JPH0810332B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH0810332B2 JPH0810332B2 JP63027422A JP2742288A JPH0810332B2 JP H0810332 B2 JPH0810332 B2 JP H0810332B2 JP 63027422 A JP63027422 A JP 63027422A JP 2742288 A JP2742288 A JP 2742288A JP H0810332 B2 JPH0810332 B2 JP H0810332B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、酸化アルミニウムよりなる電荷輸送層を有
する電子写真感光体の製造方法に関する。
する電子写真感光体の製造方法に関する。
（従来の技術） 近年、感光層として、非晶質ケイ素を主体とする層を
有するいわゆるアモルファスシリコン系電子写真感光体
が注目されている。これは、アモルファスシリコン材料
自身、従来の電子写真感光体の寿命要因を根本的に改善
できる可能性を有しており、電子写真感光体に応用する
ことにより、電気的に安定な繰返特性を有し、高硬度か
つ熱的に安定で長寿命の電子写真感光体を得る可能性を
有するためであり、従来これらの点に着目して種々のア
モルファスシリコン系電子写真感光体が提案されてい
る。
有するいわゆるアモルファスシリコン系電子写真感光体
が注目されている。これは、アモルファスシリコン材料
自身、従来の電子写真感光体の寿命要因を根本的に改善
できる可能性を有しており、電子写真感光体に応用する
ことにより、電気的に安定な繰返特性を有し、高硬度か
つ熱的に安定で長寿命の電子写真感光体を得る可能性を
有するためであり、従来これらの点に着目して種々のア
モルファスシリコン系電子写真感光体が提案されてい
る。
中でも、感光層として、光照射により電荷キャリアを
発生させる電荷発生層と、電荷発生層で生じた電荷キャ
リアを効率よく注入でき、かつ効率的に移動可能な電荷
輸送層とに分離した、いわゆる機能分離型感光層を有す
るアモルファスシリコン電子写真感光体が優れたものと
して提案されている。この様な機能分離型アモルファス
シリコン電子写真感光体における電荷輸送層としては、
例えば、シラン、ジシラン等のシラン化合物のガスと、
炭素、酸素又は窒素含有ガス及び微量の第III族或いは
第Ｖ族元素含有ガス（例えば、ホスフィンあるいはジボ
ラン等）の混合ガスをグロー放電分解して、上記元素を
含んだアモルファスシリコン膜を５〜100μｍ程度の膜
厚に形成したものが用いられている。
発生させる電荷発生層と、電荷発生層で生じた電荷キャ
リアを効率よく注入でき、かつ効率的に移動可能な電荷
輸送層とに分離した、いわゆる機能分離型感光層を有す
るアモルファスシリコン電子写真感光体が優れたものと
して提案されている。この様な機能分離型アモルファス
シリコン電子写真感光体における電荷輸送層としては、
例えば、シラン、ジシラン等のシラン化合物のガスと、
炭素、酸素又は窒素含有ガス及び微量の第III族或いは
第Ｖ族元素含有ガス（例えば、ホスフィンあるいはジボ
ラン等）の混合ガスをグロー放電分解して、上記元素を
含んだアモルファスシリコン膜を５〜100μｍ程度の膜
厚に形成したものが用いられている。
（発明が解決しようとする課題） 一般に、電荷輸送層と電荷発生層とに機能分離された
電子写真感光体において、その帯電性には、感光層中で
最も膜厚の大きい電荷輸送層自体の特性が寄与するが、
上に例示したようなシラン化合物のグロー放電分解によ
って得られる水素化アモルファスシリコン膜の電荷輸送
層を用いた電子写真感光体の帯電性は、略30V/μｍ程度
或いはそれ以下であり、未だ十分とはいえない。又、そ
の暗減衰率は、使用条件によって異なるが、一般的には
少なくとも20％/sec程度で、極めて高い。この為、その
様なアモルファスシリコン系電荷輸送層を用いた電子写
真感光体は、用途が比較的に高速なシステムに限定され
たり、或いは十分な帯電電位が得られないため、特定の
現像系を必要とした。帯電電位を増加させるためには、
電荷輸送層を厚膜にすればよいが、その為には製造時間
を増大させねばならず、さらには通常の製造法では、厚
膜作成に伴う膜欠陥発生確率の増大による得率の低下が
引き起こされ、感光体は極めて高コストとなる。
電子写真感光体において、その帯電性には、感光層中で
最も膜厚の大きい電荷輸送層自体の特性が寄与するが、
上に例示したようなシラン化合物のグロー放電分解によ
って得られる水素化アモルファスシリコン膜の電荷輸送
層を用いた電子写真感光体の帯電性は、略30V/μｍ程度
或いはそれ以下であり、未だ十分とはいえない。又、そ
の暗減衰率は、使用条件によって異なるが、一般的には
少なくとも20％/sec程度で、極めて高い。この為、その
