JPH0338582B2 - - Google Patents

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JPH0338582B2
JPH0338582B2 JP2837582A JP2837582A JPH0338582B2 JP H0338582 B2 JPH0338582 B2 JP H0338582B2 JP 2837582 A JP2837582 A JP 2837582A JP 2837582 A JP2837582 A JP 2837582A JP H0338582 B2 JPH0338582 B2 JP H0338582B2
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JP
Japan
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organic
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JP2837582A
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Kazuharu Katagiri
Yoshio Takasu
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS58145950A publication Critical patent/JPS58145950A/ja
Publication of JPH0338582B2 publication Critical patent/JPH0338582B2/ja
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    • G03G5/02Charge-receiving layers
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    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0646Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
    • G03G5/0651Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing four relevant rings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0681Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、有機光導電体に関し、特に有機光導
電体を含有した電子写真感光体に関するものであ
る。 これまで、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛
などの無機光導電体を感光成分として利用して電
子写真感光体は、公知である。 一方、特定の有機化合物が光導電性を示すこと
が発見されてから、数多くの有機光導電体が開発
されて来た。例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセンなどの有機光導電
性ポリマー、カルバゾール、アントラセン、ピラ
ゾリン類、オキサジアゾール類、ヒドラゾン類、
ポリアリールアルカン類などの低分子の有機光導
電体やフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン
染料、多環キノン顔料、ペリレン系顔料、インジ
ゴ染料、チオインジゴ染料あるいはスクエアリツ
ク酸メチン染料などの有機顔料や染料が知られて
いる。特に、光導電性を有する有機顔料や染料
は、無機材料に較べて合成が容易で、しかも適当
な波長域に光導電性を示す化合物を選択できるバ
リエーシヨンが拡大されたことなどから、数多く
の光導電性有機顔料や染料が提案されている。例
えば、米国特許第4123270号、同第4247614号、同
第4251613号、同第4251614号、同第4256821号、
同第4260672号、同第4268596号、同第4278747号、
同第4293628号などに開示された様に電荷発生層
と電荷輸送層に機能分離した感光層における電荷
発生物質として光導電性を示すジスアゾ顔料を用
いた電子写真感光体などが知られている。 この様な有機光導電体を用いた電子写真感光体
は、バインダーを適当に選択することによつて塗
工で生産できるため、極めて生産性が高く、安価
な感光体を提供でき、しかも有機顔料の選択によ
つて感光波長域を自在にコントロールできる利点
を有している反面、この感光体は感度と耐久特性
に難があるため、これまでに実用に至つたもの
は、ごくわずかである。 本発明の目的は、新規な有機光導電体を提供す
ることにある。 本発明の別の目的は、改善された写真特性を有
する電子写真感光体を提供することにある。 本発明のもう1つの別の目的は、実用的な高感
度特性と繰り返し使用における安定な電位特性を
有する電子写真感光体を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式(1)に示す有
