JPH0448220B2 - - Google Patents

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JPH0448220B2
JPH0448220B2 JP59159366A JP15936684A JPH0448220B2 JP H0448220 B2 JPH0448220 B2 JP H0448220B2 JP 59159366 A JP59159366 A JP 59159366A JP 15936684 A JP15936684 A JP 15936684A JP H0448220 B2 JPH0448220 B2 JP H0448220B2
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formula
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substituent
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Shozo Ishikawa
Minoru Mabuchi
Takashi Koyama
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Canon Inc
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Publication date
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、新芏な光導電性被膜及びそれを甚い
た高感床の電子写真感光䜓に関するものである。 埓来の技術 埓来より、光導電性を瀺す顔料や染料に぀いお
は、数倚くの文献等で発衚されおいる。 䟋えば、“RCA Review”Vol.23、P.413〜
P.4191962.9ではフタロシアニン顔料の光導電
性に぀いおの発衚がなされおおり、又このフタロ
シアニン顔料を甚いた電子写真感光䜓が米囜特蚱
第3397086号公報や米囜特蚱第3816118号公報等に
瀺されおいる。その他に、電子写真感光䜓に甚い
る有機半導䜓ずしおは、䟋えば米囜特蚱第
4315983号公報、米囜特蚱第4327169号公報や
“Reseach Disclosure”205171981.5に瀺され
おいるピリリりム系染料、米囜特蚱第3824099号
公報に瀺されおいるスク゚アリツク酞メチン染
料、米囜特蚱第3898084号公報、米囜特蚱第
4251613号公報等に瀺されたゞスアゟ顔料などが
挙げられる。 この様な有機半導䜓は、無機半導䜓に范べお合
成が容易で、しかも芁求する波長域の光に察しお
光導電性をも぀様な化合物ずしお合成するこずが
でき、この様な有機半導䜓の被膜を導電性支持䜓
に圢成した電子写真感光䜓は、感色性が良くなる
ずいう利点を有しおいるが、感床および耐久性に
おいお実甚できるものは、ごく僅かである。 発明が解決しようずする問題点 本発明の第の目的は、高感床の有機半導䜓被
膜を提䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、高感床な有機半導䜓か
らなる光導電性被膜を甚いた電子写真感光䜓を提
䟛するこずにある。 本発明の第の目的は、電子写真匏耇写機に適
した電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 問題点を解決するための手段、䜜甚 本発明は、䞋蚘䞀般匏(1)、(2)又は(3)で衚わされ
るオキサチむリりム塩化合物を含有する光導電性
被膜及び導電性支持䜓の䞊に䞋蚘䞀般匏(1)、(2)又
は(3)で衚わされるオキサチむリりム塩化合物を含
有する感光局を蚭けたこずを特城ずする電子写真
感光䜓から構成される。 䞀般匏(1) 匏䞭、は、又はの敎数、は、眮換基
を有しおもよいベンズオキサチむリりム環、ナフ
トオキサチむリりム環を圢成するための残基であ
り、眮換基ずしおは、メチル、゚チル、プロピ
ル、ブチル等の䜎玚アルキル基、メトキシ、゚ト
キシ、プロポキシ、ブトキシ等の䜎玚アルコキシ
基、フツ玠、塩玠、臭玠、ペヌ玠等ハロゲン原子
又はニトロ基などの官胜基が包含される。R1は
眮換基を有しおもよいベンれン、ナフタレン、ア
ントラセン、ピレン、フルオレン等から誘導され
る芳銙族炭化氎玠基又はプノチアゞン、プノ
キサゞン、カルバゟヌル、むンドヌル、ピロヌ
ル、フラン、チオプン、ゞベンゟフラン、アク
リゞン等から誘導される耇玠環基を衚わし、眮換
