JP2603231B2

JP2603231B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JP2603231B2
Application number: JP337387A
Authority: JP
Inventors: 元宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-01-12
Filing date: 1987-01-12
Publication date: 1997-04-23
Anticipated expiration: 2012-04-23
Also published as: JPS63218960A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は新規な光導電性材料を用いた電子写真感光体
にかんする。

〔従来の技術〕

従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数
多くの文献等で発表されている。例えば、“RCA Revie
w"Vol.23,P.413〜P.419（1962.9）ではフタロシアニン
顔料の光導電性についての発表がなされており、又この
フタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が米国特許
第3397086号公報や米国特許第3816118号公報等に示され
ている。その他に、電子写真感光体に用いる有機半導体
としては、例えば米国特許第4315983号公報、米国特許
第4327169号公報や“Reseach Diselosure"20517（1981.
5）に示されているピリリウム系染料、米国特許第38240
99号公報に示されているスクエアリック酸メチン染料、
米国特許第3898084号公報、米国特許第4251613号公報等
に示されたジスアゾ顔料等があげられる。

この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つ様な化合物として合成することができ、この様な有機
半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体
は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感度
および耐久性において実用できるものは、ごく僅かであ
る。

〔発明の解決すべき問題点〕

本発明は、従来の問題点を解決し、高感度でしかも耐
久性に優れた電子写真感光体を提供すべくなされたもの
である。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に下記一般
式〔Ｉ〕で示されるジスアゾ顔料を含有する感光層を有
することを特徴とするものである。

〔記〕

一般式〔Ｉ〕一般式〔Ｉ〕中のＲ₁及びＲ₂は夫々水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル
基、アリール基、アラルキル基又はアルコキシ基を表わ
す。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、ヨウ素、臭
素の各原子が挙げられる。アルキル基としては、炭素数
１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基が好ましく、例
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基等が挙げられる。アリール基としては、例えばフェニ
ル基が挙げられる。アラルキル基としては、例えばｐ−
トルイル基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチ
ル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。

Ｒ₁がアルキル基、アリール基、アラルキル基、アル
コキシ基又はアリールオキシ基である場合に有すること
のできる置換基としては、例えばフッ素、塩素、ヨウ
素、臭素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基（Ｒ₁がアル
キル基である場合を除く。）、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、フェノキシ等のアルコキシ等（Ｒ₁がアルコ
キシ基である場合を除く。）、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換基を有し
ていてもよいアミノ基等が挙げられる。

一般式〔Ｉ〕中のＡ₁、Ａ₂及びＡ₃は夫々フェノール
性OH基を有するカプラー残基を示しＡ₁、Ａ₂及びＡ₃は
同一であっても異なっていてもよい。Ａ₁、Ａ₂及びＡ₃
の示すカプラー残基のより好ましい具体例としては下記
一般式〔II〕〜〔VIII〕で示される。

一般式〔II〕一般式〔II〕中Ｘ₁は式中ベンゼン環と縮合してい
る、例えばナフタレン環、アントラセン環等の多環芳香
環、又はカルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベ
ンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフェニレン
サルファイト環等のヘテロ環を形成するに必要な原子群
を示す。

ベンゼン環と縮合した状態でＸ₁が形成する環はナフ
タレン環、アントラセン環、カルバゾール環又はベンズ
カルバゾール環とすることがより好ましい。

Ｒ₃及びＲ₄は夫々水素原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環
基を表わし、あるいはＲ₂及びＲ₃と結合する窒素原子と
ともに環状アミノ基を形成するのに必要な原子群を表わ
す。

アルキル基の具体例としては例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等が、アラルキル基の具体例
としては例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメ
チル基等が、アリール基の具体例としては例えばフェニ
ル基、ジフェニル基、ナフチル基、アンスリル基等が、
ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、ジベンゾフ
ラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、チアゾ
ール、ピリジン等のヘテロ環から水素原子１個を除いた
基が挙げられる。

一般式〔III〕一般式〔IV〕一般式〔III〕，〔IV〕中のＲ₅及びＲ₆は夫々水素原
子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基を示す。アルキル基、アリール基、ア
ラルキル基及びこれらへの置換基の具体例としては前記
Ｒ₃及びＲ₄の場合と同じ例が挙げられる。

