環基を表わす。Ar
4 、Ar2はそれぞれ置換基を有してもよい2価の、
環状ケトンまたは環状キノンを表わす* CPI 、c
pzはそれぞれフェノール性水酸基を有するカプラー残
基を表わす。Zは酸素原子または硫黄原子を表わす、ま
た、m、nはそれぞれ0またはlを表わす。ただし、m
、nは同時にOではない。) で示される化合物であることを特徴とする電子写真感光
体が提供される。
一般式(1)において、単結合、又は置換基を有してい
ても良い2価の芳香族炭化水素基または複素環基を表わ
すWとしては、具体的にはベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環等の芳香族炭化水素基、ピリジン環、カ
ルバゾール環、キノリン環等の複素環基が挙げられる。
ても良い2価の芳香族炭化水素基または複素環基を表わ
すWとしては、具体的にはベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環等の芳香族炭化水素基、ピリジン環、カ
ルバゾール環、キノリン環等の複素環基が挙げられる。
置換基を有していても良い2価の、環状ケトン、環状キ
ノンを表わすArl 、Ar2 としては、具体的には
ベンズアンスロン、フルオレノン等の環状ケトン、アン
トラキノン、フェナントレンキノン、ピレンキノン、ペ
リレンキノン等の環状キノンが挙げられる。
ノンを表わすArl 、Ar2 としては、具体的には
ベンズアンスロン、フルオレノン等の環状ケトン、アン
トラキノン、フェナントレンキノン、ピレンキノン、ペ
リレンキノン等の環状キノンが挙げられる。
また、W + Art 、Ar2の置換基としては、フ
ッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、又はメチル基、エ
チル基、プロピル基等のアルキル基、ベンジル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基、又はメトキシ基、エトキシ
基等のアルコキシ基又はシアノ基、ニトロ、、!!i等
があげられる。
ッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、又はメチル基、エ
チル基、プロピル基等のアルキル基、ベンジル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基、又はメトキシ基、エトキシ
基等のアルコキシ基又はシアノ基、ニトロ、、!!i等
があげられる。
C’PI 、CR2は同−又は異なるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基を表わす。又、Zは酸素又は硫
黄原子を表わし、nはO又は1の整数を表わす、但しn
とmは同時にOではない。
基を有するカプラー残基を表わす。又、Zは酸素又は硫
黄原子を表わし、nはO又は1の整数を表わす、但しn
とmは同時にOではない。
カプラー残基CPI 、cpzの好ましい例としては一
般式(2)〜(6)に示される化合物があげられる。
般式(2)〜(6)に示される化合物があげられる。
一般式
式(2)中のXはベンゼン環と縮合してナフタレン環、
アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンソフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフ
ェニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしは、複素
環を形成するに必要な残基を示す。
アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンソフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフ
ェニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしは、複素
環を形成するに必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカル/(ゾール環とすることがより
好ましい。
バゾール環、ベンズカル/(ゾール環とすることがより
好ましい。
式(2)中のR1,R2は水素原子、置換基を有してい
てもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素
環基を示す、また、R1およびR2は窒素原子とともに
環状アミノ基を形成してもよい、アルキル基の具体例と
してはメチル、エチル、プロピル、ブチル等が、アラル
キル基の具体例としてはベンジル、フェネチル、ナフチ
ルメチル等が、アリール基の具体例としてはフェニル、
ジフェニル、ナフチル、アンスリル等が、ヘテロ環基の
具体例としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズ
イミダシロン、ペンズチアジ゛−ル、チアゾール、ピリ
ジン等があげられる。
てもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素
環基を示す、また、R1およびR2は窒素原子とともに
環状アミノ基を形成してもよい、アルキル基の具体例と
してはメチル、エチル、プロピル、ブチル等が、アラル
キル基の具体例としてはベンジル、フェネチル、ナフチ
ルメチル等が、アリール基の具体例としてはフェニル、
ジフェニル、ナフチル、アンスリル等が、ヘテロ環基の
具体例としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズ
イミダシロン、ペンズチアジ゛−ル、チアゾール、ピリ
ジン等があげられる。
Zは酸素または硫黄原子を表わし、nは0または1を表
わす。
わす。
一般式
式(3)中のR3は水素原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。R3
の具体例は前記R1,R2と同じである。
いアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。R3
の具体例は前記R1,R2と同じである。
式(2)、(3)中の置換、!R+ 、R2、R3の
示すアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
シ基、複素環基は更に他の置換基例えばフッ素、塩素、
ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、エチル等のアルキル基、メトキシ
、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、
シアン基、ジメチルアミ/、ジベンジルアミノ、ジフェ
ニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の
置換アミン基により置換されていてもよい。
示すアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
シ基、複素環基は更に他の置換基例えばフッ素、塩素、
ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、エチル等のアルキル基、メトキシ
、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、
シアン基、ジメチルアミ/、ジベンジルアミノ、ジフェ
ニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の
置換アミン基により置換されていてもよい。
一般式
%式%
一般式
式(4)中のYは芳香族炭化水素の2価の基また・は窒
素原子を環内に有する複素環の2価の基を示す。
素原子を環内に有する複素環の2価の基を示す。
芳香族炭化水素の2価の基としてはO−フェニレン等の
単環式芳香族炭化水素の2価の基、0−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1.2−アンスリレン、8,10−フェ
ナンスリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の2価の基
が挙げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の2
