JPS6219861A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6219861A JPS6219861A JP15966685A JP15966685A JPS6219861A JP S6219861 A JPS6219861 A JP S6219861A JP 15966685 A JP15966685 A JP 15966685A JP 15966685 A JP15966685 A JP 15966685A JP S6219861 A JPS6219861 A JP S6219861A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- phthalocyanine
- organic semiconductor
- silicon carbide
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真複写機、プリンタに用いられる電子
写真感光体に関するものである。
写真感光体に関するものである。
従来の技術
電子写真感光体の光導電材料として、従来、酸化亜鉛、
硫化カドミウム、セレン、有機半導体、アモルファスシ
リコンが用いられている。
硫化カドミウム、セレン、有機半導体、アモルファスシ
リコンが用いられている。
また、これらの材料を電荷発生層と電荷移動層に機能分
離して、積層されたものも知られている。
離して、積層されたものも知られている。
発明が解決しようとする問題点
有機半導体は、一般に、無機半導体に比べ、膜形成は容
易であるが、光感度が低く、硬度が小さいため、電子写
真感光体として用いる場合、耐刷性が悪いという問題点
を有する。
易であるが、光感度が低く、硬度が小さいため、電子写
真感光体として用いる場合、耐刷性が悪いという問題点
を有する。
一方、ｍｓ半導体の中でもアモルファスシリコンは、光
感度が高く、硬度が大きいため、耐刷性が良いが、成膜
速度が遅いため、量産性が悪く、コストが高くなるとい
う問題点を有する。
感度が高く、硬度が大きいため、耐刷性が良いが、成膜
速度が遅いため、量産性が悪く、コストが高くなるとい
う問題点を有する。
また、アモルファスシリコンは、オゾン、湿度に対する
耐環境性が悪いという問題点をも有する。
耐環境性が悪いという問題点をも有する。
そこで、有機半導体についてはその電荷移動機能に着目
１、無機半導体についてはその光電荷発生機能に着目し
て両者を電荷移動層と電荷発生層とに機能分離して、積
層させるという方法も知られているが、この方法では接
合面での電荷の注入効率が材料の一般的選択においては
悪くなり、光感度が悪くなるという問題点がある。
１、無機半導体についてはその光電荷発生機能に着目し
て両者を電荷移動層と電荷発生層とに機能分離して、積
層させるという方法も知られているが、この方法では接
合面での電荷の注入効率が材料の一般的選択においては
悪くなり、光感度が悪くなるという問題点がある。
さらに、上記のような有機−無機積層技術ておいて、有
機半導体は、一般に耐熱性が悪く、有機半導体上に無機
半導体を形成する時には、温度を低くしなければならな
いため、工程に支障を来す場合がある。
機半導体は、一般に耐熱性が悪く、有機半導体上に無機
半導体を形成する時には、温度を低くしなければならな
いため、工程に支障を来す場合がある。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決するもので、導電性支持
体上に、フタロシアニン系有機半導体よりなる層と、ア
モルファスシリコンを主成分とする層と、アモルファス
炭化シリコンを主成分とする留を順次、積層形成して電
子写真感光体とするものである。
体上に、フタロシアニン系有機半導体よりなる層と、ア
モルファスシリコンを主成分とする層と、アモルファス
炭化シリコンを主成分とする留を順次、積層形成して電
子写真感光体とするものである。
作用
フタロシアニン系有機半導体は、有機半導体共通の欠点
として可視域の光感度は低いが、赤から近赤外にかけて
の光感度が高いという特長をもっている。したがって、
このフタロシアニン系有機半導体層は上記積層溝造にお
いて、赤から近赤外の光による電荷発生層と、電荷移動
層としての機能を持つ。また、必要な帯電位を得るため
の電荷保持機能をも有する。一方、アモルファスシリコ
ンを主成分とする層は、可視域の光の電荷発生層として
機能させ、これによって可視光から近赤外光までの波長
に高感度で感応する電子写真感光体を構成する。
として可視域の光感度は低いが、赤から近赤外にかけて
の光感度が高いという特長をもっている。したがって、
このフタロシアニン系有機半導体層は上記積層溝造にお
いて、赤から近赤外の光による電荷発生層と、電荷移動