様なアモルファスシリコン系電荷輸送層を用いた電子写
真感光体は、用途が比較的に高速なシステムに限定され
たり、或いは十分な帯電電位が得られないため、特定の
現像系を必要とした。帯電電位を増加させるためには、
電荷輸送層を厚膜にすればよいが、その為には製造時間
を増大させねばならず、さらには通常の製造法では、厚
膜作成に伴う膜欠陥発生確率の増大による得率の低下が
引き起こされ、感光体は極めて高コストとなる。
本発明者等は、上記の従来の技術における欠点を解決
すべく、先に、電荷輸送層として酸化アルミニウム膜を
用いた電子写真感光体を提案したが、さらに検討を進め
た結果、酸化アルミニウム膜を特定の製造法によって形
成した場合には、さらに好ましい結果が得られることを
見出だし、本発明を完成するに至った。
すべく、先に、電荷輸送層として酸化アルミニウム膜を
用いた電子写真感光体を提案したが、さらに検討を進め
た結果、酸化アルミニウム膜を特定の製造法によって形
成した場合には、さらに好ましい結果が得られることを
見出だし、本発明を完成するに至った。
したがって、本発明の目的は、電荷輸送層として酸化
アルミニウム膜を用いた電子写真感光体の製造方法を提
供することにある。
アルミニウム膜を用いた電子写真感光体の製造方法を提
供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、支持体上に、酸化アルミニウムよりなる電
荷輸送層を形成し、次いで非晶質ケイ素を主体とする電
荷発生層を形成する工程を含む電子写真感光体の製造方
法において、酸化アルミニウムを原料として使用し、支
持体を50℃以上に加熱しつつ、イオンプレーティング法
（但し、イオン・アシステッド・デポジション法を除
く）によって電荷輸送層を形成することを特徴とする。
荷輸送層を形成し、次いで非晶質ケイ素を主体とする電
荷発生層を形成する工程を含む電子写真感光体の製造方
法において、酸化アルミニウムを原料として使用し、支
持体を50℃以上に加熱しつつ、イオンプレーティング法
（但し、イオン・アシステッド・デポジション法を除
く）によって電荷輸送層を形成することを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、支持体としては、導電性、絶縁性の
どちらのものでも用いることができる。導電性支持体と
しては、ステンレススチール、アルミニウムなどの金属
或いは合金が用いられる。絶縁性支持体としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂フィルムまたはシート、
ガラス、セラミック、紙等があげられるが、絶縁性支持
体の場合には、少なくとも他の層と接触する面が導電処
理されていることが必要である。これらの導電処理は、
導電性支持体に用いられる金属を蒸着、スパッタリン
グ、ラミネートなどの処理によって行うことができる。
支持体は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状を取
り得る。また、支持体は、多層構造のものであってもよ
い。支持体の厚さは、必要とされる電子写真感光体に応
じて、適宜選択されるが、通常10μｍ以上のものが適し
ている。
どちらのものでも用いることができる。導電性支持体と
しては、ステンレススチール、アルミニウムなどの金属
或いは合金が用いられる。絶縁性支持体としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂フィルムまたはシート、
ガラス、セラミック、紙等があげられるが、絶縁性支持
体の場合には、少なくとも他の層と接触する面が導電処
理されていることが必要である。これらの導電処理は、
導電性支持体に用いられる金属を蒸着、スパッタリン
グ、ラミネートなどの処理によって行うことができる。
支持体は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状を取
り得る。また、支持体は、多層構造のものであってもよ
い。支持体の厚さは、必要とされる電子写真感光体に応
じて、適宜選択されるが、通常10μｍ以上のものが適し
ている。
支持体上には、電荷輸送層及び電荷発生層よりなる感
光層を形成させる。
光層を形成させる。
本発明における電荷輸送層は、酸化アルミニウムを構
成成分として構成されるが、可視光領域の波長の光の照
射によって、正孔−電子対からなる電荷キャリアを発生
しないもので、従来提案されているZnO、TiO2を増感色
素と共に樹脂バインダ中に分散した電子写真感光層や、
Se、Se・Te、Ｓ等のカルコゲン化合物の蒸着膜とａ−Si
膜を積層したような電子写真感光層とは全く構成を異に
するものである。本発明における電荷輸送層は、紫外光
に対しては光感度を有してもよい。
成成分として構成されるが、可視光領域の波長の光の照
射によって、正孔−電子対からなる電荷キャリアを発生