価の基としては、a。
単環式芳香族炭化水素の2価の基、0−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1.2−アンスリレン、8,10−フェ
ナンスリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の2価の基
が挙げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の2
価の基としては、a。
4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、
4.5−ピリミジンジイル基、6.7−インダゾールジ
イル基、8.7−キラリンジイル基等の2価の基が挙げ
られる。
4.5−ピリミジンジイル基、6.7−インダゾールジ
イル基、8.7−キラリンジイル基等の2価の基が挙げ
られる。
式(5)中のR4は置換基を有していてもよいアリール
基ないしは複素環基を示し具体的にはフェニル、ナフチ
ル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チエニル、フリ
ル、カルバゾリル基を示す。
基ないしは複素環基を示し具体的にはフェニル、ナフチ
ル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チエニル、フリ
ル、カルバゾリル基を示す。
R4の示すアリール基、複素環基の置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エ
チル、プロピル、インプロピル。
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エ
チル、プロピル、インプロピル。
ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアン基、ジメチルア
ミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミ7基が挙げら
れる。Xは、一般式(1)のXと同じ義である。
シ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアン基、ジメチルア
ミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミ7基が挙げら
れる。Xは、一般式(1)のXと同じ義である。
X・″
式(6)中のR5,R6は置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基、ないしは複素環
基を示し具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル
、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、
ナフチル、アンスリル、ジフェニル、カルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジンを示す。
ルキル基、アリール基、アラルキル基、ないしは複素環
基を示し具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル
、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、
ナフチル、アンスリル、ジフェニル、カルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジンを示す。
式(8)中のR5,R6の示すアルキル基、アリール基
、アラルキル基、複素環基の置換基としてはフッ素、塩
素、ヨウ素、臭素等の/翫ロゲン原子、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル。
、アラルキル基、複素環基の置換基としてはフッ素、塩
素、ヨウ素、臭素等の/翫ロゲン原子、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル。
ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ、チル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミ7基が挙げ
られる。
シ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ、チル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミ7基が挙げ
られる。
Xは一般式(2)のXと同じ義である。
一般式(1)中、AtI、 Ar2が一般式(2)、(
5)または(8)であり、式中Xがベンゼン環と縮合し
てベンズカルバゾール環を形成する残基より構成される
場合吸収域が近赤外領域付近まで伸びるので、半導体レ
ーザー用の電荷発生材料として好都合である。
5)または(8)であり、式中Xがベンゼン環と縮合し
てベンズカルバゾール環を形成する残基より構成される
場合吸収域が近赤外領域付近まで伸びるので、半導体レ
ーザー用の電荷発生材料として好都合である。
以下に本発明のジスアン顔料の具体例を挙げる。
尚、本発明のジスアゾ顔料はこれに限定されるものでは
ない。
ない。
本発明のジスアゾ顔料は対応するジアミンを常法により
テトラゾ化しアルカリ存在下、対応するカプラーとカッ
プリングするか、テトラゾニウム塩をホウフッ化塩、ま
たは塩化亜鉛複塩等に変換した後、N、N−ジメチルア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中で、酢酸ソーダ
、ピリジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン
等の塩基の存在下、対応するカプラーとカップリングす
ることによって容易に合成できる。またAr1 、
Ar2が異なる場合は先述のテトラゾニラ塩と第1カプ
ラーを先にカップリングさせ次いで第2カプラーをカッ
プリングさせて合成するか、ジアミンの一方のアミン基
をアセチル基等で保護しておきこれをジアゾ化し第1の
カプラーをカップリングさせた後、アセチル基等を塩酸
等により加水分解し、これを再びジアゾ化し第2のカプ
ラーをカップリングして合成することができる。
テトラゾ化しアルカリ存在下、対応するカプラーとカッ
プリングするか、テトラゾニウム塩をホウフッ化塩、ま
たは塩化亜鉛複塩等に変換した後、N、N−ジメチルア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中で、酢酸ソーダ
、ピリジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン
等の塩基の存在下、対応するカプラーとカップリングす
ることによって容易に合成できる。またAr1 、
Ar2が異なる場合は先述のテトラゾニラ塩と第1カプ
ラーを先にカップリングさせ次いで第2カプラーをカッ
プリングさせて合成するか、ジアミンの一方のアミン基
をアセチル基等で保護しておきこれをジアゾ化し第1の
カプラーをカップリングさせた後、アセチル基等を塩酸
等により加水分解し、これを再びジアゾ化し第2のカプ
ラーをカップリングして合成することができる。
合成例−1
(前記例示のジスアゾ顔料Nolの合成)3001ビー
カーに水1501、?II!塩酸201(0,23mo
l)と 18.2g (0,032腸o1)を入れ、0℃まで冷
却しここに、亜硝酸ソーダ4.f3 g (0,087
mol)を水10m1に溶かした液を液温な5℃以下に
コントロールしながら10分間で液中へ滴下し、滴下終
了後15分攪拌した後、カーボンを加え濾過した。得ら
れたテトラゾ塩溶液にホウフッ化ソーダ10.5g (
0,098腸o1)を水401に溶かした液を滴下し、
析出したホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄した後、ア
セトニトリルで洗浄し室温で減圧乾燥した。
カーに水1501、?II!塩酸201(0,23mo
l)と 18.2g (0,032腸o1)を入れ、0℃まで冷
却しここに、亜硝酸ソーダ4.f3 g (0,087
mol)を水10m1に溶かした液を液温な5℃以下に
コントロールしながら10分間で液中へ滴下し、滴下終
