JPH0454232B2 - - Google Patents

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JPH0454232B2
JPH0454232B2 JP63123844A JP12384488A JPH0454232B2 JP H0454232 B2 JPH0454232 B2 JP H0454232B2 JP 63123844 A JP63123844 A JP 63123844A JP 12384488 A JP12384488 A JP 12384488A JP H0454232 B2 JPH0454232 B2 JP H0454232B2
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JP
Japan
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electrophotographic photoreceptor
charge
charge transport
formula
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Hideyuki Takai
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Canon Inc
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は電子写真感光䜓に関し、特に特定の構
造のカプラヌ成分を有するアゟ顔料を含有する電
子写真感光䜓に関する。 埓来の技術 埓来、無機光導電性物質を甚いた電子写真感光
䜓ずしおは、セレン、硫化カドミりム、酞化亜
鉛、などを甚いたものが広く知られおいる。 䞀方、有機光導電性物質を甚いた電子写真感光
䜓ずしおは、ポリ−−ビニルカルバゟヌルに代
衚される光導電性ポリマヌや−ビス−
ゞ゚チルアミノプニル−−オキサ
ゞアゟヌルの劂き䜎分子の有機光導電性物質を甚
いたもの、さらには、かかる有機光導電性物質ず
各皮染料や顔料を組み合せたものなどが知られお
いる。 有機光導電性物質を甚いた電子写真感光䜓は成
膜性が良く、塗工により生産できるこず、極めお
生産性が高く、安䟡な感光䜓を提䟛できる利点を
有しおいる。たた、䜿甚する染料や顔料などの増
感剀の遞択により、感色性を自圚にコントロヌル
できるなどの利点を有し、これたで幅広い怜蚎が
なされおきた。特に最近では、有機光導電性顔料
を電荷発生局ずし、前述の光導電性ポリマヌや䜎
分子の有機導電性物質などからなる電荷茞送局を
積局した機胜分離型感光䜓の開発により、埓来の
有機電子写真感光䜓の欠点ずされおいた感床や耐
久性に著しい改善がなされおきた。 この皮の感光䜓に甚いられる顔料は数倚く提案
されおいるが、特にアゟ顔料ずはアミン成分ずカ
プラヌ成分の組み合せかたにより容易に様々な性
質を有する顔料を合成できるため、幅広い怜蚎が
なされおいるが、感床や繰り返し䜿甚時の電䜍安
定性の点に問題があり、実甚されおいるのはごく
僅かな材料のみである。 こうしたアゟ顔料に䜿甚されるカプラヌ成分ず
しおは特開昭47−37543号公報などに蚘茉される
ナフトヌルAS系カプラヌ、特開昭58−122967号
公報などに蚘茉されるベンズカルバゟヌル系カプ
ラヌ、特開昭−79632号公報に蚘茉のナフタル
むミド系カプラヌ、特開昭57−176055号公報に蚘
茉のペリノン系カプラヌなどが既に公知である。 本発明者は䞊蚘の課題を解決すべく新芏なカプ
ラヌ成分の怜蚎を重ねた結果、ヒドロキシベンズ
アンスロン系化合物をカプラヌ成分ずしお含むア
ゟ顔料を甚いた電子写真感光䜓が、優れた感床ず
繰り返し䜿甚時の電䜍安定性を有するこずを芋い
出した。 発明が解決しようずする課題 本発明の目的は、新芏な電子写真感光䜓を提䟛
するこず、実甚的な高感床特性ず繰り返し䜿甚に
おける安定な電䜍特性を有する電子写真感光䜓を
提䟛するこずである。 課題を解決する手段、䜜甚 本発明は、導電性支持䜓䞊に䞋蚘䞀般匏(1)で瀺
すアゟ顔料を含有する光導電局を有する電子写真
感光䜓においお、䞀般匏(1)䞭のCpの少なくずも
぀が䞀般匏(2)で瀺すカプラヌ残基であるこずを
特城ずする電子写真感光䜓から構成される。 Ar−−Cpo (1) 匏䞭、Arは結合基を介しお結合しおいおもよ
い眮換もしくは非眮換の芳銙族炭化氎玠基たたは
芳銙族耇玠環基を瀺し、Cpはプノヌル性氎酞
基を有するカプラヌ残基を瀺し、は
たたはの敎数を瀺す。 匏䞭、R1およびR2は氎玠原子、アルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロメチル基、シ
アノ基たたはニトロ基を瀺す。 具䜓的には、Arずしおはベンれン、ナフタレ
