JPH0727235B2

JPH0727235B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0727235B2
Application number: JP23984986A
Authority: JP
Inventors: 隆雄滝口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-10-08
Filing date: 1986-10-08
Publication date: 1995-03-29
Anticipated expiration: 2010-03-29
Also published as: JPS6394249A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は新規な電子写真感光体に関するものであり、更
に詳しくは特定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導
電層中に含有する電子写真感光体に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機光
導電体を光導電層主成分として用いた電子写真感光体は
広く知られている。

一方、特定の有機化合物が光導電性を示すことが発見さ
れてから数多くの有機光導電体が開発されてきた。特に
光導電性を示す顔料や染料を用いた電子写真感光体につ
いては、例えば米国特許第3,397,086号、同第3,816,118
号公報等に示されているフタロシアニン顔料を用いた電
子写真感光体、米国特許第4,315,983号、同第4,327,169
号公報等に示されているピリリウム系染料を用いた電子
写真感光体、米国特許第3,824,099号公報等に示されて
いるスクエアリツク酸メチン染料を用いた電子写真感光
体、米国特許第4,251,613号、同第4,278,747号、同4,29
3,628号公報等に示されているジスアゾ顔料を用いた電
子写真感光体などがあげられる。

この様な有機光導電体を用いた電子写真感光体はバイン
ダーを適当に選択することによって塗工方法で生産でき
るので、無機光導電体を用いたものに比べて、安価で極
めて容易に感光体の製造ができ、しかも有機顔料の選択
によって感光波長領域をコントロールできる、という利
点をもっている。しかし、この様な感光体は、感度およ
び耐久性に関して多くの問題があるため、これまで実用
化されているものはごく僅かである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、新規な光導電性材料を提供することに
ある。本発明の別の目的は、すべての電子写真プロセス
において使用可能であり実用的な高感度特性と繰り返し
使用における安定な電位特性を備えた電子写真感光体を
提供することにある。また本発明の別の目的は、可視域
から近赤外、赤外領域にまたがる広い分光感度を備えた
電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち本発明は、下記一般式（１）で示されるジスア
ゾ顔料を含有する光導電層を有することを特徴とする電
子写真感光体である。

一般式一般式（１）中のR₁,R₂は水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基を示
し、具体的にはフツ素、塩素、ヨウ素、臭素、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチ
ル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等を
示す。ここでR₁,R₂はそれぞれ同じであっても異なって
いてもよい。

一般式（１）中のA₁およびA₂はフエノール性OH基を有す
るカプラー残基を示し、A₁およびA₂の示すカプラー残基
のより好ましい具体例としては一般式（２）〜（８）で
示される。ここで、A₁,A₂はそれぞれ同じであっても異
なっていてもよい。

一般式式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフ
エニレンサルフアイト環等の多環芳香環ないしは、ヘテ
ロ環を形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。

式（２）中のR₃,R₄は水素原子、アルキル基、アリール
基、アラルキル基、ヘテロ環基ないしはR₃,R₄の結合す
る窒素原子とともに環状アミノ基を示し、これらの基は
置換基を有していてもよい。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等が、アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フエネチル、ナフチルメチル等が、アリール基の具
体例としてはフエニル、ジフエニル、ナフチル、アンス
リル等が、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、
ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジン等があげられる。

一般式式（３），（４）中のR₅,R₆は水素、アルキル基、アリ
ール基、アラルキル基を示し、これらの基は置換基を有
していてもよい。R₅,R₆の具体例は前記R₃,R₄と同じ例に
よって示される。

式（２）〜（４）中の置換基R₃〜R₆の示すアルキル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテロ環基
は更に他の置換基例えばフツ素、塩素、ヨウ素、臭素等
のハロゲン基、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、フエノキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シア
ノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフエニル
アミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換
アミノ基により置換されていてもよい。

一般式式（５），（６）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基な
いしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。

芳香族炭化水素の２価の基としてはｏ−フエニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フエナンス
リレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基が挙げ
られる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基
としては、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジ
イル基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾール
ジイル基、6,7−キノリンジイル基等の２価の基が挙げ
られる。

一般式式（７）中のR₇はアリール基ないしはヘテロ環基を示
し、これらの基は置換基を有していてもよい。具体的に
はフエニル、ナフチル、アンスリル、ピレニル、ピリジ
ル、チエニル、フリル、カルバゾリル基を示す。

R₇の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としてはフツ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フエノキシ等のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベ
ンジルアミノ、ジフエニルアミノ、モルホリノ、ピペリ
ジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