式〔II〕〜〔IV〕中の置換基R₃,R₄,R₅,R₆の示すアル
キル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基乃至
ヘテロ環基は更に他の置換基、例えばフッ素、塩素、ヨ
ウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のアルキル基
（Ｒ₃等がアルキル基の場合を除く。）、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、フェノキシ基等のアルコキ
シ基（Ｒ₃等がアルコキシ基の場合を除く。）、ニトロ
基、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジベンジルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ
基、ピロリジノ基等の置換基を有していてもよいアミノ
基により置換されていてもよい。

一般式〔Ｖ〕一般式〔VI〕Ｙ₁及びＹ₂は夫々芳香族炭化水素の２価の基ないしは
窒素原子（式中の２つの窒素原子のこと）を環内に含む
ヘテロ環の２価の基を示す。

芳香族炭化水素の２価の基としてはｏ−フェニレン等
の単環式芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、
ペリナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フェナン
スリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基が挙
げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の
基としては、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジン
ジイル基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾー
ルジイル基、6,7−キノリンジイル基等の２価の基が挙
げられる。

一般式〔VII〕Ｒ₇は置換基を有していてもよいアリール基又はヘテ
ロ環基を示し、具体的にはフェニル基、ナフチル基等の
アリール基、アンスリル基、ピレニル基、ピリジル基、
チエニル基、フリル基、カルバゾリル基等のヘテロ環基
を示す。

Ｒ₇の示すアリール基、ヘテロ環基が置換基を有する
場合の置換基としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等の
ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、フェノキシ基等のアルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジベンジ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基、モルホリノ基、ピペ
リジノ基、ピロリジノ基等の置換基を有していてもよい
アミノ基が挙げられる。

Ｘ₂は一般式〔II〕中のＸ₁と同じ意味を有する。

一般式〔VIII〕式〔VIII〕中のR₈,R₉は置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を
示す。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基等のアルキル基、ベンジル基、フェネチル基、ナ
フチルメチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基、アンスリル、ジフェニル基等のアリール基、カル
バゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベン
ズチアゾール、チアゾール、ピリジン等のヘテロ環から
水素原子１個を除いたヘテロ環基を示す。

式〔VIII〕中のR₈,R₉の示すアルキル基、アリール
基、アラルキル基、ヘテロ環基が置換基を有する場合の
置換基としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲ
ン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等のアルキル基（Ｒ₈等がアルキル基の
場合を除く。）、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルア
ミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、モ
ルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基等の置換基を
有していてもよいアミノ基が挙げられる。

一般式〔Ｉ〕中のArは置換基を有していてもよい炭素
環式芳香族環基または複素環式芳香族環基を示し、具体
的にはベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の炭素環
式芳香族環から水素原子２つを除いた基またはフラン、
ピロールカルボン酸、チオフエン、ピリジン、ピラジン
等の複素環式芳香族環から水素原子２個を除いた基を示
し、Arの示す炭素環式芳香族環基または複素環式芳香族
環基が置換基を有する場合、この置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原子、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等
のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ
基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、モルホ
リノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基等の置換基を有し
ていてもよいアミノ基が挙げられる。

一般式〔Ｉ〕中のＺは単結合または置換基を有してい
てもよいメチレン基、エチレン基、酸素、黄硫原子、置
換アミノ基を示し、メチレン基、エチレン基の置換基と
してフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアル
キル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシ
等のアルコキシ基、シアノ基等があげられ、置換アミノ
基の置換基としてはメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル等のアルキル基、フェニル、ナフチルア
ンスリル等のアリール基があげられる。

次に本発明に用いられる一般式〔Ｉ〕のトリスアゾ顔
料の一般的な製法について述べる。一般式〔Ｉ〕で示さ
れるトリスアゾ顔料は一般式（９）で示されるトリスア
ミンを亜硝酸ソーダ又はニトロシル硫酸等の常法によるヘキ
サゾニウム塩とし、カプラー成分であるＡと水系カップ
リングを行なうか若しくは得られたテトラゾニウム塩を
ホウフッ化塩等の安定な塩として取り出したのちDMF等
の有機溶剤中でカップリング反応を行なうことで得るこ
とができる。