しないもので、従来提案されているZnO、TiO2を増感色
素と共に樹脂バインダ中に分散した電子写真感光層や、
Se、Se・Te、Ｓ等のカルコゲン化合物の蒸着膜とａ−Si
膜を積層したような電子写真感光層とは全く構成を異に
するものである。本発明における電荷輸送層は、紫外光
に対しては光感度を有してもよい。
本発明における電荷輸送層は、イオンプレーティング
法によって形成されるが、ただし、イオン・アシステッ
ド・デポジション法は使用しない。その際、基板温度を
50℃以上に設定して行うことが必要である。基板温度が
50℃より低いと、形成される電荷輸送層の膜硬度が低く
なり、好ましくない。好適な基板温度は100〜600℃、よ
り好ましくは200〜300℃である。以下、電荷輸送層の形
成について具体的に説明する。
法によって形成されるが、ただし、イオン・アシステッ
ド・デポジション法は使用しない。その際、基板温度を
50℃以上に設定して行うことが必要である。基板温度が
50℃より低いと、形成される電荷輸送層の膜硬度が低く
なり、好ましくない。好適な基板温度は100〜600℃、よ
り好ましくは200〜300℃である。以下、電荷輸送層の形
成について具体的に説明する。
真空槽内に設けられた水冷可能な無酸素銅るつぼ内
に、原料の酸化アルミニウムを挿入する。この場合、必
要によって、更に別の酸素ガスを真空槽内に直接導入し
てもよい。成膜時の条件は、真空槽内の真空度10-2〜10
-7Torr、イオン化電極への印加電圧１〜＋700V、基板へ
のバイアス印加電圧０〜−2000V、電子銃電圧0.5〜20K
V、電子銃電流0.5〜1000mAである。又、基板温度は、50
℃以上に設定する。酸化アルミニウム膜の膜厚は、イオ
ンプレーティング時間の調整により適宜設定することが
できる。本発明における電荷輸送層の膜厚は、２〜100
μｍ、より好ましくは、３〜30μｍである。
に、原料の酸化アルミニウムを挿入する。この場合、必
要によって、更に別の酸素ガスを真空槽内に直接導入し
てもよい。成膜時の条件は、真空槽内の真空度10-2〜10
-7Torr、イオン化電極への印加電圧１〜＋700V、基板へ
のバイアス印加電圧０〜−2000V、電子銃電圧0.5〜20K
V、電子銃電流0.5〜1000mAである。又、基板温度は、50
℃以上に設定する。酸化アルミニウム膜の膜厚は、イオ
ンプレーティング時間の調整により適宜設定することが
できる。本発明における電荷輸送層の膜厚は、２〜100
μｍ、より好ましくは、３〜30μｍである。
電荷発生層としては、ケイ素を主成分として構成され
ているものが用いられる。この様なケイ素を主成分とし
て構成される電荷発生層は、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンプレーテング法、真空蒸着法等により形
成することができる。これらの膜形成方法は目的に応じ
て適宜選択されるが、プラズマCVD法によりシラン（SiH
4）あるいはシラン系ガスをグロー放電分解する方法が
好ましく、この方法によれば、膜中に適量の水素を含有
した比較的暗抵抗が高く、かつ光感度も高い膜が形成さ
れ、電荷発生層として好適な特性を得ることができる。
ているものが用いられる。この様なケイ素を主成分とし
て構成される電荷発生層は、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンプレーテング法、真空蒸着法等により形
成することができる。これらの膜形成方法は目的に応じ
て適宜選択されるが、プラズマCVD法によりシラン（SiH
4）あるいはシラン系ガスをグロー放電分解する方法が
好ましく、この方法によれば、膜中に適量の水素を含有
した比較的暗抵抗が高く、かつ光感度も高い膜が形成さ
れ、電荷発生層として好適な特性を得ることができる。
以下、プラズマCVD法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする電荷発生層を作製するための原
料としては、シラン、ジシランをはじめとするシラン類
がある。又、電荷発生層を形成する際、必要に応じて、
例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキャリ
ヤガスを用いることも可能である。又、電荷発生層の暗
抵抗の制御、あるいは帯電極性の制御を目的として、上
記のガス中に更にジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン
（PH3）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中への
ホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加
を行なうこともできる。又、さらには、暗抵抗の増加、
光感度の増加、あるいは帯電能（単位膜厚当りの帯電能
力あるいは帯電電位）の増加を目的として、電荷発生層
中にハロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など
を含有させてもよい。さらに又、長波長域感度の増加を
目的として、ゲルマニウム（Ge）、錫等の元素を添加す
ることも可能である。特に電荷発生層は、ケイ素を主成
分とし、１〜40原子％好ましくは５〜20原子％の水素を
含んだものが望ましい。膜厚としては、0.1μｍ〜30μ
ｍの範囲で用いられ、0.2μｍ〜５μｍのものが好まし
い。電荷発生層は電荷輸送層の上部に設けてもよく、ま
た、下部に設けてもよい。
料としては、シラン、ジシランをはじめとするシラン類
がある。又、電荷発生層を形成する際、必要に応じて、
例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキャリ
ヤガスを用いることも可能である。又、電荷発生層の暗
抵抗の制御、あるいは帯電極性の制御を目的として、上
記のガス中に更にジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン
（PH3）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中への
ホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加
を行なうこともできる。又、さらには、暗抵抗の増加、
光感度の増加、あるいは帯電能（単位膜厚当りの帯電能
力あるいは帯電電位）の増加を目的として、電荷発生層
中にハロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など
を含有させてもよい。さらに又、長波長域感度の増加を
目的として、ゲルマニウム（Ge）、錫等の元素を添加す
ることも可能である。特に電荷発生層は、ケイ素を主成
分とし、１〜40原子％好ましくは５〜20原子％の水素を
含んだものが望ましい。膜厚としては、0.1μｍ〜30μ
ｍの範囲で用いられ、0.2μｍ〜５μｍのものが好まし
い。電荷発生層は電荷輸送層の上部に設けてもよく、ま
た、下部に設けてもよい。
本発明の電子写真感光体は、必要に応じて電荷輸送層
の下または電荷発生層の上に隣接して、他の層を形成し
てもよい。これらの層としては、例えば次ぎのものがあ
げられる。
の下または電荷発生層の上に隣接して、他の層を形成し
てもよい。これらの層としては、例えば次ぎのものがあ
げられる。
電荷注入阻止層として、例えばアモルファスシリコン
に元素周期律表第III族元素あるいはＶ族元素を添加し
てなるｐ形半導体層、ｎ形半導体層、あるいは窒化ケイ
素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、非晶質炭素等の絶縁層
が、又、接着層としてアモルファスシリコンに窒素、炭
素、酸素などを添加してなる層があげられる。その他、
元素周期律表第IIIB族元素、Ｖ族元素を同時に含む層
等、感光体の電気的及び画像的特性を制御できる層があ
げられる。これら各層の膜厚は任意に決定できるが、通
常0.01μｍ〜10μｍの範囲に設定して用いられる。
に元素周期律表第III族元素あるいはＶ族元素を添加し
てなるｐ形半導体層、ｎ形半導体層、あるいは窒化ケイ
素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、非晶質炭素等の絶縁層
が、又、接着層としてアモルファスシリコンに窒素、炭
素、酸素などを添加してなる層があげられる。その他、
元素周期律表第IIIB族元素、Ｖ族元素を同時に含む層
等、感光体の電気的及び画像的特性を制御できる層があ
げられる。これら各層の膜厚は任意に決定できるが、通
常0.01μｍ〜10μｍの範囲に設定して用いられる。
本発明の感光体においては、特に、感光体表面と基板
側から電荷輸送層あるいは電荷発生層への電荷注入を抑
え、より十分な帯電能と低い暗減衰を有す感光体を得る
ため、支持基板と電荷輸送層の間および／または感光体
表面に電荷注入阻止層を設けてもよい。
側から電荷輸送層あるいは電荷発生層への電荷注入を抑
え、より十分な帯電能と低い暗減衰を有す感光体を得る
ため、支持基板と電荷輸送層の間および／または感光体
表面に電荷注入阻止層を設けてもよい。
更に、感光体表面のコロナイオンによる変質を防止す
るための表面保護層を設けてもよい。
るための表面保護層を設けてもよい。
これらの諸層は、プラズマCVD法により形成すること
ができる。電荷発生層の場合に説明したように、不純物
元素を添加する場合は、それら不純物元素を含む物質の
ガス化物をシランガスと共にプラズマCVD装置内に導入
してグロー放電分解を行なう。各層の膜形成手段として
は、交流放電及び直流放電のいずれをも、有効に採用す
ることができるが、交流放電の場合を例にとると、膜形
成条件は次の通りである。すなわち、周波数は、通常0.
