JP2629223B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、酸化アルミニウムよりなる電荷輸送層を有
する電子写真感光体の製造方法に関する。
する電子写真感光体の製造方法に関する。
従来の技術 近年、感光層として、非晶質ケイ素を主体とする層を
有するいわゆるアモルファスシリコン系電子写真感光体
が注目されている。これは、アモルファスシリコン材料
自身、従来の電子写真感光体の寿命要因を根本的に改善
できる可能性を有しており、電子写真感光体に応用する
ことにより、電気的に安定な繰返特性を有し、高硬度か
つ熱的に安定で長寿命の電子写真感光体を得る可能性を
有するためであり、従来これらの点に着目して種々のア
モルファスシリコン系電子写真感光体が提案されてい
る。
有するいわゆるアモルファスシリコン系電子写真感光体
が注目されている。これは、アモルファスシリコン材料
自身、従来の電子写真感光体の寿命要因を根本的に改善
できる可能性を有しており、電子写真感光体に応用する
ことにより、電気的に安定な繰返特性を有し、高硬度か
つ熱的に安定で長寿命の電子写真感光体を得る可能性を
有するためであり、従来これらの点に着目して種々のア
モルファスシリコン系電子写真感光体が提案されてい
る。
中でも、感光層として、光照射により電荷キャリアを
発生させる電荷発生層と、電荷発生層え生じた電荷キャ
リアを効率よく注入でき、かつ効率的に移動可能な電荷
輸送層と分離した、いわゆる機能分離型感光層を有する
アモルファスシリコン電子写真感光体が優れたものとし
て提案されている。この様な機能分離型アモルファスシ
リコン電子写真感光体における電荷輸送層としては、例
えば、シラン、ジシラン等のシラン化合物のガスと、炭
素、酸素又は窒素含有ガス及び微量の第III族或いは第
Ｖ族元素含有ガス（例えば、ホスフィンあるいはジボラ
ン等）の混合ガスをグロー放電分解して、上記元素を含
んだアモルファスシリコン膜を５〜100μｍ程度の膜厚
に形成したものが用いられている。
発生させる電荷発生層と、電荷発生層え生じた電荷キャ
リアを効率よく注入でき、かつ効率的に移動可能な電荷
輸送層と分離した、いわゆる機能分離型感光層を有する
アモルファスシリコン電子写真感光体が優れたものとし
て提案されている。この様な機能分離型アモルファスシ
リコン電子写真感光体における電荷輸送層としては、例
えば、シラン、ジシラン等のシラン化合物のガスと、炭
素、酸素又は窒素含有ガス及び微量の第III族或いは第
Ｖ族元素含有ガス（例えば、ホスフィンあるいはジボラ
ン等）の混合ガスをグロー放電分解して、上記元素を含
んだアモルファスシリコン膜を５〜100μｍ程度の膜厚
に形成したものが用いられている。
発明が解決しようとする課題 一般に、電荷輸送層と電荷発生層とに機能分離された
電子写真感光体において、その帯電性には、感光層中で
最も膜圧の大きい電荷輸送層自体の特性が寄与するが、
上に例示したようなシラン化合物のグロー放電分解によ
って得られる水素化アモルファスシリコン膜の電荷輸送
層を用いた電子写真感光体の帯電性は、略30V/μｍ程度
或いはそれぞれ以下であり、未だ十分とはいえない。
又、その暗減衰率は、使用条件によって異なるが、一般
的には少なくとも20％/sec程度で、極めて高い。この
為、その様なアモルファスシリコン系電荷輸送層を用い
た電子写真感光体は、用途が比較的に高速なシステムに
限定されたり、或いは十分な帯電電位が得らてないた
め、特定の現像系を必要とした。帯電電位を増加させる
ためには、電荷輸送層を厚膜にすればよいが、その為に
は製造時間を増大させねばならず、さらには通常の製造
法では、厚膜作成に伴う膜欠陥発生確率の増大による得
率の低下が引き起こされ、感光体は極めて高コストにな
る。
電子写真感光体において、その帯電性には、感光層中で
最も膜圧の大きい電荷輸送層自体の特性が寄与するが、
上に例示したようなシラン化合物のグロー放電分解によ
って得られる水素化アモルファスシリコン膜の電荷輸送