基ずしおは、メチル、゚チル、プロピル、ブチル
等の䜎玚アルキル基、メトキシ、゚トキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ等の䜎玚アルコキシ基プノキ
シ等アリヌルオキシ基、メチルメルカプト、゚チ
ルメルカプト等のアルキルメルカプト基、アミノ
基、ゞメチルアミノ、ゞ゚チルアミノ、ゞプロピ
ルアミノ、ゞブチルアミノ等のゞアルキルアミノ
基、ゞベンゞルアミノ等ゞアラルキルアミノ基、
ゞプニルアミノ等ゞアリヌルアミノ基、メチル
プニルアミノ、゚チルプニルアミノ、シアノ
゚チルプニルアミノ、クロロ゚チルプニルア
ミノ等のアルキルアリヌルアミノ基、ベンゞルメ
チルアミノ、ベンゞル゚チルアミノ、ベンゞルシ
アノ゚チルアミノ等のアルキルアラルキルアミノ
基、ベンゞルプニルアミノ等アラルキルアリヌ
ルアミノ基、ピペリゞノ、モルホリノ、ピロリゞ
ノ等の環状アミノ基、−ゞメチルアミノスチリ
ル等β−アリヌル゚チレン基、−ゞメチルアミ
ノプニルアゟ等アリヌルアゟ基等があげられ
る。 A-は、アニオン基であり、具䜓䟋ずしおは、
I-、Br-、Cl-、ClO4 -、BF4 -、PF4 -、
【匏】CH3SO3 -、C2H5SO3 -、 CH3SO4 -等のアニオンが包含される。 䞀般匏(2) 匏䞭ずA-は䞀般匏(1)䞭の、A-ず同矩、
R2、R3も䞀般匏(1)䞭のR1ず同矩であり、R2ずR3
は同䞀又は異぀おもよい。 䞀般匏(3) 匏䞭は、、、又はの敎数、は、
又はの敎数、ずA-は、䞀般匏(1)䞭の、A-
ず同矩、は、Y′ずしお、、Se又はTe原子
ないしは、Y″ずしお−R4を衚わし、䜆し、
R4は、メチル、゚チル、プロピル、ブチル等の
アルキル基、−ヒドロキシ゚チル、−メトキ
シ゚チル、−゚トキシ゚チル、−ヒドロキシ
プロピル、−メトキシプロピル、−゚トキシ
プロピル、−クロロプロピル、−ブロモプロ
ピル、−カルボキシプロピル等の眮換アルキル
基、ベンゞル、プネチル、α−ナフチルメチ
ル、クロロベンゞル、ブロモベンゞル等の眮換又
は非眮換のアラルキル基、プニル、トリル、ナ
フチル、ニトロプニル等の眮換又は非眮換のア
リヌル基等を衚わす。は、ピリゞン、チアゟリ
ン、チアゟヌル、ベンズチアゟヌル、ナフトチア
ゟヌル、オキサゟリン、オキサゟヌル、ベンズオ
キサゟヌル、ナフトオキサゟヌル、むミダゟリ
ン、むミダゟヌル、ベンズむミダゟヌル、ナフト
むミダゟヌル、ベンズセレナゟヌル、キノリン、
む゜キノリン、むンドヌル、オキサゞアゟヌル、
チアゞアゟヌル、ピリリりム、ベンズピリリり
ム、ナフトピリリりム及びその原子を、Se、
Te眮換した耇玠環類及びベンズオキサチむリり
ム、ナフトオキサチむリりム、ベンズゞチむリり
ム、ナフトゞチむリりム等の環䞭に−R4な
いしは−−、−−、−Se−、−Te−を含む耇玠
環類を圢成する残基を瀺し、かかる耇玠環は、フ
ツ玠、塩玠、臭玠、ペヌ玠等ハロゲン原子、メチ
ル、゚チル、プロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、゚トキシ、プロポキシ、ブトキシ等の
アルコキシ基、ニトロ基、プニル、トリル等の
アリヌル基によ぀お眮換されおいおもよい。個
の耇玠環を結ぶ連鎖䞭の原子に぀いおいる原
子の眮換基ずしおは、フツ玠、塩玠、臭玠、ペヌ
玠等ハロゲン原子、シアノ基、メチル、゚チル、
プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、゚
トキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコキシ
基、メチルメルカプト、゚チルメルカプト、ブチ
ルメルカプト等のアルキルメルカプト基、プニ
ル等のアリヌル基等があげられる。 次に本発明に甚いられるオキサチむリりム塩化
合物の䞀般的な補法に぀いお述べる。 䞀般匏(1)で瀺される化合物は 各反応匏䞭の蚘号は䞀般匏(1)䞭の蚘号ず同矩で
あり、l′は−でありか぀又はを瀺すに
埓぀お䞀般に合成される。 䞀般匏(2)の化合物は 各反応匏䞭の蚘号は䞀般匏(2)䞭の蚘号ず同矩で
ある。に埓぀お䞀般に合成される。この方法に
関しおはBP903994の蚘茉が詳しい。 䞀般匏(3)の化合物は 等の方法で䞀般的に合成される。 反応匏䞭の蚘号は䞀般匏(3)䞭の蚘号ず同矩であ
り、R5は前蚘個の耇玠環を結ぶ連鎖䞭の氎玠
原子ないしはその眮換基を瀺す。 これ等の化合物は察応するオキサチむリりム塩
化合物に準じお合成するこずができHelv.Chim.
