JPS61177462A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS61177462A JPS61177462A JP1664785A JP1664785A JPS61177462A JP S61177462 A JPS61177462 A JP S61177462A JP 1664785 A JP1664785 A JP 1664785A JP 1664785 A JP1664785 A JP 1664785A JP S61177462 A JPS61177462 A JP S61177462A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0605—Carbocyclic compounds
- G03G5/0607—Carbocyclic compounds containing at least one non-six-membered ring
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体、詳しくは特定の構造のジスア
ゾ顔料よりな°る有機光導電性物質を含有する感光層を
有する電子写真感光体に関する。
ゾ顔料よりな°る有機光導電性物質を含有する感光層を
有する電子写真感光体に関する。
これまで、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無
機光導電体を感光層に含有する電子写真感光体はよく知
られている。一方例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
、ポリビニル、アントラセンなどの有機光導電性ポリマ
ー、カルバゾール、アントラセン、ピラゾリン類、オキ
サジアゾール類、ヒドラゾン類などの低分子の有機光導
電体やフタロシアニン顔料、ア！顔料、インゾコ染料、
チオインジコ染料、スクエアリック酸メチン染料などの
有機光導電体が開発されてきた。さらＫ。
機光導電体を感光層に含有する電子写真感光体はよく知
られている。一方例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
、ポリビニル、アントラセンなどの有機光導電性ポリマ
ー、カルバゾール、アントラセン、ピラゾリン類、オキ
サジアゾール類、ヒドラゾン類などの低分子の有機光導
電体やフタロシアニン顔料、ア！顔料、インゾコ染料、
チオインジコ染料、スクエアリック酸メチン染料などの
有機光導電体が開発されてきた。さらＫ。
例えば米国特許第４１２３２７０号、同４２４７６１４
、同４２５１６１３号、同４２５６８２１号などに開示
されているとおり、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離
した感光層における電荷発生物質として光導電性のジス
アゾ顔料を用い九電子写真感光体が知られている。この
様な有機光導電体を用いた電子写真感光体はバインダー
を適当に選択することＫより浸漬コーティングによる塗
工法を用いて生産できるため極めて生産性が高く安価な
感光体を提供でき、しかも適当な波長域に光導電性を呈
する有機顔料を選択できるという利点がある反面、感度
と繰返し使用に対する耐久性に難点があるため、これま
で実用化されているものはごく僅かである。
、同４２５１６１３号、同４２５６８２１号などに開示
されているとおり、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離
した感光層における電荷発生物質として光導電性のジス
アゾ顔料を用い九電子写真感光体が知られている。この
様な有機光導電体を用いた電子写真感光体はバインダー
を適当に選択することＫより浸漬コーティングによる塗
工法を用いて生産できるため極めて生産性が高く安価な
感光体を提供でき、しかも適当な波長域に光導電性を呈
する有機顔料を選択できるという利点がある反面、感度
と繰返し使用に対する耐久性に難点があるため、これま
で実用化されているものはごく僅かである。
本発明の目的は新規な有機光導電体を感光層に含有する
電子写真感光体を提供することにある。
電子写真感光体を提供することにある。
本発明の別の目的は実用的な高感度特性を有しかつ繰返
し使用後も安定な帯電特性を示す電子写真感光体を提供
することにある。
し使用後も安定な帯電特性を示す電子写真感光体を提供
することにある。
本発明の上記目的は、導電性基体上に設けられた感光層
に次の一般式（１） 、 （２）（式中Ｒ１，Ｒ２ｅＲ
３ｐＲ４ｅＲ５，Ｒ６及びＲ７はそれぞれ水素、ハロゲ
ノ、シアノ基、ニトロ基あるいは置換基を有してもよい
アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基を示し、Ａは
フェノール性ＯＨ基を有するカッシラー残基又は２−メ
チルインドレニン誘導体のカッグラ−残基な示す）で表
わされる少なくとも一種のジスアゾ顔料を光導電体とし
て含有させることを特徴とする電子写真感光体によって
達成される。
に次の一般式（１） 、 （２）（式中Ｒ１，Ｒ２ｅＲ
３ｐＲ４ｅＲ５，Ｒ６及びＲ７はそれぞれ水素、ハロゲ
ノ、シアノ基、ニトロ基あるいは置換基を有してもよい
アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基を示し、Ａは
フェノール性ＯＨ基を有するカッシラー残基又は２−メ
チルインドレニン誘導体のカッグラ−残基な示す）で表
わされる少なくとも一種のジスアゾ顔料を光導電体とし
て含有させることを特徴とする電子写真感光体によって
達成される。
一般式（１）及び（２）においてアルキル基は例えばメ
チル、エチル、プロピルなどである。アルキル、アリー
ル、アラルキルの置換基としては例えばハロゲノ、ニト
ロ、シアノ、置換アミノ基（例えばジメチルアミノ、ジ
フェニルアミノ、ジベンジルアミノなど〕、アルキル、
アルコキシなどが挙げられる。アルコキシ基は例えばメ
トキシ、エトキシ、！ロポキシなどであり、アラルキル
基は例えばベンジル、ナフチルメチルなどである。アリ
ール基はフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル
などが例示される。また人の定義としてフェノール性Ｏ
Ｈ基を有するカッグラ−残基又は２−メチルインドレニ
ン誘導体のカッグラ−残基は例えば、次の一般式（３）
〜（９）のいづれかで示される基である： Ｈ ”１１ Ｈ Ｎ。
チル、エチル、プロピルなどである。アルキル、アリー
ル、アラルキルの置換基としては例えばハロゲノ、ニト
ロ、シアノ、置換アミノ基（例えばジメチルアミノ、ジ
フェニルアミノ、ジベンジルアミノなど〕、アルキル、
アルコキシなどが挙げられる。アルコキシ基は例えばメ
トキシ、エトキシ、！ロポキシなどであり、アラルキル
基は例えばベンジル、ナフチルメチルなどである。アリ
ール基はフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリル
などが例示される。また人の定義としてフェノール性Ｏ
Ｈ基を有するカッグラ−残基又は２−メチルインドレニ
ン誘導体のカッグラ−残基は例えば、次の一般式（３）
〜（９）のいづれかで示される基である： Ｈ ”１１ Ｈ Ｎ。
（式中Ｒ８＃ Ｒ，は水素、置換基を有してもよいアル
キル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、イミ
ノ基あるいはＲＢ ｅ Ｒ９の結合する窒素原子と一緒
に環状アミノ基を示す；Ｘはベンゼン環と縮合して多環
芳香環あるいはへテロ環を形成する残基；Ｒ１゜、Ｒ１
，は置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、
アリール基を示す；Ｙは芳香族炭化水素の２価の基ある
いは窒素原子と共に複素環を形成する２価の基を示す：
Ｒ１□、Ｒ１゜は水素、アルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲノ、シアノ基あるいはニトロ基を示す〕。