機光導電体によつて達成される。 一般式(1) 式中、Cpはカプラー残基を示す。具体的なカ
プラー残基としては、例えば下記一般式(2)〜(6)に
示す残基を挙げることができる。 一般式 Xは芳香族炭化水素環(例えば、ベンゼン環、
ナフタレン環など)又は複素環(例えば、インド
ール環、ベンゾフラン環、カルバゾール環など)
を形成するに必要な原子群を示し、これらの環に
はハロゲン原子(塩素、臭素)、アルキル基(メ
チル、エチル、プロピル、ブチルなど)、置換ア
ルキル基(ヒドロキシメチル、メトキシメチル、
エトキシメチル、2−メトキシエチル、2−エト
キシエチル、3−メトキシプロロピル、3−エト
キシプロピル)を有していてもよい。R1および
R2は、水素原子、アルキル基(メチル、エチル、
プロピル、ブチル、アミル、オクチル)、置換ア
ルキル基(ヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエ
チル、3−ヒドロキシプロピル、メトキシメチ
ル、2−メトキシエチル、3−メトキシプロピ
ル、エトキシメチル、2−エトキシエチル、3−
エトキシプロピル)、アリール基(フエニル、α
−ナフチル、β−ナフチル、アントラリル)、置
換アリール基(トリル、キシリル、ビフエニル、
エチルフエニル、プロピルフエニル、メトキシフ
エニル、ジメトキシフエニル、トリメトキシフエ
ニル、エトキシフエニル、ジエトキシフエニル、
トリエトキシフエニル、クロロフエニル、ジクロ
ロフエニル、トリクロロフエニル、ブロモフエニ
ル、ジブロモフエニル、トリブロモフエニル、ニ
トロフエニル、2−ニトロ−4−メチルフエニ
ル、2−ニトロ−6−メチルフエニル、シアノフ
エニル、ヒドロキシフエニル)、アラルキル基
(ベンジル、フエネチル、3−フエニルプロピル、
α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル)、置
換アラルキル基(シアノベンジル、ニトロベンジ
ル、メチルベンジル、ジメチルベンジル、クロロ
ベンジル、ジクロロベンジル)、複素環基(ピリ
ジン、カルバゾリル)、置換複素環基(9−メチ
ルカルバゾリル、9−エチルカルバゾリル)又は
置換アミノ基(ジフエニルアミノ、ジベンジルア
ミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロ
ピルアミノ)を示す。但し、R1とR2が同時に水
素原子であることはない。 R3は、アルキル基(メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、アミル、オクチル)、置換アルキル
基(ヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエチル、
3−ヒドロキシプロピル、メトキシメチル、2−
メトキシエチル、3−メトキシプロピル、エトキ
シメチル、2−エトキシエチル、3−エトキシプ
ロピル)、アリール基(フエニル、α−ナフチル、
β−ナフチル)、置換アリール(トリル、キシリ
ル、ヒドロキシフエニル、メトキシフエニル、エ
トキシフエニル、クロロフエニル、ブロモフエニ
ル)、アラルキル基(ベンジル、フエネチル、3
−フエニルプロピル、α−ナフチルメチル、β−
ナフチルメチル)又は置換アラルキル基(ヒドロ
キシベンジル、メトキシベンジル、エトキシベン
ジル、メチルベンジル、エチルベンジル)を示
す。 R4は、水素原子、アルキル基(メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、アミル、オクチル)、置
換アルキル基(ヒドロキシメチル、2−ヒドロキ
シエチル、3−ヒドロキシプロピル、メトキシメ
チル、2−メトキシエチル、3−メトキシプロピ
ル、エトキシメチル、2−エトキシエチル、クロ
ロメチル、2−クロロエチル)、アリール基(フ
エニル、α−ナフチル、β−ナフチル)、置換ア
リール基(トリル、キシリル、クロロフエニル、
ジクロロフエニル、トリクロロフエニル、エチル
フエニル、ブロモフエニル、ジブロモフエニル、
シアノフエニル、ヒドロキシフエニル、α−ナフ
チルル、β−ナフチル)、アラルキル基(ベンジ
ル、フエネチル、α−ナフチルメチル、β−ナフ
チルメチル)又は置換アラルキル基(ヒドロキシ
ベンジル、メトキシベンジル、エトキシベンジ
ル、ジメトキシベンジル、メチルベンジル、クロ
ロベンジル)を示す。R5はフエニル又は置換フ
エニル基(トリル、キシリル、エチルフエニル、
ジエチルフエニル、メトキシフエニル、エトキシ
フエニル、ジメトキシフエニル、クロロフエニ
ル、ジクロロフエニル、シアノフエニル)を示
す。 本発明の代表的な有機光導電体としては、下記
のジスアズ顔料を挙げることができる。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 これらのジスアゾ顔料は、1種または2種以上
組合せて用いることができる。また、これらの顔
料は、例えば下記構造式の2,7−ジアミノベン
ゾチエノ〔3,2−b〕ベンゾチオフエン
(Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenij.