一般式式（８）中のR₈,R₉はアルキル基、アリール基、アラル
キル基、ないしはヘテロ環基を示し、これらの基は置換
基を有していてもよい。具体的にはメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、ベンジル、フエネチル、ナフチルメチ
ル、フエニル、ナフチル、アンスリル、ジフエニル、カ
ルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベ
ンズチアゾール、チアゾール、ピリジンを示す。

式（８）中のR₈,R₉の示すアルキル基、アリール基、ア
ラルキル基、ヘテロ環基の置換基としてはフツ素、塩
素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、フエノキシ等のアルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジル
アミノ、ジフエニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、
ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

次に本発明で用いるジスアゾ顔料の具体例を第１表に列
挙する。ただし、第１表の具体例で示されるジスアゾ顔
料は本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。

これらジスアゾ顔料は、１種または２種以上組み合わせ
て用いることができる。また、本発明において用いられ
るこれらの顔料は、例えば一般式（９）で示されるジア
ミンを常法により亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し、
次いで一般式（２）〜（８）で示されるフエノール性OH
を有するカツプラーをアルカリの存在下に水系カツプリ
ングするか、または前記ジアミンのテトラゾニウム塩を
BF₄塩、PF₆塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離し
た後、適当な溶媒たとえばN,N−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在
下にカツプラーとカツプリングすることにより容易に製
造することができる。次に本発明で用いるジスアゾ顔料
の代表的な合成例を下記に示す。

合成例（前記例示のジスアゾ顔料No.1の合成） 500mlビーカーに、水120ml,濃塩酸24.9ml（0.29モル），を入れ、氷水浴で冷却しながら攪拌し液温を３℃とし
た。次に亜硝酸ソーダ6.3g（0.092モル）を水10mlに溶
かした液を液温０〜５℃の範囲にコントロールしながら
25分間で滴下し、滴下終了後同温度で更に30分間攪拌し
た。反応液にカーボンを加え濾過してテトラゾ液を得
た。

次に2lビーカーに水１を入れ水酸化ナトリウム31.5g
（0.788モル）を溶解した後ナフトールAS（３−ヒドロ
キシ−２−ナフトエ酸アニリド）24.2g（0.0919モル）
を添加して溶解した。このカプラー溶液を６℃に冷却
し、液温を６〜10℃にコントロールしながら前述のテト
ラゾ化液を30分間かけて攪拌下滴下して、その後２時間
攪拌し、更に１晩放置した。反応液を濾過液後水洗し、
固形分換算で33.5gの水ペーストを得た。次に600mlのN,
N−ジメチルホルムアミドを用い、室温で攪拌濾過を４
回繰り返した。その後600mlのMEKで２回攪拌濾過を繰り
返した後減圧乾燥し、精製顔料28.3g（収率81.3％）を
得た。

融点＞300℃ 元素分析計算値（％）実験値（％）Ｃ 75.18 75.15 Ｈ 4.26 4.26 Ｎ 10.52 10.57 以上代表的な顔料の合成法について述べたが、一般式
（１）で示される他のジスアゾ顔料も同様にして合成さ
れる。

本発明のジスアゾ顔料を有する被膜は、導電性支持体上
に真空蒸着または適当なバインダー中に分散含有させて
形成することにより電子写真感光体の感光層として用い
ることができる。

本発明の好ましい具体例としては、前記感光層を電荷発
生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光体におけ
る電荷発生層として、前記の被膜を適用することができ
る。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くのジスアゾ顔料を含有し、発生した電荷キヤリアの
飛程を短かくする必要があり、膜厚５μｍ以下、好まし
くは0.01〜１μｍの薄膜層とすることが好ましい。

