JPS61219048A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS61219048A
JPS61219048A JP5852285A JP5852285A JPS61219048A JP S61219048 A JPS61219048 A JP S61219048A JP 5852285 A JP5852285 A JP 5852285A JP 5852285 A JP5852285 A JP 5852285A JP S61219048 A JPS61219048 A JP S61219048A
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石川 昌三
Masakazu Matsumoto
正和 松本
Hajime Miyazaki
宮崎 元
Takao Takiguchi
隆雄 滝口
Masataka Yamashita
眞孝 山下
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真感光体に関し、特に特定のジスアゾ
顔料を電荷発生物質として感光層に含有した電子写真感
光体に関するものである。
〔従来の技術〕
これまで、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無
機光導電体を感光成分として利用した電子写真感光体は
、公知である。
一方、特定の有機化合物が光導電性を示すことが発見さ
れてから、数多くの有機光導電体が開発されて来た。例
えば、ポIJ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセンなどの有機光導電性ポリマー、カルバゾール
、アントラセン、ピラプリン類、オキサジアゾール類、
ヒドラゾン類1.4 Uアリールアルカン類などの低分
子の有機光導電体やフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シ
アニン染料、多環キノン顔料、イリレン系顔料、インジ
ゴ染料、チオインジゴ染料あるいはスクエアリック酸メ
チン染料などの有機顔料や染料が知られている。特に光
導電性を有する有機顔料や染料は、無機材料に較べて合
成が容易で、しかも適当な波長域に光導電性を示す化合
物を選択できるバリエーションが拡大されたことなどか
ら、数多くの光導電性有機顔料や染料が提案されている
。例えば、米国特許第4123270号、同第4247
614号、同第4251613号、同第4251614
号、同第4256821号、同第4260672号、同
第4268596号、同第4278747号、同第42
93628号などに開示された様に電荷発生層と電荷輸
送層に機能分離した感光層における電荷発生物質として
光導電性を示すジスアゾ顔料を用いた電子写真感光体な
どが知られている。
この様な有機光導電体を用いた電子写真感光体は、バイ
ンダーを適当に選択することによって塗工で生産できる
ため、極めて生産性が高く、安価な感光体を提供でき、
しかも有機顔料の選択によって感光波長域を自在にコン
トロールできる利点を有している反面この感光体は感度
や光メモリー特性に難があるため、これまでに実用に至
ったものは、ごくわずかである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、新規な電子写真感光体を提供すること
Kある。
本発明のもう1つの別の目的は、実用的な高感度特性と
光メモリーの少い電子写真感光体全提供することにある
本発明は、かかる目的を導電性支持体上に感光層を有す
る電子写真感光体において、特定のジスアゾ顔料を電荷
発生物質として感光層中に含有させることにより達成し
ようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、本発明は感光層に下記一般式(1)で示されるジ
アゾ顔料を電荷発生物質として含有することを特徴とす
る電子写真感光体である。
一般式 (但し、式中人はフェノール性0Hfiを有するカプラ
ー残基を示し、R,、R2,R3は水素、アルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン、シアノ基よシ2選択され且っ
R4r R2s Rsの内少なくとも1つが水素以外の
基を示す。) 以下本発明の詳細な説明す。
本発明にかかる電子写真感光体の具体例としては、上記
一般式(1)で示されるジスアゾ顔料を電荷輸送物質と
ともに同一層に含有させた電子写真感光体を挙げること
ができる。
本発明にかかる電子写真感光体の好ましい具体例として
は、感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電
子写真感光体における電荷発生物質に前記一般式(1)
に示すジスアゾ顔料を用−ることかできる。この場合電
荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限シ多
くの前記有機光導電体を含有し、且つ発生した電荷キャ
リアの飛程を短かくするために、薄膜層、例えば5ミク
ロン以下、好ましくは0.01ミクロン〜1ミクロンの
膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。このことは、
入射光量の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電
荷キャリアを生成すること、さらに発生した電荷キャリ
アを再結合や捕獲(トラップ)罠よシ失活することなく
電荷輸送層に注入する必要があることに帰因している。
本発明に用いられる電荷発生物質の一般式(1)で示さ
れるジスアゾ顔料とはよシ詳しくは以下のとおシである
一般式 式中、R4* R2* Rsは水素、メチル、エチル、
プロピル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ゾロポ
キシ、ブトキシ等のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素等のハロダン原子、シアノ基より選択され、R
1’ R2’ R3の内少くとも1つは水素以外の基を
示す。
式中、Aはフェノール性OH基を有するカプラー残基を
示し、Aの示すカプラー残基のよシ好ましい具体例とし
ては一般式(2)〜(7)で示される。
一般式 式(2)中、Xはベンゼン環と縮合して、ナフタレン環
、アントラセン環、カルノぐゾール環、ベンズカルバゾ
ール環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジ
フェニレンサルファイド環等の多環芳香環ないい1寸口
環・を形成するに必要な残基金子す。
式(2)中、Rs * R4は水素置換基を有していて
も良いアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ
環基ないしはR5’ R4の結合する窒素原子と共に環
状アミノ基を示す。
アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピル
、ブチル等があげられる。アラルキル基の具体例として
はベンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基があげ
られる。
アリール基としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリル等があげられる。とりわけR3を〇−位にノ
40グンを有するフェニルiR4を水素とした場合の電
子写真特性が特に良好である。
ヘテロ環基としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベ
ンズイミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピ
リジン等があげられる。
一般式 式(3) 、 (4)中のRs # R6は置換基を有
していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基
を示す口 R5# Rbの具体例は前記R3,R4と同じ例によっ
て示される。
一般式(2)〜(4)中の置換基R3〜R6の示すアル
キル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基は更に
他の置換基例えば、メチル、エチル、プロピル等のアル
キル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキ
シ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲノ、ニト
ロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ
ベンジルアミノ、ジフェニルアミノ等の置換アミン基等
によシ置換されていても良い。
式(5) 、 (6)中のYは芳香族炭化水素の二価の
基なしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の2価の基示す
芳香族炭化水素の二価の基としては、O−フェニレン等
の単環式芳香族炭化水素の2価の基、〇−ナフチレン、
イリナフチレン基、 1.2−アンスリレン基、9,1
0−7エナンスリレン基等の縮合系環式芳香族炭化水素
の二価の基があげられる。
また、窒素原子を環内に含むヘテロ環の2価の基として
は、例えば、3.4−ピラゾールジイル基、2.3−ピ
リジンジイル基、4,5−ピリミジンジイル基、6.7
−4ンタソールジイル基、 5.6−ベンズイミダゾー
ルジイル基、6.7−キラリンジイル基等の5〜6員環
ヘテロ環で2価の基・等が挙げられる。
式(7)中のR7は置換基を有していても良いフェニル
基、ナフチル基、アンスリル基、ピレニル基等のアリー
ル基ないしはピリジル基、チェニル基、フリル基、カル
バゾリル基等のへテロ環基・を表わすO R7の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としては、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、メチル、エ
チル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ
プロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ
、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ
基等があげられる。
ベンズアンスロン骨格にR1* R2a Rsで示され
る少なくとも1ケの極性基を導入する事によシ顔料の桓
性に変化をもたらし、キャリヤー生成効率ないしは、電
荷発生層内部におけるキャリヤーの搬送性のいずれか一
方ないしは、双方がよくなる為に感度や光メモリー特性
が驚くほど良好になるものと推定される。高感度化の達
成によシ高速の複写機やレーザービームプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター等への適用が可能とな
り、更に光メモリーの改善により感光体の前歴によらず
、安定した電位が確保される為画像的にも安定した美し
い画像が得られる様になった。
以上述べた様に一般式(1)で示されるジスアゾ顔料を
感光層に用いる事によυ本発明の目的は達成される。
本発明に用いられるジスアゾ顔料の代表例を以下に列挙
する。
菌 の                        
  !^                     
  で1■                    
く59              言 (シ 電 言 匡       8 8          玄 1!L8 で1 $              8 でテ 玄               9 9             g シシ ;           ; g           8 9            S S          3 これらのジスアゾ顔料は、111または2種以上組合せ
て用いることができる。また、これらの顔料は、例えば
一般式 但し式中R,R2H,は一般式(1)のR1R2R3と
同じ意味を表わす。
で示されるジアミンを常法によシテトラゾ化し次いで対
応するカプラ〒をアルカリの存在下にカップリングする
か、または前記のジアミンのテトラゾニウム塩をホラク
ツ化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、
適当な溶媒例えばN、N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下にカッ
グラ−とカツブリングすることによシ容易に製造するこ
とができる。
電荷発生層は、上記のジスアゾ顔料を適当なバインダー
に分散させ、これを基体の上に塗工することによって形
成でき、また真空蒸着装置によシ蒸着膜を形成すること
によって得ることができる。
電荷発生層を塗工によって形成する際に用いうるバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でキ、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、yj?17ビニルアントラ
センやプリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーか
ら選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール、ボ