層を用いた電子写真感光体の帯電性は、略30V/μｍ程度
或いはそれぞれ以下であり、未だ十分とはいえない。
又、その暗減衰率は、使用条件によって異なるが、一般
的には少なくとも20％/sec程度で、極めて高い。この
為、その様なアモルファスシリコン系電荷輸送層を用い
た電子写真感光体は、用途が比較的に高速なシステムに
限定されたり、或いは十分な帯電電位が得らてないた
め、特定の現像系を必要とした。帯電電位を増加させる
ためには、電荷輸送層を厚膜にすればよいが、その為に
は製造時間を増大させねばならず、さらには通常の製造
法では、厚膜作成に伴う膜欠陥発生確率の増大による得
率の低下が引き起こされ、感光体は極めて高コストにな
る。
本発明者等は、上記の従来の技術における欠点を解決
すべく、先に、電荷輸送層として酸化アルミニウム膜を
用いた電子写真感光体を提案したが、この電子写真感光
体においては、電荷輸送層にクラックが発生する場合が
あることが分った。電荷輸送層にクラックが発生する
と、電子写真感光体の帯電性が不均一になり、良好な画
質の画像が得られなくなる。そこでさらに検討を進めた
結果、酸化アルミニウム膜を特定の製造法によって形成
した場合には、酸化アルミニウム膜にクラックが発生す
ることがなく、さらに好ましい結果が得られることを見
出し、本発明を完成するに至った。
すべく、先に、電荷輸送層として酸化アルミニウム膜を
用いた電子写真感光体を提案したが、この電子写真感光
体においては、電荷輸送層にクラックが発生する場合が
あることが分った。電荷輸送層にクラックが発生する
と、電子写真感光体の帯電性が不均一になり、良好な画
質の画像が得られなくなる。そこでさらに検討を進めた
結果、酸化アルミニウム膜を特定の製造法によって形成
した場合には、酸化アルミニウム膜にクラックが発生す
ることがなく、さらに好ましい結果が得られることを見
出し、本発明を完成するに至った。
したがって、本発明の目的は、電荷輸送層として酸化
アルミウム膜を用いた電子写真感光体を製造するにさい
し、電荷輸送層にクラックの発生が生じないような製造
方法を提供することにある。
アルミウム膜を用いた電子写真感光体を製造するにさい
し、電荷輸送層にクラックの発生が生じないような製造
方法を提供することにある。
課題を解決するための手段 本発明は、支持体上に、酸化アルミニウムよりなる電
荷輸送層を形成し、次いで非晶質ケイ素を主体とする電
荷発生層を形成するか、又は、非晶質ケイ素を主体とす
る電荷発生層を形成し、次いで酸化アルミニウムよりな
る電荷輸送層を形成する工程を含む電子写真感光体の製
造方法において、電荷輸送層をイオン・アシステッド・
デポジション法によって形成することが特徴とする。
荷輸送層を形成し、次いで非晶質ケイ素を主体とする電
荷発生層を形成するか、又は、非晶質ケイ素を主体とす
る電荷発生層を形成し、次いで酸化アルミニウムよりな
る電荷輸送層を形成する工程を含む電子写真感光体の製
造方法において、電荷輸送層をイオン・アシステッド・
デポジション法によって形成することが特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、支持体としては、導電性、絶遠性の
どちらのものでも用いることができる。導電性支持体と
しては、ステンレススチール、アルミニウムなどの金属
或いは合金が用いられる。絶縁性支持体としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂フィルムまたはシート、
ガラス、セラミック、紙等があげられるが、絶縁性支持
体の場合には、少なくとも他の層と接触する面が導電処
理されていることが必要である。これらの導電処理は、
導電性支持体に用いられる金属を蒸着、スパッタリン
グ、ラミネートなどの処理によって行うことができる。
支持体は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状を取
り得る。また、支持体は、多層構造のものであってもよ