Acta 4621671963にも蚘茉がある。 以䞋本発明で甚いるオキサチむリりム塩化合物
の具䜓䟋を列挙する。 前述のオキサチむリりム塩化合物を有する被膜
は光導電性を瀺し、埓぀お䞋述する電子写真感光
䜓の感光局に甚いるこずができる。 すなわち、本発明の具䜓䟋では導電性支持䜓の
䞊に前述のオキサチむリりム塩化合物を真空蒞着
法により被膜圢成するか、あるいは適圓なバむン
ダヌ䞭に分散含有させお被膜圢成するこずにより
電子写真感光䜓を調補するこずができる。 本発明の奜たしい具䜓䟋では、電子写真感光䜓
の感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分離し
た電子写真感光䜓における電荷発生局ずしお、前
述の光導電性被膜を適甚するこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前述の光導電性を瀺す化合物を含
有し、䞔぀発生した電荷キダリアの飛皋を短かく
するために薄膜局、䟋えば5Ό以䞋、奜たしくは
0.01Όの膜厚をも぀薄膜局ずするこずが奜たしい。
このこずは、入射光量の倧郚分が電荷発生局で、
吞収されお、倚くの電荷キダリアを生成するこ
ず、さらに発生した電荷キダリアを再結合や捕獲
トラツプにより倱掻するこずなく電荷茞送局
に泚入する必芁があるこずに垰因しおいる。 電荷発生局は、前述の化合物を適圓なバむンダ
ヌに分散させ、これを基䜓の䞊に塗工するこずに
よ぀お圢成でき、たた真空蒞着装眮により蒞着膜
を圢成するこずによ぀お埗るこずができる。電荷
発生局を塗工によ぀お圢成する際に甚いうるバむ
ンダヌずしおは広範な絶瞁性暹脂から遞択でき、
たたポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニル
アントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマヌから遞択できる。奜たしくは、ポリ
ビニルブチラヌル、ポリアリレヌトビスプノ
ヌルずフタル酞の瞮重合䜓など。ポリカヌボ
ネヌト、ポリ゚ステル、プノキシ暹脂、ポリ酢
酞ビニル、アクリル暹脂、ポリアクリルアミド、
ポリアミド、ポリビニルピリゞン、セルロヌス系
暹脂、りレタン暹脂、゚ポキシ暹脂、カれむン、
ポリビニルアルコヌル、ポリビニルピロリドンな
どの絶瞁性暹脂を挙げるこずができる。電荷発生
局䞭に含有する暹脂は、80重量以䞋、奜たしく
は40重量以䞋が適しおいる。 これらの暹脂を溶解する溶剀は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述の電荷茞送局や䞋匕き局
を溶解しないものから遞択するこずが奜たしい。
具䜓的な有機溶剀ずしおは、メタノヌル、゚タノ
ヌル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、ア
セトン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノン
などのケトン類、−ゞメチルホルムアミ
ド、−ゞメチルアセトアミドなどのアミド
類、ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレン
グリコヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル
類、酢酞メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、
クロロホルム、塩化メチレン、ゞクロル゚チレ
ン、四塩化炭玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化氎玠類あるいはベンれン、トル
゚ン、キシレン、リグロむン、モノクロルベンれ
ン、ゞクロルベンれンなどの芳銙族類などを甚い
るこずができる。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。也燥は、宀枩に
おける指觊也燥埌、加熱也燥する方法が奜たし
い。加熱也燥は、30〜200℃の枩床で分〜時
間の範囲の時間で、静止たたは送颚䞋で行なうこ
ずができる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよくたたその䞋に積局
されおいおもよい。しかし電荷発生局が最䞊局の
堎合繰返し䜿甚時に塗膜の削れが発生し感床倉化
をひき起す堎合があり電荷茞送局は電荷発生局の
䞊に積局されおいるこずが望たしい。 電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する物
質以䞋、単に電荷茞送物質ずいうは、前述の
電荷発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であるこずが奜たしい。ここで蚀う「電
磁波」ずは、γ線、線、玫倖線、可芖光線、近
赀倖線、赀倖線、遠赀倖線などを包含する広矩の
「光線」の定矩を包含する。電荷茞送局の光感応
性波長域が電荷発生局のそれず䞀臎たたはオヌバ
ヌラツプする時には、䞡者で発生した電荷キダリ
アが盞互に捕獲し合い、結果的には感床の䜎䞋の
原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおは、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノ゚チレ