1〜30MHz、好適には５〜20MHz、放電時の真空度は0.1〜
5Torr（13.3〜667Pa）、基板加熱温度は50〜400℃であ
る。
ができる。電荷発生層の場合に説明したように、不純物
元素を添加する場合は、それら不純物元素を含む物質の
ガス化物をシランガスと共にプラズマCVD装置内に導入
してグロー放電分解を行なう。各層の膜形成手段として
は、交流放電及び直流放電のいずれをも、有効に採用す
ることができるが、交流放電の場合を例にとると、膜形
成条件は次の通りである。すなわち、周波数は、通常0.
1〜30MHz、好適には５〜20MHz、放電時の真空度は0.1〜
5Torr（13.3〜667Pa）、基板加熱温度は50〜400℃であ
る。
本発明によって得られた電子写真感光体において、酸
化アルミニウム膜が、いかなる理由により電荷輸送層と
しての機能を有するかは不明であるが、この酸化物の膜
は、それに接して設けられた電荷発生層で発生した電荷
キャリアを、界面にトラップすることなく効率良く注入
すると共に、基板側からの不要な電荷注入を阻止する機
能を有すると考えられる。それにより、電子写真感光体
として、略45V/μｍ以上の帯電性と、５〜15％/sec程度
の低い暗減衰率を有するものとなる。
化アルミニウム膜が、いかなる理由により電荷輸送層と
しての機能を有するかは不明であるが、この酸化物の膜
は、それに接して設けられた電荷発生層で発生した電荷
キャリアを、界面にトラップすることなく効率良く注入
すると共に、基板側からの不要な電荷注入を阻止する機
能を有すると考えられる。それにより、電子写真感光体
として、略45V/μｍ以上の帯電性と、５〜15％/sec程度
の低い暗減衰率を有するものとなる。
（実施例） 次に、本発明を実施例によって説明する。
参考例 直径約120mmのアルミニウムパイプ上に、ａ−Si:H
（ノンドープ）膜を１μｍの膜厚で成膜した。即ち、容
量結合型プラズマCVD装置にシラン（SiH4）ガス200cc/m
inを導入し、圧力を1.0Torrとした。支持体温度は250℃
であった。13.56MHzの高周波出力270Wで15分間グロー放
電分解を行った。
（ノンドープ）膜を１μｍの膜厚で成膜した。即ち、容
量結合型プラズマCVD装置にシラン（SiH4）ガス200cc/m
inを導入し、圧力を1.0Torrとした。支持体温度は250℃
であった。13.56MHzの高周波出力270Wで15分間グロー放
電分解を行った。
続いて、ａ−Si:H膜の上に、イオンプレーティング法
により酸化アルミニウムの層を成膜した。すなわち、ま
ず99.99％のアルミナを水冷無酸素銅るつぼに投入し、
真空度を２×10-5Torrに保った後、酸素ガスを導入して
真空度が２×10-4Torrで一定となるようにガス流量をコ
ントロールした。上記ａ−Si:H層が形成されているアル
ミニウムパイプを270℃に加熱し、電子銃に電圧8.5KVを
印加して、電流260mAとなるように電源出力を設定し
た。この時、イオン化電極の電圧を80Vとし、基板自身
には−500Vのバイアス電圧を印加した。基板付近に設置
された水晶振動子膜厚モニタにより、付着速度が36Å/s
ecで一定となるよう電子ビームのパワーを制御した。こ
のようにして、約30分間成膜した後、真空を破って試料
を取り出し、透明膜を得た。この酸化アルミニウム膜の
厚さは約5.5μｍであった。得られた電子写真感光体の
表面硬度は、ビッカース硬度（荷重＝10g）で710であっ
た。
により酸化アルミニウムの層を成膜した。すなわち、ま
ず99.99％のアルミナを水冷無酸素銅るつぼに投入し、
真空度を２×10-5Torrに保った後、酸素ガスを導入して
真空度が２×10-4Torrで一定となるようにガス流量をコ
ントロールした。上記ａ−Si:H層が形成されているアル
ミニウムパイプを270℃に加熱し、電子銃に電圧8.5KVを
印加して、電流260mAとなるように電源出力を設定し
た。この時、イオン化電極の電圧を80Vとし、基板自身
には−500Vのバイアス電圧を印加した。基板付近に設置
された水晶振動子膜厚モニタにより、付着速度が36Å/s
ecで一定となるよう電子ビームのパワーを制御した。こ
のようにして、約30分間成膜した後、真空を破って試料
を取り出し、透明膜を得た。この酸化アルミニウム膜の
厚さは約5.5μｍであった。得られた電子写真感光体の
表面硬度は、ビッカース硬度（荷重＝10g）で710であっ
た。
このようにして得られた試料を40rpmで回転させなが
らコロナ帯電を行ったところ、＋20μA/cmの感光体流入
電流時に、コロナ帯電から0.1sec後の表面電位が、約＋
295Vであった。半減衰露光量は550nmの単色光露光時で
5.9erg/cm2、またこの時の残留電位は約＋33Vであっ
た。さらに暗減衰率は14％/secであった。
らコロナ帯電を行ったところ、＋20μA/cmの感光体流入
電流時に、コロナ帯電から0.1sec後の表面電位が、約＋
295Vであった。半減衰露光量は550nmの単色光露光時で
5.9erg/cm2、またこの時の残留電位は約＋33Vであっ
た。さらに暗減衰率は14％/secであった。
また、この試料を富士ゼロックス社製3500乾式普通紙
複写機に挿入して画像を形成させたところ、かぶりのな
い鮮明な画像が得られた。
複写機に挿入して画像を形成させたところ、かぶりのな
い鮮明な画像が得られた。
比較例 アルミニウムパイプを常温に保ったままイオンプレー
ティングを実施した以外は、参考例におけると同様にし
て電子写真感光体を作成した。この表面硬度は、ビッカ
ース硬度（荷重＝10g）で640であった。
ティングを実施した以外は、参考例におけると同様にし
て電子写真感光体を作成した。この表面硬度は、ビッカ
ース硬度（荷重＝10g）で640であった。
実施例 参考例とは積層の順序を逆にした以外は同様にして、
5.5μｍの酸化アルミニウムの層を形成し、その上に１
μｍのａ−Si:H膜を形成した。さらに、それに引き続
き、プラズマCVD装置内で表面保護層として500Åのａ−
Si:H膜を積層した。
5.5μｍの酸化アルミニウムの層を形成し、その上に１
μｍのａ−Si:H膜を形成した。さらに、それに引き続
き、プラズマCVD装置内で表面保護層として500Åのａ−
Si:H膜を積層した。
ａ−Si:H膜の製造条件は以下の通りであった。
シラン流量 50cc/min アンモニア流量 30cc/min 水素流量 200cc/min 反応器内圧 0.5Torr 放電出力 80W 放電時間 ６分 支持体温度 250℃ このようにして得られた試料を40rpmで回転させなが
らコロナ帯電を行ったところ、−20μA/cmの感光体流入
電流時に、コロナ帯電から0.1sec後の表面電位が、約−
340Vであった。半減衰露光量は550nmの単色光露光時で
7.1erg/cm2、またこの時の残留電位は約−50Vであっ
た。さらに暗減衰率は13％/secであった。
らコロナ帯電を行ったところ、−20μA/cmの感光体流入
電流時に、コロナ帯電から0.1sec後の表面電位が、約−
340Vであった。半減衰露光量は550nmの単色光露光時で
7.1erg/cm2、またこの時の残留電位は約−50Vであっ
た。さらに暗減衰率は13％/secであった。
（発明の効果） 本発明は、上記のように、酸化アルミニウムを原料と
して使用し、支持体を50℃以上に加熱しつつ、イオンプ
レーティング法によって電荷輸送層を形成するから、得
られた電荷輸送層は高い膜硬度を有しており、そしてま
た、得られた電子写真感光体は、帯電性がよく、又暗減
衰率が低い。即ち、略45V/μｍ以上の帯電性を示し、５
〜15％/sec程度の低い暗減衰率を有し、又、高い感度を
有する。
して使用し、支持体を50℃以上に加熱しつつ、イオンプ
レーティング法によって電荷輸送層を形成するから、得
られた電荷輸送層は高い膜硬度を有しており、そしてま
た、得られた電子写真感光体は、帯電性がよく、又暗減
衰率が低い。即ち、略45V/μｍ以上の帯電性を示し、５
〜15％/sec程度の低い暗減衰率を有し、又、高い感度を
有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−8748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−63051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−183663（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−254158（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−124863（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−177555（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に、酸化アルミニウムよりなる電
荷輸送層を形成し、次いで非晶質ケイ素を主体とする電
荷発生層を形成する工程を含む電子写真感光体の製造方
法において、酸化アルミニウムを原料として使用し、支
持体を50℃以上に加熱しつつ、イオンプレーティング法
（但し、イオン・アシステッド・デポジション法を除
く）によって電荷輸送層を形成することを特徴とする電
子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027422A JPH0810332B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/306,979 US4965164A (en) | 1988-02-10 | 1989-02-07 | Method for producing electrophotographic photoreceptor |
| EP89102232A EP0328097A3 (en) | 1988-02-10 | 1989-02-09 | Method for producing electrophotographic photoreceptor |
| KR1019890001540A KR910006737B1 (ko) | 1988-02-10 | 1989-02-10 | 전자사진 광수용기 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027422A JPH0810332B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204057A JPH01204057A (ja) | 1989-08-16 |
| JPH0810332B2 true JPH0810332B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=12220664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63027422A Expired - Lifetime JPH0810332B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4965164A (ja) |
| EP (1) | EP0328097A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0810332B2 (ja) |
| KR (1) | KR910006737B1 (ja) |
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| JPH07117761B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1995-12-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JP3155413B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2001-04-09 | キヤノン株式会社 | 光受容部材の形成方法、該方法による光受容部材および堆積膜の形成装置 |
| US5449924A (en) * | 1993-01-28 | 1995-09-12 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Photodiode having a Schottky barrier formed on the lower metallic electrode |
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| JPS5587155A (en) * | 1978-12-23 | 1980-07-01 | Canon Inc | Electrophotographic receptor |
| US4403026A (en) * | 1980-10-14 | 1983-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having an electrically insulating oxide layer |
| JPS5912446A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Ricoh Co Ltd | 画像転写用感光体及びその製造方法 |
| US4705733A (en) * | 1984-04-24 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer and substrate with overlapping subprojections |
| GB2168911B (en) * | 1984-12-29 | 1989-06-07 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPH0656501B2 (ja) * | 1985-02-09 | 1994-07-27 | ミノルタカメラ株式会社 | オ−バ−コ−ト層を有する感光材料の製造方法 |
| US4634648A (en) * | 1985-07-05 | 1987-01-06 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging members with amorphous carbon |
| JPH083645B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1996-01-17 | 株式会社小松製作所 | 電子写真感光体 |
| JPS62254158A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS62294258A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4737429A (en) * | 1986-06-26 | 1988-04-12 | Xerox Corporation | Layered amorphous silicon imaging members |
| JPH0782240B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1995-09-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| US5082760A (en) * | 1987-11-10 | 1992-01-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for preparing an electrophotographic photoreceptor having a charge transporting layer containing aluminum oxide |
| JP2595575B2 (ja) * | 1987-11-10 | 1997-04-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JP2629223B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1997-07-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63027422A patent/JPH0810332B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-07 US US07/306,979 patent/US4965164A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-09 EP EP89102232A patent/EP0328097A3/en not_active Withdrawn
- 1989-02-10 KR KR1019890001540A patent/KR910006737B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0328097A3 (en) | 1990-08-22 |
| KR910006737B1 (ko) | 1991-09-02 |
| JPH01204057A (ja) | 1989-08-16 |
| EP0328097A2 (en) | 1989-08-16 |
| KR890013525A (ko) | 1989-09-23 |
| US4965164A (en) | 1990-10-23 |
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