ン、フルオレン、プナンスレン、アントラセ
ン、ピレンなどの芳銙族炭化氎玠基、フラン、チ
オプン、ピリゞン、むンドヌル、ベンゟチアゟ
ヌル、カルバゟヌル、アクリドン、ゞベンゟチオ
プン、ベンゟオキサゟヌル、ベンゟチアゟヌ
ル、カルバゟヌル、アクリドン、ゞベンゟチオフ
゚ン、ベンゟオキサゟヌル、ベンゟトリアゟヌ
ル、オキサゞアゟヌル、チアゟヌルなどの芳銙族
耇玠環基、さらに䞊蚘芳銙環を盎接あるいは芳銙
族性基たたは非芳銙族性基で結合したもの、䟋え
ばトリプニルアミン、ゞプニルアミン、−
メチルゞプニルアミン、ビプニル、タヌプ
ニル、ビナフチル、フルオレノン、プナンスレ
ンキノン、アンスラキノン、ベンズアントロン、
ゞプニルオキサゞアゟヌル、プニルベンゟオ
キサゟヌル、ゞプニルメタン、ゞプニルスル
ホン、ゞプニル゚ヌテル、ベンゟプノン、ス
チルベン、ゞスチルベンれン、テトラプニル−
−プニレンゞアミン、テトラプニルベンゞ
ゞンなどが挙げられる。 䞊蚘結合基を介しお結合しおよい芳銙族炭化氎
玠基たたは芳銙族耇玠環基の有しおもよい眮換基
ずしおは、メチル、゚チル、プロピル、ブチルな
どのアルキル基、メトキシ、゚トキシなどのアル
コキシ基、ゞメチルアミノ、ゞ゚チルアミノなど
のゞアルキルアミノ基、フツ玠原子、塩玠原子、
臭玠原子などハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、ハロメチル基が挙げられる。 䞀般匏(2)䞭のR1およびR2ずしお具䜓的には、
メチル、゚チル、プロピルなどのアルキル基、メ
トキシ、゚トキシなどのアルコキシ基、フツ玠原
子、塩玠原子、臭玠原子などのハロゲン原子、ト
リフルオロメチルなどのハロメチル基などが挙げ
られる。 䞊蚘䞀般匏(1)におけるCpにおいお、䞀般匏(2)
で瀺すカプラヌ残基以倖の共存しおもよいカプラ
ヌ残基の䟋ずしおは、䞋蚘の䞀般匏(4)〜(8)で瀺す
構造を有するカプラヌ残基が挙げられる。 䞊蚘䞀般匏(4)、(5)、(6)䞭のずしおはベンれン
環ず瞮合しお眮換基を有しおもよいナフタレン
環、アントラセン環、カルバゟヌル環、ベンズカ
ルバゟヌル環、ゞベンゟフラン環などを圢成する
に必芁な残基を瀺す。 R3、R4は氎玠原子、眮換基を有しおもよいア
ルキル基、アリヌル基、アラルキル基、耇玠環基
あるいはR3、R4の結合する窒玠原子を含む環状
アミノ基を瀺し、R5は氎玠原子、眮換基を有し
おもよいアルキル基、アリヌル基、アラルキル
基、耇玠環基を瀺す。 R6は眮換基を有しおもよいアルキル基、アリ
ヌル基、アラルキル基、耇玠環基を瀺す。 は酞玠原子たたは硫黄原子を瀺し、はた
たはを瀺す。 は䟡の芳銙族炭化氎玠基たたは窒玠原子を
環内に含む䟡の耇玠環基を瀺す。 具䜓的には−プニレン、−ナフチレン、
ペリナフチレン、−アンスリレン、
−ピラゟヌルゞむル、−ピリゞンゞむル、
−ピリゞンゞむル、−むンダゟヌル
ゞむル、−キノリンゞむルなどの基が挙げ
られる。 䞊蚘衚珟のアルキル基ずしおは、メチル、゚チ
ル、プロピル、ブチルなどの基が挙げられ、アラ
ルキル基ずしおはベンゞル、プネチル、ナフチ
ルメチルなどの基が挙げられ、耇玠環基ずしおは
ピリゞル、チ゚ニル、フリル、チアゟリル、カル
バゟリル、ゞベンゟフリル、ベンゟむミダゟリ
ル、ベンゟチアゟリルなどの基が挙げられ、窒玠
原子を環内に含む環状アミノ基ずしおはピロヌ
ル、ピロリン、ピロリゞン、ピロリドン、むンド
ヌル、むンドリン、む゜むンドヌル、カルバゟヌ
ル、ベンゟむンドヌル、むミダゟヌル、ピラゟヌ
ル、ピラゟリン、オキサゞン、プノキサゞン、
ベンゟカルバゟヌルなどから誘導される環状アミ
ノ基が挙げられる。 たた眮換基ずしおは、メチル、゚チル、プロピ
ルなどのアルキル基、メトキシ、゚トキシなどの
アルキル基、ゞ゚チルアミノ、ゞメチルアミノな
どの眮換アミノ基、フッ玠原子、塩玠原子、臭玠
原子などのハロゲン原子、プニルカルバモむル
基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチルな
どのハロメチル基などが挙げられる。 以䞋に本発明においお䜿甚するアゟ顔料の代衚
䟋を列挙する。 䟋瀺顔料− −−A′ 本発明における䞊蚘特定のアゟ顔料は、盞圓す
るアミンを垞法によりゞアゟ化し、アルカリの存
圚䞋前蚘䞀般匏(2)で瀺すカプラヌず氎系でカツプ
リングするか、ゞアゟニりム塩をホりフツ化塩や
塩化亜鉛耇塩などに倉換した埌、−ゞメチ
ルホルムアミド、ゞメチルスルホキシドなどの有
機溶剀䞭で、酢酞゜ヌダ、トリ゚チルアミン、ト
リ゚タノヌルアミンなどの塩基の存圚䞋、カプラ
ヌずカツプリングするこずによ぀お容易に合成で
きる。 たた、分子内に䞀般匏(2)で瀺すカプラヌ以倖の
カプラヌが共存するゞスアゟ顔料を合成する堎合
