JPS6211859A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS6211859A
JPS6211859A JP15187185A JP15187185A JPS6211859A JP S6211859 A JPS6211859 A JP S6211859A JP 15187185 A JP15187185 A JP 15187185A JP 15187185 A JP15187185 A JP 15187185A JP S6211859 A JPS6211859 A JP S6211859A
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JP
Japan
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charge
transfer layer
charge generating
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Pending
Application number
JP15187185A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Kitajima
良一 北嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6211859A publication Critical patent/JPS6211859A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0436Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は電荷発生層が互いに異なる無機光導電材料を主
体とする2層のへテロ接合からなシ、電荷移動層が特定
の電子受容性有機材料を主体とした積層型電子写真感光
体に関する。
従来技術 従来、電子写真感光体としては例えばAI板のような導
電性支持体上に8e、A口Ses + acts lZ
nO,81等の無機光導電材料又はアゾ顔料、キノン顔
料、フタロシアニン顔料等の有機光導電材料を主成分と
する電荷発生層とその上にヒドラゾン化合物、スチリル
化合物、シック塩基等の電荷移動材料を主成分とする電
荷移動層を設けた積層型のものが知られている。また類
似した積層型感光体として特開昭51−122448号
では支持体に近い順に第1層としてZnS1−x8ex
、第2層として(Zn1−yOdyTe h−z(In
2Te3)z %及び第3層としてTNF(2゜4.7
−)リニト0−9−フルオレノン)、PVK(ポリビニ
ルカルノ々ゾール)等を用いたものが提案されている。
ここで第1層と第2層とは異種の無機光導電材料の組合
わせによってヘテロ接合を形成している。
しかし前者の感光体の場合、白色感度は実用の域に達し
ているものの、未だ充分とは言えないし、また分光感度
も長波長側で不足している。
一方、後者の感光体も前述のような組合わせのへテロ接
合では長波長側の波長限界が750nmとやはり分光感
度が不充分である。
目     的 本発明の目的は白色感度が速く、しかも分光感度が広い
電子写真感光体を提供することである。
構   成 本発明の電子写真感光体は第1図に示すように、導電性
支持体1上に電荷発生層2及び電荷移動層3を順次設け
た電子写真感光体において、電荷発生層2が支持体1に
近い方から順にOdT・を主成分とする第1層4とZn
、S又はOdSを主成分とする第2層5とのへテロ接合
によって構成され、且つ電荷移動層3が下記構造式を有
する電子受容性有機材料を主成分として構成されている
ことを特徴とするものである。
図中、1aは導電層である。
このように本発明の電荷発生層は周期律宍第nb族に属
するZn又はOd 系金属と周期律表第VIa族に属す
るS又はTo系非金属の化合物(■−■族化合物)光導
電材料を主成分とする層同志のへテロ接合からなってい
る。このヘテロ接合に、電荷移動層の材料として特定の
電子受容性有機材料を組合わせることにより本発明の感
光体は分光感度が860 nm迄増大する上、白色感度
も向上する。即ち分光感度については本発明のように2
種の無機光導電材料からなるヘテロ接合を有する積層型
感光体ではZnS又はOdSのバンドギャップに等しい
340 nm 又1d 510 nmカラodTeのノ
々ンドギャップに等しい860nm迄の波長範囲がカッ
々−されるので、近赤外に近い可視領域迄、分光感度が
増大する。また白色感度については第2図の本発明感光
体のエネルギーノンド概念図(図中、Sは感光体表面、
hνは光)で説明すると、画像露光時に照射された光の
うち電荷移動層3及び電荷発生層の第2層5を透過した
光によシ励起された電子6及び正孔7よシなるキャリア
のうち電子6は電荷移動層3を経て感光体表面へ、また
正孔7は支持体1の導電層1aへ強制的に分離されるの
で、白色感度が増大する。なおこのため電荷移動層には
従来の正孔移動材料は使用できず、代りに電子移動材料
である電子受容性材料、特にTONQが主成分として使
用される。
電荷移動層にはその他、結着剤を併用することができる
結着剤どしてはポリアミド、ポリウレタン、ポリエステ
ル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ボリカーデネートなど
の縮合樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリー
N−ピニルカルノ々ゾール、ポリアクリルアミドなどの
ビニル重合体等が挙げられるが、絶縁性で接着性のある
樹脂は全て使用できる。
なお電荷移動層中のTONQの割合は10〜95重量%
、好ましくは30〜90重量%が適当である0 本発明の感光体において導電性支持体としてはガラス等
の導電処理を施した耐熱性基板が使用される。
本発明の感光体を作るには例えば導電性支持体上にCd
Teを真空蒸着し、引続き400〜600C1好ましく
は430〜550Cで30〜60分間熱処理を施して電
荷発生層用第1層を形成し、その上にZnS又はOdS
をスパッタリングし、再び前記温度及び時間熱処理を施
して電荷発生層用第2層を形成し、更にその上に前記電
子受容性材料及び必要あれば結着剤を主成分とする溶液
を塗布乾燥して電荷移動層を形成すればよい。
なおこうして形成される第1層、第2層及び電荷移動層
の厚さは、夫々0.5〜2μm(好ましくは0.7〜1
μttZ)、1〜lOμ??l(好ましくは5〜6μm
)、3〜50μm(好ましくは5〜20μfrL)程度
が適当である。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例1 透明導電膜を設けた耐熱ガラス基板上に真空度2.7X
10−’ Pa以下の圧力中、基板温度250.、、。
雰囲気中、約5000で約60分間熱処理を施1して約
1μm厚の電荷発生層用第1層を形成し、次にその上に
Arガス圧5 Pa雰囲気中、基板温度240Cの条件
でZnSをスパッタリングし、引続き再度、前記kr雰
囲気中、約500Cで約60分間熱処理を施して約5μ
m厚の電荷発生層用第2層を形成した。更にこの第2層
上にTONQ                 10
重量部ポリカー2ネート             1
0重量部THF(テトラヒドロフラン)      8
0重量部シリコンオイル           0.0
02重量部からなる溶液を浸漬法により塗布し乾燥して
約20μm厚の電荷移動層を形成することによシ、積層
型電子写真感光体を作成した。
比較例1 電荷発生m(厚さ約5μ?7りとしてA32S・3単独
層及びOdS単独層を実施例1と同様な真空蒸着法及び
スパッタリング法で夫々設けた他は実施例1と同様にし
て積層型感光体を作成した。
比較例2 電荷移動層用溶液を下記の溶液に代えた他は実施例1と
同様にして積層型感光体を作成した。
ポリカーゼネート            5重量部塩
化メチレン            90重量部シリコ
ンオイル         0.002重量部実施例2 電荷発生層用第2層の形成時にZnSの代りにOdSを
用い、且つ第1層形成時の基板温度を200Cとし、第
1層及び第2層形成時の熱処理時間を約30分間とした
他は実施例1と同じ方法で積層型感光体を作成した。
次に以上の各感光体を、市販のペーパーアナライザー(
川口電機製SP 42g)で評価した結果を下表に示す
効   果 以上の如く本発明の積層型電子写真感光体は電荷発生層
をOdT・の第1層及びZnS又はOdSの第2層のへ
テロ接合構造とし、且つ電荷移動層の材料に電子受容性
有機材料、特にTONQを用いたので、分光感度が86
0 nm迄広がると共に、白色感度も露光時の正孔及び
電子の強制的な分離によ少速くなる。しかも露光は電荷
移動層側から行なえるので、支持体の制約がなく、この
ため複写機内で露光系を考慮する必要がなく、従って簡
単な複写装置でよいという利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明感光体の一例の構成図、第2図は同感光
体のエネルギーバンドの概略図である。 1・・・導電層1aを有する導電性支持体2・・・Od
T・を主成分とする第1層4とOdS又はZn8を主成
分とする第2層5とのへテロ接合からなる電荷発生層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷移動層を順次
    設けた電子写真感光体において、電荷発生層が支持体に
    近い方から順にCdTeを主成分とする第1層と、Zn
    S又はCdSを主成分とする第2層とのヘテロ接合によ
    つて構成され、且つ電荷移動層が下記構造式を有する電
    子受容性有機材料を主成分として構成されていることを
    特徴とする電子写真感光体。
JP15187185A 1985-07-10 1985-07-10 電子写真感光体 Pending JPS6211859A (ja)

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JP15187185A JPS6211859A (ja) 1985-07-10 1985-07-10 電子写真感光体

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JP15187185A JPS6211859A (ja) 1985-07-10 1985-07-10 電子写真感光体

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JPS6211859A true JPS6211859A (ja) 1987-01-20

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JP15187185A Pending JPS6211859A (ja) 1985-07-10 1985-07-10 電子写真感光体

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