ン、テトラシアノキノゞメタン、−ト
リニトロ−−フルオレノン、−
テトラニトロ−−フルオレノン、−
トリニトロ−−ゞシアノメチレンフルオレノ
ン、−テトラニトロキサントン、
−トリニトロチオキサントン等の電子
吞匕性物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化し
たもの等がある。 正孔茞送性物質ずしおは、ピレン、−゚チル
カルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチ
リデン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞフ
゚ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チル
カルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン
−10−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−α−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−
ピロリゞノベンズアルデヒド−−ゞプニ
ルヒドラゟン、−トリメチルむンドレ
ニン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒド
ラゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メ
チルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟン等のヒ
ドラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミノ
プニル−−オキサゞアゟヌル、
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔キノリル(2)〕−−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔−メトキシ
−ピリゞル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン、−〔ピリゞル(3)〕−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−〔レピゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−〔ピリゞル(2)〕−−α−メチル−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−プニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピ
ラゟリン類、−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ルオキサゟヌル等のオキサゟヌル系化合物、
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チル
アミノベンゟチアゟヌル等のチアゟヌル系化合
物、ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプ
ニル−プニルメタン等のトリアリヌルメタン
系化合物、−ビス−−ゞ゚チル
アミノ−−メチルプニルヘプタン、
−テトラキス−−ゞメチル
アミノ−−メチルプニル゚タン等のポリア
リヌルアルカン類、トリプニルアミン、ポリ−
−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルアクリゞン、
ポリ−−ビニルプニルアントラセン、ピレン
−ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホ
ルムアルデヒド暹脂等がある。 これらの有機電荷茞送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
りムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合せお甚いるこずができる。 電荷茞送物質に成膜性を有しおいない時には、
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ゚ス
テル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマヌ、アクリロニト
リル−ブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂、あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌを挙げるこずが
できる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には、〜30Όであるが、奜たし
い範囲は〜20Όである。塗工によ぀お電荷茞送
局を圢成する際には、前述した様な適圓なコヌテ
むング法を甚いるこずができる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が導電性をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アル
ミニりム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞり
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、む
ンゞりム、金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞化む
ンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム−酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレフ
タレヌト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレンな
ど、導電性粒子䟋えば、カヌボンブラツク、
銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプラス
チツクの䞊に被芆した基䜓、導電性粒子をプラス
チツクや玙に含浞した基䜓や導電性ポリマヌを有
するプラスチツクなどを甚いるこずができる。 導電性ず感光性の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ニトロセ
ルロヌス、゚チレン−アクリル酞コポリマヌ、ポ
リアミドナむロン、ナむロン66、ナむロン
610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕き局の膜厚は、0.1〜5Ό、奜たしくは0.5〜
3Όが適圓である。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送物質が
電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送局衚面
を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光するず露
光郚では電荷発生局においお生成した電子が電荷
茞送局に泚入され、そのあず衚面に達しお正電荷
を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間
に静電コントラストが生じる。この様にしおでき
た静電朜像を負荷電性のトナヌで珟像すれば可芖
像が埗られる。これを盎接定着するか、あるいは
トナヌ像を玙やプラスチツクフむルム等に転写
埌、珟像し定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採甚しおも良く、特定のものに
限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送物質から成る堎
合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その埌
衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。珟像時には電子茞送性物質を甚いた堎合ずは
逆に正電荷性トナヌを甚いる必芁がある。 曎に前蚘バむンダヌ暹脂䞭にオキサチむリりム
塩化合物を分散した単局型感光䜓ずする事もでき
る。 たた、本発明の別の具䜓䟋では、前述のヒドラ
ゟン類、ピラゟリン類、オキサゟヌル類、チアゟ
ヌル類、トリアリヌルメタン類、ポリアリヌルア
ルカン類、トリプニルアミン、ポリ−−ビニ
ルカルバゟヌル類など有機光導電性物質や酞化亜
鉛、硫化カドミりム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剀ずしお前述のオキサチむリりム塩化
合物を含有させた感光被膜ずするこずができる。
この感光被膜は、これらの光導電性物質ず前述の
オキサチむリりム塩化合物をバむンダヌず共に塗
工によ぀お被膜圢成される。 たた本発明の別の具䜓䟋ずしおは、特開昭49−
91648号公報光導電性郚材に開瀺されおいる
様な電荷移動錯䜓䞭に電荷発生材料を分散したタ
むプの感光䜓ずしお䜿甚する事もできる。 いずれの感光䜓においおも、䞀般匏(1)、(2)又は
(3)で衚わされる化合物から遞ばれる少くずも皮
類のオキサチむリりム塩化合物を含有し、必芁に
応じお光吞収の異なる他の光導電性顔料や染料を
組合せお䜿甚するこずによ぀お、この感光䜓の感
床を高めたり、あるいはパンクロマチツクな感光
䜓ずしお調補するこずも可胜である。 本発明の電子写真感光䜓は電子写真耇写機に利
甚するのみならずレヌザヌビヌムプリンタヌ、
LEDプリンタヌ、CRTプリンタヌなどの電子写
真応甚分野にも広く甚いるこずができる。 以䞋、本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。 実斜䟋 〜30 アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2、28アンモニア氎、氎222ml
をマむダヌバヌで、也燥埌の膜厚が1.0Όずなる様
に塗垃し、也燥した。 次に、ブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63モル
をむ゜プロピルアルコヌル95mlに溶かし
た溶液に、䞋蚘衚に挙げた30皮のオキサチむリり
ム塩化合物を各々加えお30皮の塗工液を調補
した。 各塗工液をサンドミルで時間分散した埌、そ
れぞれ前述のカれむン䞋匕局の䞊に也燥埌の膜厚
が0.1Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也燥し
お電荷発生局を圢成させた。 次いで、構造匏 のヒドラゟン化合物ずポリメチルメタクリレ
ヌト暹脂数平均分子量100000をベンれン
70mlに溶解し、これを電荷発生局の䞊に也燥埌の
膜厚が12Όずなる様にマむダヌバヌで塗垃し、也
燥しお電荷茞送局を圢成した。 この様にしお䜜成した25皮の電子写真感光䜓を
川口電機(æ ª)補静電耇写玙詊隓装眮ModelSP−428
を甚いお、スタチツク方匏で−5KVでコロナ垯
電し、暗所で秒間保持した埌、照射5luxで秒
間露光し垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは初期垯電電䜍V0ず秒
間暗枛衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するのに必
芁な露光量E1/2を枬定した。この結果を第
衚に瀺す。又、20lux・sec露光埌の残留電䜍を
VRで衚わした。
【衚】 比范䟋 〜 䞊蚘比范化合物を実斜䟋のオキサチむリりム
塩化合物に代え実斜䟋ず党く同様に感光䜓を䜜
成し特性を調べその結果を衚に瀺した。
【衚】
【衚】 比范䟋はいずれも感床が実斜䟋よりも䜎く残留
電䜍が倧きい。曎に実斜䟋の垯電枬定装眮を甚
いスタチツク方匏で−5KVの印加電圧でコロナ
垯電し秒間暗枛衰せしめた埌照床20luxで秒
間露光し同じ垯電操䜜を5000回繰り返し垯電初期
電䜍V0ず露光埌の残留電䜍VRの倉化を調べ結果
を衚に瀺した。なお実斜䟋、13、18、37、55
の感光䜓に぀いおも同じ枬定を行぀た。
【衚】 比范䟋の感光䜓がいずれも初期残留電䜍が高い
のに察応しお繰返し䜿甚時の残留電䜍が著しく高
く残留電䜍に抌し䞊げられおV0も高く実甚䞊電
䜍安定性に欠け倧きな問題である。それに反し本
発明による実斜䟋は初期の感床、残留電䜍のいず
れもすぐれた特性を有し繰返し䜿甚埌の特性も極
めお安定である。 実斜䟋 31 ポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟(æ ª)補、バむロン
200ず−〔ピリゞル−(2)〕−−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリンをメ
チル゚チルケトン80mlに溶解した埌、前述のオキ
サチリむりム塩化合物No. 1.0を添加し分散
埌、アルミニりム蒞着したポリ゚ステルフむルム
䞊に塗垃也燥し、也燥膜厚13Όの感光局を有する
感光䜓を䜜成した。 この感光䜓の特性を実斜䟋ず同様の方法によ
぀お初期垯電電䜍V0、秒間暗枛衰させた時
の垯電電䜍を1/2に枛衰するに必芁な露光量
E1/2を枬定したずころ、䞋蚘のずおりであ぀
た。䜆し垯電極性はずした。 V0580V E1/23.5lux・sec 実斜䟋 32 ポリ−−ビニルカルバゟヌルず前述のオ
キサチむリりム塩化合物No.18、mgを−ゞ
クロル゚タン10に加えた埌、十分に撹拌した。
こうしお調補した塗工液をアルミニりム蒞着した
ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムの䞊に也燥
膜厚が15Όずなる様にドクタヌブレヌドにより塗
垃した。 この感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず同様の方法
によ぀お枬定した。䜆し、垯電極性はずした。
この結果を䞋蚘に瀺す。 V0560V E1/23.6lux・sec 実斜䟋 33 前蚘実斜䟋32の電子感光䜓を調補した時に甚い
たオキサチむリりム塩化合物No.18に代えお前述オ
キサチむリりム塩化合物No.24を甚いた他は実斜䟋
32ず党く同様の方法で感光䜓を調補した埌、この
感光䜓の垯電特性を枬定した。この結果を䞋蚘に
瀺す。䜆し、垯電極性をずした。 V0590V E1/23.3lux・sec 実斜䟋 34 埮粒子酞化亜鉛堺化孊(æ ª)補Sazex200010
、アクリル系暹脂䞉菱レヌペン(æ ª)補ダむダナ
ヌルLR009、トル゚ン10および前蚘䟋瀺
のオキサチむリりム塩化合物No.37、10mgをボヌル
ミル䞭で十分に混合し、埗られた塗工液をアルミ
ニりム蒞着したポリ゚チレンテレフタレヌトフむ
ルムの䞊にドクタヌブレヌドにより也燥膜厚が
21Όになる様に塗垃し、也燥しお電子写真感光䜓
を調補した。 この電子写真感光䜓の分光感床を電子写真法の
分光写真により枬定したずころ、前述のオキサチ
むリりム塩化合物を含有しおいない酞化亜鉛被膜
に范べお、本実斜䟋の感光䜓は長波長偎に感床を
有しおいるこずが刀明した。 実斜䟋 35 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコヌルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋ず同じオキサチむリりム塩化合
物を含有した塗工液を先に圢成したポリビニルア
ルコヌル局の䞊に、也燥埌の膜厚が0.1Όずなる様
にマむダヌバヌで塗垃し、也燥しお電荷発生局を
圢成した。 次いで、構造匏 のピラゟリン化合物ずポリアリレヌト暹脂
ビスプノヌルずテレフタル酞−む゜フタル
酞の瞮重合䜓をテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が
10Όずなる様に塗垃し、也燥しお電荷茞送局を圢