は、盞圓するゞアミンを垞法によりテトラゟ化
し、前述の可溶性の塩ずしお単離した埌、䞀般匏
(2)で瀺すカプラヌモルをカツプリングさせ、次
いで別皮カプラヌモルをカツプリングさせお合
成するか、ゞアミンの䞀方のアミン基をアセチル
基などで保護しおおき、これをゞアゟ化し䞀般匏
(2)で瀺すカプラヌをカツプリングさせた埌、保護
基を塩酞などで加氎分解し、これを再びゞアゟ化
し、別皮カプラヌずカツプリングしお合成するこ
ずができる。 分子内に䞀般匏(2)で瀺すカプラヌ以倖のカプラ
ヌが共存するトリスアゟ顔料やテトラキスアゟ顔
料も同様に合成される。 合成䟋䟋瀺顔料−11の合成 300mlビヌカヌに氎150ml、濃塩酞20ml0.23モ
ルず−ビス−アミノプニル−
−オキサゞアゟヌル8.0g0.032モルを入
れ、℃たで冷华し、この䞭に亜硝酞゜ヌダ4.6g
0.067モルを氎10mlに溶かした液を液枩℃以
䞋に制埡しながら、10分間で滎䞋した。 15分攪拌した埌、カヌボン濟過し、テトラゟ化
液を埗た。この液䞭にホりフツ化゜ヌダ10.5g
0.096モルを氎90mlに溶かした液を攪拌しなが
ら滎䞋し、析出したホりフツ化塩を濟取し、冷氎
で掗浄した埌アセトニトリルで掗浄し、宀枩で枛
圧也燥した。 収量11.8g、収率82.05 次にビヌカヌにDMF500mlを入れ、−オ
キシベンズアンスロン10.3g0.042モルを溶解
し、液枩を℃たで冷华した埌、先に埗たホりフ
ツ化塩9.0g0.020モルを溶解し、次いでト゚む
゚チルアミン5.1g0.050モルを分間で滎䞋し
た。 滎䞋埌、時間攪拌した埌、顔料を濟取し、
DMFで回掗浄し、次いで氎掗し、凍結也燥し
た。収量12.9g 収率85.0、融点300℃以䞊分
解 元玠分析 蚈算倀(%) 実枬倀(%)  75.78 75.90  2.66 2.81  11.05 10.98 前述のアゟ顔料を有する被膜は、光導電性を瀺
し、埓぀お䞋述する電子写真感光䜓の感光局に甚
いるこずができる。即ち、本発明の具䜓䟋では、
導電性支持䜓の䞊に前蚘アゟ顔料を適圓なバむン
ダヌ䞭に分散含有させお被膜圢成するこずにより
電子写真感光䜓を䜜成するこずができる。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生物質ずしお、
前述の特定のアゟ顔料を含有する光導電性被膜を
適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの電荷発生物質を含有し、か぀、発
生した電荷キダリアが電荷茞送局ず界面ないしは
導電性支持䜓ずの界面たで効率的に茞送されるた
めに溥膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜たしくは0.01〜1ÎŒ
の膜厚をも぀溥膜局ずするこずが望たしい。この
こずは、入射光量の倧郚分が電荷発生局で吞収さ
れお、倚くの電荷キダリアを生成するこず、さら
に発生した電荷キダリアを再結合や捕獲トラツ
プにより倱掻するこずなく電荷茞送局に泚入す
る必芁があるこずに起因しおいる。 電荷発生局を塗工によ぀お圢成する際に甚いう
るバむンダヌずしおは広範な絶瞁性暹脂から遞択
でき、たたポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリ
ビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有
機光導電性ポリマヌから遞択できる。奜たしくは
ポリビニルブチラヌル、ポリビニルベンザヌル、
ポリアリレヌトビスプノヌルずフタル酞の
瞮重合䜓など、ポリカヌボネヌト、ポリ゚ステ
ル、プノキシ暹脂、ポリ酢酞ビニル、アクリル
暹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビ
ニルピリゞン、セルロヌス系暹脂、りレタン暹
脂、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ポリビニ
ルピロリドンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずがで
きる。電荷発生局䞭に含有する暹脂は80重量以
䞋、奜たしくは40重量以䞋が適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述する電荷茞送局や䞋匕局
を溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。 具䜓的な有機溶剀ずしおはメタノヌル、゚タノ
ヌル、む゜プロピルアルコヌルなどのアルコヌル
類、アセトン、メチル゚チルケトン、シクロヘキ
サノンなどのケトン類、−ゞメチルホルム
アミド、−ゞメチルアセトアミドなどのア
ミド類、ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類、テトラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレ
ングリコヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル
類、酢酞メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、
クロロホルム、塩化メチレン、ゞクロル゚チレ
ン、四塩化炭玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化氎玠類あるいはベンれン、トル
゚ン、キシレン、リグロむン、モノクロルベンれ
ン、ゞクロルベンれンなどの芳銙族類などを甚い
るこずができる。 塗工は浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテむ
ング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコヌ
テむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブレ
ヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング法、
カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング法を
甚いお行なうこずができる。 也燥は、宀枩における指觊也燥埌、加熱也燥す
る方法が奜たしい。加熱也燥は30〜200℃の枩床
で分〜時間の範囲で静止たたは送颚䞋で行な
うこずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。 この際電荷茞送局は電荷発生局の䞊に積局され
おいおもよく、たた䞋に積局されおいおもよい。 電荷茞送局が電荷発生局の䞊に圢成される堎
合、電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する
物質以䞋、電荷茞送物質ずいうは、前述の電
荷発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に非
感応性であるこずが奜たしい。 ここでいう電磁波ずは、γ線、線、玫倖線、
可芖光線、近赀倖線、赀倖線、遠赀倖線などを包
含する広矩の光線の定矩を包含する。 電荷茞送局の光感応性波長域が電荷発生局のそ
れず䞀臎たたはオヌバヌラツプする時には、䞡者
で発生した電荷キダリアが盞互に捕獲し合い、結
果的には感床の䜎䞋の原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおはクロル
アニル、テトラシアノ゚チレン、テトラシアノキ
ノゞメタン、−テトラニトロ−
−フルオレノン、−テトラニトロ
キサントン、−トリニトロチオキサン
トンなどの電子吞匕性物質やこれら電子吞匕性物
質を高分子化したものなどがある。 正孔茞送性物質ずしおはピレン、−゚チルカ
ルバゟヌル、−メチル−−プニルヒドラゞ
ノ−−メチリデン−−゚チルカルバゟヌル、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン
−10−゚チルプノチアゞン、−ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メチ
ルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟンなどのヒ
ドラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミノ
プニル−−オキサゞアゟヌル、
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−ピリゞル(2)−−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−ピリゞル(3)−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−ピリゞル(2)−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−プニル−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−メチル−−−ゞ゚チルアミノ
プニルピラゟリン、スピロピラゟリンなどの
ピラゟリン類、α−プニル−−−ゞフ
゚ニルアミノスチルベン、−゚チル−−α
−プニルスチリルカルバゟヌル、−ゞベン
ゞルアミノベンゞリデン−9H−フルオレノン、
−−ゞトリルアミノベンゞリデン−5H−ゞ
ベンゟシクロヘプテンなどのスチリル
系化合物、−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ルオキサゟヌルなどのオキサゟヌル系化合物、
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チ
ルアミノベンゟチアゟヌルなどのチアゟヌル系化
合物、ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルフ
゚ニル−プニルメタンなどのトリアリヌルメ
タン系化合物、−ビス−−ゞ゚
チルアミノ−−メチルプニルヘプタン、
テトラキス−−ゞメチ
ルアミノ−−メチルプニル゚タンなどのポ
リアリヌルアルカン類、トリプニルアミン、ポ
リ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリ
ゞン、ポリヌ−ビニルアントラセン、ピレン−
ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホル
ムアルデヒド暹脂など挙げられる。これらの有機
電荷茞送物質の他にセレン、セレンヌテルル、ア
モルフアスシリコン、硫化カドミりムなどの無機
材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質が成膜性を有しおいないずきには
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌトポリスチレン、アクリロ
ニトリルヌスチレンコポリマヌ、アクリロニトリ
ルヌブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラヌ
ル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなどの
絶瞁性暹脂あるいはポリ−−ビニルカルバゟヌ
ル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマヌなどが挙げられる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には〜30Όであるが、奜たしい
範囲は〜20Όである。塗工によ぀お電荷茞送局
を圢成する際には、前述したような適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 このような電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造
からなる感光局は、導電性支持䜓の䞊に蚭けられ
る。導電性支持䜓ずしおは、支持䜓自䜓が導電性
を有する、䟋えばアルミニりム、アルミニりム合
金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞりム、モリブ
デン、クロム、チタン、ニツケル、むンゞりム、
金や癜金などを甚いるこずができ、その他には、
アルミニりム、アルミニりム合金、酞化むンゞり
ム、酞化錫、酞化むンゞりム䞀酞化錫合金などを
真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有するプ
ラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフタレヌ
ト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンなどを
甚いるこずができ、導電性粒子䟋えばカヌボン
ブラツク、銀粒子などを適圓なバむンダヌずず
もにプラスチツクの䞊に被芆した支持䜓、導電性
粒子をプラスチツクや玙に含浞した支持䜓や導電
性ポリマヌを有するプラスチツクなどを甚いるこ
ずができる。 導電性支持䜓ず感光局の䞭間にバリダヌ機胜ず
接着機胜を有する䞋匕局を蚭けるこずもできる。 䞋匕局はカれむン、ポリビニルアルコヌル、ニ
トロセルロヌス、゚チレンヌアクリル酞コポリマ
ヌ、ポリアミドナむロン、ナむロン66、ナむ
ロン610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化
ナむロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化
アルミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1〜5Ό、奜たしくは0.5〜3ÎŒ
が適圓である。 導電性支持䜓、電荷発生局、電荷茞送局の順に
積局した電子写真感光䜓を䜿甚する堎合においお
電荷茞送物質が電子茞送性物質からなるずきは、
電荷茞送局衚面を正に垯電する必芁があり、垯電