キル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、イミ
ノ基あるいはＲＢ ｅ Ｒ９の結合する窒素原子と一緒
に環状アミノ基を示す；Ｘはベンゼン環と縮合して多環
芳香環あるいはへテロ環を形成する残基；Ｒ１゜、Ｒ１
，は置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、
アリール基を示す；Ｙは芳香族炭化水素の２価の基ある
いは窒素原子と共に複素環を形成する２価の基を示す：
Ｒ１□、Ｒ１゜は水素、アルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲノ、シアノ基あるいはニトロ基を示す〕。
上記の定義においてアルキル、アラルキル、ア 。
ルコキシ基及びこれらの置換基の例としては前述のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
ヘテロ環基としてはジベンゾフラン、ベンズイミダシロ
ン、ぺｙズチアゾール、チアゾール、ピリジンなどが例
示される。アリール基としてはフェニル、ジフェニル、
ナフチル、アンスリルなどが挙げられる。またＸのベン
ゼン環と共に多環芳香環及びヘテロ環を形成する残基と
してはナフタレン環、アントラセン環、カル・櫂ゾール
環、ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾ
ナフトフラン環、ジフェニレンサルファイド環などが例
示される。
ン、ぺｙズチアゾール、チアゾール、ピリジンなどが例
示される。アリール基としてはフェニル、ジフェニル、
ナフチル、アンスリルなどが挙げられる。またＸのベン
ゼン環と共に多環芳香環及びヘテロ環を形成する残基と
してはナフタレン環、アントラセン環、カル・櫂ゾール
環、ベンズカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾ
ナフトフラン環、ジフェニレンサルファイド環などが例
示される。
まえ、Ｙの２価の基としては、例えばフェニレン、ナフ
チレンなどが基げられる。
チレンなどが基げられる。
上記一般式（１）及び（２）のジスアゾ顔料の代表例を
以下に列挙する： これらのジスアゾ顔料は、１種または２種以上組合せて
用いることができる。また、これらの顔料は、例えば一
般式 （式中Ｒ１＊ Ｒ２＊ Ｒ３＊ Ｒ４ｓ Ｒ５＊ Ｒ６
ｔ ＴＬ７は一般式（１）及び（２）のＲｌｅ Ｒ２ｅ
Ｒ３＃ Ｒ４ｔ Ｒ５＊ Ｒｙｅ Ｒ７と同じ意味な
′表わす。） で示されるジアミンを常法によりテトラゾ化し。
以下に列挙する： これらのジスアゾ顔料は、１種または２種以上組合せて
用いることができる。また、これらの顔料は、例えば一
般式 （式中Ｒ１＊ Ｒ２＊ Ｒ３＊ Ｒ４ｓ Ｒ５＊ Ｒ６
ｔ ＴＬ７は一般式（１）及び（２）のＲｌｅ Ｒ２ｅ
Ｒ３＃ Ｒ４ｔ Ｒ５＊ Ｒｙｅ Ｒ７と同じ意味な
′表わす。） で示されるジアミンを常法によりテトラゾ化し。
次いで対応する前記一般式（３）〜（９）で示す如きカ
ッグラ−をアルカリの存在下にカップリングするか、ま
たは前記のジアミンのテトラゾニウム塩をホウ−７、化
塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、適当
な溶媒例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下にカッグラ
−と力、ｆリングするととにより容易に製造することが
できる。
ッグラ−をアルカリの存在下にカップリングするか、ま
たは前記のジアミンのテトラゾニウム塩をホウ−７、化
塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、適当
な溶媒例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下にカッグラ
−と力、ｆリングするととにより容易に製造することが
できる。
次に、本発明で用いるジスアゾ顔料の代表的な合成例を
下記に示す。
下記に示す。
合成例１（前記例示のジスアゾ顔料Ａ１の合成）：５０
０ＪＩｊビーカーに水８０Ｉｌｌ、濃塩＠１６．６ゴ示
されるジアミン６、８ ＃ （０，０２９モル）を入れ
、氷水浴で冷却しながら攪拌し液温な３℃とした。
０ＪＩｊビーカーに水８０Ｉｌｌ、濃塩＠１６．６ゴ示
されるジアミン６、８ ＃ （０，０２９モル）を入れ
、氷水浴で冷却しながら攪拌し液温な３℃とした。
次に亜硝駿ソーダ４．２Ｎ（０，０６１モル）を水７ｄ
に溶かした液を、液温な３〜１０℃の範囲にコントロー
ルしながら１０分間で滴下し、滴下終了後同温度で更に
３０分攪拌した。反応液にカーぎンを加え一過してテト
ラｌ化液を得た。
に溶かした液を、液温な３〜１０℃の範囲にコントロー
ルしながら１０分間で滴下し、滴下終了後同温度で更に
３０分攪拌した。反応液にカーぎンを加え一過してテト
ラｌ化液を得た。
次Ｋ、２ノビ−カーに水７００−を入れ苛性ソーダ２１
＃（０，５３モル）を溶解し喪後す７トールＡｓ（３−
ヒドロキシ−２−ナフトエ酸アニリド）１６．２Ｉｉ（
０゜０６１モル）を添加して溶解した。
＃（０，５３モル）を溶解し喪後す７トールＡｓ（３−
ヒドロキシ−２−ナフトエ酸アニリド）１６．２Ｉｉ（
０゜０６１モル）を添加して溶解した。
このカップラー溶液を６℃に冷却し液温を６〜１０℃に
コントロールしながら前述のテトラゾ化液を３０分かけ
て攪拌下滴下して、その後室温で２時間攪拌し更に１晩
放置した。反応液をＰ遺後、水洗し粗製顔料２１．３．
９を得た。次に、４００ｄのＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミドで熱濾過を５回繰り返し友。その後、減圧熱乾燥に
より精製顔料１８．９．９を得た。収率は８２．５１で
あり九。
コントロールしながら前述のテトラゾ化液を３０分かけ
て攪拌下滴下して、その後室温で２時間攪拌し更に１晩
放置した。反応液をＰ遺後、水洗し粗製顔料２１．３．
９を得た。次に、４００ｄのＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミドで熱濾過を５回繰り返し友。その後、減圧熱乾燥に
より精製顔料１８．９．９を得た。収率は８２．５１で
あり九。
元素分析：
計算値（ｔ４） 実験値（俤）
Ｃ７０，８４７０，７２
Ｈ３，６４３，５６
Ｎ １０．１２ １０．１０合成例２（前
記例示のジスアゾ顔料Ａ３７の合成）：ン５．９ ＃
（０，０２５モル〕を水６５１４、濃塩酸１３．２４１
７（０，１５モル〕に溶解し九液に、亜硝酸ソーダ３．
５４１１（０，０５１モル）を水１０．６ｄＫ溶解した
液を、液温４．５〜７℃に保ちながら５分間で滴下し、
その後同温度で３０分攪拌しな。
記例示のジスアゾ顔料Ａ３７の合成）：ン５．９ ＃
（０，０２５モル〕を水６５１４、濃塩酸１３．２４１
７（０，１５モル〕に溶解し九液に、亜硝酸ソーダ３．
５４１１（０，０５１モル）を水１０．６ｄＫ溶解した
液を、液温４．５〜７℃に保ちながら５分間で滴下し、
その後同温度で３０分攪拌しな。
つぎＩＣ１３−ヒドロキシ−ナフタレン−２−カルデン
酸メチルアミド１０．５’ｌ（０，０５２５モル）と苛
性ソーダ１６．８ｊ’（０，４２モル）を水４２０１Ｅ
／に溶解した液に液温を４〜１０℃に保ちながら上記テ
トラゾ化液を１０分間で滴下し、同温度で２時間攪拌し
た後１晩放置した。−過、水洗、乾燥した後、メチルエ
チルケトンを用い２．０時間ソ、クスレーＫかけて乾燥
顔料１２．９１１（収率７８，０悌）を得た。
酸メチルアミド１０．５’ｌ（０，０５２５モル）と苛
性ソーダ１６．８ｊ’（０，４２モル）を水４２０１Ｅ
／に溶解した液に液温を４〜１０℃に保ちながら上記テ
トラゾ化液を１０分間で滴下し、同温度で２時間攪拌し
た後１晩放置した。−過、水洗、乾燥した後、メチルエ
チルケトンを用い２．０時間ソ、クスレーＫかけて乾燥
顔料１２．９１１（収率７８，０悌）を得た。