層としての機能を持つ。また、必要な帯電位を得るため
の電荷保持機能をも有する。一方、アモルファスシリコ
ンを主成分とする層は、可視域の光の電荷発生層として
機能させ、これによって可視光から近赤外光までの波長
に高感度で感応する電子写真感光体を構成する。
最上層のアモルファス炭化シリコンを主成分とする層は
、オゾン、湿度に対して表面を保護する働きを持つ。ま
た、硬度が大きいため、絹刷性を向上させる働きも有す
る。
、オゾン、湿度に対して表面を保護する働きを持つ。ま
た、硬度が大きいため、絹刷性を向上させる働きも有す
る。
積層体製造上の間頌に関し、フタロシアニン系有機半導
体は、耐熱温度が高いため、これを熱硬化性樹脂中に分
散させて成層化させた場合でも、その上に、アモルファ
スシリコンを主成分と・する層を形成する時の基板温度
を１５０〜２００°Ｃ程度まで昇温することが可能であ
る。
体は、耐熱温度が高いため、これを熱硬化性樹脂中に分
散させて成層化させた場合でも、その上に、アモルファ
スシリコンを主成分と・する層を形成する時の基板温度
を１５０〜２００°Ｃ程度まで昇温することが可能であ
る。
これによって電気的特性を劣化させることなく、アモル
ファスシリコン層を形成することができる。アモルファ
ス炭化シリコン層を形成する場合モ同様である。そして
アモルファスシリコンを主成分とする層は、前記のとお
り可視光の電荷発生層としてのみ機能するため、その膜
厚は０．１〜３μｍ と薄くてよい。したがって、通常
３〜１０μｍＡｆｅ間という遅いアモルファスシリコン
層の成膜速度においても０．３〜１時間程度で膜形成で
き、アモルファスシリコンの単層で電子写真感光体とす
る場合の膜厚（１５〜２０μｍ）形成に要する２〜６時
間に比して大幅に短縮することができる。
ファスシリコン層を形成することができる。アモルファ
ス炭化シリコン層を形成する場合モ同様である。そして
アモルファスシリコンを主成分とする層は、前記のとお
り可視光の電荷発生層としてのみ機能するため、その膜
厚は０．１〜３μｍ と薄くてよい。したがって、通常
３〜１０μｍＡｆｅ間という遅いアモルファスシリコン
層の成膜速度においても０．３〜１時間程度で膜形成で
き、アモルファスシリコンの単層で電子写真感光体とす
る場合の膜厚（１５〜２０μｍ）形成に要する２〜６時
間に比して大幅に短縮することができる。
次に、フタロシアニン系有機半導体層とアモルファスシ
リコン層との接合面における電荷注入効率について、前
者のイオン化ポテンシャルは、後者のイオン化ポテンシ
ャルより小さいため、アモルファスシリコン層で発生し
た正孔はフタロシアニンの方へ効率よく注入され、光感
度が良くなる。
リコン層との接合面における電荷注入効率について、前
者のイオン化ポテンシャルは、後者のイオン化ポテンシ
ャルより小さいため、アモルファスシリコン層で発生し
た正孔はフタロシアニンの方へ効率よく注入され、光感
度が良くなる。
さらに好ましい実施態様として、アモルファスシリコン
中に、炭素、窒素、酸素を含有させると、アモルファス
シリコンのイオン化ポテンシャルが大キくなり、フタロ
シアニンへの正孔の注入効率がより改善され、光感度が
向上する。
中に、炭素、窒素、酸素を含有させると、アモルファス
シリコンのイオン化ポテンシャルが大キくなり、フタロ
シアニンへの正孔の注入効率がより改善され、光感度が
向上する。
マタ、アモルファスシリコン中に水素、ボロンを含有さ
せると、その比抵抗を増大させ、光感度が高くなる。
せると、その比抵抗を増大させ、光感度が高くなる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
〔実施例１〕
図において、アルミニウムよりなる導電性支持体（１）
の上に、銅フタロシアニンを２０重量％含むウレタン樹
脂を塗布し、乾燥して、１５μｍの厚さの層（２）を形
成する。次に、これを高周波の反応性スパッタ装置内に
設置し、基板温度１５０°Ｃで、アルゴン及び水素ガス
を導入し、シリコンターゲットをスパッタして、銅フタ
ロシアニンを含むウレタン樹脂層（２）の上に、０．５
μｍのアモルファスシリコン層（３）を形成し、続いて
同一の基板温度１５０’Ｃでメタンガスを導入して、ア
モルファス炭化シリコン層（４１ｔ”Ｏ，１μｍ形成す
る。
の上に、銅フタロシアニンを２０重量％含むウレタン樹
脂を塗布し、乾燥して、１５μｍの厚さの層（２）を形
成する。次に、これを高周波の反応性スパッタ装置内に
設置し、基板温度１５０°Ｃで、アルゴン及び水素ガス
を導入し、シリコンターゲットをスパッタして、銅フタ
ロシアニンを含むウレタン樹脂層（２）の上に、０．５
μｍのアモルファスシリコン層（３）を形成し、続いて
同一の基板温度１５０’Ｃでメタンガスを導入して、ア
モルファス炭化シリコン層（４１ｔ”Ｏ，１μｍ形成す
る。
このようにして形成された電子写真感光体は光
可ｎ−ら近赤外光まで高感度であり、高湿時においても
、解像度の劣化はなく、１０万枚の耐刷テヌトの結果も
画像は良好であった。
、解像度の劣化はなく、１０万枚の耐刷テヌトの結果も
画像は良好であった。
〔実施例２〕
図においてアルミニウムよりなる導電性支持体（１）の
上に、７ルミフタロシアニンを３０重量％含む、アクリ
ル樹脂層を塗布し、乾燥して１５μｍ の厚さの層（２
）を形成する。次に、これをプラズマＣＶＤ装置内に設
置し、基板温度１７０℃で、シランガスとメタンガスを
導入し、アルミフタロシアニンを含むアクリル樹脂層の
上に炭素ヲ含むアモルファスシリコン層（３１を１μｍ
形成し、続いて、同一の基板温度１７０°Ｃでメタンガ
スの流量を増し、アモルファス炭化シリコン層（４）を
０．３μｍ形成する。
上に、７ルミフタロシアニンを３０重量％含む、アクリ
ル樹脂層を塗布し、乾燥して１５μｍ の厚さの層（２
）を形成する。次に、これをプラズマＣＶＤ装置内に設
置し、基板温度１７０℃で、シランガスとメタンガスを
導入し、アルミフタロシアニンを含むアクリル樹脂層の
上に炭素ヲ含むアモルファスシリコン層（３１を１μｍ
形成し、続いて、同一の基板温度１７０°Ｃでメタンガ
スの流量を増し、アモルファス炭化シリコン層（４）を
０．３μｍ形成する。
このようにして形成された電子写真感光体も実施例１と
同様な特性が得られた。
同様な特性が得られた。
〔実施例３〕
第１図において、アルミニウムよりなる導電性支持体＋
１）の上に、メタルフリーフタロシアニンを２０〜３０
重量％含む、シリコン樹脂層を塗布し、乾燥して、１５
〜２ｏμｍの厚さの層（２）を形成する。次に、これを
高周波の反応性スパッタ装置内に設置し、基板温度１５
０°Ｃで、アルゴン、水素、窒素、酸素ガスを導入し、
シリコンターゲットをスパッタして、メタルフリーフタ
ロシアニンを含むシリコン樹脂層の上に窒素酸素を含む
アモルファスシリコン層（３Ｊヲ０゜３μ脣形成し、続
いて、同一の基板温度、１５０°Ｃで、窒素、酸素ガス
の導入を止め、メタンガスヲ導入して、アモルファス炭
化シリコン層（４１を０．１μｍ形成する。このようＫ
して形成された電子写真感光体も、実施例１．２と同様
な特性が得られた。
１）の上に、メタルフリーフタロシアニンを２０〜３０
重量％含む、シリコン樹脂層を塗布し、乾燥して、１５
〜２ｏμｍの厚さの層（２）を形成する。次に、これを
高周波の反応性スパッタ装置内に設置し、基板温度１５
０°Ｃで、アルゴン、水素、窒素、酸素ガスを導入し、
シリコンターゲットをスパッタして、メタルフリーフタ
ロシアニンを含むシリコン樹脂層の上に窒素酸素を含む
アモルファスシリコン層（３Ｊヲ０゜３μ脣形成し、続
いて、同一の基板温度、１５０°Ｃで、窒素、酸素ガス
の導入を止め、メタンガスヲ導入して、アモルファス炭
化シリコン層（４１を０．１μｍ形成する。このようＫ
して形成された電子写真感光体も、実施例１．２と同様
な特性が得られた。
〔′実施例４〕
第１図において、ポリエチレンテレフタレート上にアル
ミニウムが蒸着された導電性支持体（１）の上に、バナ
ジルフタロシアニンを３０重量％含む、ピラゾリン層を
塗布し、乾燥して、２０μｍ の厚さの層（２）を形成
する。次にこれを、電子サイクロトロン共鳴プラズマの
ＣＶＤ装置内に設置し、基板温度８０’Ｃで、シランガ
ス、ジボランガスを導入し、バナジルフタロシアニンを
含むピラゾリン層の上に、ボロンを含むアモルファスシ
リコン層（３）ヲ’２μｍ形成し、続イて、同一の基板
温度８００Ｃでメタンガスを導入し、アモルファス炭化
シリコン層（４）全０．５μｍ形成する。
ミニウムが蒸着された導電性支持体（１）の上に、バナ
ジルフタロシアニンを３０重量％含む、ピラゾリン層を
塗布し、乾燥して、２０μｍ の厚さの層（２）を形成
する。次にこれを、電子サイクロトロン共鳴プラズマの
ＣＶＤ装置内に設置し、基板温度８０’Ｃで、シランガ
ス、ジボランガスを導入し、バナジルフタロシアニンを
含むピラゾリン層の上に、ボロンを含むアモルファスシ
リコン層（３）ヲ’２μｍ形成し、続イて、同一の基板
温度８００Ｃでメタンガスを導入し、アモルファス炭化
シリコン層（４）全０．５μｍ形成する。
仁のようにして形成された電子写真感光体も実施例１〜
３と同様な特性が得られた。
３と同様な特性が得られた。
発明の効果
以上述べたように、本発明は、導電性支持体上に、フタ
ロシアニン系有機半導体よりなる層と、アモルファスシ
リコンを主成分とする層とアモルファス炭化シリコンを
主成分とする層を形成した電子写真感光体とすることに
より、可視光から近赤外光まで高感度で、複写機、半導
体レーザプリンタどちらにも使用できる電子写真感光体
を得ることができる。そして、この感光体においてはア
モルファスシリコン層の厚さが薄いので、成膜時間が短
縮され、量産性が良くなるため、安価な電子写真感光体
を得ることができる。さらに、表面保護層は、アモルフ
ァス炭化シリコン層であるため、表面硬度が高く耐刷性
に優れ、オゾン、湿度に対し、安定で、耐環境性に優れ
たものになる。なお、構成材料が無公害であるため、取
扱いが楽であるという利点も有する。
ロシアニン系有機半導体よりなる層と、アモルファスシ
リコンを主成分とする層とアモルファス炭化シリコンを
主成分とする層を形成した電子写真感光体とすることに
より、可視光から近赤外光まで高感度で、複写機、半導
体レーザプリンタどちらにも使用できる電子写真感光体
を得ることができる。そして、この感光体においてはア
モルファスシリコン層の厚さが薄いので、成膜時間が短
縮され、量産性が良くなるため、安価な電子写真感光体
を得ることができる。さらに、表面保護層は、アモルフ
ァス炭化シリコン層であるため、表面硬度が高く耐刷性
に優れ、オゾン、湿度に対し、安定で、耐環境性に優れ
たものになる。なお、構成材料が無公害であるため、取
扱いが楽であるという利点も有する。
図は本発明の構造を示す模式断面図である。
（１）・・・・・導電性支持体
（２）・・・・・フタロシアニン系有機半４体Ｆ１ｊ（
３１−−ｅ ・・アモルファスシリコン層（４）・・・
・・アモルファス炭化シリコン層特許出願人 松下電
器産業株式会社 代 理 人 新 実 健 部（外１名）
３１−−ｅ ・・アモルファスシリコン層（４）・・・
・・アモルファス炭化シリコン層特許出願人 松下電
器産業株式会社 代 理 人 新 実 健 部（外１名）
Claims (3)
- （１）導電性支持体上に、フタロシアニン系有機半導体
よりなる層と、アモルファスシリコンを主成分とする層
と、アモルファス炭化シリコンを主成分とする層を順次
積層形成したことを特徴とする電子写真感光体。 - （２）フタロシアニン系有機半導体よりなる層が、熱硬
化性樹脂を含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の電子写真感光体。 - （３）アモルファスシリコンを主成分とする層が、水素
、炭素、窒素、酸素ボロンのうちの少なくとも一つの元
素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項又
は第（２）項に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15966685A JPS6219861A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15966685A JPS6219861A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6219861A true JPS6219861A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15698685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15966685A Pending JPS6219861A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6219861A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276494A2 (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-03 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Spectral sensitization of amorphous silicon photoconductive elements |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15966685A patent/JPS6219861A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276494A2 (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-03 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Spectral sensitization of amorphous silicon photoconductive elements |
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