埌露光するず露光郚では電荷発生局においお生成
した電子が、電荷茞送局に泚入され、そのあず衚
面に達しお正電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生
じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じる。 このようにしおできた静電朜像を負荷電性のト
ナヌで珟像すれば可芖像が埗られる。これを盎接
定着するか、あるいはトナヌ像を玙やプラスチツ
クフむルムなどに転写埌、珟像し、定着するこず
ができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおもよく、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送性物質からなる
堎合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があ
り、垯電埌露光するず露光郚では電荷発生局にお
いお生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その
埌衚面に達しお負電荷を䞭和し衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。 珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは逆
に正荷電性トナヌを甚いる必芁がある。 導電性支持䜓、電荷茞送局、電荷発生局の順に
積局した電子写真感光䜓を䜿甚する堎合においお
電荷茞送物質が電子茞送物質からなるずきは、電
荷発生局衚面を負に垯電する必芁があり、垯電埌
露光するず露光郚では電荷発生局においお生成し
た電子は電荷茞送局に泚入され、そのあず基板に
達する。䞀方、電荷発生局においお生成した正孔
は衚面に到達し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚
ずの間に静電コントラストが生じる。このように
しおできた静電朜像を正荷電性のトナヌで珟像す
れば可芖像が埗られる。これを盎接定着するか、
あるいはトナヌ像を玙やプラスチツクフむルムな
どに転写埌、珟像し、定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおもよく、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷発生局が正孔茞送性物質からなるず
きは、電荷発生局衚面を正に垯電する必芁があ
り、垯電埌露光するず露光郚では電荷発生局にお
いお生成した正孔は電荷茞送局に泚入され、その
埌基板に達する。䞀方、電荷発生局においお生成
した電子は衚面に到達し、衚面電䜍の枛衰が生じ
未露光郚ずの間に静電コントラストが生じる。珟
像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは逆に負
荷電性トナヌを甚いる必芁がある。 さらに本発明の電子写真感光䜓ずしお、前述の
アゟ顔料を電荷茞送物質ずずもに同䞀局に含有さ
せた電子写真感光䜓を挙げるこずができる。 この際、前蚘電荷茞送物質の他にポリ−−ビ
ニルカルバゟヌルずトリニトロフルオレノンから
なる電荷移動錯化合物を甚いるこずができる。 この䟋の電子写真感光䜓は前述のアゟ顔料ず電
荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解され
たポリ゚ステル溶液䞭に分散させた埌、被膜圢成
させお䜜成できる。 いずれの電子写真感光䜓においおも甚いる顔料
は䞀般匏(1)および(2)で瀺すアゟ顔料から遞ばれる
少なくずも皮類の顔料を含有し、その結晶圢は
非晶質、結晶質のいずれでもよい。 たた、必芁に応じお、光吞収の異なる顔料を組
合せお䜿甚し感光䜓の感床を高めたり、パンクロ
マチツクな感光䜓を埗るなどの目的で、前蚘䞀般
匏(1)および(2)で瀺すアゟ顔料を皮類以䞊組合せ
たり、あるいは公知の染料、顔料から遞ばれた電
荷発生物質ず組合せお䜿甚するこずも可胜であ
る。 本発明の電子写真感光䜓は、電子写真耇写機に
利甚するのみならず、レヌザヌビヌムプリンタ
ヌ、CRTプリンタヌ、LEDプリンタヌ、液晶プ
リンタヌ、レヌザヌ補版などの電子写真応甚分野
にも広く䜿甚するこずができる。 実斜䟋 実斜䟋 〜12 アルミ基板䞊にメトキシメチル化ナむロン平
均分子量䞇千5g、アルコヌル可溶性共重
合ナむロン平均分子量䞇千10gをメタノ
ヌル95gに溶解した液をマむダヌバヌで塗垃し、
也燥埌の膜厚が1Όの䞋匕局を蚭けた。 次に前蚘䟋瀺顔料−を5gをシクロヘ
キサノン95mlにブチラヌル暹脂ブチラヌル化床
63モル2gを溶かした液に加え、サンドミル