い。支持体の厚さは、必要とされる電子写真感光体に応
じて、適宜選択されるが、通常10μｍ以上のものが適し
ている。
どちらのものでも用いることができる。導電性支持体と
しては、ステンレススチール、アルミニウムなどの金属
或いは合金が用いられる。絶縁性支持体としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂フィルムまたはシート、
ガラス、セラミック、紙等があげられるが、絶縁性支持
体の場合には、少なくとも他の層と接触する面が導電処
理されていることが必要である。これらの導電処理は、
導電性支持体に用いられる金属を蒸着、スパッタリン
グ、ラミネートなどの処理によって行うことができる。
支持体は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状を取
り得る。また、支持体は、多層構造のものであってもよ
い。支持体の厚さは、必要とされる電子写真感光体に応
じて、適宜選択されるが、通常10μｍ以上のものが適し
ている。
支持体上には、電荷輸送層及び電荷発生層よりなる感
光層を形成させるが、そのどちらを最初に形成させても
よい。
光層を形成させるが、そのどちらを最初に形成させても
よい。
本発明における電荷輸送層は、酸化アルミニウムを構
成成分として構成されるが、可視光領域において、実質
的に光感度を有しない。ここでいう光感度を有しないと
は、可視光領域の波長の光の照射によって、正孔−電子
対からなる電荷キャリアを発生しないことを意味してお
り、従来提案されているZnO、TiO2を増感色素と共に樹
脂バインダ中に分散した電子写真感光層や、Se、Se・T
e、Ｓ等のカルコゲン化合物の蒸着膜とａ−Si膜を積層
したような電子写真感光層とは全く構成を異にするもの
である。本発明における電荷輸送層は、紫外光に対して
は光感度を有してもよい。
成成分として構成されるが、可視光領域において、実質
的に光感度を有しない。ここでいう光感度を有しないと
は、可視光領域の波長の光の照射によって、正孔−電子
対からなる電荷キャリアを発生しないことを意味してお
り、従来提案されているZnO、TiO2を増感色素と共に樹
脂バインダ中に分散した電子写真感光層や、Se、Se・T
e、Ｓ等のカルコゲン化合物の蒸着膜とａ−Si膜を積層
したような電子写真感光層とは全く構成を異にするもの
である。本発明における電荷輸送層は、紫外光に対して
は光感度を有してもよい。
本発明における電荷輸送層は、イオン・アシステッド
・デポジション（Ion Assisted Deposition）法によっ
て形成される。イオン・アシステッド・デポジッション
（以下、IADという）法について第１図によって説明す
ると、第１図は、IAD法に用いるIAD装置の概略の構成図
であって、真空槽１内部には、るつぼ２、電子銃３、シ
ャッター４、イオンガン５が配置されており、又、上方
には、基板６が取り付けられるようになっている。電子
銃、イオンガン及び基板にはそれぞれ所定の電圧が印加
されるように電源に接続されている。又、真空槽は、所
定の真空度に維持されるように排気系に連通している。
るつぼ２内に粒状或いは塊状酸化アルミニウムを挿入
し、電子銃３を加速電圧に印加すると電子ビームから打
ち出される。るつぼ中の酸化アルミニウムは、打ち出さ
れた電子ビームによって溶融、蒸発し、イオンガン５か
らの酸素或はアルゴン等のイオンビームの照射を受けな
がら、基板６上に堆積する。
・デポジション（Ion Assisted Deposition）法によっ
て形成される。イオン・アシステッド・デポジッション
（以下、IADという）法について第１図によって説明す
ると、第１図は、IAD法に用いるIAD装置の概略の構成図
であって、真空槽１内部には、るつぼ２、電子銃３、シ
ャッター４、イオンガン５が配置されており、又、上方
には、基板６が取り付けられるようになっている。電子
銃、イオンガン及び基板にはそれぞれ所定の電圧が印加
されるように電源に接続されている。又、真空槽は、所
定の真空度に維持されるように排気系に連通している。
るつぼ２内に粒状或いは塊状酸化アルミニウムを挿入
し、電子銃３を加速電圧に印加すると電子ビームから打
ち出される。るつぼ中の酸化アルミニウムは、打ち出さ
れた電子ビームによって溶融、蒸発し、イオンガン５か
らの酸素或はアルゴン等のイオンビームの照射を受けな
がら、基板６上に堆積する。
又、上記のIAD装置において、着膜の効率を増すた
め、或いは膜質の向上をはかるために、第２図に示すよ
うにイオン化電極７及び熱電子放射電極８を設けてもよ
い。
め、或いは膜質の向上をはかるために、第２図に示すよ
うにイオン化電極７及び熱電子放射電極８を設けてもよ
い。
電荷輸送槽の形成について具体的に説明すると、真空
槽内に設けられた水冷可能な無酸素銅るつぼ内に、原料
の酸化アルミニウムを挿入する。一方、イオンソースと
してイオンガンの中の経由して酸素又はアルゴン等のガ
スを真空槽内に直接導入する。特に、イオンソースとし
て酸素ガスを用いると、膜の透明性の増加、クラックの
発生の防止に対して多大の効果を有する。成膜時の条件
は、真空槽内の真空度10-5〜10-7Torr、イオンガン加速
電圧５〜1000V、イオンガン加速電流0.5〜1000mA、イオ
ン引出し電圧−0.5〜−300V、電子銃電圧0.5〜20KV、電
子銃電流0.5〜1000mA、基板へのバイアス印加電圧０〜
−2000Vである。又、基板温度は、50℃以上、好ましく
は、100〜500℃、より好ましくは200〜300℃である。イ
オン化電極を設ける場合には、イオン化電極への印加電
圧は＋１〜＋500Vである。酸化アルミニウム膜の膜厚
は、IAD時間の調整により適宜設定することができる。
本発明における電荷輸送層の膜厚は、２〜100μｍ、よ
り好ましくは、３〜30μｍである。一方、電荷発生層と
しては、ケイ素を主成分として構成されているものが用
いられる。この様なケイ素を主成分として構成される電
荷発生層は、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
プレーテイング法、真空蒸着法等により形成することが
できる。これらの膜形成方法は、目的に応じて適宜選択
されるが、プラズマCVD法によりシラン（SiH4）あるい
はシラン系ガスをグロー放電分解する方法が好ましく、
この方法によれば、膜中に適量の水素を含有した比較的
暗抵抗が高く、かつ光感度も高い膜が形成され、電荷発
生層として好適な特性を得ることができる。
槽内に設けられた水冷可能な無酸素銅るつぼ内に、原料
の酸化アルミニウムを挿入する。一方、イオンソースと
してイオンガンの中の経由して酸素又はアルゴン等のガ
スを真空槽内に直接導入する。特に、イオンソースとし
て酸素ガスを用いると、膜の透明性の増加、クラックの
発生の防止に対して多大の効果を有する。成膜時の条件
は、真空槽内の真空度10-5〜10-7Torr、イオンガン加速
電圧５〜1000V、イオンガン加速電流0.5〜1000mA、イオ
ン引出し電圧−0.5〜−300V、電子銃電圧0.5〜20KV、電
子銃電流0.5〜1000mA、基板へのバイアス印加電圧０〜
−2000Vである。又、基板温度は、50℃以上、好ましく
は、100〜500℃、より好ましくは200〜300℃である。イ
オン化電極を設ける場合には、イオン化電極への印加電
圧は＋１〜＋500Vである。酸化アルミニウム膜の膜厚
は、IAD時間の調整により適宜設定することができる。
本発明における電荷輸送層の膜厚は、２〜100μｍ、よ
り好ましくは、３〜30μｍである。一方、電荷発生層と
しては、ケイ素を主成分として構成されているものが用
いられる。この様なケイ素を主成分として構成される電
荷発生層は、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
プレーテイング法、真空蒸着法等により形成することが
できる。これらの膜形成方法は、目的に応じて適宜選択
