JPH0495966A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド層やアモルフ
ァスシリコンゲルマニウム層及びアモルファスシリコン
層並びに有機光半導体層とを積層して成る電子写真感光
体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

特開昭５６−１４２４１号により提案された電子写真感
光体は、基板上にアモルファスシリコン力−ノくイド（
以下アモルファスシリコン感光層くイドをａ−３ｉＣと
略す）と有機光半導体層とを積層した構成であり、その
計ＳｉＣ層をキャリア励起層としている。

しかしながら、上記構成の電子写真感光体によれば、そ
のａ−３ｉＣ層の光学的バンドギヤ・ノブが大きいため
に短波長側の感度が良好となるが、その反面、長波長側
の感度が不十分となり、これにより、ＰＰＣ（普通紙複
写機）に用いると黄色から赤色に亘る６００ｎｍ以上の
波長領域において感度不足となり、その結果、カラー原
稿などに対しては、その可視領域において−様な感度が
得られないという問題点がある。また、レーザービーム
プリンタやＬＥＤプリンタなど長波長の光源を用いるプ
リンタに使用する場合にも感度が不足するという問題点
かある。

更にまた特開昭５６−２５７４３号により提案された電
子写真感光体においては、基板上にアモルファスシリコ
ン感光層（以下アモルファスシリコンをａＳｉと略す）
と、ａ−３ｉＣ遷移層と、有機光半導体層とを順次積層
した構成であり、このようにａ−３ｉ層とａ−３ｉＣ層
を積層した場合には感度特性か改善されるが、その反面
、表面電位の暗減衰特性が劣化し、暗減衰が速くなり、
これにより、帯電部において発生した表面電位の小さな
ムラが暗減衰後の現像部においては大きな表面電位ムラ
となり、その結果、画像の濃度ムラが顕著となり、良好
な画像が得られないという問題点がある。また、レーザ
ービームプリンタやＬＥＤプリンタなど長波長の光源を
用いるプリンタに使用する場合にも感度が不足するとい
う問題点かある。

また、基板上に直接ａ−３ｉ層を積層した場合、その層
と基板との密着性か不十分であり、剥離するという問題
点もある。

従って本発明の目的は短波長から長波長の可視光全域に
亘って高い光感度か得られ、しかも、表面電位の暗減衰
特性を改善して良好な画像が安定して得られる高信頼性
の電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の電子写真感光体は基板上に原子組成比がＳｉ＋
＋−ｘｃｘのＸ値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にある第
１のａ−３ｉＣ層と、アモルファスシリコンゲルマニウ
ム層（以下アモルファスシリコンゲルマニウムをａ−３
ｉＧｅと略す）と、ａ−３ｉ層と、原子組成比がＳｉ、
−ｙＣｙのｙ値でｏ＜ｙ＜ｏ、ｓの範囲にある第２のａ
−３ｉＣ層と、有機光半導体層とを順次積層したことを
特徴とする。

また、本発明の電子写真感光体は第１のａ−３ｉＣ層に
周期律表１［ａ族元素を１〜１０．　ＯＯＯｐｐｍもし
くは第Ｖａ族元素を５．　ＯＯＯｐｐｍ以下含有せしめ
、それぞれ正帯電型もしくは負帯電型にした点も特徴で
ある。

更にまた本発明の電子写真感光体は上記第１のａ−３ｉ
Ｃ層に酸素及び／又は窒素を０．Ｏ１〜３０原子％含有
せしめた点も特徴である。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の層構成を示
す。いずれも基板１上に第１のａ−３ｉＣ層２、ａ−３
ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び第２のａ−３ｉＣ層５を
順次積層しており、更に有機光半導体層６を積層する。

第２図はその他の例であり、有機光半導体層６の上に無
機質系の保護層７を積層する。

上記層構成において、第１のａ−３ｉＣ層２は感光体の
帯電時に基板１からのキャリアの注入を阻止する機能が
あり、また、感光層と基板１との密着性を高めて膜の剥
離を防ぐ機能がある。

ａ−３ｉＧｅ層３とａ−３ｉ層４と第２のａ−３ｉＣ層
５には電荷を発生する機能かあり、有機光半導体層６に
は電荷を輸送する機能がある。

かかる層構成によれば、有機光半導体層６の表面側より
入射した光は第２のａ−３ｉＣ層５により主に短波長側
の光が吸収され、次いで残りの主に長波長側の光がａ−
３ｉ層４により吸収され、更に残りの長波長側の光がａ
−３ｉＧｅ層５により吸収され、その結果、光感度か可
視領域全般において高められる。