で20時間分散した。この分散液を先に圢成した䞋
匕局の䞊に也燥埌の膜厚が0.2Όずなるようにマむ
ダヌバヌで塗垃し也燥しお電荷発生局を圢成し
た。 次に、構造匏 のヒドラゟン化合物5gずポリメチルメタクリレ
ヌト数平均分子量10䞇5gをトル゚ン40mlに
溶解し、この液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚
が20Όずなるようにマむダヌバヌで塗垃し也燥し
お電荷茞送局を圢成し、実斜䟋の電子写真感光
䜓を䜜成した。 アゟ顔料を䟋瀺顔料−に代えお䞋蚘の
䟋瀺顔料を甚い、他の条件は実斜䟋ず同様にし
お、実斜䟋〜12に察応する電子写真感光䜓を䜜
成した。 このようにしお䜜成した電子写真感光䜓を静電
耇写玙詊隓装眮川口電気(æ ª)補Model SP−428
を甚いおスタテむツク方匏で−5KVでコロナ垯
電し、暗所で秒間保持した埌、照床10ルツクス
で露光し、垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは衚面電䜍Voず秒間暗
枛衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するに必芁な露
光量1/2を枬定した。結果を瀺す。
【衚】
【衚】 比范䟋  実斜䟋に甚いたアゟ顔料を䞋蚘構造匏のアゟ
顔料に代えた他は実斜䟋ず党く同様の方法によ
り感光䜓を䜜成し、同様に垯電特性を評䟡した。 結果を瀺す。 比范䟋  Vo−590V 1/23.9uxsec 比范䟋  Vo−575V 1/24.4uxsec 䞊蚘の結果から明らかなように、本発明で特定
するアゟ顔料を甚いた電子写真感光䜓はいずれも
十分な垯電性ず優れた感床を有するこずが分る。 実斜䟋 13〜17 実斜䟋1119で䜜成した電子写真
感光䜓を甚いお、繰り返し䜿甚時の明郚電䜍ず暗
郚電䜍の倉動を枬定した。 枬定方法は、−5.6KVのコロナ垯電噚、露光光
孊系、珟像噚、転写垯電噚、陀電露光光孊系およ
びクリヌナヌを備えた電子写真耇写機のシリンダ
ヌに感光䜓を貌り付けた。この耇写機はシリンダ
ヌの駆動に䌎ない、転写玙䞊に画像が埗られる構
成にな぀おいる。 この耇写機を甚い初期の暗郚電䜍VDず明
郚電䜍VLをそれぞれ−700V、−200Vに蚭定
し、5000回䜿甚した際の暗郚電䜍の倉動量△
VDおよび明郚電䜍の倉動量△VLを枬定し
た。結果を瀺す。 なお、電䜍の倉動量における負蚘号は電䜍の䜎
䞋を衚わし、正蚘号は電䜍の増加を衚わす。
【衚】 比范䟋  比范䟋で䜜成した電子写真感光䜓を実斜
䟋13ず同様の方法で繰り返し䜿甚時の電䜍倉動を
枬定した。結果を瀺す。
【衚】 䞊蚘の結果から、本発明の電子写真感光䜓は、
繰り返し䜿甚時における電䜍倉動の少ないこずが
分る。 実斜䟋 18 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚0.5Όのポリビニルアルコヌ
ルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋で甚いたゞスアゟ顔料の分散液
を先に圢成したポリビニルアルコヌル局の䞊に也
燥埌の膜厚が0.2Όずなるようにマむダヌバヌで塗
垃し也燥しお電荷発生局を圢成した。 次いで、 のスチリル化合物5gずポリアリレヌトビスフ
゚ノヌルずテレフタル酞−む゜フタル酞の瞮合
重合䜓5gをテトラヒドロフラン40mlに溶かし
た液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が20Όずな
るように塗垃し、也燥しお電荷茞送局を圢成し
た。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓の垯電特性お
よび耐久特性を実斜䟋および実斜䟋13ず同様の
方法で枬定した。結果を瀺す。 Vo−700V、 1/21.0uxsec △VD5V △VL5V 実斜䟋 19 実斜䟋で䜜成した電子写真感光䜓の電荷発生
局ず電荷茞送局を逆の順番で塗垃した電子写真感
光䜓を䜜成し、実斜䟋ず同じ方法で垯電特性を
評䟡した。ただし垯電極性はずした。 Vo685V、 1/21.5uxsec 実斜䟋 20 実斜䟋で圢成した電荷発生局の䞊に、
−トリニトロ−−フルオレノン5gず、
ポリ−4'−ゞオキシゞプニル−−プ
ロパンカヌボネヌト分子量30䞇5gをクロロ
ベンれン70mlに溶解した液を也燥埌の膜厚が15ÎŒ
ずなるように塗垃し、也燥した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同じ方法で垯電特性を評䟡した。ただし垯電は
ずした。 Vo640V、 1/23.8uxsec 実斜䟋 21 トリニトロ−−フルオレノン5g
ずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平均分子量
30䞇5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かしお
電荷移動錯化合物を調補した。 この電荷移動錯化合物ず䟋瀺顔料−の
1gをポリ゚ステル商品名バむロン、東掋玡瞟
(æ ª)補5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした
液に加え分散した。この分散液を実斜䟋で圢成
した䞋匕局の䞊に塗垃し也燥しお膜厚16Όの感光
局を圢成した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同じ方法で垯電特性を評䟡した。ただし垯電は
ずした。 Vo680V、 1/24.1uxsec 発明の効果 本発明の電子写真感光䜓は、特定のアゟ顔料を
感光局に甚いたこずにより、圓該アゟ顔料を含む
感光局内郚におけるキダリア発生効率ないしはキ
ダリア茞送効率のいずれか䞀方たたは双方が改善
され、感床および耐久䜿甚時における電䜍安定性
に優れ電子写真感光䜓である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に䞋蚘䞀般匏(1)で瀺すアゟ顔
    料を含有する光導電局を有する電子写真感光䜓に
    おいお、䞀般匏(1)䞭のCpの少なくずも぀が䞀
    般匏(2)で瀺すカプラヌ残基であるこずを特城ずす
    る電子写真感光䜓。 Ar−−Cpo (1) 匏䞭、Arは結合基を介しお結合しおいおもよ
    い眮換もしくは非眮換の芳銙族炭化氎玠基たたは
    芳銙族耇玠環基を瀺し、Cpはプノヌル性氎酞
    基を有するカプラヌ残基を瀺し、は
    たたはの敎数を瀺す。 匏䞭、R1およびR2は氎玠原子、アルキル基、
    アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロメチル基、シ
    アノ基たたはニトロ基を瀺す。  導電性支持䜓䞊に䞀般匏(1)ず(2)によ぀お瀺す
    アゟ顔料を含有する電荷発生局䞊びに電荷茞送局
    の少なくずも局を蚭けた請求項蚘茉の電子写
    真感光䜓。  導電性支持䜓䞊に䞋蚘䞀般匏(3)で瀺すアゟ顔
    料を含有する光導電局を有するこずを特城ずする
    電子写真感光䜓。 匏䞭、Arは結合基を介しお結合しおいおもよ
    い眮換もしくは非眮換の芳銙族炭化氎玠基たたは
    芳銙族耇玠環基を瀺し、R1およびR2は氎玠原子、
    アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロ
    メチル基、シアノ基たたはニトロ基を瀺し、は
    たたはの敎数を瀺す。  導電性支持䜓䞊に䞀般匏(3)で瀺すアゟ顔料を
    含有する電荷発生局䞊びに電荷茞送局の少なくず
    も局を蚭けた請求項蚘茉の電子写真感光䜓。
JP63123844A 1988-05-23 1988-05-23 電子写真感光䜓 Granted JPH01293353A (ja)

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DE8901770U1 (ja) * 1989-02-15 1990-07-26 Schaltbau Gmbh, 8000 Muenchen, De
DE69416278T2 (de) * 1993-11-22 1999-07-15 Canon Kk Elektrophotographisches Element, Prozesskassette und elektrophotographisches GerÀt
DE69419487T2 (de) * 1993-11-29 2000-03-30 Canon Kk Elektrophotographisches lichtempfindliches Element, ein das Element umfassendes elektrophotographisches GerÀt, und eine Baueinheit eines elektrophotographischen GerÀtes
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US4612271A (en) * 1984-12-21 1986-09-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive composition comprising azo compounds

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