了後15分攪拌した後、カーボンを加え濾過した。得ら
れたテトラゾ塩溶液にホウフッ化ソーダ10.5g (
0,098腸o1)を水401に溶かした液を滴下し、
析出したホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄した後、ア
セトニトリルで洗浄し室温で減圧乾燥した。
収量 18.6g 、 収率 73.5%次に11
ビーカーにDMF500elを入れ、500m1ビーカ
ーに水150鵬1.濃塩酸20■l(0,23mol)
と 12.2g (0,042s+ol)を溶解し、液温5
℃まで冷却した後、先に得られたホウフッ化塩14.1
g (0,02mol)を溶解し、次いでトリエチルア
ミン5.1g(0,050mol)を5分間で滴下した
滴下後、2時間攪拌した後、析出した顔料を濾過しDM
Fで4回洗浄し次いで水洗、アセトン置換後室温で減圧
乾燥した。
ビーカーにDMF500elを入れ、500m1ビーカ
ーに水150鵬1.濃塩酸20■l(0,23mol)
と 12.2g (0,042s+ol)を溶解し、液温5
℃まで冷却した後、先に得られたホウフッ化塩14.1
g (0,02mol)を溶解し、次いでトリエチルア
ミン5.1g(0,050mol)を5分間で滴下した
滴下後、2時間攪拌した後、析出した顔料を濾過しDM
Fで4回洗浄し次いで水洗、アセトン置換後室温で減圧
乾燥した。
収−fil 17.13g 、 収率 79.0
%融点 300℃以上(分解) 元素分析 計算値(%) 実測値(%) C: 77.25 77.0ON: e
、ea 8.8!30: 9.88
9.90合成例−2 (前記ジスアゾ顔料No18の合成) 20.4 g (0,032mol)を入れ、0℃まで
冷却し、ここに、亜硝酸ソーダ4.6 g (0,08
7+5ol)を水101に溶かした液を液温を5℃以下
にコントロールしながら、10分間で液中へ滴下し、滴
下終了後15分間攪拌した後、活性炭を加え濾過した。
%融点 300℃以上(分解) 元素分析 計算値(%) 実測値(%) C: 77.25 77.0ON: e
、ea 8.8!30: 9.88
9.90合成例−2 (前記ジスアゾ顔料No18の合成) 20.4 g (0,032mol)を入れ、0℃まで
冷却し、ここに、亜硝酸ソーダ4.6 g (0,08
7+5ol)を水101に溶かした液を液温を5℃以下
にコントロールしながら、10分間で液中へ滴下し、滴
下終了後15分間攪拌した後、活性炭を加え濾過した。
得られたテトラゾ塩溶液にホウフッ化ソーダ10.5g
(0,096腸o1)を水401に溶かした液を滴下
し、析出したホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄後、ア
セトニトリルで洗浄し、室温で減圧乾燥した。
(0,096腸o1)を水401に溶かした液を滴下
し、析出したホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄後、ア
セトニトリルで洗浄し、室温で減圧乾燥した。
収量 14.2g 、 収率 87.3%次に、5
00文ビーカーにDMF4(10mlを入れ、11.7
g (0,04mal)を溶解し、液温を5℃まで冷却
した後、先に得られたホウフッ化塩15.8g(0,0
19mol)を溶解し、次いでトリエチルアミン8.5
g(0,084履o1)を5分間で滴下した。5分後
(0,0e4mol)をDMF390mlに溶解した液
を5分間で滴下した。滴下@2時間攪拌した後に析出し
た顔料を濾過し、DMFで4回洗浄し、次いで水洗、ア
セトン置換後、室温で乾燥した。
00文ビーカーにDMF4(10mlを入れ、11.7
g (0,04mal)を溶解し、液温を5℃まで冷却
した後、先に得られたホウフッ化塩15.8g(0,0
19mol)を溶解し、次いでトリエチルアミン8.5
g(0,084履o1)を5分間で滴下した。5分後
(0,0e4mol)をDMF390mlに溶解した液
を5分間で滴下した。滴下@2時間攪拌した後に析出し
た顔料を濾過し、DMFで4回洗浄し、次いで水洗、ア
セトン置換後、室温で乾燥した。
収量 19.8g 、 収率 76.7%融点 3
00℃以上(分解) 元素分析 計算値(%) 実測値(%) C: 75.14 75.1ON: 9
.28 9.370 : 3.54
3.51前述のジスアゾ顔料を有する被
膜は光導電性を示し、従って下達する電子写真感光体の
感光層に用いることができる。
00℃以上(分解) 元素分析 計算値(%) 実測値(%) C: 75.14 75.1ON: 9
.28 9.370 : 3.54
3.51前述のジスアゾ顔料を有する被
膜は光導電性を示し、従って下達する電子写真感光体の
感光層に用いることができる。
すなわち、本発明の具体例では導電性基板の上に前記ジ
スアゾ顔料を適当なバインダー中に分散含有させて被膜
形成することにより電子写真感光体を作成することがで
きる。
スアゾ顔料を適当なバインダー中に分散含有させて被膜
形成することにより電子写真感光体を作成することがで
きる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の特定のジスアゾ顔
料を含有する光導電性被膜を適用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の特定のジスアゾ顔
料を含有する光導電性被膜を適用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの光導電性を示す前述の特定のジスアゾ顔料を含有
し、かつ、発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面な
いしは導電性基板との界面まで効率的に輸送されるため
に薄膜層、例えば5g、m以下、好ましくは0.01−
1μmの膜厚をもつ薄膜層とすることが望ましい。
多くの光導電性を示す前述の特定のジスアゾ顔料を含有
し、かつ、発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面な
いしは導電性基板との界面まで効率的に輸送されるため
に薄膜層、例えば5g、m以下、好ましくは0.01−
1μmの膜厚をもつ薄膜層とすることが望ましい。
このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収され
て、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生し
た電荷キャリ゛アを再結合や捕獲(トラップ)により失
活することなく電荷輸送層に注入する必要があることに
起因している。
て、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生し
た電荷キャリ゛アを再結合や捕獲(トラップ)により失
活することなく電荷輸送層に注入する必要があることに
起因している。
電荷発生層を施工によって形成する際に用いうるバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。
好ましくはポリビニルブチラール、ポリビニルベンザー
ル、ボリアリレート(ビスフェノールAとフタル醜の1
a重合体など)、ポリカーボネート、ポリエステル、フ
ェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリア
クリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セル
ロース系樹脂、ウレタン樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙
げることができる。電荷発生層中に含有する樹脂は80
重量%以r、好ましくは40重量%以下が適している。
ル、ボリアリレート(ビスフェノールAとフタル醜の1
a重合体など)、ポリカーボネート、ポリエステル、フ
ェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリア
クリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セル
ロース系樹脂、ウレタン樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙
げることができる。電荷発生層中に含有する樹脂は80
重量%以r、好ましくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する一溶剤は、樹脂の種類によって
異なり、また下達する電荷輸送層や下引層を溶解しない
ものから選択することが好ましい。
異なり、また下達する電荷輸送層や下引層を溶解しない
ものから選択することが好ましい。
具体的な有機溶剤としてはメタノール、エタノール、イ
ソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン2 メチルイソブチルケトン、ジクロルヘ
キサノンなどのケトン類。
ソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン2 メチルイソブチルケトン、ジクロルヘ
キサノンなどのケトン類。
N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類
、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類
あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いる
ことができる。
トアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類
、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類
あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いる
ことができる。
施工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
スピンナーコーティング法1 ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーチインク法
、ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
スピンナーコーティング法1 ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーチインク法
、ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい。加熱乾燥は30〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲で静止または送風下で行なうことができる。
好ましい。加熱乾燥は30〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲で静止または送風下で行なうことができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの゛電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの゛電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。
この際電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていても
よく、また下に積層されていてもよい。
よく、また下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、電荷輸
送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電磁波
の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい。
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、電荷輸
送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電磁波
の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい。
ここでいう電磁波とは、γ線、X線、紫外線、可視光線
、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の定
義を包含する。
、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の定
義を包含する。
電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致
またはオーバーラツプする時には、両者で発生した電荷
キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。
またはオーバーラツプする時には、両者で発生した電荷
キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テトラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,
5.7−テトラニトロ−9−フルオレノゾ、2,4,5
.7−テトラニトロキサントン、2.4.8− )リニ
トロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれら電子
吸引性物質を高分子化したものなどがある。
があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、テトラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,
5.7−テトラニトロ−9−フルオレノゾ、2,4,5
.7−テトラニトロキサントン、2.4.8− )リニ
トロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれら電子
吸引性物質を高分子化したものなどがある。
正孔輸送性物質としてはピレン、N−エチルカルバゾー
ル、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジ7−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N、N−ジ
フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒド
−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズ
アルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒド
ラゾンなどのヒドラゾン系化合物、2.5−ビス(p−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ール、1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
、l−゛[ピリジル(2)1−3−(p−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピ
ラゾリン、1−(ピリジル(3)]−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、l−[ピリジル(2)] −3−(P
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−
3−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
〜(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロ
ピラゾリンなどのピラゾリン類、a−フェニル−4−N
、N−ジフェニルアミノスチルベン、N−エチル−3(
d−7エニルスチリル)カルバゾール、9−ジベンジル
アミノベンジリデン−8H−フルオレノン、5−p−ジ
トリルアミノベンジリデン−5H−ジベンゾ[a 、d
lシクロヘプテン等のスチリル系化合物、2−(p−ジ
エチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオ
キサゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4