されるが、プラズマCVD法によりシラン（SiH4）あるい
はシラン系ガスをグロー放電分解する方法が好ましく、
この方法によれば、膜中に適量の水素を含有した比較的
暗抵抗が高く、かつ光感度も高い膜が形成され、電荷発
生層として好適な特性を得ることができる。
以下、プラズマCVD法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする電荷発生層を作製するための原
料としては、シラン又はシラン誘導体があげられ、たと
えば、SiH4、Si2H6、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、Si（C
H3）４、Si3H8、Si4H10などを例示することができる。
又、電荷発生層を形成する際、必要に応じて、例えば、
水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキャリアガスを
用いることも可能である。又、電荷発生層の暗抵抗の制
御、あるいは帯電極性の制御を目的として、上記のガス
中に更にジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン（PH3）ガ
ス等のドーパントガスを混入させ、膜中へのホウ素
（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加を行な
うこともできる。又、さらには、暗抵抗の増加、光感度
の増加、あるいは帯電能（単位膜厚当りの帯電能力ある
いは帯電電位）の増加を目的として、電荷発生層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有
させてもよい。さらに又、長波長域感度の増加を目的と
して、ゲルマニウム（Ge）、錫等の元素を添加すること
も可能である。特に電荷発生層は、ケイ素を主成分と
し、１〜40原子％好ましくは５〜20原子％の水素を含ん
だものが望ましい。膜厚としては、0.1μｍ〜30μｍの
範囲で用いられ0.2μｍ〜５μｍのものが好ましい。
料としては、シラン又はシラン誘導体があげられ、たと
えば、SiH4、Si2H6、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、Si（C
H3）４、Si3H8、Si4H10などを例示することができる。
又、電荷発生層を形成する際、必要に応じて、例えば、
水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキャリアガスを
用いることも可能である。又、電荷発生層の暗抵抗の制
御、あるいは帯電極性の制御を目的として、上記のガス
中に更にジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン（PH3）ガ
ス等のドーパントガスを混入させ、膜中へのホウ素
（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加を行な
うこともできる。又、さらには、暗抵抗の増加、光感度
の増加、あるいは帯電能（単位膜厚当りの帯電能力ある
いは帯電電位）の増加を目的として、電荷発生層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有
させてもよい。さらに又、長波長域感度の増加を目的と
して、ゲルマニウム（Ge）、錫等の元素を添加すること
も可能である。特に電荷発生層は、ケイ素を主成分と
し、１〜40原子％好ましくは５〜20原子％の水素を含ん
だものが望ましい。膜厚としては、0.1μｍ〜30μｍの
範囲で用いられ0.2μｍ〜５μｍのものが好ましい。
本発明の電子写真感光体は、必要に応じて電荷発生層
及び電荷輸送層よりなる感光層の上部あるいは下部に隣
接して、他の層を形成してもよい。これらの層として
は、例えば次ぎのものがあげられる。
及び電荷輸送層よりなる感光層の上部あるいは下部に隣
接して、他の層を形成してもよい。これらの層として
は、例えば次ぎのものがあげられる。
電荷注入阻止層として、例えばアモルファスシリコン
に元素周期律表第III族元素あるいはＶ族元素を添加し
てなるｐ形半導体層、ｎ形半導体層、あるいは窒素ケイ
素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、非晶質炭素等の絶縁層
が、又、接着層としてアモルファスシリコンに窒素、炭
素、酸素などを添加してなる層があげられる。その他、
元素周期律表第IIIB族元素、Ｖ族元素を同時に含む層
等、感光体の電気的及び画像的特性を制御できる層があ
げられる。これら各層の膜厚は任意に決定できるが、通
常0.01μｍ〜10μｍの範囲に設定して用いられる。
に元素周期律表第III族元素あるいはＶ族元素を添加し
てなるｐ形半導体層、ｎ形半導体層、あるいは窒素ケイ
素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、非晶質炭素等の絶縁層
が、又、接着層としてアモルファスシリコンに窒素、炭
素、酸素などを添加してなる層があげられる。その他、
元素周期律表第IIIB族元素、Ｖ族元素を同時に含む層
等、感光体の電気的及び画像的特性を制御できる層があ
げられる。これら各層の膜厚は任意に決定できるが、通
常0.01μｍ〜10μｍの範囲に設定して用いられる。
更に、感光体表面にコロナイオンによる変質を防止す
るための表面保護層を設けてもよい。
るための表面保護層を設けてもよい。
これらの諸層は、プラズマCVD法により形成すること
ができる。電荷発生層の場合に説明したように、不純物
元素を添加する場合は、それら不純物元素を含む物質の
ガス化物をシランガスと共にプラズマCVD装置内に導入
してグロー放電分解を行なう。各層の膜形成手段として
は、交流放電及び直流放電のいずれをも有効に採用する
ことができるが、交流放電の場合を例にとると、膜形成
条件は次の通りである。すなわち、周波数は、通常0.1
〜30MHz、好適には５〜20MHz、放電時の真空度は0.1〜5
Torr（13.3〜667Pa）、基板加熱温度は100〜400℃であ
る。
ができる。電荷発生層の場合に説明したように、不純物
元素を添加する場合は、それら不純物元素を含む物質の
ガス化物をシランガスと共にプラズマCVD装置内に導入
してグロー放電分解を行なう。各層の膜形成手段として
は、交流放電及び直流放電のいずれをも有効に採用する
ことができるが、交流放電の場合を例にとると、膜形成
条件は次の通りである。すなわち、周波数は、通常0.1
〜30MHz、好適には５〜20MHz、放電時の真空度は0.1〜5
Torr（13.3〜667Pa）、基板加熱温度は100〜400℃であ
る。
本発明によって得られた電子写真感光体において、酸
化アルミニウム膜が、いかなる理由により電荷輸送層と
しての機能を有するかは不明であるが、この酸化物の膜
は、それに接して設けられた電荷発生層で発生した電荷
キャリアを、界面にトラップすることなく効率良く注入
すると共に、基板側からの不要な電荷注入を阻止する機
能を有すると考えられる。それにより、電子写真感光体
として、略50V/μｍ以上の帯電性と、５〜15％/sec程度
の低い暗減衰率を有するものとなる。
化アルミニウム膜が、いかなる理由により電荷輸送層と
しての機能を有するかは不明であるが、この酸化物の膜
は、それに接して設けられた電荷発生層で発生した電荷
キャリアを、界面にトラップすることなく効率良く注入
すると共に、基板側からの不要な電荷注入を阻止する機
能を有すると考えられる。それにより、電子写真感光体
として、略50V/μｍ以上の帯電性と、５〜15％/sec程度
の低い暗減衰率を有するものとなる。
更に、本発明においては、IDA法によって酸化アルミ
ニウムよりなる電荷輸送層を形成するが、形成される電
荷輸送層は、クラックの発生のないものとなる。
ニウムよりなる電荷輸送層を形成するが、形成される電
荷輸送層は、クラックの発生のないものとなる。
実施例 次に、本発明を実施例によって説明する。