電荷発生層は、前述のジスアゾ顔料を適当なバインダー
に分散させ、これを基体の上に塗工することによって形
成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成すること
によって得ることができる。電荷発生層を塗工によって
は形成する際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁
性樹脂から選択でき、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビ
ニルブチラール、ポリアリレート（ビスフエノールＡと
フタル酸の縮重合体など。）ポリカーボネート、ポリエ
ステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹
脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニル
ピリジン、セルロール系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ
樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好ましくは
40重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロル
エチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、
キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテイング法
などのコーテイング法を用いて行なうことができる。乾
燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好
ましい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２時
間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことがで
きる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ヤリアを受け取るとともに、これらの電荷キヤリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合、電荷輸
送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があ
り、電子輸送性物質としては、クロルアニル、プロモア
ニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニ
トロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン等
の電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化し
たものなどがある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フエニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−10−エチルフエノチアジン、N,N−ジフエニルヒ
ドラジノ−３−メチリデン−10−エチルフエノキサジ
ン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフ
エニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、ｐ−
ピロリジノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラ
ゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス（Ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）−1,3,4−オキサジアゾール、１−フエニ
ル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−
ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フエニル−
３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５
−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フ
エニル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミノベンズ
オキサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−
４−（ｐ−ジメチルアミノフエニル）−５−（２−クロ
ロフエニル）オキサゾール等のオキサゾール系化合物、
２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルア
ミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）−フエニ
ルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1,1−ビス
（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）ヘ
プタン、1,1,2,2−テトラキス（４−N,N−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフエニル）エタン等のポリアリールアル
カン類、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、
ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフエニルアン
トラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカル
バゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルル、アモルフアスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質が成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ポリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜30μｍであるが、好ましい範囲は８〜20μｍ
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述した様な適当なコーテイング法を用いることができ
る。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
としてはアルミニウムなどの金属板または金属箔、アル
ミニウムなどの金属を蒸着したプラステツクフイルムあ
るいはアルミニウム箔を紙とはり合わせたもの、導電処
理を施した紙などが使用される。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキシメ
チル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化
アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は0.1〜５μｍ、好ましくは0.5〜３μｍが
適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像は紙
やプラスチツクフイルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光する
と露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷輸
送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し、
表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラス
トが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場合と
は逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。

導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合においても、電荷発生層表面上に前記と
同様にしてできた静電潜像をトナーで現像すれば可視像
が得られ、これを前記と同様な方法で定着すればよい。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフエニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述のジスアゾ顔料を
含有させた感光被膜とすることができる。この感光被膜
は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料をバイ
ンダーとともに塗工によって被膜形成される。

本発明の別の具体例としては前述のジスアゾ顔料を電荷
輸送物質とともに同一層に含有させた電子写真感光体を
挙げることができる。この際、前述の電荷輸送物質の他
にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレ
ノンからなる電荷移動錯体を用いることができる。この
例の電子写真感光体は前述のジスアゾ顔料と電荷移動錯
体をテトラヒドロフランに溶解されたポリエステル溶液
中に分散させた後、被膜形成させて調製できる。

いずれの感光体においても用いる顔料は一般式（１）で
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の
顔料を含有しその結晶形は非晶質であっても結晶質であ
ってもよい。

又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し
感光体の感度を高めたり、パンクロマチツクな感光体を
得るなどの目的で一般式（１）で示されるジスアゾ顔料
を２種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能で
ある。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやCRTプリンター、LEDプ
リンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電子写真
応用分野にも広く用いる事ができる。

以下、本発明を実施例によって説明する。

実施例１〜20 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン1
1.2％、アンモニア水1g、水222ml）をマイヤーバーで乾
燥後の膜厚が1.0μｍとなる様に塗布し乾燥した。

次に前記例示のジスアゾ顔料No.（１）5gをエタノール9
5mlにブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）2gを
溶かした液に加えサンドミルで２時間分散した。この分
散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.
5μｍとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発
生層を形成した。次いで構造式のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂
（数平均分子量100000）5gをベンゼン70mlに溶解し、こ
れを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μｍとなる様に
マイヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し実施
例１の感光体を作成した。ジスアゾ顔料No.（１）に代
えて第２表に示す他の例示顔料を用い実施例２〜20に対
応する感光体を全く同様にして作成した。

この様にして作成した電子写真感光体を川口電機（株）
製静電複写紙試験装置Model SP-428を用いてスタテイツ
ク方式で−5KVでコロナ帯電し暗所で１秒間保持した後
照度2luxで露光し帯電特性を調べた。

帯電特性としては表面電位（Vo）と１秒間暗減衰させた
時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量（E1/2）を測
定した。この結果を第２表に示す。

実施例21 実施例１で作成した電荷発生層の上に、2,4,7−トリニ
トロ−９−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキシジ
フエニル−2,2′−プロパンカーボネート（分子量300,0
00）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗
布液を乾燥後の塗工量が10g/m²となる様に塗布し、乾燥
した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性はとし
た。この結果を第３表に示す。

第３表 Vo ：590 ボルト E1/2:3.8 lux・sec 実施例22 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイルムのアル
ミ面上に膜厚0.5μｍのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後の
膜厚が0.5μｍとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。次いで構造式のピラゾリン化合物5gとポリアリレート樹脂（ビスフエ
ノールＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5g
をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液を電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が10μｍとなる様に塗布し乾燥して電
荷輸送層を形成した。こうして調製した感光体の帯電特
性および耐久特性を実施例１と同様の方法によって測定
した。この結果を第４表に示す。

第４表 Vo ：620 ボルト E1/2:3.3 lux・sec 第４表の結果より感度も良く耐久使用時の電位安定性も
良好である。

実施例23 厚さ100μｍのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布し、乾燥して膜厚0.5μｍの下引層を形成し
た。

次に2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量300000）5gをテ
トラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯体化合物を
形成した。この電荷移動錯体化合物と前記例示のジスア
ゾ顔料No.（２）1gをポリエステル樹脂（バイロン：東
洋紡製）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に加
え分散した。この分散液を下引層の上に塗布し乾燥して
12μｍの感光体を作成した。

こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
１と同様の方法によって測定した。この結果を第５表に
示す。但し帯電極性はとした。

第５表 Vo ：610 ボルト E1/2:2.0 lux・sec 実施例24 実施例23で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカゼ
イン層上に実施例１の電荷輸送層，電荷発生層を順次積
層し層構成を異にする以外は実施例１と全く同様にして
感光体を形成し実施例１と同様に帯電特性を測定した。
但し、帯電極性をとした。この結果を第６表に示す。

第６表 Vo ：600 ボルト E1/2:4.0 lux・sec 実施例25〜29 実施例2,3,5,7,12に用いた感光体を用い繰り返し使用時
の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方法としては
−5.6KVのコロナ帯電器、露光光学系、現像器、転写帯
電器、除電露光光学系およびクリーナーを備えた電子写
真複写機のシリンダーに感光体を貼り付けた。この複写
機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得られ
る構成になっている。この複写機を用いて初期の明部電
位(V_L)と暗部電位(V_D)をそれぞれ−100V、−600V付近に
設定し5000回使用した後の明部電位(V_L)、暗部電位(V_D)
を測定した。この結果を第７表に示す。

実施例30 実施例12で用いた感光体780nmに発振波長をもつ半導体
レーザーにより露光したところ780nmにおける分光感度
は1.5μJ/cm²（半減露光量）であった。

次にこの感光体をキヤノンLBP-CXのドラム上に塗布し、
実写テストを行なったところカブリのない良好な画像が
得られた。また、これは10000回繰り返しても変わるこ
とはなかった。

実施例31〜34 実施例30において例示化合物19に代えて、21,24,26,37
を用いた他は同様にしてドラム状の感光体を作成した。
それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は第８表に
示す通りであった。

第８表例示化合物 21 24 26 37 半減露光量（μJ/cm²） 2.5 1.2 1.0 1.5 次に実施例30と同様にして実写テストを行なったところ
カブリの無い画像が得られ、これは10000回繰り返して
も変化はなかった。

〔発明の効果〕

本発明の特定のジスアゾ顔料を光導電層に用いることに
より、このジスアゾ顔料を含む光導電層内部における電
荷キヤリアーの発生効率あるいは輸送効率のいずれか一
方あるいは双方が良くなるため、高感度で耐久使用時に
おける電位安定性のすぐれた電子写真感光体が得られ
る。また半導体レーザーの発振波長域においても高感度
で繰り返し使用によってもカブリのない良好な画像を得
ることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料
を含有する光導電層を有することを特徴とする電子写真
感光体。一般式ただし式（１）中R₁,R₂は水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基を示
し、R₁,R₂はそれぞれ同じであっても異なっていてもよ
い。また式（１）中A₁,A₂はフエノール性OH基を有するカプ
ラー残基を示し、A₁,A₂はそれぞれ同じであっても異な
っていてもよい。
【請求項２】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（２）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフ
エニレンサルフアイト環等の多環芳香環ないしは、ヘテ
ロ環を形成するに必要な残基を示す。式（２）中R₃,R₄は水素原子、アルキル基、アリール
基、アラルキル基、ヘテロ環基ないしはR₃,R₄の結合す
る窒素原子とともに環状アミノ基を示す。
【請求項３】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（３）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（３）中のR₅はアルキル基、アリール基、アラルキル
基を示す。
【請求項４】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（４）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（４）中のR₆はアルキル基、アリール基、アラルキル
基を示す。
【請求項５】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（５）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（５）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒
素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項６】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（６）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（６）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒
素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項７】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（７）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（７）中のR₇はアリール基ないしはヘテロ環基を示し
Ｘは一般式（２）中のＸと同じ意味を表わす。
【請求項８】特許請求の範囲第（１）項の一般式（１）
中のA₁およびA₂が下記一般式（８）で示される特許請求
の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。一般式式（８）中のR₈,R₉はアルキル基、アリール基、アラル
キル基、ないしはヘテロ環基を示す。Ｘは一般式（２）
中のＸと同じ意味を表わす。