JPH0417424B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関する。 〔従来の技術〕 従来より、光導電性を示す顔料や染料について
は、数多くの文献等で発表されている。 例えば、“RCA Review”Vol.23、P.413〜
P.419（1962年９月）ではフタロシアニン顔料の光
導電性についての発表がなされており、又このフ
タロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が米国
特許第3397086号公報や米国特許第3816118号公報
等に示されている。その他に、電子写真感光体に
用いる有機半導体としては、例えば米国特許第
4315983号公報、米国特許第4327169号公報や
“Reseach Disclosure”20517（1981年５月）に示
されているピリリウム系染料、米国特許第
3824099号公報に示されているスクエアリツク酸
メチン染料、米国特許第3898084号公報、米国特
許第4251613号公報等に示されたジスアゾ顔料な
どが挙げられる。 この様な有機半導体は、無機半導体に較べて合
成が容易で、しかも要求する波長域の光に対して
光導電性をもつ様な化合物として合成することが
でき、この様な有機半導体の被膜を導電性支持体
に形成した電子写真感光体は、感色性が良くなる
という利点を有しているが、感度および耐久性に
おいて実用できるものは、ごく僅かである。 〔発明の解決すべき問題点〕 本発明は、新規な有機光導電性材料を使用する
ことにより、従来にもまして優れた実用上の感度
特性及び耐久性、特に繰返し使用時における電位
特性の安定性を備えた電子写真感光体を提供すべ
くなされたものである。 〔問題点を解決するための手段及び効果〕 即ち、本発明は、導電性基体上に、下記一般式
〔〕で示されるジスアゾ顔料を含有する感光層
を有することを特徴とする電子写真感光体であ
る。 一般式〔〕 Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ar₁−CH＝CH−Ar₂−NH −Ar₃（−CH＝CH−Ar₄）−_oＮ＝Ｎ−Ａ 〔〕 （式中、Ａはフエノール性OH基を有するカプラ
ー残基を表す。Ar₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄は、それ
ぞれ、置換基を有していてもよいフエニレン基、
置換基を有していてもよいビフエニレン基もしく
は２価の縮合多環芳香族基又は２価の複素環基を
表す。ｎは０又は１である。） 上記式中、縮合多環芳香族基としてはナフチレ
ン基、アンスリレン基、およびフルオレン、フル
オレノンなどから水素２原子を除いて生ずる２価
の基などが挙げられ、２価の複素環基としては、
キノリン、カルバゾール、ベンゾオキサゾールな
どから水素２原子を除いて生ずる２価の基が挙げ
られる。これらAr₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄で表わさ
れる２価の基を置換する原子又は基としては、例
えばフツ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロ
ピル基等のアルキル基、ベンジル基、フエネチル
基、ナフチルメチル基等のアラルキル基、フエニ
ル基、ジフエニル基、ナフチル基等のアリール
基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等のア
ルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル
基等のアシル基、ニトロ基等が挙げられる。 また、一般式〔〕中、Ａはフエノール性OH
基を有するカプラー残基を表わすが、好ましい具
体例としては下記一般式〔〕、〔〕〜〔〕で
示される基を挙げることができる。 一般式〔〕 式中、Ｘはベンゼン環と縮合して、置換基を有
していてもよい多環芳香族環（例えばナフタレン
環、アントラセン環）又はヘテロ環（例えばカル
バゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベンゾフ
ラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフエニレンサ
ルイフアイド環）を形成するのに必要な残基を表
わす。これら環のより好ましくは、ナフタレン
環、アントラセン環、カルバゾール環及びベンズ
カルバゾール環である。R₁及びR₂は、それぞれ、
水素原子、置換基を有していてもよいアルキル
基、アラルキル基、アリール基又はヘテロ環基を
表わすか、あるいはR₁とR₂とで、結合する窒素
原子と共に環状アミノ基を形成するのに必要な残
基を表わす。アルキル基の具体例としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げら
れる。アラルキル基の具体例としては、ベンジル
基、フエネチル基、ナフチルメチル基等が挙げら
れる。アリール基としては、フエニル基、ジフエ
ニル基、ナフチル基、アンスリル基等が挙げられ
る。とりわけR₁を水素原子、R₂をオルト位にハ
ロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチル基等の電子吸引性基及びエチル基、メチル
基、ブチル基等のアルキル基を有するフエニル基
とした場合に電子写真特性が特に良好である。ヘ
テロ環基としてはカルバゾール、ジベンゾフラ
ン、ベンゾイミダゾロン、ベンゾチアゾール、チ
アゾール、ピリジン等のヘテロ環から水素１原子
を除いた基が挙げられる。 R₁とR₂とで形成される環状アミノ基としては、
ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基など
が挙げられる。 特に、一般式〔〕中、R₁が水素原子であり、
R₂が下記一般式〔〕で示されるフエニル基で
あるものが好適な例として挙げられる。 一般式〔〕 式中、R₃はハロゲン原子（フツ素原子、塩素
原子、臭素原子又はヨウ素原子）、ニトロ基、シ
アノ基、又はトリフルオロメチル基を表わす。ま
た、一般式〔〕のもう１つの好適な例として
は、下記一般式〔〕で示されるものが挙げられ
る。 一般式〔〕 式中、R₄は置換基を有していてもよいフエニ
ル基を表わす。 一般式〔〕 式中、R₅は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、アラルキル基又はアリール基を表わす。 一般式〔〕 式中、R₆は置換基を有してもよいアルキル基、
アラルキル基又はアリール基を表わす。 R₅及びR₆で表わされるアルキル基の具体例と
してはメチル、エチル、プロピル、ブチル等があ
げられる。アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フエネチル、ナフチルメチル等があげられ
る。アリール基としてはフエニル、ジフエニル、
ナフチル、アンスリル等が挙げられる。 一般式〔〕、〔〕、〔〕及び〔〕中の置換
基を有していてもよい基を置換する原子又は基と
しては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基
等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基等のアルコキシ基、フツ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子等ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフエニルアミノ
基等の置換アミノ基等が挙げられる。 一般式〔〕 （式中、Y₁は２つの窒素原子と結合した２価の
芳香族炭化水素を表すか、あるいは、

【式】により２価のヘテロ環基を形成す るのに必要な残基を表わす。 一般式〔〕 式中、Y₂は２つの窒素原子と結合した２価の
芳香族炭化水素を表わすか、あるいは、

〔発明の具体的説明及び実施例〕

本発明で使用する、前記一般式〔〕のジスア
ゾ顔料としては、以下の顔料No.及び構造式のジス
アゾ顔料を挙げることができる。 これらのジスアゾ顔料は、１種を用いても、あ
るいは２種以上を併用してもよい。 前記一般式〔〕のジスアゾ顔料を次の様にし
て合成することができる。 即ち、一般式： H₂N−Ar₁−CH＝CH−Ar₂−NH−Ar₃（−CH＝
CH −Ar₄）−_oNH₂ （式中、Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄及びｎは前述の意
味を有する。） で示される２級アミンを有するジアミンを常法に
よりテトラゾ化し、次いで対応するカプラーをア
ルカリの存在下に水系カツプリングするか、また
は前記のジアミンのテトラゾニウム塩をホウフツ
化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した
後、適当な溶媒例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカ
リの存在下にカツプラーとカツプリングすること
により容易に製造することができる。 次に、本発明で用いるジスアゾ顔料の代表的な
合成例を下記に示す。 合成例 １ （前記例示のジスアゾ顔料No.１の合成） 500mlビーカーに水80ml濃塩酸16.6ml（0.19モ
ル）を入れ氷水浴で冷却しながらアミン 8.74ｇ（0.029モル）撹拌し液温を３℃とした。
次に亜硫酸ソーダ4.1ｇ（0.060モル）を水７mlに
溶かした液を液温３〜10℃の範囲にコントロール
しながら10分間滴下し、滴下終了後同温度で更に
30分撹拌した。反応液にカーボンを加え濾過して
テトラゾ化液を得た。 次に、２ビーカーにジメチルホルムアミド
700mlを入れトリエチルアミン53.6ｇ（0.53モル）
を加え３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸アニリド
16.06ｇ（0.061モル）を添加して溶解した。 このカプラー溶液を６℃に冷却し液温を６〜10
℃にコントロールしながら前述のテトラゾ化液を
30分かけて撹拌下滴下して、その後室温で２時間
撹拌し更に１晩放置した。反応液を濾過後水洗濾
過し固型分換算で粗製顔料22.9ｇの水ペーストを
得た。 次に400mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを
用い室温で撹拌濾過を４回繰り返した。その後
400mlのメチルエチルケトンでそれぞれ２回撹拌
濾過を繰り返した後室温で減圧乾燥し精製顔料
21.85ｇを得た。収率は83.0％であつた。融点＞
300℃ 元素分析 計算値(%) 実験値(%) Ｃ 71.44 71.52 Ｈ 4.11 4.03 Ｎ 13.88 13.80 以上代表的な顔料の合成法について述べたが一
般式(1)で示される他のジスアゾ顔料も同様にして
合成される。 前述のジスアゾ顔料を含有する被膜は光導電性
を示し、電子写真感光体の感光層に用いるのに適
している。 すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の
上に前述のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜
形成するか、あるいは適当なバインダー中に分散
含有させて被膜形成することにより電子写真感光
体を調製することができる。 本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体
の感光層の電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離
した電子写真感光体における電荷発生層として、
前述の光導電性被膜を適用することができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前述のジスアゾ顔料を含有し、且
つ発生した電荷キヤリアの飛程を短かくするため
に薄膜層、例えば5μ以下、好ましくは0.01〜1μの
厚みをもつ薄膜層とすることが好ましい。このこ
とは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収され
て、多くの電荷キヤリアを生成すること、さらに
発生した電荷キヤリアを再結合や補獲（トラツ
プ）により失活することなく電荷輸送層に注入す
る必要があることに帰因している。 電荷発生層は、前述のジスアゾ顔料を適当なバ
インダーに分散させ、これを基体の上に塗工する
ことによつて形成でき、また真空蒸着装置により
蒸着膜を形成することによつても得ることができ
る。電荷発生層を塗工によつて形成する際に用い
るバインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択
でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有
機光導電性ポリマーから選択できる。好ましく
は、ポリビニルブチラール、ポリアリレート（ビ
スフエノールＡとフタル酸の縮重合体など。）、ポ
リカーボネート、ポリエステル、フエノキシ樹
脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリ
ルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピリジ
ン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ
樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることが
できる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量
％以下、好ましくは40重量％以下が適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、ジクロヘキサノンな
どのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよくまたその下に積層
されていてもよい。 電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合
電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物質
（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の電
荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に非
感応性であることが好ましい。ここで言う「電磁
波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近赤
外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質があり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−
テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，７−
トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化し
たもの等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチル
カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、
Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフ
エニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−
３−メチリデン−10−エチルフエノチアジン、
Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン
−10−エチルフエノキサジン、ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラ
ゾン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ
−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、ｐ−
ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒド
ラゾン、ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メ
チルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１
−フエニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１−〔キノリル(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフエニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシ
−ピリジル(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾ
リン、１−〔ピリジル(3)〕−３−（ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔レピジル(2)〕−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−
３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル
−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル(2)〕−３−（α−メチル−ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフエニル）ピラゾリン、１−フエニル−３−
（−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１
−フエニル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエ
ニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
６−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−４−（ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−５−（２−クロロフエニ
ル）オキサゾール等のオキサゾール系化合物、２
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエ
ニル）−フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノ−２−メチルフエニル）ヘプタン、１，
１，２，２−テトラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノ−２−メチルフエニル）エタン等のポリア
リールアルカン類、４−ジフエニルアミノ−4′−
メトキシスチルベン、4′−ジエチルアミノスチリ
ル−３−（９−エチル）カルバゾール等のスチル
ベン系化合物、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ
−９−ビニルフエニルアントラセン、ピレン−ホ
ルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルム
アルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルル、アモルフアスシリコン、硫化カド
ミウムなどの無機材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニト
リル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることが
できる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５〜30μであるが、好まし
い範囲は８〜20μである。塗工によつて電荷輸送
層を形成する際には、前述した様な適当なコーテ
イング法を用いることができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電層をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、アルミ粉末、酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化チタン、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツク又は前記導電性の基体の上に被覆した基
体、導電性粒子をプラスチツクや紙に含浸した基
体や導電性ポリマーを有するプラスチツクなどを
用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ホリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1〜5μ、好ましくは0.5〜3μ
が適当である。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するか、あるいは
トナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写
後、現像し定義することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採用しても良く、特定のものに
限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、
帯電後、露光すると露光部では電荷発送層におい
て生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後
表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは
逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。 導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層し
た感光体を使用する場合において、電荷輸送物質
が電子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表
面を負に帯電する必要があり帯電後露光すると、
露光部では電荷発生層において生成した電子は電
荷輸送層に注入されそのあと基盤に達する。一方
電荷発生層において生成した正孔は表面に達し表
面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を
正荷電性のトナーで現像すれば可視像が得られ
る。これを直接定着するか、あるいはトナー像を
紙やプラスチツクフイルム等に転写後現像し定着
することができる。また、感光体上の静電潜像を
転写紙の絶縁層上に転写後現像し、定着する方法
もとれる。現像剤の種類や現像方法、定着方法は
公知のものや公知の方法のいずれを採用してもよ
く、特定のものに限定されるものではない。 一方電荷発生層が正孔輸送性物質からなるとき
は、電荷発生層表面を正に帯電する必要があり、
帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した正孔は電荷輸送層に注入されその後基盤
に達する。一方電荷発生層において生成した電子
は表面に達し表面電位の減衰が生じ未露光部との
間に静電コントラストが生じる。現像時には電子
輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性トナー
を用いる必要がある。 また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾ
ール類、トリアリールメタン類、ポリアリールア
ルカン類、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール類など有機光導電性物質や酸化亜
鉛、硫化カドミウム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剤として前述のジスアゾ顔料を含有さ
せた感光被膜とすることができる。この感光被膜
は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料
をバインダーとともに塗工によつて被膜形成され
る。 本発明の別の具体例としては前述の
を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた電
子写真感光体を挙げることができる。この際前述
の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ールのトリニトロフルオレノンからなる電荷移動
錯体化合物を用いることができる。この例の電子
写真感光体は前述のジスアゾ顔料と電荷移動錯体
化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエ
ステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて調
製できる。 いずれの感光体においても用いる顔料は一般式
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくと
も一種類の顔料を含有しその結晶形は非晶質であ
つても結晶質であつてもよい。 又必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて
使用し感光体の感度を高めたり、パンクロマチツ
クな感光体を得るなどの目的で一般式(1)で示され
るジスアゾ顔料を２種類以上組合せたり、または
公知の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組
合せて使用することも可能である。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利
用するのみならず、レーザープリンターやCRT
プリンター、LEDプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版等の電子写真応用分野にも広く用い
る事ができる。 以下本発明を実施例によつて説明する。 実施例 １〜62 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カ
ゼイン11.2％、アンモニア水１ｇ、水222ml）を
マイヤーバーで乾燥後の膜厚が1.0μとなる様に塗
布し乾燥した。 次に前記例示のジスアゾ顔料No.１、５ｇをエタ
ノール95mlにブチラール樹脂（ブチラール化度63
モル％）２ｇを溶かした液に加えサンドミルで２
時間分散した。この分散液を先に形成したカゼイ
ン層の上に乾燥後の膜厚が0.5μとなる様にマイヤ
ーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで構造式 のヒドラゾン化合物５ｇとポリメチルメタクリレ
ート樹脂（数平均分子量100000）５ｇをベンゼン
70mlに溶解しこれを電荷発生層の上に乾燥後の膜
厚が12μとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷輸送層を形成し実施例１の感光体を作成し
た。ジスアゾ顔料No.１に代えて第１表に示す他の
例示顔料を用い実施例２〜62に対応する感光体を
全く同様にして作成した。 この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタテイツク方式で−5kVでコロナ帯電し暗
所で１秒間保持した後照度2luxで露光し帯電特性
を調べた。 帯電特性としては表面電位（V₀）と１秒間暗
減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要な露
光量（E_1/2）を測定した。この結果を第１表に示
す。

【表】

【表】

【表】 比較例 １〜７ 例示ジスアゾ顔料(1)(3)(4)に代えて顔料の中心骨
格を

【式】型とした、公開 特許公報昭58−80643記載のアゾ顔料No.１、No.２、
No.３の顔料を用いて比較資料１、２、３を作成し
た。次に例示ジスアゾ顔料(1)、（22）、（35）、（64
）
に代えて、顔料の中心骨格を順に、 とした比較顔料を用い、比較例４、５、６、７を
作成した。 比較顔料１〜７を用いた比較資料１〜７につい
て、実施例１と同様にして帯電測定を行つた。 第２表に本発明に対比させた比較例の特性を示
す。

【表】 ※ 第１表のデータより抜粋
第２表の結果より明らかなように本発明の感光
体は顔料の中心にNH基を有していることと、一
つ以上のビニレン基を含んでいることにより、電
子写真的な感度が著しく良好になることが確認さ
れた。 実施例 63〜68 実施例１、３、４、22−42、65に用いた感光体
を用い繰返し使用時の明部電位と暗部電位の変動
を測定した。方法としては−5.6kVのコロナ帯電
器、露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光
光学系およびクリーナーを備えた電子写真複写機
のシリンダーに感光体を貼り付けた。この複写機
は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が
得られる構成になつている。この複写機を用い
て、初期の明部電位（V_L）と暗部電位（V_D）を
それぞれ−100V、−600V付近に設定し5000回使
用した後の明部電位（V_L）暗部電位を測定した。
この結果を第３表に示す。

【表】 実施例 69 実施例１で作成した電荷発生層の上に、２，
４，７−トリニトロ−９−フルオレノン５ｇとポ
リ−４，4′−ジオキシジフエニル−２，2′−プロ
パンカーボネート（分子量300000）５ｇをテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗布液を乾
燥後の塗工量が10ｇ／m²となる様に塗布し、乾燥
した。 こうして作成した電子写真感光体を実施例１と
同様の方法で帯電測定を行なつた。この時、帯電
極性はとした。この結果を第４表に示す。 第４表 V₀ 605ボルト E_1/2：3.9lux°sec 実施例 70 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚0.5μのポリビニルアルコー
ルの被膜を形成した。 次に、実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に、
乾燥後の膜圧が0.5μとなる様にマイヤーバーで塗
布し、乾燥して電荷発生層を形成した。 次いで、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸−イソフタル
酸の縮重合体）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
10μとなるように塗布し、乾燥して電荷輸送層を
形成した。 こうして調製した感光体の帯電特性およひ耐久
特性を実施例１及び実施例63と同様の方法によつ
て測定した。この結果を第５表に示す。 第５表 V₀：−600V E_1/2：4.5lux°sec 耐久特性 初期 5000枚耐久後 V_D V_L V_D V_L −600V −1000V −630V −125V 第５表の結果より感度も良く耐久使用時の電位
安定性も良好である。 実施例 71 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5ミ
クロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン５ｇとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）５ｇをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前記例示のジスアゾ顔料No.
（13）１ｇを、ポリエステル樹脂（バイロン：東
洋紡製）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに溶かし
た液に加え、分散した。この分散液を下引層の上
に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる様に塗布し、
乾燥した。 こうした調製した感光体の帯電特性と耐久特性
を実施例１と同様の方法によつて測定した。この
結果を第６表に示す。但し、帯電極性はとし
た。 第６表 V₀：590V E_1/2：4.2lux°sec 実施例 72 実施例１で用いたカゼイン層を設けたアルミ基
板のカゼイン層上に実施例１の電荷輸送層、電荷
発生層を順次積層し、層構成を異にする以外は実
施例１と全く同様にして感光体を作製し、実施例
１と同様に帯電測定した。但し帯電極性をとし
た。帯電特性を第７表に示す。 第７表 V₀ 605V E_1/2 4.9lux°sec 実施例 73 アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモ
ニア水溶液（カゼイン11.2ｇ、28％アンモニア水
１ｇ、水222ml）を浸漬コーテイング法で塗工し、
乾燥して塗工量1.0ｇ／m²の下引層を形成した。 次に、前述のジスアゾ顔料No.（43）の１重量
部、ブチラール樹脂（エスレツクBM−２：積水
化学(株)製）１重量部とイソプロピルアルコール30
重量部をボールミル分散機で４時間分散した。こ
の分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーテ
イング法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成し
た。この時の膜厚は0.3ミクロンであつた。 次に、実施例１に用いたヒドラゾン化合物１重
量部、ポリスルホン樹脂（P1700：ユニオンカー
バイド社製）、１重量部とモノクロルベンゼン６
重量部を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。この液
を電荷発生層の上に浸漬コーテイング法で塗工
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜
厚は、12ミクロンであつた。 こうして調製した感光体に−5kVのコロナ放電
を行なつた。この時の表面電位を測定した（初期
電位V₀）。さらに、この感光体を５秒間暗所で放
置した後の表面電位を測定した（暗減衰V_K）。感
度は、暗減衰した後の電位V_Kを1/2に減衰するに
必要な露光量（E_1/2マイクロジユール／cm²）を測
定することによつて評価した。この際、光源とし
てガリウム／アルミニウム／ヒ素の三元系半導体
レーザー（出力：５ｍＷ；発振波長778nｍ）を
用いた。これらの結果は、次のとおりであつた。 V₀：−520ボルト V_K：93％ E_1/2：1.7マイクロジユール／cm² 次に同上の半導体レーザーを備えた反転現像方
式の電子写真方式プリンターであるレーザービー
ムフリンター（キヤノン製LBP−CX）に上記感
光体をLBP−CXBの感光体に置き換えてセツト
し、実際の画像形成テストを行なつた。条件は以
下の通りである。 一次帯電後の表面電位；−700V、像露光後の
表面電位；−150V（露光量2μJ／cm²）、転写電位；
＋700V、現像剤極性；負極性、プロセススピー
ド；50mm／sec、現像条件（現像バイアス）；−
450V、像露光スキヤン方式；イメージスキヤン、
一次帯電前露光；50lux°secの赤色全面露光 画像形成はレーザービームを文字信号及び画像
信号に従つてラインスキヤンして行つたが、文字
画像共に良好なプリントが得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導電性基体上に、下記一般式〔〕で示され
   るジスアゾ顔料を含有する感光層を有することを
   特徴とする電子写真感光体。 一般式〔〕 Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ar₁−CH＝CH−Ar₂−NH −Ar₃（−CH＝CH−Ar₄）−_oＮ＝Ｎ−Ａ 〔〕 （式中、Ａはフエノール性OH基を有するカプラ
   ー残基を表す。Ar₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄は、それ
   ぞれ、置換基を有していてもよいフエニレン基、
   置換基を有していてもよいビフエニレン基もしく
   は縮合多環芳香族基又は２価の複素環基を表す。
   ｎは０又は１である。） ２ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で示
   されるものである特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して、置換基を有
   していてもよい多環芳香族環又はヘテロ環を形成
   するのに必要な残基を表す。R₁及びR₂は、それ
   ぞれ水素原子、置換基を有していてもよいアルキ
   ル基、アラルキル基、アリール基、又はヘテロ環
   基を表すか、あるいはR₁とR₂とで、結合する窒
   素原子と共に環状アミノ基を形成するのに必要な
   残基を表す。） ３ R₁が水素原子であり、R₂が下記一般式〔〕
   で示されるフエニル基である特許請求の範囲第２
   項記載の電子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、R₃は、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
   ノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。） ４ Ａが下記一般式〔〕で示されるものである
   特許請求の範囲第２項記載の電子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、R₄は置換基を有していてもよいフエニ
   ル基を表す。） ５ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で示
   されるものである特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、R₅は置換基を有していてもよいアルキ
   ル基、アラルキル基又はアリール基を表す。） ６ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で示
   されるものである特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体 一般式〔〕 （式中、R₆は置換基を有してもよいアルキル基、
   アラルキル基又はアリール基を表す。） ７ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で示
   されるものである特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、Y₁は２つの窒素原子と結合した２価の
   芳香族炭化水素を表すか、あるいは、
   【式】により２価のヘテロ環基を形成す るのに必要な残基を表す。） ８ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で示
   されるものである特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、Y₂は２つの窒素原子と結合した２価の
   芳香族炭化水素を表すか、あるいは、
   【式】により２価のヘテロ環基を形成す るのに必要な残基を表す。） ９ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で示
   されるものである特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。 一般式〔〕 （式中、Z₁はベンゼン環と縮合して、置換基を有
   していてもよい多環芳香族環又はヘテロ環を形成
   するのに必要な残基を表す。R₇及びR₈は、それ
   ぞれ、水素原子、置換されていてもよいアリール
   基又はヘテロ環基を表すか、あるいは、R₇とR₈
   とが結合する炭素原子と共に５員環又は６員環を
   形成するのに必要な残基を表し、これら５員環又
   は６員環は縮合芳香族環を有していてもよい。） １０ 一般式〔〕のＡが、下記一般式〔〕で
   示されるものである特許請求の範囲第１項記載の
   電子写真感光体。 （式中、Z₂はベンゼン環と縮合して、置換基を有
   していてもよい多環芳香族環又はヘテロ環を形成
   するのに必要な残基を表す。R₉及びR₁₀は、それ
   ぞれ、水素原子、置換されていてもよいアリール
   基又はヘテロ環基を表す。） １１ 感光層が、一般式〔〕で示されるジスア
   ゾ顔料の少なくとも１種を含有する電荷発生層
   と、電荷輸送層とを構成成分とする積層構造のも
   のである特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
   光体。