元素分析：
計算値（憾） 実験値（憾）
Ｃ７０，９０７０，８０
Ｈ４，２７４，１９
Ｎ １２．７２ １２．６６以上Ａ１及び
Ａ３７の顔料について具体的合成法を述べたが、一般式
（１）及び（２）で示される他のジスアゾ顔料も同様に
して合成される。
Ａ３７の顔料について具体的合成法を述べたが、一般式
（１）及び（２）で示される他のジスアゾ顔料も同様に
して合成される。
前述のジスアゾ顔料を含有する被膜は光導電性を示し、
従って電子写真感光体の感光層に用いることができる。
従って電子写真感光体の感光層に用いることができる。
電子写真感光体は導電性基体上に前述のジスアゾ顔料を
真空蒸着法により被膜形成するか、あるいは適当なバイ
ンダーに分散含有させて被膜形成するととＫより調製さ
れる。
真空蒸着法により被膜形成するか、あるいは適当なバイ
ンダーに分散含有させて被膜形成するととＫより調製さ
れる。
本発明の好ましい実施態様では感光層を電荷発生層と電
荷輸送層に機能分離し良電子写真感光体における電荷発
生層として上記の光導電性被膜を使用することができる
。
荷輸送層に機能分離し良電子写真感光体における電荷発
生層として上記の光導電性被膜を使用することができる
。
電荷発生層は十分な吸光分を得る丸めできる限り多くの
量の光導電物質を含有しかつ発生した電荷キャリヤーの
飛程を短かくするため薄膜、例えば５μ以下、好ましく
は０．０１μ〜１μの膜厚の薄膜とすることが望ましい
。このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収され
て多く。電荷キャリヤーを生成すること、さらに発生し
たキャリヤーを再結合や捕獲（トラ、プ）ｋより失活す
ることなく電荷輸送層に注入する必要があることに帰因
している。
量の光導電物質を含有しかつ発生した電荷キャリヤーの
飛程を短かくするため薄膜、例えば５μ以下、好ましく
は０．０１μ〜１μの膜厚の薄膜とすることが望ましい
。このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収され
て多く。電荷キャリヤーを生成すること、さらに発生し
たキャリヤーを再結合や捕獲（トラ、プ）ｋより失活す
ることなく電荷輸送層に注入する必要があることに帰因
している。
電荷発生層はたとえば、前述のジスアゾ顔料を適当なバ
インダーに分散させ、これを基体の上に塗工することに
よって形成でき、１＋真空蒸着装置により蒸着膜を形成
することによって得ることができる。電荷発生層を塗工
によって形成する際に用いうるバインダーとしては広範
な絶縁性樹脂から選択でき、ｔたポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましく
は、ポリビニルブチラール、ボリアリレート（ビスフェ
ノール人と７タル醗の縮重合体など。）ポリカーゴネー
ト、ポリエステル、フェノキシ樹脂、４り酢識ビニル、
アクリル樹脂、Ｉリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、
ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂
、ニブキシ樹脂。
インダーに分散させ、これを基体の上に塗工することに
よって形成でき、１＋真空蒸着装置により蒸着膜を形成
することによって得ることができる。電荷発生層を塗工
によって形成する際に用いうるバインダーとしては広範
な絶縁性樹脂から選択でき、ｔたポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましく
は、ポリビニルブチラール、ボリアリレート（ビスフェ
ノール人と７タル醗の縮重合体など。）ポリカーゴネー
ト、ポリエステル、フェノキシ樹脂、４り酢識ビニル、
アクリル樹脂、Ｉリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、
ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂
、ニブキシ樹脂。
カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、８０重量係以下、好ま
しくは４０重量憾以下が適している。
しくは４０重量憾以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロノ々ノールなど
のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノンなどのケトン類、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロ７ラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、
・ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
などの脂肪族７１０ｒン化炭化水素類あるいはベンゼン
、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いること
ができる。
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロノ々ノールなど
のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノンなどのケトン類、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロ７ラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、
・ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
などの脂肪族７１０ｒン化炭化水素類あるいはベンゼン
、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いること
ができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スダレ−コーティング法
、スピンナーコーティング法、ピードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーチンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、３０℃〜２００℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。
、スピンナーコーティング法、ピードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーチンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、３０℃〜２００℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷中
ヤリャーを受は取るとともに、これらの電荷キャリヤー
を表面まで輸送できる機能を有している。この際、この
電荷輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく
またその下に積層されていてもよい。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷中
ヤリャーを受は取るとともに、これらの電荷キャリヤー
を表面まで輸送できる機能を有している。この際、この
電荷輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく
またその下に積層されていてもよい。
電荷輸送層における電荷キャリヤーを輸送する物質（以
下、単に電荷輸送物質という〕は、前述の電荷発生層が
感応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であること
が好ましい。ここで言う「電磁波」とは、γ線、Ｘ線、
紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを
包含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層
の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致１ｆｔはオ
ー・々−ラップする時には、両者で発生した電荷キャリ
ヤーが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因
となる。
下、単に電荷輸送物質という〕は、前述の電荷発生層が
感応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であること
が好ましい。ここで言う「電磁波」とは、γ線、Ｘ線、
紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを
包含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層
の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致１ｆｔはオ
ー・々−ラップする時には、両者で発生した電荷キャリ
ヤーが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因
となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、 ２，４．７−）ジニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン
、２，４．７−）ジニトロ−９−ジシアノメチレンフル
オレノン、２，４，５．７−チトラニトロキサントン、
２ｅ４ｔｓ −） ＩＪニドロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化したもの等
がある。
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、 ２，４．７−）ジニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン
、２，４．７−）ジニトロ−９−ジシアノメチレンフル
オレノン、２，４，５．７−チトラニトロキサントン、
２ｅ４ｔｓ −） ＩＪニドロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化したもの等
がある。
正孔輸送性物質とし【は、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−インゾロピルカル／４ゾール、Ｎ−メチル−
Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、 Ｎ、Ｎ −ｕフェニルヒドラジノ−３
−メチリデン−９−エチルカルバゾール、 Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラ′シノー３−メチリデン−１０−二チル
フェノチアジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−
メチリデン−１０゛−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−Ｎ ｔＮ−ジフェニルヒ
ドラゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−
α−ｔ ７ ｆ ＃ −Ｎ−７エニルヒドラゾン ｐ
−ヒｃ＋ ＩＪジノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルヒドラゾン、 １，３．３−）リフチルインドレニ
ン−ω−アルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ、
Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチア
ゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、２ｔ５−
”ス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１ 、３．４
−オキサジアゾール、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ・チルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔キノリル（２） ） −２−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル〕−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）
） −３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−ｓ−（ｐ
−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−（６−メ
ドキシービリジル（２） ］ −３−ＣＰ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、１−〔ピリジル（３） ） −３−ＣＰ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）ヒラゾリン、１−（レピジル（２） ］ −
３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２
） ） −３−ＣＰ−ジエチルアミノスチリル〕−４−
メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル〕ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（２） ） −３−（α−メチル−
Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−ｓ−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフェニル〕ピラゾリン、１−７エニルー３
−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５
−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、スピロ
ピラゾリンなどのピラゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−６−ジニチルアミノペンズオキサゾー
ル、２−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４−（Ｐ−
ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロフェニル
）オキサソール等のオキサゾール系化合物、２−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノペンゾ
チアゾール等のチアゾール系化合物、ビス（４−ジニチ
ルアミノー２−メチルフェニル）−フェニルメタン等の
トリアリールメタン系化合物、１．１−ビス（４−Ｎ、
Ｎ−ジエチルアミン−２−メチルフェニル〕へブタン、
１．１，２．２−テトラキス（４−Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノ−２−メチルフェニル〕エタン等のポリアリール
アルカン類、トリフェニルアミン、ｆ！Ｉ）−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、／ ＩＪビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ポＩＪ ヒニルアクリジン、ポリ−９−ビ
ニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等があ
る。
ール、Ｎ−インゾロピルカル／４ゾール、Ｎ−メチル−
Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、 Ｎ、Ｎ −ｕフェニルヒドラジノ−３
−メチリデン−９−エチルカルバゾール、 Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラ′シノー３−メチリデン−１０−二チル
フェノチアジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−
メチリデン−１０゛−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−Ｎ ｔＮ−ジフェニルヒ
ドラゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−
α−ｔ ７ ｆ ＃ −Ｎ−７エニルヒドラゾン ｐ
−ヒｃ＋ ＩＪジノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルヒドラゾン、 １，３．３−）リフチルインドレニ
ン−ω−アルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ、
Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチア
ゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、２ｔ５−
”ス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１ 、３．４
−オキサジアゾール、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ・チルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔キノリル（２） ） −２−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル〕−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）
） −３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−ｓ−（ｐ
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ドキシービリジル（２） ］ −３−ＣＰ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、１−〔ピリジル（３） ） −３−ＣＰ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）ヒラゾリン、１−（レピジル（２） ］ −
３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２
） ） −３−ＣＰ−ジエチルアミノスチリル〕−４−
メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル〕ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（２） ） −３−（α−メチル−
Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−ｓ−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフェニル〕ピラゾリン、１−７エニルー３
−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５
−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、スピロ
ピラゾリンなどのピラゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−６−ジニチルアミノペンズオキサゾー
ル、２−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４−（Ｐ−
ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロフェニル
）オキサソール等のオキサゾール系化合物、２−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノペンゾ
チアゾール等のチアゾール系化合物、ビス（４−ジニチ
ルアミノー２−メチルフェニル）−フェニルメタン等の
トリアリールメタン系化合物、１．１−ビス（４−Ｎ、
Ｎ−ジエチルアミン−２−メチルフェニル〕へブタン、
１．１，２．２−テトラキス（４−Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノ−２−メチルフェニル〕エタン等のポリアリール
アルカン類、トリフェニルアミン、ｆ！Ｉ）−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、／ ＩＪビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ポＩＪ ヒニルアクリジン、ポリ−９−ビ
ニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等があ
る。
これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。
合せて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択するととくよって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
Ｉリアリレート、ポリエステル、Ｉリカー−ネート、Ｉ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
７りＩＪｐニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、テリスルホン、
ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化プムなどの絶
縁性樹脂、あるいはプリーＮ−ビニルカルバゾール、４
リビ二ルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーを挙げることができる。
インダーを選択するととくよって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
Ｉリアリレート、ポリエステル、Ｉリカー−ネート、Ｉ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
７りＩＪｐニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、テリスルホン、
ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化プムなどの絶
縁性樹脂、あるいはプリーＮ−ビニルカルバゾール、４
リビ二ルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリヤーを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般
的には、５μ〜３０μであるが、好ましい範囲は８μ〜
２０μである。塗工によって電荷輸送層を形成する際に
は、前述し九様な適当なコーティング法を用いることが
できる。
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般
的には、５μ〜３０μであるが、好ましい範囲は８μ〜