−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロ
フェニル)オキサゾールなどのオキサゾール系化合物、
2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルア
ミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物、ビス
(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニ
ルメタンなどのトリアリールメタン系化合物、1.1−
ビス(4−N、N−ジエチルアミ/−2−メチルフェニ
ル)へブタン、1,1,2.2テトラキス(4−N、N
−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)エタンなどの
ポリアリールアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール トラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルア
ントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカ
ルバゾールホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
ル、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジ7−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N、N−ジ
フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒド
−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズ
アルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒド
ラゾンなどのヒドラゾン系化合物、2.5−ビス(p−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ール、1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
、l−゛[ピリジル(2)1−3−(p−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピ
ラゾリン、1−(ピリジル(3)]−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、l−[ピリジル(2)] −3−(P
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−
3−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
〜(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロ
ピラゾリンなどのピラゾリン類、a−フェニル−4−N
、N−ジフェニルアミノスチルベン、N−エチル−3(
d−7エニルスチリル)カルバゾール、9−ジベンジル
アミノベンジリデン−8H−フルオレノン、5−p−ジ
トリルアミノベンジリデン−5H−ジベンゾ[a 、d
lシクロヘプテン等のスチリル系化合物、2−(p−ジ
エチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオ
キサゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4
−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロ
フェニル)オキサゾールなどのオキサゾール系化合物、
2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルア
ミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物、ビス
(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニ
ルメタンなどのトリアリールメタン系化合物、1.1−
ビス(4−N、N−ジエチルアミ/−2−メチルフェニ
ル)へブタン、1,1,2.2テトラキス(4−N、N
−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)エタンなどの
ポリアリールアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール トラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルア
ントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカ
ルバゾールホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テル
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上組
合せて用いることができる。
合せて用いることができる。
電荷輸送物質が成膜性を宥していないときには適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる.バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネートポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性
樹脂あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電性
ポリマーなどが挙げられる。
インダーを選択することによって被膜形成できる.バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネートポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性
樹脂あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電性
ポリマーなどが挙げられる。
′電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がある
ので,必要以上に膜厚を厚くすることができない.一般
的には5〜307zmであるが、好ましい範囲は8〜2
0pmである,施工によって電荷輸送層を形成する際に
は、前述したような適当なコーティング法を用いること
ができる。
ので,必要以上に膜厚を厚くすることができない.一般
的には5〜307zmであるが、好ましい範囲は8〜2
0pmである,施工によって電荷輸送層を形成する際に
は、前述したような適当なコーティング法を用いること
ができる。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電層を有する基板の上に設けられる.かか
る基板としては、基板自体が導電性を有する、例えばア
ルミニウム、アルミニウム合金,銅、亜鉛、ステンレス
、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル
、インジウム、金や白金などを用いることができ、その
他には,アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど)を用いることができ、導電性粒子
(例えばカーボンブラック、銀粒子など)を適当なバイ
ンダーとともにプラスチックの上に被覆した基板、導電
性粒子をプラスチックや紙に含浸した基板や導電性ポリ
マーを有するプラスチックなどを用いることができる。
感光層は、導電層を有する基板の上に設けられる.かか
る基板としては、基板自体が導電性を有する、例えばア
ルミニウム、アルミニウム合金,銅、亜鉛、ステンレス
、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル
、インジウム、金や白金などを用いることができ、その
他には,アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど)を用いることができ、導電性粒子