次に本発明で用いる一般式〔Ｉ〕のトリスアゾ顔料の
具体例を以下に列挙する。ただし、以下の具体例で示さ
れるトリスアゾ顔料は本発明を限定するものではない。

前述の一般式〔Ｉ〕のトリスアゾ顔料を含有する被膜
は光導電性を示し、従って下述する電子写真感光体の感
光層に用いることができる。

すなわち、本発明の具体例では導電性基体の上に一般
式〔Ｉ〕のトリスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成
するか、あるいは適当なバインダー中に分散含有させて
被膜形成することにより電子写真感光体を構成すること
ができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光
層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感
光体における電荷発生層として、前述の光導電性を示す
被膜を適用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限
り多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発
生した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、
例えば５μｍ以下、好ましくは0.01〜１μｍの膜厚をも
つ薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量
の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリ
アを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結
合や補獲（トラップ）により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに帰因している。

電荷発生層は、前述した様に、例えば、一般式〔Ｉ〕
のトリスアゾ顔料を適当なバインダーに分散させ、これ
を基体の上に塗工することによって形成でき、また真空
蒸着装置により蒸着膜を形成することによって得ること
ができる。電荷発生層を塗工によって形成する際に用い
うるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択で
き、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセンやポリビニルビレンなどの有機光導電性ポリ
マーから選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラー
ル、ポリアリレート（ビスフェノールＡとフタル酸の縮
重合体など。）ポリカーボネート、ポリエステル、フェ
ノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアク
リルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セ
ルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなど
の絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷発生層中に含
有する樹脂は、80重量％以下、好ましくは40重量％以下
が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって
異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないも
のから選択することが好ましい。具体的な有機溶剤とし
ては、メタノール、エタノール、イソプロパノールなど
のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジ
メチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルな
どのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂
肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジク
ロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続され
ており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷
キャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。この際、この電
荷輸送層は、導電性基体よりみて電荷発生層より遠い側
に位置していてもよくまたその電荷発生層との間に位置
していてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層より遠い側に形成される場
合、電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質
（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生
層が感応する電磁波の波長域に実質的に非感応性である
ことが好ましい。ここで言う「電磁波」とは、γ線、Ｘ
線、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線な
どを包含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸
送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致または
オーバーラップする時には、両者で発生した電荷キャリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の原因と
なる。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブ
ロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、2,
4,5,7−テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリ
ニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノン、2,4,5,7
−テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキ
サントン等の電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を
高分子化したもの等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバ
ゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−
Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒ
ドラジノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−10
−エチルフェノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェ
ニルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−N,
N−ジフェニルヒドラゾン、1,3,3−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、
ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチア
ゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビ
ス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−1,3,4−オキサジ
アゾール、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−〔キノリル（２）〕−３−（ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）〕−３−（ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシ−ピリジル
（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピ
リジル（３）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−〔レピジル（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）〕−３−
（α−メチル−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−フェニル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミノ
ベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（２
−クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール系化
合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエ
チルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、
ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フ
ェニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1,1−
ビス（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラキス（４−N,N−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリー
ルアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラ
セン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニ
ルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチ
ルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−
テルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上
組合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。バ
インダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹
脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルビレンなどの
有機光導電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には、５〜30μｍであるが、好ましい範囲は８〜20μ
ｍである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述した様な適当なコーティング法を用いることができ
る。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電性基体として例えば導電層を有する基体
の上に設けられる。導電層を有する基体としては、基体
自体が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アルミ
ニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリ
ブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金や
白金などを用いることができ、その他にアルミニウム、
アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化イン
ジウム−酸化錫合金などを真空蒸着法によって被膜形成
された層を有するプラスチック（例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフッ化エチレンなど）、
導電性粒子（例えば、カーボンブラック、銀粒子など）
を適当なバインダーとともにプラスチックの上に被覆し
た基体、導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体
や導電性ポリマーを有するプラスチックなどを用いるこ
とができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能を
もつ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレ
ン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、
ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は、0.1〜５μｍ、好ましくは0.5〜３μ
ｍが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に位置した感光
体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面
に達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光
部との間に静電コントラストが生じる。この様にしてで
きた静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が
得られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を
紙やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着する
ことができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用しても良く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場
合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。