先ず第１のａ−３ｉＣ層２については、次のように元素
比率の範囲を設定する。

Ｓｉ＋イＣｘ ０．２＜ｘ＜０．５ 好適には０．３＜ｘ＜０．５ Ｘ値か０．２以下の場合は基板１からのキャリアの注入
を十分に阻止できず、また、暗減衰特性を改善すること
ができず、基板１との密着性も十分に確保てきない。Ｘ
値が０．５以上の場合にはａ−３ｉＧｅ層３及１び第２
のａ−３ｉＣ層５で発生した光キャリアか基板１ヘスム
ーズに流れず、光感度が低下し、残留電位が上昇する。

また第１のａ−３ｉＣ層２の厚みは０．０１〜１．０　
μｍ、好適には０．０５〜０．５μｍの範囲内がよく、
この範囲内であれば良好な暗減衰特性が得られ、膜の密
着性も良好となる。

更にまた第１のａ−３ｉＣ層２の光学的エネルギーギャ
ップはａ−３ｉＧｅ層３に比べて０．１ｅＶ以上、望ま
しくは０．２ｅＶ以上の差を設けるように大きくすると
よく、これによって基板１からのキャリアの注入を有効
に阻止できる。

また本発明においては上記第１のａ−３ｉＣ層２に周期
律表第１Ｉ［ａ族元素を１〜１０，０００ｐｐｍ　、好
適には１００〜５．０００ｐｐｍ含有させてもよく、こ
の場合、基板からのキャリアのうち特に負電荷の注入を
阻止でき、暗減衰特性が改善できる。その含有量か１　
ｐｐｍ未満の場合には上記のような効果が得られず、１
０．　ＯＯＯｐｐｍを越える場合には、その層内部の欠
陥か増大して膜質が低下し、表面電位の低下並びに残留
電位の上昇をきたす。

また上記第１ＩＩａ族元素を含有させるに当たり、基板
１から感光体表面に向かう層厚方向に亘って漸次減少さ
せることで励起層で発生した光キャリア特に正電荷を基
板側へスムーズに流すことかでき、また、基板側のキャ
リア特に負電荷が感光体層に流入するのを阻止すること
でき、これにより、暗減衰特性が一層改善され、光感度
が更に高められ、残留電位も一層低減する。このように
勾配分布を設けた場合、その最大含有量も１〜１０．０
００ｐｐｍ　、好適には１００〜５．　ＯＯＯｐｐｍに
すればよい。

上記第１［ａ族元素にはＢ、　　Ａβ、　Ｇａ、　　Ｉ
ｎ等かあり、就中、Ｂ元素が共有結合性に優れて半導体
特性を敏感に変え得る点て、その上、優れた帯電能並び
に光感度か得られる点て望ましい。

また本発明においては上記第１のａ−３ｉＣ層２に周期
律表第Ｖａ族元素を５．　ＱＯＯｐｐｍ以下、好適には
３００〜３．０００ｐｐｍ含有させてもよく、この場合
、基板ｌからのキャリアのうち特に正電荷の注入を阻止
でき、暗減衰特性が改善できる。その含有量が５、　Ｏ
ＯＯｐｐｍを越える場合には、その層内部の欠陥が増大
して膜質が低下し、表面電位の低下並びに残留電位の上
昇をきたす。

また上記第Ｖａ族元素を含有させるに当たり、基板１か
ら感光体表面に向かう層厚方向に亘って漸次減少させる
ことで励起層で発生した光キャリア特に負電荷を基板側
へスムーズに流すことができ、また、基板側のキャリア
特に正電荷が感光体層に流入するのを阻止することでき
、これにより、暗減衰特性か一層改善され、光感度か更
に高められ、残留電位も一層低減する。このように勾配
分布を設けた場合、その最大含有量も５．　ＯＯＯｐｐ
ｍ以下、好適には３００〜３．０００ｐｐｍにすればよ
い。

上記第Ｖａ族元素にはＮ、　　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　
Ｂｉかあるが、就中、Ｐ元素が共有結合性に優れて半導
体特性を敏感に変え得る点て、その上、優れた帯電能並
びに光感度か得られる点で望ましい。

ａ−３ｉＧｅ層３は長波長光によりキャリアの励起か良
好に行われ、その光感度を高めることかできる。

そのためにはその層の厚みは０．０５〜５．０μｍ１好
適には０．１〜３．０μｍの範囲内に設定するのか望ま
しい。

また、このａ−３ｉＧｅ層３の光学的エネルギーギャッ
プ（以下Ｅｇ　ｏｐｔと略す）を１．４〜］、８ｅＶの
範囲内に設定した場合、良好な光導電性か得られ、高い
光感度が得られる。

上記ａ−３ｉＧｅＧａＯ２素比率はＳｔ、−、、Ｇｅ−
のｍ値で、０．０５＜ｍ＜０．５　、好適には０．１　
＜ｍ＜０．４の範囲内に設定するのが望ましく、この範
囲内であれば光導電性を大きくするとともに長波長側の
光感度を顕著に高めることができる。

ａ−３ｉ層４は長波長光によりキャリアの励起か良好に
行われ、その光感度を高めることができる。

そのためにはその層の厚みは０．０５〜５．０μｍ１好
適には０．１〜３．０μｍの範囲内に設定するのが望ま
しい。

また、この計Ｓｉ層４の光学的エネルギーギャップ（以
下Ｅｇ　ｏｐｔと略す）を１．６〜１．９ｅＶの範囲内
に設定した場合、良好な光導電性が得られ、高い光感度
が得られる。

第２のａ−３ｉＣ層５については、その元素比率を次の
通りに設定する。

Ｓｉ＋−ｙＣｙ ｏ＜ｙ＜ｏ、ｓ 好適には０．０５＜　ｙ　＜０．４ 最適には０．１＜ｙ＜０．３ ｙ値が０．５以上の場合には光導電性が著しく低くなり
、光キャリアの励起機能か低下して光感度か低下し、ま
た、残留電位も増加する。

また第２のａ−３ｉＣ層５の厚みを０．０５〜３．０　
μｍ、好適には０．１〜２．５μｍの範囲内に設定する
と、短波長光によるキャリア励起が良好に行われ、短波
長側の光感度を十分に高めることかできる。

更にまた第２のａ−３ｉＣ層５のＥｇ　ｏｐｔはａ−３
ｉ層４に比べて０．１ｅＶ以上、望ましくは０．２ｅＶ
以上大きくなるように設定すればよく、これにより、長
波長側の光があまり吸収されないでａ−３ｉ層４とａ−
３ｉＧｅ層３にに到達する。

また正帯電型電子写真感光体であれば、ａ−３ｉＧｅ層
３及び／又はａ−３ｉ層４及び／又は第２のａ−３ｉＣ
層５に、それぞれ周期律表第Ｖａ族元素を５００ｐｐｍ
以下、好適には１１００ｐｐ以下の範囲内で含有させる
と更に一層光感度を高めることができる。この第Ｖａ族
元素にはＮ、　　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉがあるか
、Ｐ元素が共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え
得る点て、その上、優れた帯電能並びに光感度か得られ
るという点て望ましい。

更に負帯電型電子写真感光体であれば、ａ−３ｉＧｅ層
３及び／又はａ−３ｉ層４及び／又は第２のａ−３ｉＣ
層５に、それぞれ周期律表第１［ａ族元素を１〜１１０
００ｐｐ以下、好適には３０〜３００ｐｐｍの範囲内で
含有させると更に一層光感度を高めることかできる。

この第１［ａ族元素にはＢ、　ＡＡ、　Ｇａ、　Ｉｎな
どがあるか、Ｂ元素が共有結合性に優れて半導体特性を
敏感に変え得る点て、その上、優れた帯電能並びに光感
度が得られるという点て望ましい。

上記３種類の各層２．　３．　４．　５はいずれもアモ
ルファス層であり、そのダングリングボンドに水素（Ｈ
）元素やハロゲン元素を終端させる。それらの元素Ａ（
Ｈまたはハロゲン）のａ−３ｉＧｅ層３やａ−３ｉ層４
及び第２のａ−３ｉＣ層５における含有量は、それぞれ
次のような範囲内に設定するとよい。

ａ−（ＳｔＧｅ）＋−ｔ　Ａ　ｚ ａ−３ｔ＋−ｚＡｚ ａ−（ＳｔＣ）＋−エＡ によりＺ値として表した場合 ０．０５　＜　ｚ　＜０．５ 好適には０．１　　＜ｚ＜０．４５ また本発明電子写真感光体は有機光半導体層６の材料選
択により負帯電型又は正帯電型に対応することができる
。即ち、負帯電型電子写真感光体の場合、有機光半導体
層６に電子供与性化合物か選ばれ、一方、正帯電型電子
写真感光体の場合には有機光半導体層６に電子吸引性化
合物か選ばれる。

前記電子吸引性化合物には高分子量のものとしてポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド縮重合体な
とがあり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾー
ル、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、
ヒドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、′
ポリカーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、
ポリアミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノ
ール、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル
、ユリア樹脂などのバインダに分散して用いられる。

前記電子吸引性化合物には２．４．７−　トリニトロフ
ルオレノンなどがある。

基板１には、銅、黄銅、ＳＵＳ、ＡＩ！、Ｎｉなどの金
属導電体、或いはガラス、セラミックスなどの絶縁体の
表面に導電性薄膜をコーティングしたものなどがある。

この基板１はシート状、ベルト状もしくはウェブ状可撓
性導電シートでもよい。このようなシートにはＡＩ、Ｎ
ｉ、ステンレスなどの金属シート、或いはポリエステル
フィルム、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹脂の上
にＡｊｌ’、Ｎｉなとの金属もしくはＳｎＯ□、インジ
ウムとスズの複合酸化物：ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉ
ｎ　０ｘｉｄｅ）などの透明導電性材料や有機導電性材
料を蒸着など導電処理したものが用いられる。

更に第２図に示すように保護層７を設けてもよい。この
層７はａ−３ｉ層もしくはａ−ＳｉＣ層（その元素比率
をＳｌｌ−ａｃ＠のａ値で０≦ａ＜０．９５、好適には
０．５　＜　ａ　＜０．９５の範囲内にする）、或いは
８８１層やａ−ｓｉｃ層に窒素や酸素などの元素を含有
させてもよい。このような層を保護層７として設けるこ
とにより有機光半導体層が表面に露出している場合より
も耐摩耗性が向上する。その上、保護層７の表面か化学
的に安定しており、変質が生じないため、長期間の使用
において画像流れか生じない。

更にまた第１のａ−３ｉＣ層２に酸素及び／又は窒素の
元素Ｂをその合計量が下記の通りに含有させると、それ
を含有させない場合に比べて基板１に対する密着力並び
に基板１からのキャリア注入の阻止能か高められる。

（Ｓｌｌ−Ｘ　Ｃｘ　）＋−ｂＢｂ ０．０００１＜ｂ　＜０．３ 好適には　０．００１　＜ｂ　＜０．１次に本発明電子
写真感光体の製法を述べる。

第１のａ−３ｉＣ層２、ａ−３ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層
４及び第２のａ−３ｉＣ層５、並びにａ−３ｉ、　ａ−
３ｉＣ及びアモルファス化した５ｉ−Ｃ−Ｎ系元素や５
ｉ−Ｃ−０−Ｎ系元素等から成る保護層７を形成するに
はグロー放電分解法、イオンブレーティング法、反応性
スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜形
成方法がある。

グロー放電分解法を用いてＳｉＣ層を形成する場合、Ｓ
ｉ元素含有ガスとＣ元素含有ガスを組合せ、この混合ガ
スをプラズマ分解して成膜形成する。

コ０）Ｓｉ元素含有ガスニはＳｉＨ４，Ｓｌ　２Ｈ６，
Ｓｌ　３Ｈ８゜ＳｉＦ４．５ｉＣＬ、　５ｉＨＣ１３等
々かあり、また、ｃ元素含有ガスニハＣＨ４，Ｃ２Ｈ４
，Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ８等々カアリ、就中、Ｃ２Ｈ２は高
速成膜性が得られるという点て望ましい。

有機光半導体層は浸漬塗工方法またはコーティング法に
より形成し、前者は感光材が溶媒中に分散した塗工液の
中に浸漬し、次いで一定の速度で引き上げ、そして、自
然乾燥及び熱エージング（約１５０°Ｃ１約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて溶媒に分散された感
光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、キャリア励
起層かａ−３ｉＣ層とａ−３ｉ層とａ−３ｉＧｅ層とを
積層したタンデム構成であるために、有機光半導体層６
側から入射した光は第２のａ−３ｉＣ層５により主に短
波長側の光が吸収され、次いで、その層５を透過した主
に長波長側の光がａ−３ｉ層４とａ−３ｉＧｅ層３によ
り吸収され、これにより、ａ−３ｉＣ層単独の励起層に
比べて可視領域全般に亘って光感度が高められ、残留電
位か小さくなる。

また第３図に示す通り、基板上に直接ａ−３ｉＧｅ層と
ａ−３ｉＣ層を積層した構成である電子写真感光体Ｒて
あれば、そのａ−３ｉＧｅ層により基板からのキャリア
注入を有効に阻止てきないため、その注入されたキャリ
アにより表面電位の暗減衰が速くなりこれに伴って電子
写真プロセスにおける帯電部から現像部までの表面電位
の低下が大きくなる。

また、帯電部での小さな帯電ムラが現像部では大きな表
面電位のムラとなり、従って、画像濃度のムラも大きく
なるため、良好な画像特性が得難いという問題点かあっ
た。更に、暗減衰か速いと現像部での表面電位の変動が
大きくなりやすく、連続した使用において良好な画質の
画像を安定して得ることが難しくなる。これに対して本
発明の電子写真感光体Ｔであれば、ａ−３ｉＧｅ層より
も暗抵抗か高いことやＥｇ　ｏｐｔが大きい第１のＦＳ
ｉＣ層２を設けており、基板ｌからのキャリア注入を有
効に阻止し、暗減衰を遅くすることが出来るため、前記
のような問題点を解決することかできる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述へる。

（例１） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第１表の成膜条件によりＡｎ基板上に第１のａ
−３ｉＣ層２、ａ−３ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び第
２のａ−３ｉＣ層５を順次積層した。

次に有機光半導体層６を厚み１５μｍで形成した。

その形成においては、２．４．７−ドリニトロフルオレ
ノンを１．４−ジオキサンの溶剤に入れて溶かし、更に
ポリエステル樹脂（レフサン−ＬＳ２−１１）を加え、
超音波分散を４０分間行った。これによって得た溶液を
バー・コーターを用いて塗布し、次いで８０°Ｃにて熱
風乾燥を行った。

［以下余白］ かくして得られた正帯電型の電子写真感光体において、
各層のカーボン含有比率（Ｘ値及びｙ値）、ゲルマニウ
ム含有比率（ｍ値）、Ｈ含有比率（Ｚ値）並びにＥｇ　
ｏｐｔをそれぞれＸ線マイクロアナリシス及び赤外吸収
法並びに可視光分光器により測定した透過光スペクトル
の（αｈν）１″対ｈνのプロットにより求めたところ
、第１表に示す通りの結果が得られた。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉＧｅ層とａ−３ｉ層とを形成せ
ず、第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例Ａとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉＧｅ層とａＳｉ
層と第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例Ｂとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ａの分光感度を測定
したところ、第４図に示す通りの結果が得られた。同図
中横軸は波長であり、縦軸は光感度であって、各波長で
の光量か０．３μＷ／ｃｍ２である露光に対する表面電
位の変化を光透過型プローブを有する表面電位計を用い
て測定し、表面電位を半減させるのに必要な露光量の逆
数によって求めた。

第４図に示す結果より明らかな通り、本発明は比較例Ａ
に比べて６００ｎｍ以上の長波長側での光感度が高いこ
とが判る。

また比較例Ｂの光感度は本例と同様な分光感度特性か得
られたか、その反面、帯電後の暗中ての表面電位の経過
を追ったところ、第５図に示す通り本例の感光体に比へ
て表面電位の暗減衰が速く、帯電も低く、電位ムラも大
きいことか判る。

また、本例の感光体と比較例Ｂを３５°Ｃ９５％ＲＨの
環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何
等変化が認められなかったのに対し、比較例Ｂでは基板
とａ−３ｉＧｅ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性
に問題があることも確かめられた。

（例２） （例１）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
成膜条件を変化させ、第１のａ−３ｉＣ層、ａ−３ｉＧ
ｅ層、ａ−３ｉ層及び第２のａ−３ｉＣ層のそれぞれの
組成及び厚みを変化させて第２表に示すＡ−Ｊの１０種
類の感光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度及
び残留電位を評価した。表中の各々の層のＺ値をＩＲ法
により測定したところ、いずれも０．０５＜　ｚ　＜０
．５の範囲内であった。

また表中の暗減衰、光感度及び残留電位において、◎印
は最も優れた結果が得られた場合であり、Ｏ印は幾分優
れた結果が得られた場合であり、△印はやや劣る結果が
得られた場合である。

〔以下余白〕

第２表に示す結果より明らかな通り、感光体Ｄ〜Ｇは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることが判る。

（例３） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第３表の成膜条件によりＡＡ基板上に第１のａ
−３ｉＣ層２、ａ−３ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び第
２のａ−３ｉＣ層５を順次積層した。

次に有機光半導体層６を（例１）と同様に厚み１５μｍ
で形成した。

〔以下余白〕

かくして得られた正帯電型の電子写真感光体において、
第１のａ−３ｉＣ層のＮ、○元素合計含有量を測定した
ところ、４．０原子％てあり、そして、各層のカーボン
含有比率（Ｘ値及びｙ値）、ゲルマニウム含有比率（ｍ
値）、Ｈ含有比率（Ｚ値）並びにＥｇｏｐｔを求めたと
ころ、第３表に示す通りの結果が得られた。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉＧｅ層とａ−３ｉ層とを形成せ
ず、第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例Ｃとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成時にＮＯガスを導入せず、ａ−
３ｉＧｅ層とａ−３ｉ層と第２のａ−３ｉＣ層とを同様
に形成し、その他も同様に形成して比較例りとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｃの分光感度を測定
したところ、第４図と同様の結果が得られた。

また比較例りの光感度は本例と同様な分光感度特性か得
られたか、その反面、帯電後の暗中ての表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰が約２０％早く、帯電も低く、電位ムラも大きいこと
か判った。

（例４） （例３）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
ＮＯガスを変化させて第１のａ−３ｉ　Ｃ層の０、　Ｎ
元素の合計含有量を変え、第４表に示す通りに−Ｒの８
種類の感光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度
及び残留電位を評価した。表中の各々の層の２値をＩＲ
法により測定したところ、いずれも０．０５＜　ｚ　＜
０．５の範囲内であった。

Ｃ以下余白〕 第４表 第４表に示す結果より明らかな通り、感光体Ｌ〜Ｑは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることか判る。

（例５） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第５表の成膜条件によりＡＩ！基板上に第１の
ａ−３ｉＣ層２、ａ−３ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び
第２のａ−３ｉＣ層５を順次積層した。

次に有機光半導体層６を厚み１５μｍで形成した。

その形成においては、２．４．７−ドリニトロンルオレ
ノンを１．４−ジオキサンの溶剤に入れて溶かし、更に
ポリエステル樹脂（レフサン−ＬＳ２−１１）を加え、
超音波分散を４０分間行った。これによって得た溶液を
バー・コーターを用いて塗布し、次いで８０°Ｃにて熱
風乾燥を行った。

［以下余白］ ＊印は本発明の範囲外である。

かくして得られた正帯電型の電子写真感光体において、
第１の計ＳｉＣ層のＢ元素含有量を二次イオン質量分析
計により測定したところ、ｌ、　ＯＯＯｐｐｍてあり、
また、各層のカーボン含有比率（Ｘ値及びｙ値）、Ｈ含
有比率（Ｚ値）並びにＥｇｏｐｔを求めたところ、第５
表に示す通りの結果が得られた。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉＧｅ層とａ−３ｉ層とを形成せ
ず、第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例Ｅとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉＧｅ層とａＳｉ
層と第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例Ｆとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｅの分光感度を測定
したところ、第４図に示す通りの結果が得られた。

第４図に示す結果より明らかな通り、本発明は比較例Ｅ
に比べて６００ｎｍ以上の長波長側での光感度が高いこ
とか判る。

また比較例Ｆの光感度は本例と同様な分光感度特性か得
られたか、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰が速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことか判った
。

また、本例の感光体と比較例Ｆを３５°Ｃ９５％ＲＨの
環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何
等変化か認められなかったのに対し、比較例Ｆでは基板
とａ−３ｉＧｅ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性
に問題があることも確かめられた。

更にまた本例の感光体を作製するに当たり、第１のａ−
３ｉＣ層の形成時にＢ２Ｈ＠ガスを導入せず、その他は
全く同じ成膜条件に設定し、これにより、Ｂ元素を含有
しない第１のａ−３ｉＣ層を備えた正帯電型の電子写真
感光体を作製した。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例の
感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰が約２０％速く、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例６） （例５）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
Ｂ２Ｈ６ガス流量を変化させ、第１のａ−３ｉＣ層２の
Ｂ元素含有量を変えて、第６表に示すＡ〜Ｊの１０種類
の感光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度及び
残留電位を評価した。

〔以下余白〕

第 表 ＊印は本発明の範囲外である。

第６表に示す結果より明らかな通り、感光体Ｂ〜Ｉは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることか判る。

（例７） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第７表の成膜条件によりＡｌ基板上に第１のａ
−３ｉＣ層２、ａ−３ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び第
２のａ−３ｉＣ層５を順次積層した。

次に有機光半導体層６を（例５）と同様に厚み１５μｍ
で形成した。

〔以下余白〕

かくして得られた電子写真感光体において、第１のａ−
３ｉＣ層のＢ元素含有量及び０．　Ｎ各元素の合計含有
量を二次イオン質量分析計により測定したところ、それ
ぞれ１．０００ｐｐｍ、４原子％てあった。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉＧｅ層を形成せず、第２のａ−
ＳｉＣ層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して
比較例Ｇとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉＧｅ層と第２の
ａ−３ｉＣ層を同様に形成し、その他も本例と同様に形
成して比較例Ｈとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｇの分光感度を測定
したところ、第４図と同様の結果が得られた。

また比較例Ｈの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰が速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことが判った
。

また、本例の感光体と比較例Ｈを３５°Ｃ９５％ＲＨの
環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何
ら変化が認められなかったのに対し、比較例Ｈでは基板
とａ−３ｉＧｅ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性
に問題があることも確かめられた。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層の形成時にＢ２Ｈ６ガス及びＮＯガス
を導入せず、その他は全く同じ成膜条件に設定し、これ
により、Ｂ元素、０元素及びＮ元素を含有しない第１の
ａ−３ｉＣ層を備えた正帯電型の電子写真感光体を作製
した。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度か本例の
感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰か約２５％速く、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例８） （例６）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
Ｂ２Ｈｇガス流量とＮＯガス流量を変化させ、第１のａ
−３ｉＣ層のＢ元素含有量並びに０元素及びＮ元素の合
計含有量を変えて第８表に示すに−Ｕの１１種類の感光
体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度および残留
電位を評価した。

〔以下余白〕

第 表 第８表に示す結果より明らかな通り、感光体Ｍ〜Ｓは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることが判る。

（例９） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第９表の成膜条件によりＡ［基板上に第１のａ
−３ｉＣ層２、ａ−ＳｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び第
２のａ−３ｉＣ層５を順次積層した。

次に有機半導体層６を厚み１５μｍで形成した。

その形成によれば、ヒドラゾンを１．４−ジオキサンの
溶剤に入れて溶かし、更にポリエステル樹脂（レフサン
−ＬＳ２−Ｉｆ）をヒドラゾンと同重量加え、そして、
超音波分散を４０分間行い、これによって得られる溶液
をバー・コーターを用いて塗布し、次いで８０℃にて熱
風乾燥を行った。

〔以下余白〕

＊印は本発明の範囲外である。

かくして得られた負帯電型の電子写真感光体において、
第１のａ−３ｉＣ層のＰ元素含有量及び第２のａ−３ｉ
Ｃ層のＢ元素含有量を測定したところ、それぞれ２．０
００ｐｐｍ及び１１００ｐｐてあった。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉＧｅ層とａ−３ｉ層とを形成せ
ず、第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例■とした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉＧｅ層とａＳｉ
層と第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例Ｊとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｉの分光感度を測定
したところ、第４図に示す通りの結果か得られた。

第４図に示す結果より明らかな通り、本発明は比較例Ｉ
に比べて６００ｎｍ以上の長波長側での光感度が高いこ
とが判る。

また比較例Ｊの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰か速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことか判った
。

また、本例の感光体と比較例Ｊを３５°Ｃ９５％ＲＨの
環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何
等変化か認められなかったのに対し、比較例Ｊでは基板
とａ−３ｉＧｅ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性
に問題かあることも確かめられた。

更にまた本例の感光体を作製するに当たり、第１のａ−
ＳｉＣ層の形成時にＰＨ，ガスを導入せず、その他は全
く同じ成膜条件に設定し、これによりＰ元素を含有しな
い第１のａ−３ｉＣ層を備えた負帯電型の電子写真感光
体を作製した。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例の
感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰が約２０％速（、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例９）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
ＰＨｓガス流量を変化させ、第１のａ−３ｉＣ層２のＰ
元素含有量を変えて、第１Ｏ表′に示すアルコの１０種
類の感光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度及
び残留電位を評価した。

〔以下余白〕

第 表 ＊印は本発明の範囲外である。

第１Ｏ表に示す結果より明らかな通り、感光体ア〜りは
暗減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れて
いることか判る。

（例１０） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第１１表の成膜条件によりｌ基板上に第１のａ
−３ｉＣ層２、ａ−３ｉＧｅ層３、ａ−３ｉ層４及び第
２のａ−３ｉＣ層５を順次積層した。

次に有機光半導体層６を（例８）と同様に厚み１５μｍ
で形成した。

〔以下余白〕 かくして得られた負帯電型の電子写真感光体において、
第１のａ−３ｉＣ層のＰ元素含有量、第２のａ−３ｉＣ
層とａ−３ｉ層のＢ元素含有量及び第１のａ−３ｉＣ層
のＯ，Ｎ各元素の合計含有量を測定したところ、それぞ
れ２，０００ｐｐｍ、　ｌｏＯｐｐｍ、　２０　ｐｐｍ
、　４原子％てあった。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉＧｅ層とａ−３ｉ層とを形成せ
ず、第２のａ−３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と
同様に形成して比較例にとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉＧｅ層とａ−３
ｉ層と第２のａ−ＳｉＣ層を同様に形成し、その他も本
例と同様に形成して比較例しとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例にの分光感度を測定
したところ、第４図と同様の結果が得られた。

また比較例しの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰か速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことが判った
。

また、本例の感光体と比較例りを３５°Ｃ９５％ＲＨの
環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何
ら変化が認められなかったのに対し、比較例りでは基板
とａ−ＳｉＧｅ層との間で膜の剥離か生じ、膜の密着性
に問題かあることも確かめられた。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層の形成時にＰＨ３ガス及びＮＯガスを
導入せず、その他は全く同じ成膜条件に設定し、これに
よりＰ元素、０元素及びＮ元素を含有しない第１のａ−
３ｉＣ層を備えた負帯電型の電子写真感光体を作製した
。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例の
感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰が約２０％速く、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例１１） （例１０）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり
、ＰＨ３ガス流量とＮＯガス流量を変化させ、第１のａ
−３ｉＣ層のＰ元素含有量並びに０元素及びＮ元素の合
計含有量を変えて第１２表に示すす〜すの１１種類の感
光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度および残
留電位を評価した。

〔以下余白〕

第 表 第１２表に示す結果より明らかな通り、感光体ス〜テは
暗減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れて
いることか判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、可視光の全域に亘って高
い光感度か得られ、また、残留電位か小さくなり、しか
も、画像の濃度ムラか少なく、これによって良好な画像
か安定して得られる高性能且つ高信頼性の電子写真感光
体を提供できた。

また本発明の電子写真感光体においては、基板に対する
膜の密着力に優れており、その点ても信頼性を高めてい
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の層構成を表
す断面図、第３図は表面電位の減衰を説明する線図、第
４図は波長に対する光感度を表す線図、第５図は表面電
位を表す線図である。 ２：第１のアモルファスシリコンカーバイド層３：アモ
ルファスシリコンゲルマニウム層４：アモルファスシリ
コン層 ＊印は本発明の範囲外である。 ：第２のアモルファスシリコンカーバイド層：有機光半
導体層 ：保護層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘの
   ｘ値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にある第１のアモルフ
   ァスシリコンカーバイド層を形成し、該第１のアモルフ
   ァスシリコンカーバイド層の上にアモルファスシリコン
   ゲルマニウム層、アモルファスシリコン層、原子組成比
   がＳｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙのｙ値で０＜ｙ＜０．５の範
   囲にある第２のアモルファスシリコンカーバイド層及び
   有機光半導体層を順次積層したことを特徴とする電子写
   真感光体。
2. （２）基板上に原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘの
   ｘ値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にあるとともに周期律
   表第IIIａ族元素を１〜１０，０００ｐｐｍ含有する第
   １のアモルファスシリコンカーバイド層を形成し、該第
   １のアモルファスシリコンカーバイド層の上にアモルフ
   ァスシリコンゲルマニウム層、アモルファスシリコン層
   、原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙのｙ値で０＜ｙ
   ＜０．５の範囲にある第２のアモルファスシリコンカー
   バイド層及び有機光半導体層を順次積層したことを特徴
   とする電子写真感光体。
3. （３）基板上に原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘの
   ｘ値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にあるとともに周期律
   表第Ｖａ族元素を５，０００ｐｐｍ以下含有する第１の
   アモルファスシリコンカーバイド層を形成し、該第１の
   アモルファスシリコンカーバイド層の上にアモルファス
   シリコンゲルマニウム層、アモルファスシリコン層、原
   子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙのｙ値で０＜ｙ＜０
   ．５の範囲にある第２のアモルファスシリコンカーバイ
   ド層及び有機光半導体層を順次積層したことを特徴とす
   る電子写真感光体。
4. （４）前記第１のアモルファスシリコンカーバイド層に
   酸素及び／又は窒素を０．０１〜３０原子％含有せしめ
   ることを特徴とする請求項（１）、請求項（２）または
   請求項（３）記載の電子写真感光体。