(例えばカーボンブラック、銀粒子など)を適当なバイ
ンダーとともにプラスチックの上に被覆した基板、導電
性粒子をプラスチックや紙に含浸した基板や導電性ポリ
マーを有するプラスチックなどを用いることができる。
導電性基板と感光層の中間にバリヤー機能と接着機俺を
有する下引層を設けることもできる。下引層はカゼイン
、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン
−アクリル酸コポリマーポリアミド、(ナイロン6、ナ
イロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコ
キシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
有する下引層を設けることもできる。下引層はカゼイン
、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン
−アクリル酸コポリマーポリアミド、(ナイロン6、ナ
イロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコ
キシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5gm、好ましくは0.5〜
3終mが適当である。
3終mが適当である。
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感
光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性
物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必
要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後1表
面に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ、
未露光部との間に静電コントラストが生じる。
光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性
物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必
要があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後1表
面に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ、
未露光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。
像すれば、可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラス
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中
和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた
ときとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中
和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた
ときとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した電
子写真感光体を使用する場合において。
子写真感光体を使用する場合において。
電荷輸送物質が電子輸送性物質からなるときは、電荷発
生層表面を負に帯電する必要があり、帯電後露光すると
、露光部では電荷発生層において生成した電子は電荷輸
送層に注入され、その後基板に達する。一方電荷発生層
において生成した正孔は表面に到達し、表面電位の減衰
が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
生層表面を負に帯電する必要があり、帯電後露光すると
、露光部では電荷発生層において生成した電子は電荷輸
送層に注入され、その後基板に達する。一方電荷発生層
において生成した正孔は表面に到達し、表面電位の減衰
が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで現
像すれば可視像が得られる。これを直接定着するかある
いはトナー像を紙やプラスチックフィルムなどに転写後
現像し定着することができる。
像すれば可視像が得られる。これを直接定着するかある
いはトナー像を紙やプラスチックフィルムなどに転写後
現像し定着することができる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方電荷輸送物質が正孔輸送物質からなるときは、電荷
発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光する
と、N先部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基板に達する。一方電荷発生
層において生成した電子は表面に到達し、表面電位の減
衰が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる
。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負荷
電性トナーを用いる必要がある。
発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光する
と、N先部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基板に達する。一方電荷発生
層において生成した電子は表面に到達し、表面電位の減
衰が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる
。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負荷
電性トナーを用いる必要がある。
さらに本発明の別の具体例として、前述のジスアゾ顔料
を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた電子写真感
光体を挙げることができる。この際、前述の電荷輸送物
質の他にポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニトロフ
ルオレノンからなる電荷移動錯化合物を用いることがで
きる。
を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた電子写真感
光体を挙げることができる。この際、前述の電荷輸送物
質の他にポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニトロフ
ルオレノンからなる電荷移動錯化合物を用いることがで
きる。
この例の電子写真感光体は、前記ジスアゾ顔料と電荷移
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成できる
。
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成できる
。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。
また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料
を2種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料
を2種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザービームプリンターCRTプリンター
、LEDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版な
どの電子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーザービームプリンターCRTプリンター
、LEDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版な
どの電子写真応用分野にも広く用いることができる。
実施例1〜28
アルミニウム板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼ
イン11.2%、アンモニア水1g、水222m1)を
マイヤーバーで乾燥後の膜厚で1.0μmとなる様に塗
布し乾燥した。
イン11.2%、アンモニア水1g、水222m1)を
マイヤーバーで乾燥後の膜厚で1.0μmとなる様に塗
布し乾燥した。
次に前記例示のジスアゾ顔料Mol、5gをシクロヘキ
サノン951にブチラール樹脂(ブチラール化度63モ
ル%)2gを溶かした液に加えサンドミルで20時間分
散した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾
燥後の膜厚が0.27zmとなる様にマイヤーバーで塗
布し乾燥して電荷発のヒドラゾン化合物5gとポリメチ
ルメタクリレート樹脂(数平均分子量100000)5
gをベンゼン40elに溶解しこれを電荷発生層の上
に乾燥後の膜厚が20gmとなる様にマイヤーバーで塗
布し乾燥して電荷輸送層を形成し実施例1の感光体を作
成した。ジスアゾ顔料Molに代えて第1表に示す他の
例示顔料を用い実施例2〜28に対応する感光体を全く
同様にして作成した。
サノン951にブチラール樹脂(ブチラール化度63モ
ル%)2gを溶かした液に加えサンドミルで20時間分
散した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾
燥後の膜厚が0.27zmとなる様にマイヤーバーで塗
布し乾燥して電荷発のヒドラゾン化合物5gとポリメチ
ルメタクリレート樹脂(数平均分子量100000)5
gをベンゼン40elに溶解しこれを電荷発生層の上
に乾燥後の膜厚が20gmとなる様にマイヤーバーで塗
布し乾燥して電荷輸送層を形成し実施例1の感光体を作
成した。ジスアゾ顔料Molに代えて第1表に示す他の
例示顔料を用い実施例2〜28に対応する感光体を全く
同様にして作成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口型a(株)
製静電複写紙試験装置ModelSP−428を用いて
スタティック方式で一5kVでコロナ帯電し暗所で1秒
間保持した後照度10 lugで露光し帯電特性を調べ
た。
製静電複写紙試験装置ModelSP−428を用いて
スタティック方式で一5kVでコロナ帯電し暗所で1秒
間保持した後照度10 lugで露光し帯電特性を調べ
た。
帯電特性としては表面電位(VO)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を1/2に減衰するに必要な露光ff1(E
l/2)を測定した。この結果を第1表に示す。
た時の電位を1/2に減衰するに必要な露光ff1(E
l/2)を測定した。この結果を第1表に示す。
第−表
比較例1.2
実施例5.7のジスアゾ顔料に代えて下記構造式で示さ
れるジスアゾ顔料を用い他は実施例5゜7と全く同様に
比較例1.2に対応する感光体を作成し、同様に帯′1
ヒ特性を評価した。その結果をfJS2表に示す。
れるジスアゾ顔料を用い他は実施例5゜7と全く同様に
比較例1.2に対応する感光体を作成し、同様に帯′1
ヒ特性を評価した。その結果をfJS2表に示す。
第2表
引 し1
(B)
実施例29〜33
実施例4,5,10,18.21に用いた感光体を用い
、繰返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した
。方法としては、−5,6kVのコロナ帯電器、露先々
学系、現像器、転写帯電器、除電露光々学系、及び、ク
リーナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体
を貼り付けたこの複写機はシリンダーの駆動に伴い、転
写紙上に画像が得られる構成になっている。この複写機
を用いて、初期の明部電位(VL)と暗部電位(Vo)
を夫//−200Y、−700V付近に設定し、500
0回使用した後の明部電位(V[)暗部°iヒ位(V[
+)の変動機ΔvL 、ΔVo t−測定した。この
結果を第3表に示す、尚Δ■L 、ΔVOにおける負記
号は、電位絶対値の低下を表わし、正記号は、電位の絶
対値の上昇を表わす。
、繰返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した
。方法としては、−5,6kVのコロナ帯電器、露先々
学系、現像器、転写帯電器、除電露光々学系、及び、ク
リーナーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体
を貼り付けたこの複写機はシリンダーの駆動に伴い、転
写紙上に画像が得られる構成になっている。この複写機
を用いて、初期の明部電位(VL)と暗部電位(Vo)
を夫//−200Y、−700V付近に設定し、500
0回使用した後の明部電位(V[)暗部°iヒ位(V[
+)の変動機ΔvL 、ΔVo t−測定した。この
結果を第3表に示す、尚Δ■L 、ΔVOにおける負記
号は、電位絶対値の低下を表わし、正記号は、電位の絶
対値の上昇を表わす。
第3表
比較例3,4
比較例1,2で作成した感光体を実施例29と同様に縁
返し使用時の電位変動を測定した。その結果を第4表に
示す。
返し使用時の電位変動を測定した。その結果を第4表に
示す。
第4表
第3表、第4表より本発明のジスアゾ顔料を用いた感光
体は繰返し使用時の電位変動が少ないことがわかる。
体は繰返し使用時の電位変動が少ないことがわかる。
実施例34
アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム
のアルミニウム面上に膜厚0.57zmのポリビニルア
ルコールの被膜、を形成した0次に実施例3で用いたジ
スアゾ顔料の分散液を先に形成したポリビニルアルコー
ル層の上に乾燥後の膜厚が0.27zmとなる様にマイ
ヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形成した。
のアルミニウム面上に膜厚0.57zmのポリビニルア
ルコールの被膜、を形成した0次に実施例3で用いたジ
スアゾ顔料の分散液を先に形成したポリビニルアルコー
ル層の上に乾燥後の膜厚が0.27zmとなる様にマイ
ヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで構造式
で示されるスチリル化合物5gとポリアリレート樹脂(
ビスフェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重
合体)5gをテトラヒドロフラン401に溶かした液を
電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が18gmとなる様に塗
布し乾燥して電荷輸送層を形成した。こうして調整した
感光体の帯電極性及び耐久性を実施例1及び29と同様
の方法によって測定した。この結果を次に示す。
ビスフェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重
合体)5gをテトラヒドロフラン401に溶かした液を
電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が18gmとなる様に塗
布し乾燥して電荷輸送層を形成した。こうして調整した
感光体の帯電極性及び耐久性を実施例1及び29と同様
の方法によって測定した。この結果を次に示す。
Vo : 885(−V) 、 E 1/2
: 2.7(luト+ec)ΔVo :+5(V)
、 Δv[:土0(v)実施例35 実施例3で作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層を
逆の順番で塗布した感光体を作成し、実施例1と同様に
帯電特性を評価した。ただし帯電特性は十とした V o : 700 (+V)、 E
1/2 : 2.8(lux−sec)実施例
36 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2゜4.7−)
リニトロー9−フルオレノン5gとポリ−4,4゛−ジ
オキシフェニル−2,2°−プロパンカーボネート(分
子量300,000) 5 gをモノクロルベンゼン7