２０μである。塗工によって電荷輸送層を形成する際に
は、前述し九様な適当なコーティング法を用いることが
できる。
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウムー酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
、り（例えば、ポリエチレン、デリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど〕、導電性粒子（例えば、カ
ーデンブラック、銀粒子など）を適−なバインダーとと
もＩ／Ｃｆラスチ、りの上に被覆した基体、導電性粒子
をグラス、チ、りや紙に含浸した基体や導電性ポリマー
を有するグラスチックなどを用いることができる。
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウムー酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
、り（例えば、ポリエチレン、デリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど〕、導電性粒子（例えば、カ
ーデンブラック、銀粒子など）を適−なバインダーとと
もＩ／Ｃｆラスチ、りの上に被覆した基体、導電性粒子
をグラス、チ、りや紙に含浸した基体や導電性ポリマー
を有するグラスチックなどを用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
？リピニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コーリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
？リピニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コーリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、０．１μ〜５μ、好ましくは０．５μ
〜３μが適当である。
〜３μが適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると帯光部では電荷発生層におい【
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し１表面型位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現儂すれば可視偉が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチ、クフイルム等に転写後、現儂し定着するこ
とができる。
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると帯光部では電荷発生層におい【
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し１表面型位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現儂すれば可視偉が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチ、クフイルム等に転写後、現儂し定着するこ
とができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現偉剤の種類や挑儂方
法、定着方゛法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用しても良く、特定のものに限定されるものではない。
現像し、定着する方法もとれる。現偉剤の種類や挑儂方
法、定着方゛法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用しても良く、特定のものに限定されるものではない。
一方１．電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。
現偉時には電子輸送物質を用いた場合とは逆に正電荷性
トナーを用いる必要がある。
トナーを用いる必要がある。
本発明の別の具体例としては、前述の一般式■又は■の
有機光導電体を前述の電荷輸送物質とともに同一層に含
有させた電子写真感光体を挙げることができる。この際
、電荷輸送物質としてプリーＮ−ビニルカルバシールド
トリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯化合物を用
いることができるＯ この例の電子写真感光体は、前述の有機光導電体と電荷
移動錯化合物をテトラヒドロ７ランに溶解された。ｊ？
ＩＪエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて
調製できる。
有機光導電体を前述の電荷輸送物質とともに同一層に含
有させた電子写真感光体を挙げることができる。この際
、電荷輸送物質としてプリーＮ−ビニルカルバシールド
トリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯化合物を用
いることができるＯ この例の電子写真感光体は、前述の有機光導電体と電荷
移動錯化合物をテトラヒドロ７ランに溶解された。ｊ？
ＩＪエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて
調製できる。
いずれの感光体においても、用いる顔料は一般式（１）
及び（２）で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なく
とも１種類の顔料を含有し、必要に応じて光吸収の異な
る顔料を組合せて使用して感光体の感度を高めたり、・
９ンクロマチツクな感光体を得るなどの目的で一般式（
１）及び（２）で示されるジスアゾ顔料を２種類以上組
合せたり、または公知の染料、顔料から選ばれた電荷発
生物質と組合せて使用することも可能である。
及び（２）で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なく
とも１種類の顔料を含有し、必要に応じて光吸収の異な
る顔料を組合せて使用して感光体の感度を高めたり、・
９ンクロマチツクな感光体を得るなどの目的で一般式（
１）及び（２）で示されるジスアゾ顔料を２種類以上組
合せたり、または公知の染料、顔料から選ばれた電荷発
生物質と組合せて使用することも可能である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーデーグリンターやＣＲＴプリンター等の
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーデーグリンターやＣＲＴプリンター等の
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
実施例１
アルミ板上にカゼインのアンモニア′水溶液（カゼイン
１１．２ｉ２８悌アンモニア水ＩＬ、水２２２ｍ）をマ
イヤーパーで、乾燥後の膜厚が１．０ミクロンとなる様
に塗布し、乾燥した。
１１．２ｉ２８悌アンモニア水ＩＬ、水２２２ｍ）をマ
イヤーパーで、乾燥後の膜厚が１．０ミクロンとなる様
に塗布し、乾燥した。
次に、前記例示のジスアゾ顔料Ａ８の有機光導電体５１
１を、エタノ−＃９５ｊｌｊにブチラール樹脂（ブチラ
ール化度６３畳モル％）２Ｊｌを溶かした液に加え、ア
トライターで２時間分散した。この分散液を先に形成し
たカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が０．５ミクロンとな
る様にマイヤーパーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形
成し喪。
１を、エタノ−＃９５ｊｌｊにブチラール樹脂（ブチラ
ール化度６３畳モル％）２Ｊｌを溶かした液に加え、ア