成した。 こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋ず
同様の方法によ぀お枬定した。この結果を䞋蚘に
瀺す。 V0−600V E1/22.0lux・sec 実斜䟋 36 厚さ100Ό厚のアルミ板䞊にカれむンのアンモ
ニア氎溶液を塗垃し、也燥しお膜厚1.1Όの䞋匕局
を圢成した。 次に、−トリニトロ−−フルオレ
ノンずポリ−−ビニルカルバゟヌル数平
均分子量300000をテトラヒドロフラン70ml
に溶かしお電荷移動錯化合物を圢成した。この電
荷移動錯化合物ず前述のオキサチむリりム塩化合
物No.50、をポリ゚ステル暹脂バむロン東
掋玡補をテトラヒドロフラン70mlに溶かし
た液に加え、分散した。この分散液を䞋匕局の䞊
に也燥埌の膜厚が12Όずなる様に塗垃し、也燥し
た。こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋
ず同様の方法で枬定した。これらの結果は、次
のずおりであ぀た。 䜆し、垯電極性はずした。 V0560V E1/23.3lux・sec 実斜䟋 37 アルミ蒞着ポリ゚チレンテレフタレヌトフむル
ムのアルミ面䞊に膜厚1.1Όのポリビニルアルコヌ
ルの被膜を圢成した。 次に、実斜䟋29で甚いた前述のオキサチむリり
ム塩化合物No.53の分散液を先に圢成したポリビニ
ルアルコヌル局の䞊に、也燥埌の膜厚が0.5Όずな
る様にマむダヌバヌで塗垃し、也燥しお電荷発生
局を圢成した。 次に、構造匏 のピラゟリン化合物ずポリアリレヌト暹脂
ビスプノヌルずテレフタル酞−む゜フタル
酞の瞮重合䜓をテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生局の䞊に也燥埌の膜厚が
10Όずなる様に塗垃し、也燥しお電荷茞送局を圢
成した。 こうしお調補した感光䜓の垯電特性を実斜䟋
ず同様の方法によ぀お枬定した。これの結果は次
のずおりであ぀た。 V0−590V E1/22.4lux・sec 発明の効果 䞊蚘したずおり、本発明は高感床の光導電性被
膜を䞎え、高感床の電子写真感光䜓を実珟できた
ものである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘䞀般匏(1)、(2)又は(3)で衚わされるオキサ
    チむリりム塩化合物を含有する光導電性被膜。 䞀般匏(1) 匏䞭は、、又はの敎数、は眮換基を
    有しおもよいベンズオキサチむリりム環、ナフト
    オキサチむリりム環を圢成するための残基、R1
    は、眮換基を有しおもよい芳銙族炭化氎玠基又は
    耇玠環基、A-は、アニオン基を衚わす。 䞀般匏(2) 匏䞭は、䞀般匏(1)䞭のず同矩、R2、R3は、
    䞀般匏(1)䞭のR1ず同矩、䜆し、R2ずR3は同䞀又
    は異な぀おもよく、A-は䞀般匏(1)䞭のA-ず同矩
    である。 䞀般匏(3) 匏䞭は、、、又はの敎数、は、
    又はの敎数、は、䞀般匏(1)䞭のず同矩、
    は、Y′ずしお、、Se又はTe原子ないしは
    Y″ずしお−R4を衚わし、䜆し、R4は眮換又
    は非眮換のアルキル基、アラルキル基又はアリヌ
    ル基であり、は、眮換基を有しおもよいない
    し員の耇玠環、又は眮換基を有しおもよいベン
    れン、ナフタレン等の芳銙環ず瞮合したないし
    員の耇玠環を圢成するための残基を衚わし、
    個の耇玠環を結ぶ連鎖䞭の炭玠原子に぀いおいる
    氎玠は官胜基で眮換されおいおもよく、A-は、
    䞀般匏(1)䞭のA-ず同矩である。  導電性支持䜓の䞊に䞋蚘䞀般匏(1)、(2)又は(3)
    で衚わされるオキサチむリりム塩化合物を含有す
    る感光局を蚭けたこずを特城ずする電子写真感光
    䜓。 䞀般匏(1) 匏䞭は、、又はの敎数、は眮換基を
    有しおもよいベンズオキサチむリりム環、ナフト
    オキサチむリりム環を圢成するための残基、R1
    は、眮換基を有しおもよい芳銙族炭化氎玠基又は
    耇玠環基、A-は、アニオン基を衚わす。 䞀般匏(2) 匏䞭は、䞀般匏(1)䞭のず同矩、R2、R3は、
    䞀般匏(1)䞭のR1ず同矩、䜆し、R2ずR3は同䞀又
    は異な぀おもよく、A-は䞀般匏(1)䞭のA-ず同矩
    である。 䞀般匏(3) 匏䞭は、、、又はの敎数、は、
    又はの敎数、は、䞀般匏(1)䞭のず同矩、
    は、Y′ずしお、、Se又はTe原子ないしは
    Y″ずしお−R4を衚わし、䜆し、R4は眮換又
    は非眮換のアルキル基、アラルキル基又はアリヌ
    ル基であり、は、眮換基を有しおもよいない
    し員の耇玠環、又は眮換基を有しおもよいベン
    れン、ナフタレン等の芳銙環ず瞮合したないし
    員の耇玠環を圢成するための残基を衚わし、
    個の耇玠環を結ぶ連鎖䞭の炭玠原子に぀いおいる
    氎玠は官胜基で眮換されおいおもよく、A-は、
    䞀般匏(1)䞭のA-ず同矩である。  感光局が少くずも特蚱請求の範囲第項に蚘
    茉したオキサチむリりム塩化合物を含む電荷発生
    局ず電荷茞送局を順次積局したものである特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。
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