KhimiyaiKhimicheskaya Tekhnologiya,
1981,2415)、612〜617に記載の合成法によつて
得られる。) を常法によりテトラゾ化し、次いで対応するカプ
ラーをアルカリの存在下にカツプリングするか、
または前記のジアミンのテトラゾニウム塩をホウ
フツ化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離
した後、適当な溶媒例えばN,N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でア
ルカリの存在下にカツプラーとカツプリングする
ことにより容易に製造することができる。 次に、本発明で用いるジスアゾ顔料の代表的な
合成例を下記に示す。 合成例1(前記例示のジスアゾ顔料No.(1)の合成) 500mlビーカーに水80ml、濃塩酸16.6ml(0.19
モル)と2,7−ジアミノベンゾチエノ〔3,2
−b〕ベンゾチオフエン7.83g(0.029モル)を
入れ、氷水浴で冷却しながら撹拌し液温を3℃と
した。次に亜硝酸ソーダ4.2g(0.016モル)を水
7mlに溶かした液を液温で3〜10℃の範囲にコン
トロールしながら10分間で滴下し、滴下終了後同
温度で更に30分撹拌した。反応液にカーボンを加
え過してテトラゾ化液を得た。 次に、2ビーカーに水700mlを入れ苛性ソー
ダ21g(0.53モル)を溶解した後ナフトールAS
(3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸アニリド)
16.2g(0.061モル)を添加して溶解した。 このカプラー溶液を6℃に冷却し液温を6〜10
℃にコントロールしながら前述のテトラゾ化液を
30分かけて撹拌下滴下して、その後室温で2時間
撹拌し更に1晩放置した。反応液を過後、水洗
し粗製顔料を得た。次に、400mlのN,N−ジメ
チルホルムアミドで熱過を5回繰り返した。そ
の後、減圧熱乾燥により青紫色の精製顔料15.2g
を得た。収率は、64%であつた。 元素分析:分子式 C48H30N6O4S2 計算値(%) 実験値(%) C 70.42 70.48 H 3.67 3.75 N 10.27 10.31 合成例2(前記例示のジスアゾ顔料No.(17)の合
成 2,7−ジアミノベンゾチエノ〔3,2−b〕
ベンゾチオフエン6.75g(0.025モル)を水65ml、
濃塩酸13.24ml(0.15モル)に溶解した液に、亜
硝酸ソーダ3.54g(0.051モル)を水10.6mlに溶解
した液を、液温4.5〜7℃に保ちながら5分間で
滴下し、その後同温度で30分撹拌した。 つぎに、3−ヒドロキシ−ナフタレン−2−カ
ルボン酸メチルアミド10.57g(0.0525モル)と
苛性ソーダ16.8g(0.42モル)を水420mlに溶解
した液に液温で4〜10℃に保ちながら上記テトラ
ゾ化液を10分間で滴下し、同温度で2時間撹拌し
た後1晩放置した。 過、水洗、乾燥した後、メチルエチルケトン
を用い2.0時間ソツクスレーにかけて青紫色の乾
短燥料6.0g(収率56%)を得た。 元素分析:分子式 C38H26N6O4S2 計算値(%) 実験値(%) C 65.71 65.78 H 3.75 3.86 N 12.10 12.03 合成例3(前記例示のジスアゾ顔料No.(37)の合
成) 2ビーカーに水700mlを注入し、そこへ苛性
ソーダ21g(0.53モル)を加え溶解した後、3−
ヒドロキシ−ナフタレン−2−カルボン酸−N,
N−ジフエニルヒドラジド21.6g(0.061モル)
を添加して溶解した。 このカプラー溶液を6℃に冷却し、液温を6℃
〜10℃にコントロールしながら、前述の合成例1
と同様の方法によつて作成したテトラゾ化液を30
分かけて撹拌下で滴下し、その後室温で2時間撹
拌し、さらに1晩放置した。反応液を過後、水
洗し粗製顔料を得た。次に、400mlのN,N−ジ
メチルホルムアミドで熱過を5回繰り返した。
その後、減圧熱乾燥により青紫色の精製顔料19.7
gを得た。収率は68%であつた。 元素分析:分子式 C60H40N8O4S2 計算値(%) 実験値(%) C 72.00 71.92 H 4.00 3.89 N 11.20 11.31 以上3種類の顔料の合成法について述べたが、
一般式(1)で示される他のジスアゾ顔料も同様にし
て合成される。 本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発
生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光体
における電荷発生物質に前記一般式(1)に示す有機
光導電体を用いることができる。電荷発生層は、
十分な吸光度を得るために、できる限り多くの前
記有機光導電体を含有し、且つ発生した電荷キヤ
リアの飛程を短かくするために薄膜層、例えば5
ミクロン以下、好ましくは0.01ミクロン〜1ミク
ロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい、
このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸
収されて、多くの電荷キヤリアを生成すること、
さらに発生した電荷キヤリアを再結合や補獲(ト
ラツプ)により失活することなく電荷輸送層に注
入する必要があることに帰因している。 電荷発生層は、前述の有機光導電体を適当なバ
インダーに分散させ、これを基体の上に塗工する
ことによつて形成できる。電荷発生層を塗工によ
つて形成する際に用いうるバインダーとしては広
範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポ
リビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから
選択できる。好ましくは、ポリビニルブラチー
ル、ポリアリレート(ビスフエニルAとフタル酸
の縮重合体など)ポリカーボネート、ポリエステ
ル、フエノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル
酸、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹
脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を
挙げることができる。電荷発生層中に含有する樹
脂は、80重量%以下、好ましくは40重量%以下が
適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。 光導電体は、一般に電荷キヤリアを輸送する機
能を有しているので、電荷輸送層はこの光導電体
によつて形成できる。 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物
質(以下、単に電荷輸送物質という)は、前述の
電荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であることが好ましい。ここで言う「電
磁波」とは、γ線、X線、紫外線、可視光線、近
赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質であり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−ト
リニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,7−
トリニトロ−9−ジシアノメチレンフルオレン、
2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,
4,8−トリニトロチオキサントン等の電子吸収
性物質やこれら電子吸収物質を高分子化したもの
等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチル
カルバゾール、N−イソプロピルカルバゾール、
N−メチル−N−フエニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール、N,N−ジフ
エニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチル
カルバゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−
3−メチリデン−10−エチルフエノチアジン、
N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メチリデン
−10−エチルフエノキサジン、P−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラ
ゾン、P−ジエチルアミノベンゾアルデヒド−N
−α−ナフチル−N−フエニルヒドラゾン、P−
ピロリジノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニ
ルヒドラゾン、1,3,3−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−N,N−ジフエニルヒド
ラゾン、P−ジエチルベンズアルデヒド−3−メ
チルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、2,5−ビス(P−ジエチルアミノ
フエニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1
−フエニル−3−(P−ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリ
ン、1−〔キノリル(2)〕−3−(P−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフエニ
ル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリン、1−〔6−メトキシ
−ピリジル(2)〕−3−(P−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾ
リン、1−〔ピリジン(3)〕−3−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフエニ
ル)ピラゾリン、1−〔レピジル(2)〕−3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−
3−(P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル
−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリ
ン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(α−メチル−P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3−
(P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
1−フエニル−3−(α−ベンジル−P−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフ
エニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピ
ラゾリン類、2−(P−ジエチルアミノスチリル)
−6−ジエチルアミノベンズオキサゾール、2−
(P−ジエチルアミノフエニル)−4−(P−ジメ
チルアミノフエニル)−5−(2−クロロフエニ
ル)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、2
−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフエ
ニル)−フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、1,1−ビス(4−N,N−ジエチル
アミノ−2−メチルフエニル)ヘプタン、1,
1,2,2,−テトラキス(4−N,N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフエニル)エタン等のポリ
アリールアルカン類、トリフエニルアミン、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリ−9−ビニルフエニルアントラセン、ピ
レン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾー
ルホルムアルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
ウムなどの無機材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、1種または2
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレンアクリロ
ニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニトリ
ル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの
絶縁性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることがで
きる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、5ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は8ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク(例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど)、導電性粒子(例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に合浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン.アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナト
ロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層への膜厚は、0.1ミクロン〜5ミクロン
好ましくは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するか、あるいは
トナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写
後、現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものが公知
の方法のいずれを採用しても良く、特定のものに
限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、
帯電後、露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後
表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆
に正光導電性トナーを用いる必要がある。 本発明の別の具体例としては、前述の有機光導
電体を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた
電子写真感光体を挙げることができる。この際、
前述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷
移動錯化合物を用いることができる。 この例の電子写真感光体は、前述の有機光導電
体と電荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶
解されたポリエステル溶液中に分散させた後、被
膜形成させて調製できる。 いずれの感光体においても、用いる顔料は一般
式(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なく
とも1種類の顔料を含有し、必要に応じて光吸収
の異なる顔料を組合せて使用した感光体の感度を
高めたり、パンクロマチツクな感光体を得るなど
の目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料を2種
類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から
選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも
可能である。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利
用するのみならず、レーザープリンターやCRT
プリンター等の電子写真応用分野にも広く用いる
ことができる。 また、本発明の有機光導電体は、前述の電子写
真感光体の他に、太陽電池や光センサーに用いる
こともできる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムによつて前述の有機光導電体を
サンドイツチすることによつて調製できる。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 1 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カ
ゼイン11.2g28%アンモニウム水1g、水222ml)
をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1.0ミクロン
となる様に塗布し、乾燥した。 次に、前記例示のジスアゾ顔料No.(1)の有機光導
電体5gを、エタノール95mlにブチラール樹脂
(ブチラール化度63モル%)2gを溶かした液に
加え、アトライターで2時間分散した。この分散
液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚
が0.5ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、
乾燥して電荷発生層を形成した。 次いで、構造式 のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレ
ート樹脂(数平均分子量100000)5gをベンゼン
70mlに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の
膜厚が12ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。 この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタチツク方式で−5KVでコロナ帯電し、
暗所で10秒間保持した後、照度5luxで露光し帯電
特性を調べた。 帯電特性としては、表面電位(VO)と10秒間
暗減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要
な露光量(E1/2)を測定した。この結果を第1表
に示す。 さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部
電位の変動を測定するために、本実施例で作成し
た感光体を−5.6KVのコロナ帯電器、露光量
15lux・sec露光光学系、現像器、転写帯電器、除
電露光光学系およびクリーナーを備えた電子写真
複写機のシリンダーに貼り付けた。この複写機
は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が
得られる構成になつている。この複写機を用い
て、初期の明部電位(VL)と暗部電位(VD
および5000回使用した後の明部電位(VL)と暗
部電位(VD)を測定した。この結果を第2表に
示す。 第 1表 VO :−560ボルト E1/2 :6.4lux・sec
【表】 実施例 2〜21 実施例1で用いたジスアゾ顔料に代えて、第3
表に示すジスアゾ顔料を用いたほかは、全く実施
例1と同様の方法で電子写真感光体を作成した。 各感光体の帯電特性と耐久特性を実施例1と同
様の方法によつて測定した。これらの結果を第4
表に示す。
【表】
【表】 実施例 22 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2,
4,7−トリニトロ−9−フルオレノン5gとポ
リ−4,4′−ジオキシジフエニル−2,2′−プロ
パンカーボネート(分子量300000)5gをテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗布液を乾
燥後の塗工量が10g/m2となる様に塗布し、乾燥
した。 こうして作成した電子写真感光体を実施例1と
同様の方法で帯電測定を行なつた。この時、帯電
型性はとした。この結果を第5表に示す。 第 5 表 VO :550ボルト E1/2 :15.6lux・sec 初期暗部電位VD :560ボルト 初期明部電位VL :35ボルト 5000回耐久後の暗部電位VD
:540ボルト 5000回耐久後の明部電位VL
:55ボルト 実施例 23 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、実施例1で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に、
乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。 次いで、構造式 のピラゾリン化合物5gとポリアクリート樹脂
(ビスフエノールAとテレフタル酸−イソフタル
酸の縮重合体)5gをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10
ミクロンとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層
を形成した。 こうして調製した感光体の帯電特性および耐久
特性を実施例1と同様の方法によつて測定した。
この結果を第6表に示す。 第 6 表 VO :−580ボルト E1/2 :5.1lux・sec 初期暗部電位VD :−600ボルト 初期明部電位VL :−35ボルト 5000回耐久後の暗部電位VD
:−570ボルト 5000回耐久後の明部電位VL
:−45ボルト 実施例 24 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚1.1ミ
クロンの下引層を形成した。 次に、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレ
ノン5gとポリ−N−ビニルカルバゾール(数平
均分子量300000)5gをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前記例示のジスアゾ顔料No.(1)の
光導電体1gを、ポリエステル樹脂(バイロン:
東洋紡製)5gをテトラヒドロフラン70mlに溶か
した液に加え、分散した。この分散液を下引層の
上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる様に塗布
し、乾燥した。 こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性
を実施例1と同様の方法によつて測定した。この
結果を第7表に示す。但し、帯電極性はとし
た。 第 7 表 VO :550ボルト E1/2 :12.8lux・sec 初期暗部電位VD :590ボルト 初期明部電位VL :35ボルト 5000回耐久後の暗部電位VD
:550ボルト 5000回耐久後の明部電位VL
:55ボルト

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記一般式(1)で示す有機光導電体。 一般式(1) (式中、Cpはカプラー残基を示す。)
JP2837582A 1982-02-24 1982-02-24 有機光導電体 Granted JPS58145950A (ja)

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