トライターで２時間分散した。この分散液を先に形成し
たカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が０．５ミクロンとな
る様にマイヤーパーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形
成し喪。
次いで、構造式
のヒドラゾン化合物５１とポリメチルメタクリレート樹
脂（数平均分子量１００，０００）５ｇをベンゼン７０
１１７に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚
が１２ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥
して電荷輸送層を形成した。
脂（数平均分子量１００，０００）５ｇをベンゼン７０
１１７に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚
が１２ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥
して電荷輸送層を形成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機＠）製
靜電複写紙試験装置Ｍｏｄｅｌ ５Ｐ−４２８（ターン
テーブル）を用いてスタチ、タ方式で一５ｋＶでコロナ
帯電し、暗所で１秒間保持した後、照度２ ｌｕｘで露
光し帯電特性を調べた。
靜電複写紙試験装置Ｍｏｄｅｌ ５Ｐ−４２８（ターン
テーブル）を用いてスタチ、タ方式で一５ｋＶでコロナ
帯電し、暗所で１秒間保持した後、照度２ ｌｕｘで露
光し帯電特性を調べた。
帯電特性としては１、表面電位（ｖｏ）と１秒間暗減衰
させた時の電位を１７２に減衰するに必要な露光量（Ｅ
□／２〕を測定した。この結果を第１表に示す。
させた時の電位を１７２に減衰するに必要な露光量（Ｅ
□／２〕を測定した。この結果を第１表に示す。
さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部電位の変
動を測定するために、本実施例で作成し良悪光体を−５
，６ｋＶのコロナ帯電器、露光量５１ｕｘ−ａｅ（Ｂを
有する露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光学
系およびクリーナーを備えた電子写真複写機のシリンダ
ーに貼り付けた。この複写機は、シリンダーの駆動に伴
い、転写紙上に画像が得られる構成になっている。この
複写機を用いて、初期の明部電位（ｖＬ）と暗部電位（
ＶＤ）および５ｏｏｏ回使用した後の明部電位（ｖＬ〕
と暗部電位（ＶＤ）を測定した。この結果を第２表に示
す。
動を測定するために、本実施例で作成し良悪光体を−５
，６ｋＶのコロナ帯電器、露光量５１ｕｘ−ａｅ（Ｂを
有する露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光学
系およびクリーナーを備えた電子写真複写機のシリンダ
ーに貼り付けた。この複写機は、シリンダーの駆動に伴
い、転写紙上に画像が得られる構成になっている。この
複写機を用いて、初期の明部電位（ｖＬ）と暗部電位（
ＶＤ）および５ｏｏｏ回使用した後の明部電位（ｖＬ〕
と暗部電位（ＶＤ）を測定した。この結果を第２表に示
す。
第１表
Ｖ、 ： −６２０ボルト
Ｅ１／２ ： ２．３１ｕｘｓｓｅｃ第２表
（表中の単位は、♂ルトである）
実施例２〜２５
実施例１で用い九ジスアゾ顔料に代えて、第３表に示す
ジスアゾ顔料を用いたほかは、全〈実施例１と同様の方
法で電子写真感光体を作成した。
ジスアゾ顔料を用いたほかは、全〈実施例１と同様の方
法で電子写真感光体を作成した。
各感光体の帯電特性と耐久特性を実施例１と同様の方法
によって測定した。これらの結果を第４表に示す。
によって測定した。これらの結果を第４表に示す。
第３表
ロロロロロロＱロロ０ロロ
ｖ−４−−ｅ−１＋＋１−〜へｃＩｌｌへヘヘ実施例２
６ 実施例１で作成した電荷発生層の上に、２，４．７−ド
リニトロー９−フルオレノン５Ｉとホリ−４，４’−ジ
オキシジフェニル−２，２’−プロパンカーがネート（
分子量３００，０００）５Ｎをテトラヒドロフラン７０
ｄＫ：溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量が１０
１／ｍ” となる様に塗布し、乾燥した。
６ 実施例１で作成した電荷発生層の上に、２，４．７−ド
リニトロー９−フルオレノン５Ｉとホリ−４，４’−ジ
オキシジフェニル−２，２’−プロパンカーがネート（
分子量３００，０００）５Ｎをテトラヒドロフラン７０
ｄＫ：溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量が１０
１／ｍ” となる様に塗布し、乾燥した。
こうして作成し良電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性はｅとし念
。この結果を第５表に示す。
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性はｅとし念
。この結果を第５表に示す。
第５表
ｖｏ ： ＋ｅ！ｏｏデルト
Ｋｌ ／６ ： ４．８１ｕＸ・ｍ＠ｃ初期暗部電位
ＶＤ： ＋６１０ゲルト初期明都電位ｖＬ： ＋６
０ デルト実施例２７ アルミ蒸着４リエチレンテレフタレートフイルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成したう 次に、実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形
成した？リピニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が
０．５ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。
ＶＤ： ＋６１０ゲルト初期明都電位ｖＬ： ＋６
０ デルト実施例２７ アルミ蒸着４リエチレンテレフタレートフイルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成したう 次に、実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形
成した？リピニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が
０．５ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。
次いで、構造式
【
のピラゾリン化合物５９とボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノール人とテレフタル酸−イン７タル一の縮重合体）
５ＩＩをテトラヒドロフラン７０ゴ二溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が０ミクロンとなる様に塗布
し、乾燥して電荷輸１層を形成した。
ェノール人とテレフタル酸−イン７タル一の縮重合体）
５ＩＩをテトラヒドロフラン７０ゴ二溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が０ミクロンとなる様に塗布
し、乾燥して電荷輸１層を形成した。
こうして調製し六感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例１と同様の方法によって測定した。
施例１と同様の方法によって測定した。
この結果を第６表に示す。
第６表
Ｖｏ ニー６００／ルト
Ｅｌ ／２ ” ２．５１ ｕ” ’ Ｉ ＠ ｅ初
期暗部電位ＶＤ： −６００♂ルト初期明部電位ＶＬ
： −１０ゲルト 実施例２８ 厚さ１００ミクロン゛厚のアルミ板上にカゼインのアン
モニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚１．１ミクロンの
下引層を形成した。
期暗部電位ＶＤ： −６００♂ルト初期明部電位ＶＬ
： −１０ゲルト 実施例２８ 厚さ１００ミクロン゛厚のアルミ板上にカゼインのアン
モニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚１．１ミクロンの
下引層を形成した。
＆Ｋ 、 ２，４９７− ） ＩＪニトロ−９−フルオ
レノン５Ｉとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分
子量３００，０００）５１ｋｆト５ヒドロフ５：／７０
ｘｌＫ溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電荷
移動錯化合物と前記例示のジスアゾ顔料Ａ２３の光導電
体１ｇを、ポリエステル樹脂（パイロン：東洋紡製）５
ｇをテトラヒドロフラン７０ＷＬｌに溶かした液に加え
、分散した。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が
１２ミクロンとなる様に塗布し、乾燥した。
レノン５Ｉとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分
子量３００，０００）５１ｋｆト５ヒドロフ５：／７０
ｘｌＫ溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電荷
移動錯化合物と前記例示のジスアゾ顔料Ａ２３の光導電
体１ｇを、ポリエステル樹脂（パイロン：東洋紡製）５
ｇをテトラヒドロフラン７０ＷＬｌに溶かした液に加え
、分散した。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が
１２ミクロンとなる様に塗布し、乾燥した。
こうした調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
１と同様の方法によって測定した。この結果を第７表に
示す。但し、帯電極性はΦとした。
１と同様の方法によって測定した。この結果を第７表に
示す。但し、帯電極性はΦとした。
第７表
Ｖｏ：＋６１０がルト
ＥＨ： ５． Ｏｔｕｘ・ｍ＊ｅ。
特許出願人 キャノン株式会社
代 理 人 弁理士山下積平
Claims (3)
- （１） 導電性基体上に設けられた感光層に次の一般式
（１）、（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿
６及びＲ＿７はそれぞれ水素、ハロゲン、シアノ基、ニ
トロ基あるいは置換基を有してもよいアルキル基、アル
コキシ基、アラルキル基を示し、Ａはフェノール性ＯＨ
基を有するカップラー残基又は２−メチルインドレニン
誘導体のカップラー残基を示す）で表わされる少なくと
も一種のジスアゾ顔料を光導電体として含有させること
を特徴とする電子写真感光体。 - （２）上記一般式（１）及び（２）における基Ａが次の
一般式（３）〜（９）のいづれかで示される特許請求の
範囲第１項の電子写真感光体： ▲数式、化学式、表等があります▼（３） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） ▲数式、化学式、表等があります▼（６） ▲数式、化学式、表等があります▼（７） ▲数式、化学式、表等があります▼（８） ▲数式、化学式、表等があります▼（９） （式中Ｒ＿８、Ｒ＿９は水素、置換基を有してもよいア
ルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、イ
ミノ基あるいはＲ＿８、Ｒ＿９の結合する窒素原子と一
緒に環状アミノ基を示す；Ｘはベンゼン環と縮合して多
環芳香環あるいはヘテロ環を形成する残基；Ｒ＿１＿０
、Ｒ＿１＿１は置換基を有してもよいアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基を示す；Ｙは芳香族炭化水素の２
価の基あるいは窒素原子と共に複素環を形成する２価の
基を示す；Ｒ＿１＿２、Ｒ＿１＿３は水素、アルキル基
、アルコキシ基、ハロゲン、シアノ基あるいはニトロ基
を示す）。 - （３）上記感光層が電荷発生層と電荷輸送層とからなる
積層型感光層であり、該電荷発生層に上記一般式（１）
及び（２）の少なくとも一種のジスアゾ顔料を含有させ
る特許請求の範囲第１項の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1664785A JPS61177462A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1664785A JPS61177462A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177462A true JPS61177462A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH0513502B2 JPH0513502B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=11922138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1664785A Granted JPS61177462A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889924A (en) * | 1986-10-02 | 1989-12-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Bisazo compounds |
| WO2002006240A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Substituted 4,9-dihydrocyclopenta[imn] phenanthridine-5-ones, derivatives thereof and their uses |
| JP2012020987A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 置換基脱離化合物とそれから得られる有機半導体材料、それを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタおよびディスプレイ装置 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1664785A patent/JPS61177462A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889924A (en) * | 1986-10-02 | 1989-12-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Bisazo compounds |
| WO2002006240A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Substituted 4,9-dihydrocyclopenta[imn] phenanthridine-5-ones, derivatives thereof and their uses |
| JP2012020987A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 置換基脱離化合物とそれから得られる有機半導体材料、それを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタおよびディスプレイ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513502B2 (ja) | 1993-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |