JPS6218565A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS6218565A
JPS6218565A JP15769985A JP15769985A JPS6218565A JP S6218565 A JPS6218565 A JP S6218565A JP 15769985 A JP15769985 A JP 15769985A JP 15769985 A JP15769985 A JP 15769985A JP S6218565 A JPS6218565 A JP S6218565A
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正和 松本
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正滋 楳原
Takao Takiguchi
隆雄 滝口
Masataka Yamashita
眞孝 山下
Shozo Ishikawa
石川 昌三
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0694Azo dyes containing more than three azo groups

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な電子写真感光材料を・利用した電子写真
感光体に関するものであり、更に詳しくは特定の分子構
造を有するテトラキスアゾ顔料を光導電層中に含有する
電子写真感光体に関するものである。
〔従来の技術〕
従来よυ、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。
例えば、−RCA Revlaw ” Voム 23.
  P、413〜P、419 (1962,9)ではフ
タロシアニン顔料の光導電性についての発表がなされて
おシ、又この7タロシアニン顔料を用いた電子写真感光
体が米国特許3g3397086号公報や米国特許第3
816118号公報等に示されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許第4315983号公報米国特許第4327169号
公報や”  Re5aaehDisclosure ”
  20517(1981,5)に示されているピリリ
ウム系染料、米国特許第3824099号公報に示され
ているスクエアリック酸メチン染料、米国特許第389
8084号公報、米国特許第4251613号公報等に
示されたジスアゾ顔料などが挙げられる。
この様な有機半導体は、無機半導体に較べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体は
、感色性が良くなるといり利点を有しているが、感度お
よび耐久性において実用できるものは、ごく僅かである
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は新規な光導電性材料を提供することにあ
る。
本発明のもう1つの別な目的は現存するすべての電子写
真プロセスにおいても使用可能であり実用的な高感度特
性と繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に従って導電性基材上に感光層を設けた電子写真
感光体において、該感光層が次の一般式(式中人はフェ
ノール性OH基、を有するカプラー残基: Ar  t
 Ar  s Ar  s Ar4r Ar5及びAr
 6はそれぞれ置換基を有してもよいアリーレン基、2
価の縮合多環基又は2価の複素環基を含む有機基;B1
及びB2はそれぞれ水素原子、ハロダン原子。
トリフルオロメチル基、シアノ基、または置換基を有し
てもよいアルキル、アリール、もしくはアラルキル基を
示す) で表わされるテトラキスアゾ顔料を含有することを特徴
とする電子写真感光体が提供される。
上記一般式(1)においてAのフェノール性OH基を有
するカプラー残基としては、例えば下記の一般式(2)
〜(8)で示される: O R4 、Yl 、Y、 \X′ こ式中Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環ある1は複
素環を形成する残基;R1及びR2は水素原ヱ、置換基
を有してもよいアルキル、アラルキル。
−リールあるいは複素環基または一緒になって窒ネ原子
と共に環状アミノ基を形成する残基;R31びR4はそ
れぞれ置換基を有してもよいアルキル。
−ラルキル、アリールを示す;Yは芳香族炭化水慨の2
価の基あるいは窒素原子と一緒になって複素環の2価の
基を形成する残基;R5及びR6はそ1ぞれ水素原子、
置換基を有してもよいアルキル。
−ラルキル、アリール、複素環基あるいは一緒に:って
結合炭素原子と共に5〜6員環を形成する4基;R7及
びR8はそれぞれ水素原子、置換基をゴしてもよいアル
キル、アラルキル、アリールあ−いは複素環基を示す)
上記Xの多環芳香環及び複素環としては、例えばナフタ
レン、アントラセン、カルノぐゾール、ベンズカルバゾ
ール、ジベンゾフラン、ベンゾナフトフラン、ジフェニ
レンサルファイドなどが挙げられる。
また、R11R2の場合、アルキルとしては例えばメチ
ル、エチル、グロビル、、ブチルなどが挙げられ、アラ
ルキルとしては例えばベンジル、フェネチル、ナフチル
メチルなどが挙げられ、またアリールとしてはフェニル
、X)フェニル、ナフチル。
アンスリルなどが挙げられる。特にR1が水素でありR
2が0−位にハロゲン、ニトロ、クアノ、トリフルオロ
メチルなどの電子吸引性基及びエチル。
メチル、ブチルなどのアルキル基を有するフェニル基で
ある構造を有する化合物が好ましい。
複素環としてはカルバゾール、ジベンゾフラン。
ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾール、
ピリジンなどが例示される。
R及びRの具体例は前記R5,R2で例示されたものと
同じものが挙げられる。
また上記のR1,R2,R3及びR4のアルキル基。
アラルキル基、アリール基、複素環基は更に他の置換基
、例えば前述のフルキル基、メトキシ、エトキシ、グロ
ポキン等のアルコキク基、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、あるいはジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ
ベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペ
リジノ、ピロリジノなどの置換アミノ基などによシ置換
されてもよい。
Yの定義において、2価の芳香族炭化水素基としては例
えば0−フェニレン等の如き単環式芳香族炭化水素基、
O−す7チレン、−1!リナフチレン、1.2−77ス
ワレン、9.10−7エナンスリレンなどの縮合多環式
芳香族炭化水素基が挙げられる。
まこ、窒素と一緒になって2価の複素環を形成する例と
しては、3.4−ピラゾールジイル基、2.3−ピリジ
ンジイル基、4,5−ピリミジンジイル基、6.7−イ
ンタソールジイル基、 5.6−ベンズイミダゾールジ
イル基、6,7−キラリンジイル基等の5〜6員複素環
の2価の基が挙げられる。
R5# R6のアルキル、アラルキル、及びアリールと
しては、R1−R4で例示されたものと同じものが挙げ
られる。
またR5 + R6の複素環基としては、ピリジル、チ
ェニル、フリル、カルバゾイルなどが例示される。これ
らの基は前記の如き置換基で置換されてもよい。
また、R5とR6は一緒になって5〜6員環を形成する
残基を示す。この5〜6員環は縮合芳香族環を有しても
よい。かかる例としてはシクロベンチリチン、シクロヘ
キシリデン、9−フルオレニア”7.9−キサンテニリ
デンなどの基が挙げられる。
R7及びR8におけるアルキル、アリール、アラルキル
の具体例は前記の例示と同じものが挙げられる。複素環
としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダ
シロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジンなど
が例示される。これらは前記の如き置換基で置換されて
もよい。
式(7)及び(8)におけるXは前記式(2)における
Xと同一の具体例が示でれる。とくにXの結合しfc環
としてアントラセン環、ベンズカルバゾール環、カルバ
ゾール環であることが好ましい。とりわけベンズカルバ
ゾール環は分光感度域を長波長域にまで広げる効果が・
大きく、半導体レーザー領域に高感度を有する感光体の
作成に好適である。
上記一般式(1)において、Ar  l Ar2 $ 
Ar、5 tAr、s p Ar5及びAr6は具体的
には例えばフェニレン、ナフタレ、ビフェニレン、アン
トリレン等のアリーレン基;インデン、アセナフテン、
フルオレン、ペリレン、フルオレノン、アントロン、ア
ントラキノン、ベンゾアントロン等の2価の縮合多環芳
香環基;又はピリジン、キノリン、ベンジオ中すゾール
、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ペンツトリ
アゾール、フェニルベンゾオキサソール、フェニルベン
ゾチアゾール、フェニルベンゾイミダゾール、ジベンゾ
フラン、カルバゾール、キサンチン、アクソジン、フェ
ノチアジン、ジフェニルオキサジアゾール等の複素mt
−含む2価の有機基が挙げられる。またこれらの基は前
記の置換基で置換されてもよい。
さらに、一般式(1)におけるB、及びB2としては、
水素原子;R4及びR2として例示したのと同様なアル
キル、アリール、アラルキル基;ハロダン原子;トリフ
ルオロメチル基;又はシアノ基である。
また、アルキル、了り−ル、及びアラルキル基は前記の
置換基で置換されてもよい。
本発明によれば、理論には拘束されないが、上記一般式
(1)のテトラキスアゾ顔料が2価の有機基Ar、及び
Ar2を両側に有するビニル基全分子骨格の中心とし、
Nを介して対称的に4つのアゾカプラー成分を有し、長
いπ電子共役系を含む構造を有することによシ、顔料の
光導電性に改良をもたらしキャリア生成効率ないしは搬
送性のいずれか一方あるいは両方が向上するため感度や
耐久使用時における電位安定性が確保されるものと考え
られる。
また高感度及び分光感度域の長波長化が達成されるので
高速の複写機、レーデ−ビームプリンター、LED 7
″リンター、液晶プリンターなどへの適用が可能となシ
、更に感光体の前歴に拘らず安定した電位が確保され安
定した美しい画像が得られる。
本発明に用いられるテトラキスアゾ顔料の代表例を以下
に列挙する。
これらのテトラキスアゾ顔料は、1種または2種以上組
合せて用いることができる。また、これ(ただし式中の
A r 1* A r 2 + A r 3 + Ar
 41 A r 5 * A r b + B 1 +
 B 2は一般式(1)中の記号と同じ意味を表わす)
で示されるテトラアミンを常法によりオクタ化し、次い
で対応するカプラーをアルカリの存在下に水系カップリ
ングするか、または前記のジアミンのテトラゾニウム塩
をホウフッ化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離
した後、適当な溶媒例えハN、N−ツメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の啓媒中でアルカリの存在
下にカッグラ−とカップリングすることにより容易に製
造することができる。
上記テトラキスアゾ顔料製造の詳細な条件は後述する参
考例により一層明瞭となろう。
前述のテトラキスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示
し、従って下述する電子写真感光体の感光層に用いるこ
とができる。
すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のテトラキスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成する
か、ちるいは適当なパイングー中に分散含有させて被膜
形成することにより電子写真感光体を調製することがで
きる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば5μ以下、好ましくは0.01〜1μの膜厚をもつ
薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量の
大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリア
を生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結合
や捕獲(ドラッグ)により失活することなく電荷輸送層
に注入する必要があることに帰因している。
電荷発生層は、前述の化合物を適当なノ々イングーに分
散させ、これを基体の上に塗工することによって形成で
き、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することによ
って得ることができる。電荷発生層を塗工によって形成
する際て用いうるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂
から選択でき、またポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビニ
ルブチラール、ボリアリレート(ビスフェノールAと7
タル酸の縮重合体など。)ポリカーゲネート、ポリエス
テル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂
、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピ
リジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷発
生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ましくは
40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機m剤として
は、メタノール、エタノール、イソゾロパノールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類、N、N−ツメチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
ナトのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの
脂肪族ハロダン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジク
ロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーチインク法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーチインク法
、ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合、電荷輸
送層における電荷キャリアを輸送する物質(、以下、単
に電荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応す
る電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ま
しい。ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫外線
、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含す
る広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感
応性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラ
ツプする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に
捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、2.4.7− )リートロー9−フルオレノン
、2.4.5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2.4.7−ドリニトロー9−ジシアノメチレンフルオ
レノン、2.4.5.7−チトラニトロキサントン、2
.4.8−トリニドロチオキサントン等の電子吸引性物
質やこれら電子吸引性物質を高分子化したもの等がある
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−イソfロヒルカルノ々ソール、N−メチル−
N−フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチル
カルバゾール、 N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−
メチリデン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェ
ニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノ
チアジン、N、N−ジフェニルヒドラツノ−3−メチリ
デン−10−二チルフェノキサジン、P−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、
P−ジエチルアミノベンズアルデヒドーN−α−ナフチ
ル−N−7エニルヒrラゾン、P−ピロリジノベンズア
ルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラジノ、11313
− ) IJメチルインドレニン−ω−アルデヒド−N
、N −・ジフェニルヒドラジノ、P−ジエチルベンズ
アルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒド
ラゾン等のヒドラゾン類、2゜5−ビス(p−ジエチル
アミノフェ= A/ ) −1e:L4−オキサジアゾ
ール、1−フェニル−3−(P−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
、1−(キノリル(2)〕−3−(p−ジエチルアミノ
スチリル) −5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピ
ラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(P−ジエチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔6−メドキシー
ピリジン(2)〕−3−(P−ジエチルアミノスチリル
) −5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
、1−〔ピ!J J ル(3) 〕−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−〔レピジル(2) 〕−3−(P
−ノエチルア   □ミノスチリル)−5−(P−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2
) ] −3−(P−ジエチルアミノスチリル〕−4−
メチル−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−〔ピリジル(2) ] −3−(α−メチル−
P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルア
ミノフェニル)ピラプリン、1−フェニル−3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−7エニルー3
−(α−ベンジル−P−ジエチルアミノスチリル)−5
−(P−ノエテνアミノフェニル)ピラゾリン、スピロ
ーラゾリンなどのピラゾリン類、2−(P−ノエチルア
ミノスチリル)−6−ノエチルアミノペンズオΦ?ゾー
ル、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4−(P−
ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニル
)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、2− (P
−ノエチルアミノステリル)−6−ジエチルアミノベン
ゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン等
のトリアリールメタン系化合物、1.1−ビス(4−N
、N−ジエチルアミ)−2−1fルフエニル)へブタン
、 1.1.2.2−戸トラキス(4−N、N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)エタン等のポリアリー
ルアルカン類、トリフェニルアミン、yf:I)−N−
ビニルカルバソール、ポリビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニル
フェニルアントラセン、ピVンーホルムアルf”ヒト樹
脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等がある
これらの有機電荷輸送物質の池に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる・また、これらの電荷輸送物
質は、1種または2種以上組合せて用いることができる
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーゴネート、ポ
リエチレン、アクリロニトリルースチノンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、、dlJビニルホルマール、ポリスルホン
ー?リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの
絶縁性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5〜30μであるが、好ましい範囲は8〜20μ
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述した様々適当なコーティング法を用いることができる
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その池にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、アル
ミ粉末、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、カービンブ
ラック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにグラ
スチック又は前記導電性基体の上に被覆した基体、導電
性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポリ
マーを有するプラスチックなどを用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層ハ、カゼ・イン
、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン
−アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナ
イロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコ
キシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、O11〜5μ、好ましくは0.5〜3
μが適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯、電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのおと表面
に達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光
部との間に静電コントラストが生じる。この様圧してで
きた静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が
得られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を
紙やゲラステックフィルム等に転写後、現像し定着する
ことができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものく限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があシ、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。
現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正電荷
性トナーを用いる必要がある。
導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基盤に
達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面に
達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やグラス
チックフィルム等に転写後現像し定着することができる
。また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基盤に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像時
には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性トナ
ーを用いる必要がある。
また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサ/−ル類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述のテトラキスアゾ
顔料を含有させた感光被膜とすることができる。この感
光被膜は、これらの光導電性物質と前述のテトラキスア
ゾ顔料をバインダーとともに塗工によって被膜形成され
る。
本発明の別の具体例としては前述のテトラキスアゾ顔料
を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた電子写真感
光体を挙げることができる。この際前述の電荷輸送物質
の池にポリ−N−ビニルカルバソールとトリニトロフル
オレノンからなる電荷移動錯体化合物を用いることがで
きる。この例の電子写真感光体は前述のテトラキスアゾ
顔料と   □電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフラ
ンに溶解されたテリエステル容液中疋分散させた後、被
膜形成させて調製できる。
いずれの感光体においても用いる顔料は一般式   □
(1)で示されるテトラキスアゾ顔料から選ばれる少 
  :なくとも一種類の顔料を、、含有しその結晶形は
非晶   :質でありても結晶質であってもよい。又必
要に応   1じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用
し感光体   :の感度を高めたり、パンクロマチック
な感光体を得るなどの目的で一般式(1)で示されるテ
トラキスアゾ顔料を2種類以上組合せたり、または公知
の   □染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合
せて   :使用することも可能である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利   □
用するのみならず、V−デープリンターやCRT 7’
リンター、LEDfリンター、液晶グリンター、レーデ
−製版等の電子写真応用分野にも広く用いる   □事
ができる。
以下本発明を実施例によって説明する。
参考例 テトラキスアゾ顔料&1の合成500づビーカ
ーに水BOa/濃塩酸33.2mJ(0,38モル)を
入れ氷水浴で冷却しながら、下記構造のアミン(アミン
はフランス特許1398240記載の方法により合成し
た) 16.67 g(0,029モル)を入れ氷水浴
で冷却しながら攪拌し液温を3℃とした。次に亜硝酸ソ
ーダ8.2g(0,122モル)を水7 mlに溶かし
た液を液温を3〜10℃の範囲にコントロールしながら
10分間で滴下し、滴下終了後同温度で更に30分攪拌
した。反応液にカーぎンを加え濾過してテトラゾ化液を
得た。
次に12tビーカーにジメチルホルムアミド700ゴを
入れトリエチルアミン53.6 g(0,53モ′ル)
を加え3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸アニリド32.
12g(0,122モル)を添加して溶解した。
このカプラーm液を6℃に冷却し液温を6〜10℃にコ
ントロールしながら前述のテトラゾ化液を30分かけて
攪拌上滴下して、その後室温で2時間攪拌し更に1晩放
置した。反応液を濾過後、水洗濾過し固型分換算で粗製
顔料42.5gの水ペーストを得た。
次に400 mlのN、N−ツメチルホルムアミドを用
い室温で攪拌濾過を4回繰り返した。その後400プの
メチルエチルケトンでそれぞれ2回攪拌濾過を繰り返し
た後室温で減圧乾燥しam顔料39.76gを得た。収
率は82チであった。
融点〉250゜ 元素分析  計算値(吻  実測値(4)C76,15
76,22 H4,464,44 N     11.73   11.67以上代表的な
顔料の合成法について述べたが一般式(1)で示される
他のテトラキスアゾ顔料も同様にして合成される。
実施例1〜60 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2チ、アンモニア水1g、水222プ)をマイヤー
パーで乾燥後O膜厚が1.0μとなる様に塗工し乾燥し
た。
次に前記テトラキスアゾ顔料A 1 、5 gをエタノ
ール9.54にブチラール樹脂(ブチラール化度63モ
ル%)2gをmかした液に加えサンドミルで2時間分散
した。この分散液を先て形成したカゼイン層の上に乾燥
後の膜厚が0.5μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾
燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式 ■ヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹
脂(数平均分子量100000 ) 59をベンゼン7
0m1VC浴解しこれを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚
が12μとなる様だマイヤーノ9−で塗布し乾燥して電
荷輸送層を形成し実施例1の感光体を作成した。テトラ
キスアゾ顔料&1に代えて第1表に示す他の例示顔料を
用い実施例2〜60に対応する感光体を全く同様にして
作成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機(株)
製静電複写紙試験装置Model 5P−428を用い
てスタティック方式で一5kVでコロナ帯電し暗所で1
秒間保持した後照度2 Lagで露光し帯電特性を調べ
た。
帯電特性としては表面電位(vo)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を職に減涙する−に必要な露光量(E%)を
測定したこの結果を第1表に示す。
実施例61〜65 実施例1.8.29.40.83に用いた感光体を用い
繰返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。
方法としては−5,6kVのコロナ帯電器、露光光学系
、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けた、この複写機は、シリンダーの駆動に伴い、転写
紙上に画偉が得られる構成になっている。この複写機を
用いて、初期の明部電位(vL)と暗部電位(VD)を
それぞれ−100V、−600V付近に設定し5000
回使用した後の明部電位(vL)暗部電位を測定した。
この結果を第2表に示す。
実施例1〜65のデータから本発明の感光体は電子写真
的感度が著しく良好で繰返し使用後もVD、vLの安定
性が極めて良好であった。
実施例66 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2.4.7−ド
リニトロー9−フルオレノン5gと/!J−4,4/−
ジオキシジフェニル−2,2′−デロノ臂ンカーゲネー
ト(分子量300.000 )  5 /jをテトラヒ
ドロフラン70−に容解して作成した塗布液を乾燥後の
塗工量が10g/m2となる様に塗布し、乾燥した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行なりた。この時、帯電極性はΦとした
。その結果は次のとおりであった。
v :6E)55o、xルト J : 4.6 tux、wc 実施例67 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5μの4リビニルアルコールの被膜を
形成した。
次だ、実施例1で用いたテトラキスアゾ顔料の分散液を
先釦形成したポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の
膜厚が0.5μとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。
次いで、構造式 のピラゾリン化合?+5&とポリアリV−)樹脂(ヒス
フェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体
)59をテトラヒドロフラン70ydKWgかした液を
電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10μとなる様に塗布
し乾燥して電荷輸送層を形成した。
こうして調製した感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例1及び実施例61と同様の方法によって測定した。
この結果を第3表に示す・第3表の結果より、上記感光
体は感度も良く、耐久使用時の電位安定性も良好である
実施例68 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5ミクロンの下
引層を形成した。
次に、2.4.7− )リートロー9−フルオレノン5
gとポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30
0.000) 5gをテトラヒドロフラン70WLIK
iかして電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯
化合物と前記のテトラキスアゾ顔料層741gを、ポリ
エステル樹脂(パイロ/=東洋紡製)5gをテトラヒド
ロフラン7011LIKlかした液に加え、分散した。
この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロン
となる様に塗布し、乾燥した。
こうした調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
1と同様の方法によって測定した。但し、帯電極性はe
とした。その結果は次のとおりであった・ Vo:$585V Ey、 : 4.2 tux* see。
実施例69 実施例1で用いたカゼイン層を施したアルミ基板のカゼ
イン層上に実施例1の電荷輸送層、電荷発生層を順次積
層し、層構成を異にする以外は実施例1と全く同様にし
て感光体を形成し、実施例1と同様に帯電測定した。但
し帯電櫃性をeとした。その結果は次のとおりであった
vo:Φ565v EH: 4.41ux、wr:。
実施例70 アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水浴
液(カゼイン11.2g、2896アンモニア水15+
、水22.2111/)を浸漬コーティング法で塗工し
、乾燥して塗工量1.0 g / mの下引層を形成し
た。
次に、前述のテトラキスアゾ顔料&46の1重量部、ブ
チラール樹脂(エスレックBM−2:積水化学(株)製
)1重量部とイノプロピルアル;−ル30重1部を?−
ルミル分散機で4時間分散した。この分散液を先に形成
した下引層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥し
て電荷発生層を形成した。この時の膜厚は0.3ミクロ
ンであった。
次に、実施例II/c用いたヒドラゾン化合物1重量部
、ポリスルホン樹脂(P 1700:ユニオンカーバイ
ド社W)、1重量部とモノクロルベンゼン6重量部を混
合し、攪拌機で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上
に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を
形成した。この時の膜厚は、12ミクロンであった。
こうして調製した感光体に一5kVのコロナ放電を行な
りた。この時の表面電位を測定した(初期電位V0)。
さらに、この感光体を5秒間暗所で放  ・置した後の
表面電位を測定した(暗減衰V工)。感度は、暗減衰し
た後の電位Vえを1/2に減衰するに必要な露光量(E
Hマイクロジ、−ル/cm2)を測定することによって
評価した。この際、光源としてガリウム/アルミニウム
/上素の三元系半導体レーデ−(出カニ 5mW a、
発振波長7781m)を用いた。これらの結果は、次の
とおりであった。
Vo: −520ゲルト VK: 93チ へ:1.6マイクロジ、−ル/cm2 次え同上の半導体レーデ−を備えた反転現像方式の電子
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター(
キャノン製LIP−CX ) K上記感光体をLBP 
−CXの感光体圧置き換えてセットし、実際の画像形成
テストを用りた°。条件は以下の通りであるニー次帯電
後の表面電位ニー700V%偉露光後の表面電位: −
i s o v(露光量2 s J /egg2)、転
写電位;+700v、現像剤極性;負極性、グロセスス
ピード: 50 mm/ m 、現像条件(現像バイア
ス)ニー450’、像露光スキャン方式;イメージスキ
ャン、−次帯′亀前露光; 50 tux−(8)の赤
色全面露光画像形成はレーザービームを文字信号及び画
像信号に従りてラインスキャンして行ったが、文字1画
像共に良好なプリントが得られた。
〔発明の効果〕
本発明に従って、特定のナト2キスアゾ顔料を感光層に
含有せしめることにより感光層内部に於ける中ヤリャー
発生効率ないしキャリヤー輸送効率のいずれか一方ある
・いは両方が格段に向上され、その結果感度及び耐久使
用時に於ける電位安定性に優れた電子写真感光体が得ら
れる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性基材上に感光層を設けた電子写真感光体に
    おいて、該感光層が次の一般式(1)▲数式、化学式、
    表等があります▼(1) (式中Aはフェノール性OH基を有するカプラー残基;
    Ar_1、Ar_2、Ar_3、Ar_4、Ar_5及
    びAr_6はそれぞれ置換基を有してもよいアリーレン
    基、2価の縮合多環基又は2価の複素環基を含む有機基
    ;B_1及びB_2はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子
    、トリフルオロメチル基、シアノ基、または置換基を有
    してもよいアルキル、アリール、もしくはアラルキル基
    を示す) で表わされるテトラキスアゾ顔料を含有することを特徴
    とする電子写真感光体。
  2. (2)上記一般式(1)におけるAが下記一般式(2)
    〜(8)で示される特許請求の範囲第1項記載の電子写
    真感光体: ▲数式、化学式、表等があります▼(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) ▲数式、化学式、表等があります▼(4) ▲数式、化学式、表等があります▼(5) ▲数式、化学式、表等があります▼(6) ▲数式、化学式、表等があります▼(7) ▲数式、化学式、表等があります▼(8) (式中Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
    素環を形成する残基;R_1及びR_2はそれぞれ水素
    原子、置換基を有してもよいアルキル、アラルキル、ア
    リールあるいは複素環基または一緒になって窒素原子と
    共に環状アミノ基を形成する残基;R_3及びR_4は
    それぞれ置換基を有してもよいアルキル、アラルキル、
    アリールを示す;Yは芳香族炭化水素の2価の基あるい
    は窒素原子と一緒になって複素環の2価の基を形成する
    残基;R_5及びR_6はそれぞれ水素原子、置換基を
    有してもよいアルキル、アラルキル、アリール、複素環
    基あるいは一緒になって結合炭素原子と共に5〜6員環
    を形成する残基;R_7及びR_8はそれぞれ水素原子
    、置換基を有してもよいアルキル、アラルキル、アリー
    ルあるいは複素環基を示す)。
  3. (3)上記感光層が電荷発生層と電荷輸送層とよりなる
    機能分離型であり該電荷発生層に上記一般式(1)で示
    されるテトラキスアゾ顔料を含有させる特許請求の範囲
    第1項記載の電子写真感光体。
  4. (4)上記一般式(2)におけるR_1が水素原子であ
    り、R_2が次の一般式▲数式、化学式、表等がありま
    す▼ (式中R_9はハロゲン、ニトロ、シアノ、トリフルオ
    ロメチル及びアシルより選ばれる置換基を示す)で表わ
    される置換フェニルである特許請求の範囲第2項記載の
    電子写真感光体。
  5. (5)上記一般式(2)においてR_1が水素原子であ
    り、R_2が置換基を有してもよいフェニル基でありX
    がベンゼン環と一緒になって、下記の基 ▲数式、化学式、表等があります▼ を形成する特許請求の範囲第2項記載の電子写真感光体
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62124560A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Mitsubishi Chem Ind Ltd 電子写真用感光体
WO2006049860A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-11 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
WO2007043371A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element and light-emitting device
JP2007176928A (ja) * 2005-10-05 2007-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スチルベン誘導体、発光素子、および発光装置
EP2008992A1 (en) * 2006-04-18 2008-12-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same
JP2009524701A (ja) * 2006-01-27 2009-07-02 グラセル ディスプレイ インコーポレイテッド フルオレン基を含有する電気発光化合物、及びこれを発光材料として使用する有機電気発光素子
JP4838969B2 (ja) * 2000-09-01 2011-12-14 出光興産株式会社 新規スチリル化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012111719A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 重合性単量体、その重合体を含む有機デバイス用材料、正孔注入輸送材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子
US8911882B2 (en) 2006-09-28 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62124560A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Mitsubishi Chem Ind Ltd 電子写真用感光体
JP4838969B2 (ja) * 2000-09-01 2011-12-14 出光興産株式会社 新規スチリル化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008518479A (ja) * 2004-10-29 2008-05-29 イーストマン コダック カンパニー エレクトロルミネッセント・デバイスのための有機素子
US7544425B2 (en) 2004-10-29 2009-06-09 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
WO2006049860A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-11 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
US7476745B2 (en) 2005-10-05 2009-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element and light-emitting device
JP2007176928A (ja) * 2005-10-05 2007-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スチルベン誘導体、発光素子、および発光装置
US7898171B2 (en) 2005-10-05 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element and light-emitting device
WO2007043371A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element and light-emitting device
US8193701B2 (en) 2005-10-05 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element and light-emitting device
US8901542B2 (en) 2005-10-05 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivatives, light-emitting element and light-emitting device
JP2009524701A (ja) * 2006-01-27 2009-07-02 グラセル ディスプレイ インコーポレイテッド フルオレン基を含有する電気発光化合物、及びこれを発光材料として使用する有機電気発光素子
EP2008992A1 (en) * 2006-04-18 2008-12-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same
EP2008992A4 (en) * 2006-04-18 2011-03-09 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
US8022253B2 (en) 2006-04-18 2011-09-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US8367869B2 (en) 2006-04-18 2013-02-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
US8911882B2 (en) 2006-09-28 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2012111719A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 重合性単量体、その重合体を含む有機デバイス用材料、正孔注入輸送材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子

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