01に溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量が12
g/腸2となる様に塗布し、乾燥した。
: 2.7(luト+ec)ΔVo :+5(V)
、 Δv[:土0(v)実施例35 実施例3で作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層を
逆の順番で塗布した感光体を作成し、実施例1と同様に
帯電特性を評価した。ただし帯電特性は十とした V o : 700 (+V)、 E
1/2 : 2.8(lux−sec)実施例
36 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2゜4.7−)
リニトロー9−フルオレノン5gとポリ−4,4゛−ジ
オキシフェニル−2,2°−プロパンカーボネート(分
子量300,000) 5 gをモノクロルベンゼン7
01に溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量が12
g/腸2となる様に塗布し、乾燥した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行った。この時、帯電極性は十とした。
法で帯電測定を行った。この時、帯電極性は十とした。
この結果を以下に示す。
V O: 8115 (+V) 、 E 1/2 :
3.9(lux−sec)実施例37 厚さ100μmのアルミニウム板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し乾燥して膜厚0.5ルmの下引層を
形成した。
3.9(lux−sec)実施例37 厚さ100μmのアルミニウム板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し乾燥して膜厚0.5ルmの下引層を
形成した。
次に、 2,4.7− トリニトロ−9−フルオレノン
5gとポリ−Nルビニルカルバゾール(数平均分子量3
00,000)5 gをテトラヒドロフラン701に溶
かして電荷移動錯体化合物を形成した。この電荷移動錯
体化合物と前記例示のジスアゾ顔料No2.1gをポリ
エステル樹脂(バイロン:東洋紡製)5gをテトラヒド
ロフラン701に溶かした液に加え分散した。この分散
液を下引層の上に塗布し乾燥して164mの感光体を作
成した。
5gとポリ−Nルビニルカルバゾール(数平均分子量3
00,000)5 gをテトラヒドロフラン701に溶
かして電荷移動錯体化合物を形成した。この電荷移動錯
体化合物と前記例示のジスアゾ顔料No2.1gをポリ
エステル樹脂(バイロン:東洋紡製)5gをテトラヒド
ロフラン701に溶かした液に加え分散した。この分散
液を下引層の上に塗布し乾燥して164mの感光体を作
成した。
こうして調製した感光体の帯電特性を実施例1と同様の
方法によって測定した。この結果を次に示す。但し帯電
極性は十とした。
方法によって測定した。この結果を次に示す。但し帯電
極性は十とした。
Vo : 700 (+V) 、 E 1/2 :
4.5(lux−sec)L発明の効果] 本発明のジスアゾ顔料を感光層に用いることにより、感
光層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリアの
輸送効率のいずれか一方、あるいは双方が改善され、感
度及耐久使用時に於ける電位安定性の良好な電子写真感
光体を提供することができる。
4.5(lux−sec)L発明の効果] 本発明のジスアゾ顔料を感光層に用いることにより、感
光層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリアの
輸送効率のいずれか一方、あるいは双方が改善され、感
度及耐久使用時に於ける電位安定性の良好な電子写真感
光体を提供することができる。
代理人 弁理士 山 下 積 平
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体上に、アゾ顔料を含有する感光層を有
する電子写真感光体において、前記アゾ顔料が一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、Wは単結合、または置換基を有してもよい2価
の、芳香族炭化水素基もしくは複素環基を表わす。Ar
_1、Ar_2はそれぞれ置換基を有してもよい2価の
、環状ケトンまたは環状キノンを表わす。Cp_1、C
p_2はそれぞれフェノール性水酸基を有するカプラー
残基を表わす。Zは酸素原子または硫黄原子を表わす。 また、m、nはそれぞれ0または1を表わす。ただし、
m、nは同時に0ではない。) で示される化合物であることを特徴とする電子写真感光
体。 2、アゾ顔料を含有する感光層が、少なくとも電荷輸送
層と一般式(1)で示されるアゾ顔料を含有する電荷発
生層の2層からなる請求項1記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63204736A JP2680059B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63204736A JP2680059B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0254275A true JPH0254275A (ja) | 1990-02-23 |
JP2680059B2 JP2680059B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=16495463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63204736A Expired - Fee Related JP2680059B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2680059B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0518376A1 (en) * | 1991-06-13 | 1992-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, an electrophotographic apparatus, an integrated elecrophotographic unit and a facsimile machine having the electrophotographic photosensitive member |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0194350A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
JPH01246556A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63204736A patent/JP2680059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0194350A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
JPH01246556A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0518376A1 (en) * | 1991-06-13 | 1992-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, an electrophotographic apparatus, an integrated elecrophotographic unit and a facsimile machine having the electrophotographic photosensitive member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2680059B2 (ja) | 1997-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |