JPH0153779B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、有機光導電体に関する。 従来技術 これまで、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛
などの無機光導電体を感光成分として利用した電
子写真感光体は、公知である。 一方、特定の有機化合物が光導電性を示すこと
が発見されてから、数多くの有機光導電体が開発
されて来た。例えば、ポリ―Ｎ―ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセンなどの有機光導電
性ポリマー、カルバゾール、アントラセン、ピラ
ゾリン類、オキサジアゾール類、ヒドラゾン類、
ポリアリールアルカン類などの低分子の有機光導
電体やフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン
染料、多環キノン顔料、ペリレン系顔料、インジ
ゴ染料、チオインジゴ染料あるいはスクエアリツ
ク酸メチレン染料などの有機顔料や染料が知られ
ている。特に、光導電性を有する有機顔料や染料
は、無機材料に較べて合成が容易で、しかも適当
な波長域に光導電性を示す化合物を選択できるバ
リエーシヨンが拡大されたことなどから、数多く
の光導電性有機顔料や染料が提案されている。例
えば、米国特許第4123270号、同第4247614号、同
第4251613号、同第4251614号、同第4256821号、
同第4260672号、同第4268596号、同第4278747号、
同第4293628号などに開示された様に電荷発生層
と電荷輸送層に機能分離した感光層における電荷
発生物質として光導電性を示すジスアゾ顔料を用
いた電子写真感光体などが知られている。 この様な有機光導電体を用いた電子写真感光体
は、バインダーを適当に選択することによつて塗
工で生産できるため、極めて生産性が高く、安価
な感光体を提供でき、しかも有機顔料の選択によ
つて感光波長域を自在にコントロールできる利点
を有している反面、この感光体は感度と耐久特性
に難があるため、これまでに実用に到つたもの
は、ごくわずかである。 発明の目的 本発明の目的は、新規な有機光導電体を提供す
ることにある。 本発明の別の目的は特定な有機光導電体を使用
することにより改善された写真特性を有する電子
写真感光体を提供することにあり、これにより実
用的な高感度特性と繰り返し使用における安定な
電位特性を有する電子写真感光体を提供すること
にある。 発明の構成、効果 本発明は、下記一般式(1)に示す有機光導電体よ
りなる。 一般式 式中R₁は単結合、―CH＝CH―、

【式】

【式】より選択される 基を表わし、Ａは芳香族性を有するカプラー成分
を表わし好ましくはＡが以下の一般式(2)〜(4)で表
わされるカプラー成分から選択されることが望ま
しい。一般式(2)は

【式】で表わされ、 式中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ンスラセン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン
環、ベンズカルバゾール環等の芳香族炭化水素環
又は複素環を形成する残基、Ｙは―CONR₂R₃で
示す基（ただしR₂は水素原子、メチル、エチル、
プロピル、ブチル、２―ヒドロキシエチル、３―
ヒドロキシプロピル等の置換又は非置換のアルキ
ル基、フエニル、ナフチル等のアリール基から成
る群より選ばれた基、R₃はメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、２―ヒドロキシエチル、３―ヒ
ドロキシプロピル等の置換又は非置換のアルキル
基、フエニル、ナフチル等のアリール基及びピリ
ジル、キノリン、カルバゾリル、チアゾリル等の
複素環残基から成る群より選ばれた基を表わす）、
又は―CONHNR₄R₅で示す基（ただしR₄，R₅は
置換又は非置換のフエニル、ナフチル等のアリー
ル基を表わす）を表わす。上記R₂〜R₅における
置換基として、メチル、エチル等のアルキル基、
フツ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、メトキ
シ、エトキシ等のアルコキシ基、アセチル、ベン
ゾイル等のアシル基、メチルチオ、エチルチオ等
のアルキルチオ基、フエニルチオ等のアリールチ
オ基、フエニル等のアリール基、ベンジル等のア
ラルキル基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、エチル
アミノ等の置換アミノ基等があげられる。 一般式(3)，(4)は で表わされる。式中R₆は置換又は非置換のアル
キル基、フエニル基、ナフチル基等のアリール基
から成る群より選ばれた基を表わす。更に具体的
には、R₆はメチル、エチル、プロピル等のアル
キル基、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル等
のヒドロキシアルキル基、メトキシメチル、エト
キシメチル、エトキシエチル等のアルコキシアル
キル基、シアノアルキル基、アミノアルキル基、
Ｎ―アルキルアミノアルキル基、Ｎ，Ｎ―ジアル
キルアミノアルキル基、ハロゲン化アルキル基、
ベンジル、フエネチル等のアラルキル基、フエニ
ル基及び置換フエニル基、ナフチル基、置換ナフ
チル基、（置換基としては一般式(2)中のR₂〜R₅に
おける置換基があげられる）等があげられる。 本発明の代表的な有機光導電体としては、下記
のジスアゾ顔料を挙げることができる。 これらのジスアゾ顔料は、１種または２種以上
組合せて用いることができる。また、これらの顔
料は、例えば一般式 （式中R₁は一般式(1)中のR₁と同じ意味を有す
る。） で示されるジアミンを常法によりテトラゾ化し、
次いで対応するカプラーをアルカリの存在下にカ