導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に位置した感光
体を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性
物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必
要があり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと導電
性基体に達する。一方電荷発生層において生成した正孔
は表面に達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静
電コントラストが生じる。この様にしてできた静電潜像
を正荷電性のトナーで現像すれば可視像が得られる。こ
れを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラスチ
ックフィルム等に転写後現像し定着することができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、
電荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電
荷輸送層に注入されその後導電性基体に達する。一方電
荷発生層において生成した電子は表面に達し表面電位の
減衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負
電荷性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン
類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、ト
リアリールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフ
ェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有
機光導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンな
どの無機光導電性物質の増感剤として前述の一般式
〔Ｉ〕のトリスアゾ顔料を含有させた感光被膜とするこ
とができる。この感光被膜は、これらの光導電性物質と
前述の一般式〔Ｉ〕のトリスアゾ顔料をバインダーとと
もに塗工によって被膜形成される。

本発明の別の具体例としては前述の一般式〔Ｉ〕のト
リスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有させ
た電子写真感光体を挙げることができる。この際前述の
電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとト
リニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物を用
いることができる。この例の電子写真感光体は前述の一
般式〔Ｉ〕のトリスアゾ顔料と電荷移動錯体化合物をテ
トラヒドロフランに溶解されたポリエステルの溶液中に
分散させた後、被膜形成させて調製できる。

いずれの感光体においても用いる顔料は一般式〔Ｉ〕
で示されるトリスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種
類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶
質であってもよい。又必要に応じて光吸収の異なる顔料
を組合せて使用し感光体の感度を高めたり、パンクロマ
チックな感光体を得るなどの目的で一般式〔Ｉ〕で示さ
れるジスアゾ顔料を２種類以上組合せたり、または公知
の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用
することも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンターやCRTプリンター、LED
プリンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電子写
真応用分野にも広く用いる事ができる。

〔実施例〕

以下本発明を実施例によって説明する。

実施例１〜25 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン
11.2％、アンモニア水1g、水222ml）をマイヤーバーで
乾燥後の膜厚が1.0μとなる様に塗布し乾燥した。

次に前記例示のトリスアゾ顔料No.1 5gをエタノール9
5mlにブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）2gを
溶かした液に加えサンドミルで２時間分散した。この分
散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.
5μとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生
層を形成した。次いで構造式のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂
（数平均分子量100000）5gをベンゼン70mlに溶解しこれ
を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μｍとなる様にマ
イヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し実施例
１の感光体を作成した。トリスアゾ顔料No.1に代えて第
１〜３表に示す他の例示顔料を用い実施例２〜25に対応
する感光体を全く同様にして作成した。

この様にして作成した電子写真感光体を川口電機
（株）製静電複写紙試験装置Model SP-428を用いてスタ
ティック方式で−5kVでコロナ帯電し暗所で１秒間保持
した後照度2luxで露光し帯電特性を調べた。帯電特性と
しては表面電位（Ｖ_O）と１秒間暗減衰させた時の電位
を1/2に減衰するに必要な露光量（E1/2）を測定した。
この結果を第１表に示す。

実施例26〜29 実施例2,14,16,22に用いた感光体を用い繰り返し使用
時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方法として
は−5.6kVのコロナ帯電器、露光光学系、現像器、転写
帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを備えた電子
写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付けたこの複写
機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得られ
る構成になっている。この複写機を用いて初期の明部電
位（Ｖ_L）と暗部電位（Ｖ_D）をそれぞれ−100V、−600V
付近に設定し5000回使用した後の明部電位（Ｖ_L）、暗
部電位（Ｖ_D）を測定した。この結果を第２表に示す。

実施例30 実施例２で作製した電荷発生層の上に、2,4,7−トリ
ニトロ−９−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキシ
ジフェニル−2,2′−プロパンカーボネート（分子量30
0,000）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解して作製し
た塗布液を乾燥後の塗工量が10g/m²となる様に塗布し、
乾燥した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の
方法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は＋とし
た。この結果を以下に示す。

Ｖ_O：600ボルト E1/2:3.5lux・sec 実施例31 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのア
ルミ面上に膜厚0.5μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例２で用いたトリスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が0.5μとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。次いで構造式のピラゾリン化合物5gとポリアリレート樹脂（ビスフェ
ノールＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5g
をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液を電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が10μとなる様に塗布し乾燥して電荷
輸送層を形成した。こうして調製した感光体の帯電特性
および耐久特性を実施例26と同様の方法によって測定し
た。この結果を第３表に示すＶ_O：655ボルト E1/2:2.8lux・sec 第３表の結果より感度も良く耐久使用時の電位安定性
も良好である。

実施例32 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布し乾燥して膜厚0.5μの下引層を形成した。

次に2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量300000）5gを
テトラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯体化合物
を形成した。この電荷移動錯体化合物と前記例示のトリ
スアゾ顔料No.22、1gをポリエステル樹脂（バイロン：
東洋紡製）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に
加え分散した。この分散液を下引層の上に塗布し乾燥し
て12μの感光体を作成した。

こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施
例１と同様の方法によって測定した。この結果を以下に
示す。但し帯電極性はとした。

Ｖ_O：615V E1/2:3.5lux・sec 実施例33 実施例32で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカ
ゼイン層上に実施例２の電荷輸送層、電荷発生層を順次
積層し、層構成を異にする以外は実施例１と全く同様に
して感光体を形成し、実施例１と同様に帯電特性を測定
した。但し帯電極性をとした。この結果を以下に示
す。

Ｖ_O：605V E1/2:4.0lux・sec 〔発明の効果〕本発明によれば、特定のトリスアゾ顔料を感光層に用
いる事により当該のアゾ顔料を含む感光層内部に於ける
キャリアー発生効率ないしはキャリアー輸送効率のいず
れの一方ないしは双方が良くなる事が推察され、結果的
に高感度で耐久性、とりわけ耐久使用時に於ける電位安
定性のすぐれた電子写真感光体が構成される。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体上に下記一般式［Ｉ］で示され
るトリスアゾ顔料を含有する感光層を有することを特徴
とする電子写真感光体。［記］一般式［Ｉ］（式中、Ｒ₁及びＲ₂は夫々水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、アリー
ル基、アラルキル基又はアルコキシ基を示し、Ａ₁、Ａ₂
及びＡ₃はフェノール性水酸基を有するカプラー残基を
示し、Arは置換基を有していてもよい炭素環式芳香族基
又は複素環式芳香族基を示し、Ｚは単結合を示すか、又
は置換基を有していてもよいメチレン基、ビニレン基、
酸素、硫黄もしくは置換イミノ基を示す。）
【請求項２】一般式［Ｉ］のＡ₁、Ａ₂又はＡ₃が下記一
般式［II］、一般式［III］、一般式［IV］、一般式
［Ｖ］、一般式［VI］、一般式［VII］又は一般式［VII
I］で示されるカプラー残基である特許請求の範囲第
（１）項記載の電子写真感光体。［記］一般式［II］式中、Ｘ₁は式中のベンゼン環と縮合している多環芳香
族又はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を示す。Ｒ₃及びＲ₄は、夫々水素原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環
基を表わし、あるいはＲ₃及びＲ₄と結合する窒素原子と
ともに環状アミノ基を形成するのに必要な原子群を表わ
す。一般式［III］式中、Ｒ₅は、置換基を有していてもよいアルキル基、
アリール基又はアラルキル基を示す。一般式［IV］式中、Ｒ₆は、置換基を有していてもよいアルキル基、
アリール基又はアラルキル基を示す。一般式［Ｖ］式中、Ｙ₁は芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒素原
子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。一般式［VI］式中、Ｙ₂は芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒素原
子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。一般式［VII］式中、Ｒ₇は、置換基を有していてもよいアリール基又
はヘテロ環基を示し、Ｘ₂は一般式［II］中のＸ₁と同じ
意味を有する。一般式［VIII］式中、Ｒ₈及びＲ₉は、置換基を有していてもよいアルキ
ル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示
す。Ｘ₃は一般式［II］中のＸ₁と同じ意味を表わす。