JP2515999B2

JP2515999B2 - 電子写真感光体

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Publication number: JP2515999B2
Application number: JP319887A
Authority: JP
Inventors: 元宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-01-12
Filing date: 1987-01-12
Publication date: 1996-07-10
Anticipated expiration: 2011-07-10
Also published as: JPS63172163A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特
定の分子構造を有するのジスアゾ顔料を光導電層中に含
有する電子写真感光体に関する。

［従来の技術］従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多
くの文献などで発表されている。

例えば、“RCA Review"Vol.23,P.413〜P.419（1962.
9）ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表
がされており、またこのフタロシアニン顔料を用いた電
子写真感光体が米国特許第3397086号公報や米国特許第3
816118号公報などに記載されている。その他に、電子写
真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特許
第4315983号公報，米国特許第4327169号公報や“Reseac
h Disclosure"20517（1981.5）に記載されているピリリ
ウム系染料、米国特許第3824099号公報に記載されてい
るスクエアリック酸メチン染料、米国特許第3898084号
公報、米国特許第4251613号公報などに記載されたジス
アゾ顔料などが挙げられる。

このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が
容易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性を
もつような化合物として合成することができ、このよう
な有機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真
感光体は、感色性が良くなるという利点を有している
が、感度および耐久性において問題を有している。

［発明が解決しようとする問題点］本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、
現在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能
であり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安
定な電位特性を有する電子写真感光体を提供することに
ある。

［問題点を解決する手段、作用］本発明は、光導電層を有する電子写真感光体におい
て、光導電層に下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔
料を含有することを特徴とする電子写真感光体から構成
される。

一般式（１）式中、R₁は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ
基あるいはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を示し、
R₂、R₃、R₄およびR₅は水素原子あるいは電子吸引性基を示
し、ＡおよびＡ′はフェノール性水酸基を有するカプラ
ー残基を示し、Ａ、Ａ′は同じであっても異なっていて
もよく、Ar₁、Ar₂、A₃およびAr₄は置換もしくは無置換
の炭素環式芳香族環基あるいは置換もしくは無置換の複
素環式芳香族環基を示し、 Ar₁、Ar₂、A₃、A₄は同じであっても異なっていてもよい。

具体的には、R₁はメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、_s−ブチル、_t−ブチル、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、フェノキシ、フェニル、_p−トル
イル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ、シア
ノなどの基が挙げられ、置換基としてはフッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、メ
チル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなどのアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ基
などが挙げられる。

R₂〜R₅における電子吸引性基としてはフッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基を示す。

ＡおよびＡ′のフェノール性水酸基を有するカプラー
残基のより好ましい具体例には、下記一般式（２）〜
（８）で示される残基が挙げられる。

一般式式中、Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、
ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフェニ
レンサルファイト環などの多環芳香環あるいは複素環を
形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カ
ルバゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより
好ましい。

R₆およびR₇は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有し
てもよいアラルキル基、置換基を有してもよい複素環基
ないしR₆、R₇の結合する窒素原子と共に環状アミノ基を
示す。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど、アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具
体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンス
リルなど、複素環基の具体例としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、チアゾール、ピリジンなどが挙げられ
る。

一般式式中、R₈、R₉は水素原子、置換基を有してもよいアル
キル基、置換基を有してもよいアリール基あるいは置換
基を有してもよいアラルキル基を示す。R₈、R₉の具体例
は前記R₆、R₇と同じ例によって示される。

一般式（２）〜（４）中の置換基R₆〜R₉の示すアルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、複素
環基は、さらに他の置換基例えばフッ素原子、塩素素
子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などに
より置換されていてもよい。

一般式式中Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子
を環内に含む複素環の２価の基を示し、芳香族炭化水素
の２価の基としては_o−フェニレンなどの単環芳香族炭
化水素の２価の基、_o−ナフチレン、ペリナフチレン、
1,2−アンスリレン、9,10−フェナンスリレンなどの縮
合多環芳香族炭化水素の２価の基が挙げられ、窒素原子
を環内に含むヘテロ環の２価の基としては、３、４−ピ
ラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、4,5−ピリ
ミジンジイル基、6,7−インダゾールジイル基、6,7−キ
ノリンジイル基などの２価の基が挙げられる。

一般式式中、R₁₀は置換基を有してもよいアリール基あるいは
置換基を有してもよい複素環基を示し、具体的にはフェ
ニル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チ
エニル、フリル、カルバゾリル基を示す。さらにアリー
ル基、複素環基の置換基としては、フッ素原子、塩素原
子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げ
られる。

Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。

一般式式中、R₁およびR₁₂は置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアラルキル基あるいは置換基を有してもよい複素
環基を示し、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニ
ル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル、カルバゾー
ル、ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチア
ゾール、チアゾール、ピリジンを示し、さらに、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、複素環基の置換基と
しては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子
などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、
ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジ
ノなど置換アミノ基が挙げられる。

Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義である。

一般式（１）中のAr₁およびAr₂は具体的にはフェニ
ル、ナフチル、アンスリルなどの炭素環式芳香族環基あ
るいはフリル、ピロイル、チエニル、ピリジル、ピラジ
ニルなどの複素環式芳香族環基が挙げられ、置換基とし
てはフッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子など
のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジ
フェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ
など置換アミノ基が挙げられる。

Ar₁、Ar₂、Ar₃およびAr₄としてはフェニル、ナフチル、
アンスリルなどの炭素環式芳香族環基またはフリル、ピ
ロイル、チエニル、ピリジル、ピラジニルなどの複素環
式芳香族環基が挙げられ、置換基としてはフッ素原子、
塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェ
ノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメ
チルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モ
ルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が
挙げられる。

次に本発明に用いられるジスアゾ顔料の一般的な製法
について説明する。

一般式（１）で示されるジスアゾ顔料でＡおよびＡ′
が同一である場合は下記一般式（９）で示されるジアミ
ンを亜硝酸ソーダまたはニトロシル硫酸などの常法によ
りテトラゾニウム塩とし、（式中、R₁〜R₅およびAr₁〜Ar₄は一般式（１）における
と同義）、カプラー成分であるＡ、Ａ′と水系カップリングを行
なうか、あるいは得られたテトラゾニウム塩をホウフッ
化塩などの安定な塩として取り出したのち、DMFなどの
有機溶剤中でカップリングを行なうことで合成でき、
Ａ、Ａ′が異なる場合はカップリング反応の際、まず第
一のカプラー成分とカップリングを行ないモノアゾ体と
したのち、第二のカプラー成分とカップリングを行ない
ジスアゾ顔料とするか、もしくは二つのカプラー成分を
混合してカップリング反応に付して合成することができ
るが、確実に非対称顔料を得るためには前者の方法が好
ましい。

以下に本発明の一般式（１）で示されるジスアゾ顔料
の代表的な具体例を列挙する。

上記具体例で示したジスアゾ顔料は本発明の特許請求
の範囲を限定するものではない。

前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、
従って下述する電子写真感光体の感光層に用いることが
できる。

即ち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述の
ジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、ある
いは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成する
ことにより電子写真感光体を作成することができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光
層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感
光体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を
適用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光分を得るために、できる限
り多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、かつ発
生した電荷キャリアの飛程を短くするため薄膜層、例え
ば５μｍ以下、好ましくは0.01〜１μｍの膜厚をもつ薄
膜層とすることが好ましい。

このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収され
て多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキ
ャリアを再結合や捕獲（トラップ）により失活すること
なく電荷輸送層に注入する必要があることに起因してい
る。

電荷発生層は、前記ジスアゾ顔料を適当なバインダー
に分散させ、これを基体の上に塗工することによって形
成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成すること
によって得ることができる。

電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイ
ンダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン
やポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選
択できる。好ましくはポリビニルブチラール、ポリアリ
レート（ビスフェノールＡとフタル酸の縮重合体な
ど）、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミ
ド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹
脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂
を挙げることができる。

電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好ま
しくは40重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって
異なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないも
のから選択することが好ましい。

具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン
類、N,N−ジメチルホルムアミド、Ｎ−Ｎ−ジメチルア
セトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなど
のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪属ハロゲン化炭化水
素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香
族炭化水素類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。

乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法
が好ましい。加熱乾燥は、30〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続され
ており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷
キャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。この際、この電
荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
たその下に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸
送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があ
り、電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロモアニ
ル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリニトロ
−９−ジシアノメチレンフルオレノン、2,4,5,7−テト
ラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサント
ンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分
子化したものなどがある。

正孔輸送性物質としてはピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−９−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒド
ラジノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジン、
N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−10−エ
チルフェノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニル
ヒドラゾンなどのヒドラゾン類、2,5−ビス（ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）−1,3,4−オキサジアゾール、１
−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
［キノリル（２）］−２−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（α−ベンジル
−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどの
ピラゾリン類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
６−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフ
ェニル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾールな
どのオキサゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−６−ジエチルアミノベンゾチアゾールなど
のチアゾール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２
−メチルフェニル）−フェニルメタンなどのトリアリー
ルメタン系化合物、1,1−ビス（４−N,N−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラ
キス（４−N,N−ジメチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）エタンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−
ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムア
ルデヒド樹脂などがある。

この有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テル
ル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していないときには適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。バ
インダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹
脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ボリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールポ
リビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーが挙げられる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には５〜30μｍであるが、好ましい範囲は８〜20μｍ
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述したような適当なコーティング法を用いることができ
る。

このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からな
る感光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導
電層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつも
の、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられ
る。

その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチッ
ク（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例えばカーボン
ブラック、銀粒子など）を適当なバインダーとともにプ
ラスチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプラスチ
ックや紙に含侵した基体や導電性ポリマーを有するプラ
スチックなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能を
もつ下引層を設けることもできる。下引層はカゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキシメ
チル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼタチン、酸化
アルミニウムなどによって形成できる。下引層の膜厚は
0.1〜５μｍ、好ましくは0.5〜３μｍが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光
体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷輸送層表面を性に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、表面
に到達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ、未
露光部との間に静電コントラストが生じる。

このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで
現象すれば、可視像が得られる。

これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラ
スチックフィルムなどに転写後、現像し定着することが
できる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれかを
採用してもよく、特定のものに限定されるものではな
い。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、
電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露
光すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が
電荷輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を
中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コ
ントラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用い
たときとは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。

導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した電子
写真感光体を使用する場合において、電荷輸送物質が電
子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯
電する必要があり、帯電後露光すると、露光部では電荷
発生層において生成した電子は電荷輸送層に注入され、
その後基体に達する。一方電荷発生層において生成した
正孔は表面に到達し、表面電位の減衰が生じ、未露光部
との間に静電コントラストが生じる。このようにしてで
きた静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば可視像が
得られる。これを直接定着するかあるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルムなどに転写後現像し定着するこ
とができる。

一方、電荷発生層が正孔輸送物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると、露光部では電荷発生層において生成した正孔は電
荷輸送層に注入され、その後基体に達する。一方電荷発
生層において生成した電子は表面に到達し、表面電位の
減衰が生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負
荷電性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前記一般式（１）で示
されるジスアゾ顔料を含有させた感光被膜とすることが
できる。この感光被膜は、これらの光導電性物質と前記
トリスアゾ顔料をバインダーと共に塗工によって被膜形
成される。

さらに本発明の別の具体例として、前述の一般式
（１）で示されるジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに
同一層に含有させた電子写真感光体を挙げることができ
る。この際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷
移動錯化合物を用いることができる。

この例の電子写真感光体は、前述のジスアゾ顔料と電
荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリ
エステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて作成で
きる。

いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般
式（１）で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくと
も１種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であって
も結晶質であってもよい。

また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用
す感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体
を得るなどの目的で一般式（１）で示されるジスアゾ顔
料を２種類以上組合せたり、または公知の染料顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、LED
プリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの電子
写真応用分野にも広く用いることができる。

［実施例］実施例１〜25 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン
11.2％、アンモニア水1g、水222ml）をマイヤーバーで
乾燥後の膜厚が1.0μｍとなるように塗布し乾燥した。

次に前記例示顔料（１）の5gをエタノール95mlにブチ
ラール樹脂（ブリラール化度63モル％）2gを溶解した液
に加え、サンドミルで２時間分散した。この分散液を先
に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5μとな
るようにマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形
成した。

次いで、構造式のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート（数
平均分子量10万）5gをベンゼン70mlに溶解し、これを電
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μｍとなるようにマイ
ヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例
１の電子写真感光体を作成した。

例示顔料（１）に代え他の例示顔料を用い実施例２〜
25に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成し
た。

このようにして作成した電子写真感光体を川口電機
（株）製、静電複写紙試験装置Model SP−428を用いて
スタチック方式で−5KVでコロナ帯電し、暗所で１秒間
保持した後、照度２ルックスで露光し、帯電特性を調べ
た。

帯電特性としては表面電位（V₀）と１秒間暗減衰させ
た時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量（E1/2）を
測定した。結果を示す。

さらに、実施例２、８、21、22で使用した電子写真感
光体を使用して、繰り返し使用時の明部電位と暗部電位
の変動を測定した。

方法としては、−5.6KVのコロナ帯電器、露光光学
系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けた。この複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙
上に画像が得られる構成になっている。

この複写機を用いて初期の明部電位（V_L）と暗部電位
（V_D）をそれぞれ−100V、−600V付近に設定し、5.000
回使用した後の明部電位（V_L）と暗部電位（V_D）を測定
した。

この結果を示す。

実施例26 実施例２で形成した電荷発生層の上に2,4,7−トリニ
トロ−９−フルオレノン5gとポリ−4,4−ジオキシジフ
ェニル−2,2−プロパンカーボネート（分子量30万）5g
をテトラヒドロフラン70mlも溶解して調製した塗布液
を、乾燥後の塗工量が10g/m²となるように塗布して乾燥
した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の
方法で帯電測定を行なった。このときの帯電極性は＋と
した。結果を示す。

V₀：＋600V、 E1/2:4.0lux,sec 実施例27 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのア
ルミ面上に膜厚0.5μｍのポリビニルアルコールの被膜
を形成した。次に実施例２で用いたジスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が0.5μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し乾
燥して電荷発生層を形成した。

次いで、のピラゾリン化合物5gとポリアリレート（ビスフェノー
ルＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶解した液を電荷発生層の上に
乾燥後の膜厚が10μｍとなるように塗布し乾燥して電荷
輸送層を形成した。こうして作成した感光体の帯電特性
および耐久特性を実施例１と同様の方法によって測定し
た。結果を示す。

V₀：−660V、 E1/2:2.3lux,sec 耐久特性初期 V_D：−600V、V_L：−100V ５千枚耐久後 V_D：−605V、V_L：−108V 上記の結果のとおり、感度も良好せ、耐久使用時の電
位安定性も良好である。

実施例28 厚さ100μｍのアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し乾燥して0.5μｍの下引層を形成した。

次に2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量30万）5gをテ
トラヒドロフランの70mlに溶解して電荷移動錯化合物を
調製した。

この電荷移動錯化合物と前記例示顔料（50）の1gをポ
リエステル5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解した液に
加え分散した。この分散液を下引層の上に塗布し乾燥し
て膜厚12μｍとした。

作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例１と同様
の方法により測定した。但し、帯電極性は＋とした。結
果を示す。

V₀：＋580V、 E1/2:4.5lux,sec 実施例29 実施例28で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカ
ゼイン層上に実施例20と同様の電荷輸送層と電荷発生層
を順次積層し、層構成を相違する他は同様にして感光体
を作成した。

実施例１と同様の方法で帯電特性を測定した。

但し、帯電極性は＋とした。

V₀：＋600V、 E1/2:4.0lux,sec 実施例30 実施例13［例示顔料（22）］で用いた感光体を、780n
mに発振波長をもつ半導体レーザーにより露光したとこ
ろ、780nmにおける分光感度は2.3μJ/cm²（半減露光
量）であった。

次にこの感光体をキヤノン製LBP−CXのドラム上に形
成して実写テストを行なったところ、カブリのない良好
な画像が得られた。またこれは１万回繰り返しても変る
ことはなかった。

実施例31〜34 実施例30において使用したジスアゾ顔料に代えて例示
顔料（19）、（26）、（39）および（41）のジスアゾ顔
料を使用した他は同様にしてドラム状の感光体を作成し
た。

それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は次ぎの
とおりであった。実施例例示顔料半減露光量（μJ/cm²） 31 （19） 2.2 32 （26） 2.1 33 （39） 2.0 34 （41） 2.0 次の実施例30と同様にして実写テストを行ったとこ
ろ、カブリのない画像が得られ、これは１万回繰り返し
ても変化はなかった。

［発明の効果］本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を感
光層に用いることにより、当該のジスアゾ顔料を含む感
光層内部におけるキヤリア発生効率ないしはキヤリア輸
送効率のいずれか一方ないし双方が良くなることが推定
され、高感度で耐久使用時における電位安定性の優れた
ものであり、また半導体レーザーの発振波長域において
も高感度でカブリのない良好な画像が得られるという顕
著な効果を奏する。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光導電層を有する電子写真感光体におい
て、光導電層に下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔
料を含有することを特徴とする電子写真感光体。一般式（１）式中、R₁は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ
基あるいはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基を示し、
R₂、R₃、R₄およびR₅は水素原子あるいは電子吸引性基を示
し、ＡおよびＡ′はフェノール性水酸基を有するカプラ
ー残基を示し、Ａ、Ａ′は同じであっても異なっていて
もよく、Ar₁、Ar₂、Ar₃およびAr₄は置換もしくは無置換の
炭素環式芳香族環基あるいは置換もしくは無置換の複素
環式芳香族環基を示し、Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄は同じであっ
ても異なっていてもよい。
【請求項２】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（２）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成するに必要な残基、R₆およびR₇は水素原子、
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置
換基を有してもよい複素環基ないしはR₆とR₇の結合する
窒素原子と共に環状アミノ基を示す。
【請求項３】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（３）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、R₆は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を
有してもよいアリール基あるいは置換基を有してもよい
アラルキル基を示す。
【請求項４】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（４）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、R₉は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を
有してもよいアリール基あるいは置換基を有してもよい
アラルキル基を示す。
【請求項５】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（５）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子
を環内に含む複素環の２価の基を示す。
【請求項６】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（６）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、Ｙは芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子
を環内に含む複素環の２価の基を示す。
【請求項７】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（７）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、R₁₀は置換基を有してもよいアリール基あるいは
置換基を有してもよい複素環基を示し、Ｘは前記一般式
（２）中のＸと同義である。
【請求項８】一般式（１）中のＡおよびＡ′の一方また
は双方が下記一般式（８）で示されるフェノール性水酸
基を有するカプラー残基である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。一般式式中、R₁₁およびR₁₂は置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアラルキル基あるいは置換基を有してもよい複素
環基を示し、Ｘは前記一般式（２）中のＸと同義であ
る。