リアリレート(ビスフェノールAとフタル酸の縮重合体
など)、ポリカー&ネート、ポリエステル、フェノキシ
樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルア
ミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルぎりジン、セルロー
ス系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、I
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁
性樹脂を挙げることができる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なシ、また下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロノJ?ノールな
どのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、
ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンな
どの脂肪族ノ・ログン化炭化水素類あるいはベンゼン、
トルエン、キシレン、リフロイン、モノクロルベンゼン
、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることが
できる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スプレ−コーティング法、ビードコーティング法、マ
イヤーパーコーティング法、グレードコーティング法、
ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法など
のコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥は
、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2時
間の範囲の時間で静止または送風下で行なうことができ
る。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おシ、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
たその下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、単に電
荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電
磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい
。理由は電荷輸送層がフィルター効果をもち感度低下を
きたすのを防止する為である。ここで言う「電磁波」と
はγ線X線、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠
赤外線などを包含する広義の「光線」の定義を包含する
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があシ、電子輸送性物質としては、クロに7ニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、2p4−7−)ジニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2
,4.7−ドリニトロー9−ジシ7/メチレンフルオレ
ノン、2y4,5y7−ケトンニトロキサントン、2,
4.8− )リニトロチオキサントン等の電子吸引性物
質やこれら電子吸引物質を高分子化したもの等がある。
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチル力/l/
 ハソール、N −インプロビルカルバゾール、N−メ
チル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−
エチルカルバゾール、N、N−ノブエニルヒドラジノ−
3−メチリデン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジ
フェニルヒドラシノー3−メチリデン−10−二チルフ
ェノチアジン、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メ
チリデン−10−エチルフェノキサジン、P−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾ
ン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナ
フチル−N−フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベン
ズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、L3)
3− トリメチルインドレニン−ω−アルデヒド−N、
N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジニテルペンズアルデ
ヒドー3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン
等のヒドラゾン類、2.5−ビス(p−ジエチルアミノ
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−フェ
ニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(P
−−/エチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔キノ
!Jル(2)) −3−(P−ジエチルアミノスチリル
)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、
1−[ピリジル(2) 、l−3−(P−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピ
ラゾリン、1−(6−メドキシービリジル(2) ) 
−3−(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(
3) ] −3−(P−ジエチルアミノスチリル)−5
−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−(
レピジル(2) ) −3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、l−〔ピリジル(2) ] −3−(P−ジエチル
アミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジエチルア
ミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2) )
 −3−(α−メチル−P−ジエチルアミノスチリル)
−5−(p −ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、
1−フェニル−3−(P−ジエチルアミノスチリル)−
4−メチル−5−(P−ジエチルアミノフェニル>ピラ
ゾリン類1−フェニル−3−(α−ベンジル−P−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン
類、2−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチ
ルアミノペンズオキサゾール、2− (P−ジエチルア
ミノフェニル)−4−(P−ジメチルアミノフェニル)
−5−(2−クロロフェニル)オキサゾール等のオキサ
ゾール系化合物、2−(P−ジエチルアミノスチリル)
−6−シエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェ
ニル)−フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合
物、1,1−ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−
メチルフェニル)へブタン、1,1,2.2−テトラキ
ス(4−N、N−ジメチルアミン−2−メチルフェニル
)エタン等のポリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、スチルベン誘導体ポリ−N−ビニルカルバゾール
、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリヒ
ニルアクリジン、ポリ−9−ビニにフェニルアントラセ
ン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾー
ルホルムアルデヒド樹脂等がある。
これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化’Jドミウムなどの無
機材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上組
合せて用いる仁とができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレンアクリロニトリルースチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性
樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5ミクロン〜30ミクロンであるが、好ましい範
囲は8ミクロン〜20ミクロンである。塗工によって電
荷輸送層を形成する際には為前述した様な適当なコーテ
ィング法を用いることができる。
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、カ
ーがンブラック、銀粒子など)を適当なバインダーとと
もにプラスチックの上に被覆した基体、導電性粒子をグ
ラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有す
るプラスチックなどを用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層ハ、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど)、Iリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜5ミクロン、好まし
くは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当であるO 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あ〕、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。
現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆に正電荷性
トナーを用いる必要がある。
本発明の別の具体例であるジスアゾ顔料を電荷輸送物質
とともに同一層に含有させた電子写真感光体においては
前述の電荷輸送物質の他にポI7 ++N−ビニルカル
バシールドトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯
化合物を用いることができる。
この例の電子写真感光体は、前述の有機光導体と電荷移
動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエス
テル溶液中に分散させた後、被膜形成させて調製できる
いずれの感光体においても、用いる顔料は一般式(1)
で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも1種類
の顔料を含有し、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組
合せて使用した感光体の感度を高めたシ、ノヤンクロマ
チックな感光体を得るなどの目的で一般式(1)で示さ
れるジスアゾ顔料を2種類以上組合せたシ、または公知
の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用
することも可能である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやCRTブリイタ−1L
EDプリンター、液晶プリンター等の電子写真応用分野
にも広く用いることができる。
〔実施例〕
以下本発明を実施例によって説明する。
合成例1(前記例示のジスアゾ顔料屋1の合成)500
++tA!ビーカーに水F3Qml、濃塩酸15.5m
(0,19モ (0,029モル)を入れ、氷水浴で冷却しながら攪拌
し液温を3℃とした。次に亜硝酸ソーダ4.2.9(0
,061モル)を水7dに溶かした液を液温を3〜10
℃の範囲にコントロールしながら10分間で滴下し、滴
下終了後同温度で更に30分攪拌した。反応液にカー?
ンを加え濾過してテトラゾ化液を得た@ 次に、21ビーカーに水700m1を入れ苛性ソーダ2
1#(0,53モル)を溶解した後ナフトールAS (
3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸アニリド)16.1.
