JPS6211858A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6211858A JPS6211858A JP15187085A JP15187085A JPS6211858A JP S6211858 A JPS6211858 A JP S6211858A JP 15187085 A JP15187085 A JP 15187085A JP 15187085 A JP15187085 A JP 15187085A JP S6211858 A JPS6211858 A JP S6211858A
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- charge
- charge generating
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0618—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen and nitrogen
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- Emergency Medicine (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電荷発生層が互いに異なる無機光導電材料を主
体とする２層のヘテロ接合からな夛、電荷移動層が特定
の電子受容性有機材料を主体としてなる積層型電子写真
感光体に関する。
体とする２層のヘテロ接合からな夛、電荷移動層が特定
の電子受容性有機材料を主体としてなる積層型電子写真
感光体に関する。
従来技術
従来、電子写真感光体としては例えばＡｌ板のような導
電性支持体上にＳｅ ｌ Ａｓｘ５ｅｓ ＋ ＣｄＳ
。
電性支持体上にＳｅ ｌ Ａｓｘ５ｅｓ ＋ ＣｄＳ
。
ＺｎＯ，Ｓｉ 等の無機光導電材料又はアゾ顔料、キノ
ン顔料、７タロシアニン顔料等の有機光導電材料を主成
分とする電荷発生層とその上にヒドラゾン化合物、スチ
リル化合物、シッフ塩基等の電荷移動材料を主成分とす
る電荷移動層を設けた積層型のものが知られている。ま
た類似した積層型感光体として特開昭５１−１２２４４
８号では支持体に近い順に第１ＮとしてＺｎ５ｌ−ｘＳ
ｔｓｘ ｓ第２層として（Ｚｎｔ−ｙＯｄｙＴｅ）ｔ−
ｚ（ｌｎ２Ｔｅ３）ｚ 、及び第３層としてＴＮＦ’（
２゜４．７−）ジニトロ−９−フルオレノン）、ＰＶＫ
（ポリビニルカルノすゾール）等を用いたものが提案さ
れている。ここで第１層と第２層とは異種の無機光導電
材料の組合わせによってペテロ接合を形成して（・る。
ン顔料、７タロシアニン顔料等の有機光導電材料を主成
分とする電荷発生層とその上にヒドラゾン化合物、スチ
リル化合物、シッフ塩基等の電荷移動材料を主成分とす
る電荷移動層を設けた積層型のものが知られている。ま
た類似した積層型感光体として特開昭５１−１２２４４
８号では支持体に近い順に第１ＮとしてＺｎ５ｌ−ｘＳ
ｔｓｘ ｓ第２層として（Ｚｎｔ−ｙＯｄｙＴｅ）ｔ−
ｚ（ｌｎ２Ｔｅ３）ｚ 、及び第３層としてＴＮＦ’（
２゜４．７−）ジニトロ−９−フルオレノン）、ＰＶＫ
（ポリビニルカルノすゾール）等を用いたものが提案さ
れている。ここで第１層と第２層とは異種の無機光導電
材料の組合わせによってペテロ接合を形成して（・る。
しかし前者の感光体の場合、白色感度は実用の域に達し
ているものの、未だ充分とは言えないし、また分光感度
も長波長側で不足している。
ているものの、未だ充分とは言えないし、また分光感度
も長波長側で不足している。
一方、後者の感光体も前述のような組合わせのヘテロ接
合では長波長側の波長限界が７５０ｎｍとやはシ分光感
度が不充分である。
合では長波長側の波長限界が７５０ｎｍとやはシ分光感
度が不充分である。
目 的
本発明の目的は白色感度が速く、しかも分光感度が広い
電子写真感光体を提供することである。
電子写真感光体を提供することである。
構 成
本発明の電子写真感光体は第１図に示すように、導電性
支持体１上に電荷発生層２及び電荷移動層３を順次設け
た電子写真感光体において、電荷発生層２が支持体１に
近い方から顆に０ｄＴｅを主成分とする第１層４とＺｎ
Ｓ又はＣｄＳを主成分とする第２層５とのヘテロ接合に
よって構成され、且つ電荷移動層３が下記構造式を有す
る電子受容性有機材料を主成分として構成されているこ
とを特徴とするものである。なお図中、１ａｉｌ−１，
導電層である。
支持体１上に電荷発生層２及び電荷移動層３を順次設け
た電子写真感光体において、電荷発生層２が支持体１に
近い方から顆に０ｄＴｅを主成分とする第１層４とＺｎ
Ｓ又はＣｄＳを主成分とする第２層５とのヘテロ接合に
よって構成され、且つ電荷移動層３が下記構造式を有す
る電子受容性有機材料を主成分として構成されているこ
とを特徴とするものである。なお図中、１ａｉｌ−１，
導電層である。
このように本発明の電荷発生層は周期律表第ｎｂ族に属
するＺｎ又はＯｄ系金金属周期律表第Ｖｌａ族に属する
Ｓ又はＴｏ系非金属の化合物（■−Ｖｌ族化合物）光導
電材料を主成分とする層同志のヘテロ接合からなってい
る。このヘテロ接合に電荷移動層の材料として特定の電
子受容性有機材料を組合せることにより、本発明の感光
体は分光感度が８６０ｎｍ迄増大する上、白色感度も向
上する。即ち分光感度については、本発明のように２種
の無機光導電材料からなるヘテロ接合を有する積層型感
光体ではＺｎＳ又はＣｄＳのノ々ンドギャップに等しい
３４０ ｎｍ又は５１０ｎｍカら０ｄＴｅのバンドギャ
ップに等しい８６０ｎｍ迄の波長範囲が力、？−される
ので、近赤外に近い可視領域迄、分光感度が増大する。
するＺｎ又はＯｄ系金金属周期律表第Ｖｌａ族に属する
Ｓ又はＴｏ系非金属の化合物（■−Ｖｌ族化合物）光導
電材料を主成分とする層同志のヘテロ接合からなってい
る。このヘテロ接合に電荷移動層の材料として特定の電
子受容性有機材料を組合せることにより、本発明の感光
体は分光感度が８６０ｎｍ迄増大する上、白色感度も向
上する。即ち分光感度については、本発明のように２種
の無機光導電材料からなるヘテロ接合を有する積層型感
光体ではＺｎＳ又はＣｄＳのノ々ンドギャップに等しい
３４０ ｎｍ又は５１０ｎｍカら０ｄＴｅのバンドギャ
ップに等しい８６０ｎｍ迄の波長範囲が力、？−される
ので、近赤外に近い可視領域迄、分光感度が増大する。
また白色感度については第２図の本発明感光体のエネル
ギーバンド概略図で説明すると、画像露光時に照射され
た光のうち電荷移動層３及び電荷発生層の第２１帝５を
透過した光ｈνによシ励起された電子６及び正孔７よシ
なるキャリアのうち電子６は電荷移動層３を経て感光体
表面へ、また正孔７は支持体１の導電層１ａへ強制的に
分離されるので、白色感度が増大する。なおこのため電
荷移動層には従来の正孔移動材料は使用できず、代りに
電子移動材料である電子受容性材料、特にＤＤＱが主成
分として使用される。
ギーバンド概略図で説明すると、画像露光時に照射され
た光のうち電荷移動層３及び電荷発生層の第２１帝５を
透過した光ｈνによシ励起された電子６及び正孔７よシ
なるキャリアのうち電子６は電荷移動層３を経て感光体
表面へ、また正孔７は支持体１の導電層１ａへ強制的に
分離されるので、白色感度が増大する。なおこのため電
荷移動層には従来の正孔移動材料は使用できず、代りに
電子移動材料である電子受容性材料、特にＤＤＱが主成
分として使用される。
電荷移動層にはその他、結着剤を併用することができる
。
。
結着剤としてはポリアミド、ポリウレタン、ポリエステ
ル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーＩネートなど
の縮合樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリー
Ｎ−ピニルカルノ々ゾール、ポリアクリルアミドなどの
ビニル重合体等が挙げられるが、絶縁性で接着性のおる
樹脂は全て使用できる。
ル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーＩネートなど
の縮合樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリー
Ｎ−ピニルカルノ々ゾール、ポリアクリルアミドなどの
ビニル重合体等が挙げられるが、絶縁性で接着性のおる
樹脂は全て使用できる。
なお電荷移動層中のＤＤＱの割合は１０〜９５重量％、
好ましくは３０〜９０重量％が適当である。
好ましくは３０〜９０重量％が適当である。
本発明の感光体において導電性支持体としてはガラス等
の導電処理を施した耐熱性基板が使用される。
の導電処理を施した耐熱性基板が使用される。
本発明の感光体を作るには例えば導電性支持体上に０ｄ
Ｔｅを真空蒸着し、引続き４００〜６００Ｃ１好ましく
は４３０〜５５０Ｃで３０〜６０分間熱処理を施して電
荷発生層用第１層を形成し、その上にＺｎＳ又はＣｄＳ
をスパッタリングし、再び前記温度及び時間熱処理を施
して電荷発生層用第２層を形成し、更にその上にＤＤＱ
及び必要あれば結着剤を主成分とする溶液を塗布乾燥し
て電荷移動層を形成すればよい。
Ｔｅを真空蒸着し、引続き４００〜６００Ｃ１好ましく
は４３０〜５５０Ｃで３０〜６０分間熱処理を施して電
荷発生層用第１層を形成し、その上にＺｎＳ又はＣｄＳ
をスパッタリングし、再び前記温度及び時間熱処理を施
して電荷発生層用第２層を形成し、更にその上にＤＤＱ
及び必要あれば結着剤を主成分とする溶液を塗布乾燥し
て電荷移動層を形成すればよい。
なおこうして形成される第１層、第２層及び電荷移動層
の厚さは夫々０．５〜２μｍ（好ましくは０．７〜Ｉａ
ｍ）、１〜１０μｍ（好ましくは５〜６μｆｆ１）、３
〜５０μｍ（好ましくは５〜２０μｍ）程度が適当であ
る。
の厚さは夫々０．５〜２μｍ（好ましくは０．７〜Ｉａ
ｍ）、１〜１０μｍ（好ましくは５〜６μｆｆ１）、３
〜５０μｍ（好ましくは５〜２０μｍ）程度が適当であ
る。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１
透明導電膜を設けた耐熱ガラス基板上に真空度２．７
Ｘ １０””’ Ｐａ以下の圧力中、基板温度２５０Ｃ
の条件で０ｄＴｅを真空蒸着し、引続き２ρＡｒ雰囲気
中、約５００Ｃで約６０分間熱処理を施して約１μｍ厚
の電荷発生層用第１層を形成し、次にその上にＡｒガス
圧５ Ｐａ雰囲気中、基板温度２４０Ｃの条件でＺｎＳ
をスパッタリングし、引続き再度、前記Ａｒ雰囲気中、
５００ Ｃで約６０分間熱処理を施して約５μｍ厚の電
荷発生層用第２層を形成した。更にこの第２層上にＤＤ
Ｑ ８重量部ポリ
カーブネート １０重量部ＴＨ
Ｆ（テトラヒドロフラン） ８２重量部シリ
コンオイル ０．００２重量部か
らなる溶液を浸漬法によシ塗布し乾燥して約２０μｍ厚
の電荷移動層を形成することにより、積層型電子写真感
光体を作成した。
Ｘ １０””’ Ｐａ以下の圧力中、基板温度２５０Ｃ
の条件で０ｄＴｅを真空蒸着し、引続き２ρＡｒ雰囲気
中、約５００Ｃで約６０分間熱処理を施して約１μｍ厚
の電荷発生層用第１層を形成し、次にその上にＡｒガス
圧５ Ｐａ雰囲気中、基板温度２４０Ｃの条件でＺｎＳ
をスパッタリングし、引続き再度、前記Ａｒ雰囲気中、
５００ Ｃで約６０分間熱処理を施して約５μｍ厚の電
荷発生層用第２層を形成した。更にこの第２層上にＤＤ
Ｑ ８重量部ポリ
カーブネート １０重量部ＴＨ
Ｆ（テトラヒドロフラン） ８２重量部シリ
コンオイル ０．００２重量部か
らなる溶液を浸漬法によシ塗布し乾燥して約２０μｍ厚
の電荷移動層を形成することにより、積層型電子写真感
光体を作成した。
比較例１
電荷発生層（厚さ約５μ？７１）としてＡ＋＋１Ｓｅｇ
単独層な実施例１と同様な真空蒸着法及びスパッタリン
グ法で夫々設けた他は実施例１と同様にして積層型感光
体を作成した。
単独層な実施例１と同様な真空蒸着法及びスパッタリン
グ法で夫々設けた他は実施例１と同様にして積層型感光
体を作成した。
比較例２
電荷移動層用溶液を下記の溶液に代えた他は実施例１と
同様にして積層型感光体を作成した。
同様にして積層型感光体を作成した。
２Ｈ５
ポリカージネート ５重量部
塩化メチレン ９０重量部
シリコンオイル ０．００２重量部
実施例２ 電荷発生層用第２層の形成時にＺｎＳの代シにＣｄＳを
用い、且つ第１層形成時の基板温度を２００Ｃとし、第
１層及び第２層形成時の熱処理時間を約３０分間とした
他は実施例１と同じ方法で積層型感光体を作成した。
塩化メチレン ９０重量部
シリコンオイル ０．００２重量部
実施例２ 電荷発生層用第２層の形成時にＺｎＳの代シにＣｄＳを
用い、且つ第１層形成時の基板温度を２００Ｃとし、第
１層及び第２層形成時の熱処理時間を約３０分間とした
他は実施例１と同じ方法で積層型感光体を作成した。
次に以上の各感光体を、市販のべ一ノクーアナライザー
（川口電機製ＳＰ ４２８）で評価した結果を下表に示
す。
（川口電機製ＳＰ ４２８）で評価した結果を下表に示
す。
効 果
以上の如く本発明の積層型電子写真感光体は電荷発生層
を０ｄＴｅの第１層及びＺｎＳ又はＣｄＳの第２層のヘ
テロ接合構造とし、且つ電荷移動層の材料に電子受容性
有機材料、特にＤＤＱを用いたので、分光感度が８６０
ｎｍ迄広がると共に、白色感度も露光時の正孔及び電
子の強制的な分離によシ速くなる。しかも露光は電荷移
動層側から行なえるので、支持体の制約がなく、この九
め複写機内で露光系を考慮する必要がなく、従って簡単
な複写装置でよいという利点もある。
を０ｄＴｅの第１層及びＺｎＳ又はＣｄＳの第２層のヘ
テロ接合構造とし、且つ電荷移動層の材料に電子受容性
有機材料、特にＤＤＱを用いたので、分光感度が８６０
ｎｍ迄広がると共に、白色感度も露光時の正孔及び電
子の強制的な分離によシ速くなる。しかも露光は電荷移
動層側から行なえるので、支持体の制約がなく、この九
め複写機内で露光系を考慮する必要がなく、従って簡単
な複写装置でよいという利点もある。
第１図は本発明感光体の一例の構成図、第２図は同感光
体のエネルギーノ々ンドの概略図である０ １・・・導電層１ａを有する導電性支持体２・・・Ｃｄ
Ｔｅを主成分とする第１層４とＣｄＳ又はＺｎＳを主成
分とする第２層５とのヘテロ接合からなる電荷発生層
体のエネルギーノ々ンドの概略図である０ １・・・導電層１ａを有する導電性支持体２・・・Ｃｄ
Ｔｅを主成分とする第１層４とＣｄＳ又はＺｎＳを主成
分とする第２層５とのヘテロ接合からなる電荷発生層
Claims (1)
- １、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷移動層を順次
設けた電子写真感光体において、電荷発生層が支持体に
近い方から順にＣｄＴｅを主成分とする第１層と、Ｚｎ
Ｓ又はＣｄＳを主成分とする第２層とのヘテロ接合によ
つて構成され、且つ電荷移動層が下記構造式を有する電
子受容性有機材料を主成分として構成されることを特徴
とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15187085A JPS6211858A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15187085A JPS6211858A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211858A true JPS6211858A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15528015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15187085A Pending JPS6211858A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211858A (ja) |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15187085A patent/JPS6211858A/ja active Pending
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