ツプリングするか、または前記のジアミンのテト
ラゾニウム塩をホウフツ化塩あるいは塩化亜鉛複
塩等の形で一旦単離した後、適当な溶媒例えば
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等の溶媒中でアルカリの存在下にカツプラ
ーとカツプリングすることにより容易に製造する
ことができる。 次に、本発明で用いるジスアゾ顔料の代表的な
合成例を下記に示す。 合成例 １ （前記例示のジスアゾ顔料No.１の合成） 500mlのビーカーに水80ml、濃塩酸16.6ml
（0.19モル）、 7.72ｇ（0.029モル）を入れ、氷水浴で冷却しな
がら撹拌し液温を３℃とした。次に亜硝酸ソーダ
4.2ｇ（0.061モル）を水７mlに溶かした液を液温
を３〜10℃の範囲にコントロールしながら10分間
で滴下し、滴下終了後同温度で更に30分撹拌し
た。反応液にカーボンを加え過してテトラゾ化
液を得た。 次に、２ビーカーに水700mlを入れ苛性ソー
ダ21ｇ（0.53モル）を溶解した後ナフトールAB
（３―ヒドロキシ―２―ナフトエ酸アニリド）
16.2ｇ（0.061モル）を添加して溶解した。 このカプラー溶液を６℃に冷却し液温を６〜10
℃にコントロールしながら前述のテトラゾ化液を
30分かけて撹拌下滴下して、その後室温で２時間
撹拌し更に１晩放置した。反応液を過後、水洗
し粗製顔料20.1ｇを得た。次に、400mlのＮ，Ｎ
―ジメチルホルムアミドで熱過を５回繰り返し
た。その後、減圧熱乾燥により精製顔料17.7ｇを
得た。収率は74.7％であつた。 元素分析： 計算値(%) 実験値(%) Ｃ 70.75 70.81 Ｈ 3.72 3.69 Ｎ 13.75 13.77 合成例 ２ （前記例示のジスアゾ顔料No.６の合成） 7.31ｇ（0.025モル）を水65ml、濃塩酸13.24ml
（0.15モル）に溶解した液に、亜硝酸ソーダ3.54
ｇ（0.051モル）を水10.6mlに溶解した液を、液
温4.5〜７℃に保ちながら５分間で滴下し、その
後同温度で30分撹拌した。 つぎに、３―ヒドロキシ―ナフタレン―２―カ
ルボン酸メチルアミド10.57ｇ（0.0525モル）と
苛性ソーダ16.8ｇ（0.42モル）を水420mlに溶解
した液に液温を４〜10℃に保ちながら上記テトラ
ゾ化液を10分間で滴下し、同温度で２時間撹拌し
た後１晩放置した。 過、水洗、乾燥した後メチルエチルケトンを
用い20時間ソツクスレーにかけて乾燥顔料14.9ｇ
（収率83.0％）を得た。 元素分析： 計算値(%) 実験値(%) Ｃ 67.02 66.89 Ｈ 3.95 3.81 Ｎ 15.64 15.60 合成例 ３ （前記例示のジスアゾ顔料No.11の合成） 9.93ｇ（0.029モル）を水80ml、濃塩酸16.6ml
（0.19モル）に溶解した液に、亜硝酸ソーダ4.2ｇ
（0.061モル）を水７mlに溶解した液を、液温２〜
５℃に保ちながら10分間で滴下し、その後同温で
30分撹拌した。反応液にカーボンを加え過して
テトラゾ化液を得た。 次に、２ビーカーに水700mlを入れ苛性ソー
ダ21ｇ（0.53モル）を加え溶解した後、３―ヒド
ロキシ―ナフタレン―２―カルボン酸―Ｎ，Ｎ―
ジフエニルヒドラジド21.6ｇ（0.061モル）を添
加して溶解した。 このカプラー溶液を６℃に冷却し液温を６〜10
℃にコントロールしながら前述のテトラゾ化液を
30分かけて撹拌下滴下して、その後室温で２時間
撹拌し、さらに１晩放置した。反応液を過後、
水洗し粗製顔料29.5ｇを得た。次に、400mlのＮ，
Ｎ―ジメチルホルムアミドで熱過を５回繰り返
した。その後、減圧熱乾燥により精製顔料26.3ｇ
を得た。収率は84.6％であつた。 元素分析： 計算値（％） 実験値（％） Ｃ 73.86 73.69 Ｈ 4.14 4.06 Ｎ 13.05 13.08 以上３種類の顔料の合成法について述べたが一
般式(1)で示される他のジスアゾ顔料も同様にして
合成される。 本発明の有機光導電体の好ましい応用例では、
感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した
電子写真感光体における電荷発生物質に前記一般
式(1)に示す有機光導電体を用いることができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、でき
る限り多くの前記有機光導電体を含有し、且つ発
生した電荷キヤリアの飛程を短かくするために、
薄膜層、例えば５ミクロン以下、好ましくは0.01
ミクロン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とする
ことが好ましい。このことは、入射光量の大部分
が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤリア
を生成すること、さらに発生した電荷キヤリアを
再結合や補獲（トラツプ）により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに帰因し
ている。 電荷発生層は、前述の有機光導電体を適当なバ
インダーに分散させ、これを基体の上に塗工する
ことによつて形成でき、また真空蒸着装置により
蒸着膜を形成することによつて得ることができ
る。電荷発生層を塗工によつて形成する際に用い
うるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選
択でき、またポリ―Ｎ―ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの
有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましく
は、ポリビニルブチラール、ポリアリレート（ビ
スフエノールＡとフタル酸の縮重合体など）、ポ
リカーボネート、ポリエステル、フエノキシ樹
脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリ
ルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピリジ
ン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ
樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることが
できる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量
％以下、好ましくは40重量％以下が適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ―ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。 光導電体は、一般に電荷キヤリアを輸送する機
能を有しているので、電荷輸送層はこの光導電体
によつて形成できる。 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物
質（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の
電荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であることが好ましい。ここで言う「電
磁波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近
赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質があり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７―ト
リニトロ―９―フルオレノン、２，４，５，７―
テトラニトロ―９―フルオレノン、２，４，７―
トリニトロ―９―ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７―テトラニトロキサントン、
２，４，８―トリニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化した
もの等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ―エチル
カルバゾール、Ｎ―イソプロピルカルバゾール、
Ｎ―メチル―Ｎ―フエニルヒドラジノ―３―メチ
リデン―９―エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ―ジフ
エニルヒドラジノ―３―メチリデン―９―エチル
カルバゾール、Ｎ，Ｎ―ジフエニルヒドラジノ―
３―メチリデン―10―エチルフエノチアジン、
Ｎ，Ｎ―ジフエニルヒドラジノ―３―メチリデン
―10―エチルフエノキサジン、Ｐ―ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド―Ｎ，Ｎ―ジフエニルヒドラ
ゾン、Ｐ―ジエチルアミノベンズアルデヒド―Ｎ
―α―ナフチル―Ｎ―フエニルヒドラゾン、Ｐ―
ピロリジノベンズアルデヒド―Ｎ，Ｎ―ジフエニ
ルヒドラゾン、１，３，３―トリメチルインドレ
ニン―ω―アルデヒド―Ｎ，Ｎ―ジフエニルヒド
ラゾン、Ｐ―ジエチルベンズアルデヒド―３―メ
チルベンズチアゾリノン―２―ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、２，５―ビス（Ｐ―ジエチルアミノ
フエニル）―１，３，４―オキサジアゾール、１
―フエニル―３―（Ｐ―ジエチルアミノスチリ
ル）―５―（Ｐ―ジエチルアミノフエニル）ピラ
ゾリン、１―〔キノリル(2)〕―３―（Ｐ―ジエチ
ルアミノスチリル）―５―（Ｐ―ジエチルアミノ
フエニル）ピラゾリン、１―〔ピリジル(2)〕―３
―（Ｐ―ジエチルアミノスチリル）―５―（Ｐ―
ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１―〔６
―メトキシ―ピリジル(2)〕―３―（Ｐ―ジエチル
アミノスチリル）―５―（Ｐ―ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１―〔ピリジル(3)〕―３―
（Ｐ―ジエチルアミノスチリル）―５―（Ｐ―ジ
エチルアミノフエニル）ピラゾリン、１―〔レピ
ジル(2)〕―３―（Ｐ―ジエチルアミノスチリル）
―５―（Ｐ―ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１―〔ピリジル(2)〕―３―（Ｐ―ジエチルア
ミノスチリル）―４―メチル―５―（Ｐ―ジエチ
ルアミノフエニル）ピラゾリン、１―〔ピリジル
(2)〕―３―（α―メチル―Ｐ―ジエチルアミノス
チリル）―５―（Ｐ―ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン、１―フエニル―３―（Ｐ―ジエチル
アミノスチリル）―４―メチル―５―（Ｐ―ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、１―フエニル
―３―（α―ベンジル―Ｐ―ジエチルアミノスチ
リル）―５―（Ｐ―ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン
類、２―（Ｐ―ジエチルアミノスチリル）―６―
ジエチルアミノベンズオキサゾール、２―（Ｐ―
ジエチルアミノフエニル）―４―（Ｐ―ジメチル
アミノフエニル）―５―（２―クロロフエニル）
オキサゾール等のオキサゾール系化合物、２―
（Ｐ―ジエチルアミノスチリル）―６―ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス（４―ジエチルアミノ―２―メチルフエ
ニル）―フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、１，１―ビス（４―Ｎ，Ｎ―ジエチル
アミノ―２―メチルフエニル）ヘプタン、１，
１，２，２―テトラキス（４―Ｎ，Ｎ―ジメチル
アミノ―２―メチルフエニル）エタン等のポリア
リールアルカン類、トリフエニルアミン、ポリ―
Ｎ―ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ―９―ビニルフエニルアントラセン、ピレン
―ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホ
ルムアルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン―テルル、アモルフアスシリコン、硫化カド
ミウムなどの無機材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂ポリアリレート、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレンアクリロニ
トリル―スチレンコポリマー、アクリルニトリル
―ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの
絶縁性樹脂、あるいはポリ―Ｎ―ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることがで
きる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム―酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク（例えば、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレ
フタレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレン
など）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン―アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するか、あるいは
トナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写
後、現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採用しても良く、特定のものに
限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、
帯電後、露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後
表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆
に正電荷性トナーを用いる必要がある。 本発明の有機光導電体の別の応用例としては、
前述の有機光導電体を電荷輸送物質とともに同一
層に含有させた電子写真感光体を挙げることがで
きる。この際、前述の電荷輸送物質の他にポリ―
Ｎ―ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノ
ンからなる電荷移動錯化合物を用いることができ
る。 この例の電子写真感光体は、前述の有機光導電
体と電荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶
解されたポリエステル溶液中に分散させた後、被
膜形成させて調製できる。 いずれの感光体においても、用いる顔料は一般
式(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なく
とも１種類の顔料を含有し、必要に応じて光吸収
の異なる顔料を組合せて使用した感光体の感度を
高めたり、パンクロマチツクな感光体を得るなど
の目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料を２種
類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも
可能である。 本発明の有機光導電体を含有する電子写真感光
体は電子写真複写機に利用するのみならず、レー
ザープリンターやCRTプリンター等の電子写真
応用分野にも広く用いることができる。 また、本発明の有機光導電体は、前述の電子写
真感光体の他に、太陽電池や光センサーに用いる
こともできる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムによつて前述の有機光導電体を
サンドイツチすることによつて調製できる。 以下、本発明を具体的に応用例によつて説明す
る。 応用例 １ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カ
ゼイン11.2ｇ、28％アンモニア水１ｇ、水222ml）
をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1.0ミクロン
となる様に塗布し、乾燥した。 次に、前記例示のジスアゾ顔料No.１の有機光導
電体５ｇを、エタノール95mlにブチラール樹脂
（ブチラール化度63モル％）２ｇを溶かした液に
加え、アトライターで２時間分散した。この分散
液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚
が0.5ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、
乾燥して電荷発生層を形成した。 次いで、構造式 のヒドラゾン化合物５ｇとポリメチルメタクリレ
ート樹脂（数平均分子量100000）５ｇをベンゼン
70mlに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の
膜厚が12ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。 この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP―428を用
いてスタチツク方式で−5KVでコロナ帯電し、
暗所で10秒間保持した後、照度5luxで露光し帯電
特性を調べた。 帯電特性としては、表面電位（V₀）と１秒間
暗減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要な
露光量（E_1/2）を測定した。 さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部
電位の変動を測定するために、本例で作成した感
光体を−5.6KVのコロナ帯電器露光量12lux.sec
の露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光
学系およびクリーナーを備えた電子写真複写機の
シリンダーに貼り付けた。この複写機は、シリン
ダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得られる構
成になつている。この複写機を用いて、初期の明
部電位（V_L）と暗部電位（V_D）および5000回使
用した後の明部電位（V_L）と暗部電位（V_D）を
測定した。この結果を次に示す。 V₀：−620ボルト E_1/2：4.5lux.sec 初 期 5000耐久後 V_D：−600ボルト、V_L：−30ボルト
V_D：−590ボルト、V_L：−40ボルト 応用例 ２〜18 応用例１で用いたジスアゾ顔料に代えて、前記
例示のジスアゾ顔料No.２〜18を用いたほかは全く
応用例１と同様の方法で電子写真感光体を作成し
た。 各感光体の帯電特性と耐久特性を応用例１と同
様の方法によつて測定した。これらの結果を次に
示す。

【表】 応用例 19 応用例１で作成した電荷発生層の上に、２，
４，７―トリニトロ―９―フルオレノン５ｇとポ
リ―４，4′―ジオキシジフエニル―２，２―プロ
パンカーボネート（分子量300000）５ｇをテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗布液を乾
燥後の塗工量が10ｇ／m²となる様に塗布し、乾燥
した。 こうして作成した電子写真感光体を応用例１と
同様の方法で帯電測定を行なつた。この時、帯電
極性はとした。この結果を次に示す。 V₀：＋590ボルト E_1/2：5.5lux.sec 初期暗部電位V_D：＋600ボルト 初期明部電位V_L：＋55ボルト 5000回耐久後の暗部電位V_D：＋595ボルト 5000回耐久後の明部電位V_L：＋60ボルト 応用例 20 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、応用例１で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に、
乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。 次いで、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸―イソフタル
酸の縮重合体）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10
ミクロンとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層
を形成した。 こうして調製した感光体の帯電特性および耐久
特性を応用例１と同様の方法によつて測定した。
この結果を次に示す。 V₀：−610ボルト E_1/2：4.4lux.sec 初期暗部電位V_D：−610ボルト 初期明部電位V_L：−30ボルト 5000回耐久後の暗部電位V_D：−600ボルト 5000回耐久後の明部電位V_L：−35ボルト 応用例 21 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚1.1ミ
クロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７―トリニトロ―９―フルオレ
ノン５ｇとポリ―Ｎ―ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）５ｇをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前記例示のジスアゾ顔料No.１の
光導電体１ｇを、ポリエステル樹脂（バイロン：
東洋紡製）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに溶か
した液に加え、分散した。この分散液を下引層の
上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる様に塗布
し、乾燥した。 こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性
を応用例１と同様の方法によつて測定した。この
結果を次に示す。但し、帯電極性はとした。 V₀：＋620ボルト E_1/2：5.6lux.sec 初期暗部電位V_D：＋590ボルト 初期明部電位V_L：＋55ボルト 5000回耐久後の暗部電位V_D：＋580ボルト 5000回耐久後の明部電位V_L：＋65ボルト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式(1)で示す有機光導電体。 ただし、式中Ａは芳香族性を有するカプラー成
   分を表わし、R₁は、単結合、―CH＝CH―、
   【式】【式】より選択される 基を表わす。