9(0,061モル)を添加して溶解した。
このカプラー溶液を6℃に冷却し液温を6〜10℃にコ
ントロールしながら前述のテトラゾ化液を30分かけて
攪拌上滴下して、その後室温で2時間攪拌し更に1晩放
置した。反応液を濾過後、水洗し粗製顔料22.9Nを
得た。次に、400dのN、N−ジメチルホルムアミド
で熱濾過を5回線シ返した。その後、減圧熱乾燥によシ
精製顔料20.8.9を得た。収率は、85%であった
元素分析: 計算値(イ)・  実験値(9)) C72,6372,59 H3,713,68 N     9.97   10.00以上代表的な顔
料の合成法について述べたが一般式(1)で示される他
のジスアゾ顔料も同様にして合成される◎ 実施例1〜30 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2.9,28チアンモニア水1y1水222d)を
マイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1、0ミクロンとなる
様に塗布し、乾燥した。
次に、前記例示のジスアゾ顔料A(1)5.Fを、エタ
ノール951/にブチラール樹脂(ブチラール化度63
モル%)2gを溶かした液に加え、アトライターで2時
間分散した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上
に乾燥後の膜厚がO,5ミクロンとなる様にマイヤーバ
ーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで、構造式 のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹
脂(数平均分子量100000 ) 5 gをベンゼン
701dに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜
厚が12ミクロンとなる様ニマイヤーパーで塗布し、乾
燥して電荷輸送層を形成し実施例1の感光体を作成した
。ジスアゾ顔料A1に代えて゛第1表に示す他の例示顔
料を用い実施例2〜29に対応する感光体を全く同様に
して作成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機(株)
製静電複写紙試験装置Model 5P−428を用い
てスタチック方式で−5kVでコロナ帯電し、暗所で1
秒間保持した後、照度2 Luxで露光し帯電特性を調
べた。
帯電特性としては、表面電位(VO)と1秒間暗減衰さ
せた時の電位を1/6に減衰するに必要な露光量(E1
/6)を測定した。この結果を第1表に示す。
つぎに光メモリーを測定するために、上記測定後感光体
にケイ光灯で600 taxで3分間露光し暗所保存1
分後、前記帯電測定条件と全く同−条件で帯電測定を行
った。
光メモリ(PM)を次の様に定義し PM=ケイ光灯露光前のvo−ケイ光灯露光後のvoP
Mの値を第1表に係記した0 比較例1〜3 実施例1及び実施例10y14の例示ジスアゾ顔料屋1
,14.21に代えて特開昭59−31962記載の例
示ジスアゾ顔料AI −46pA2を用い比較例1〜3
の感光体を実施例1と全く同様にして作成し帯電測定を
行いその結果を第2表に示した。
第2表の結果よジアゾ成分ペンドアンスロン骨格に置換
基を導入した本発明の感光体の方が感度、光メモリー特
性が極めて良好である事が明らかである。
特に感度における特性の改良は顕著である。
実施例31 実施例1で作成した電荷発生層の上に、2t4t7−ド
リニトロー9−フルオレノン5NとポIJ−4+ 4’
 −’)オキシジフェニル−2,2′−プロパンカーぎ
ネート(分子量300,000 )  5.9をテトラ
ヒドロフラン70dに溶解して作成した塗布液を乾燥後
の塗工量が101I/m  となる様に塗布し、乾燥し
た。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は■とした
。この結果を第3表に示す・第  3  表 vo   ;■560がルト EL/f):  5.6 tux−s@cPM:20 
 v 実施例32 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成した。
次に、実施例1で用いたアゾ顔料の分散液を先に形成し
たポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が0.
5ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥して
電荷発生層を形成した。
次いで、構造式 のピラゾリン化合物5Iとボリアリレート樹脂(ビスフ
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)
511をテトラヒドロフラン701dに溶かした液を電
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10ミクロンとなる様に
塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。
こうして調製した感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例1と同様の方法によって測定した。
この結果を第4表に示す。
第  4  表 vo   :C)590&ル) El/6  :  5.0tux、sacPM:30V 実施例33 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5ミクロンの下
引層を形成した。
次に、2,4.7−)ジニトロ−9−フルオレノン5、
!i+とポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量
300,000 ) 5 gをテトラヒドロフラン70
iJに溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電荷
移動錯化合物と前記例示のジスアゾ顔料A (26)1
1を、ポリエステル樹脂(パイロン:東洋紡製)5II
をテトラヒドロフラン70tnlに溶かした液に加え、
分散した0この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が1
2ミクロンとなる様に塗布し、乾燥したO こうした調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
1と同様の方法によって測定した。この結果を第5表に
示す。但し、帯電極性は■とした。
第  5  表 vo:■570v E176  :  5.1 tux、aecPM:35
V 実施例34 実施例1で用いたカゼイン層を施したアルミ基板のカゼ
イン層上に実施例1の電荷輸送層、電荷発生層を順次積
層し、層構成を異にする以外は実施例1と全く同様にし
て感光体を形成し、実施例1と同様に帯電測定した。但
し帯電極性をΦとした。帯電特性を第6表に示す。
第  6  表 VO: O+60ov E 1/6  :  4.9 tuX m a e f
f〔発明の効果〕 以上から明らかな如く、本発明によればベンズアンスロ
ン骨格に極性基を導入したジスアゾ顔料を電荷発生物質
として感光層中に含有させることによシ、電子写真感光
体の高感度化低光メモ+7−化が達成される。
代理人 弁理士  山 下 積 平 手続補正書 昭和60年 7月16日 特許庁長官  宇 賀 道 部 殿 1、 事件の表示 特願昭60−58522号 2、 発明の名称 電子写真感光体 3、 補正をする者 事件との関係    特許出願人 名  称  (100)キャノン株式会社4、代理人

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)感光層に下記の一般式(1)で示されるジスアゾ
    顔料を電荷発生物質として含有することを特徴とする電
    子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (但し、式中Aはフェノール性OH基を有するカプラー
    残基を示し、R_1、R_2、R_3は水素、アルキル
    基、アルコキシ基、ハロゲン、シアノ基より選択され且
    つR_1、R_2、R_3の内少なくとも1つが水素以
    外の基を示す。)
  2. (2)ジスアゾ顔料が一般式(1)中のAとして下記の
    一般式(2)で示されるカプラー残基を有するものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (但し、式中Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、
    アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
    環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェ
    ニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしはヘテロ環
    を形成するに必要な残基を示し、R_3、R_4は水素
    、置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基
    、アリール基、ヘテロ環基ないしはR_3、R_4の結
    合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す。)
  3. (3)ジスアゾ顔料が一般式(1)中のAとして下記の
    一般式(3)で示されるカプラー残基を有するものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(3) (但し、式中R_5は置換基を有していても良いアルキ
    ル基、アラルキル基、アリール基を示す。)
  4. (4)ジスアゾ顔料が一般式(1)中のAとして下記の
    一般式(4)で示されるカプラー残基を有するものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) (但し、式中R_6は置換基を有していても良いアルキ
    ル基、アラルキル基、アリール基を示す。)
  5. (5)ジスアゾ顔料が一般式(1)中のAとして下記の
    一般式(5)で示されるカプラー残基を有するものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) (但し、式中Yは芳香族炭化水素の2価の基ないしは窒
    素原子と環内に含む複素環の2価の基を示す。)
  6. (6)ジスアゾ顔料が一般式(1)中のAとして下記の
    一般式(6)で示されるカプラー残基を有するものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) (但し、式中Yは芳香族炭化水素の2価の基ないし窒素
    原子を環内に含む複素環の2価の基を示す。)
  7. (7)ジスアゾ顔料が一般式(1)中のAとして下記の
    一般式(7)で示されるカプラー残基を有するものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(7) (但し、式中Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、
    アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
    環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェ
    ニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしはヘテロ環
    を形成するに必要な残基を示し、R_7は置換基を有し
    ても良いアリール基及びヘテロ環基を示す。)
  8. (8)一般式(1)で示されるジスアゾ顔料が下記の一
    般式(8)で示されるものである特許請求の範囲第1項
    記載の電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(8) (但し、式中Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、
    アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
    環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェ
    ニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしはヘテロ環
    を形成するに必要な残基を示し、R_1、R_2、R_
    3は水素、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、シア
    ノ基より選択され且つR_1、R_2、R_3の内少な
    くとも1つが水素以外の基を示し、R_8はフッ素、塩
    素、臭素、ヨー素を示す。)
  9. (9)導電層と一般式(1)で示されるジスアゾ顔料を
    含有する電荷発生層並びに電荷輸送層の少なくとも3層
    から成る特許請求の範囲第(1)項〜第(8)項記載の
    電子写真感光体。
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