アルミニウム基体上に、IAD法により酸化アルミニウ
ムの層を成膜した。すなわち、まず99.99％のアルミナ
を水冷無酸素銅るつぼに投入し、真空度を７×10-6Torr
に保った後、酸素ガスをイオンガンから導入して真空度
を１×10-4Torrにした。アルミニウム基体を250℃に加
熱し、電子銃に加速電圧6.5KVを印加して、電流180mAな
るように電源を調整した。一方、イオンガンには加速電
圧500Vを印加し、イオンガン電流を280mAとした。さら
にイオン引出し電圧−50Vを印加した。更に、アルミニ
ウム基板自身には−500Vのバイアス電圧を印加した。
ムの層を成膜した。すなわち、まず99.99％のアルミナ
を水冷無酸素銅るつぼに投入し、真空度を７×10-6Torr
に保った後、酸素ガスをイオンガンから導入して真空度
を１×10-4Torrにした。アルミニウム基体を250℃に加
熱し、電子銃に加速電圧6.5KVを印加して、電流180mAな
るように電源を調整した。一方、イオンガンには加速電
圧500Vを印加し、イオンガン電流を280mAとした。さら
にイオン引出し電圧−50Vを印加した。更に、アルミニ
ウム基板自身には−500Vのバイアス電圧を印加した。
このようにして、約120間成膜した後、真空を破って
試料を取り出し、透明膜を得た。この酸化アルミニウム
膜の厚さは約6.5μｍであった。得られた電荷輸送層の
表面にはクラックの発生が全く認められなかった。その
状態の顕微鏡写真（倍率：×40倍）を第３図に示す。
試料を取り出し、透明膜を得た。この酸化アルミニウム
膜の厚さは約6.5μｍであった。得られた電荷輸送層の
表面にはクラックの発生が全く認められなかった。その
状態の顕微鏡写真（倍率：×40倍）を第３図に示す。
続いて、電荷輸送層の上にａ−Si:H（ノンドープ）膜
を１μｍの膜厚で成膜した。即ち、容量結合型プラズマ
CVD装置にシラン（SiH4）ガス250cc/minを導入し、圧力
を1.0Torrとした。支持体温度は250℃であった。13.56M
Hzの高周波出力300Wで10分間グロー放電分解を行った。
を１μｍの膜厚で成膜した。即ち、容量結合型プラズマ
CVD装置にシラン（SiH4）ガス250cc/minを導入し、圧力
を1.0Torrとした。支持体温度は250℃であった。13.56M
Hzの高周波出力300Wで10分間グロー放電分解を行った。
このようにして得られた電子写真感光体を40rpmで回
転させながらコロナ帯電を行ったところ、−20μA/cmの
感光体流入電流時に、コロナ帯電から0.1sec後の表面電
位が、約−400Vであった。半減衰露光量は550nmの単色
光露光時で7.9erg/cm2、またこの時の残留電位は約−70
Vであった。さらに暗減衰率は12％/secであった。
転させながらコロナ帯電を行ったところ、−20μA/cmの
感光体流入電流時に、コロナ帯電から0.1sec後の表面電
位が、約−400Vであった。半減衰露光量は550nmの単色
光露光時で7.9erg/cm2、またこの時の残留電位は約−70
Vであった。さらに暗減衰率は12％/secであった。
また、この試料を富士ゼロックス社製3500乾式普通紙
複写機に挿入して画像を形成させたところ、かぶりのな
い鮮明な画像が得られた。
複写機に挿入して画像を形成させたところ、かぶりのな
い鮮明な画像が得られた。
比較例 イオンガンを作動させない以外は、実施例１における
と同様にして約6.5μｍの酸化アルミニウムの層を形成
した。これを反応室から取り出したところ、形成された
酸化アルミニウム層の表面には、多数のクラックの発生
が認められた。その状態の顕微鏡写真（倍率：×40）を
第４図に示す。
と同様にして約6.5μｍの酸化アルミニウムの層を形成
した。これを反応室から取り出したところ、形成された
酸化アルミニウム層の表面には、多数のクラックの発生
が認められた。その状態の顕微鏡写真（倍率：×40）を
第４図に示す。
この様なクラックの発生した酸化アルミニウム層表面
にａ−Si:H膜を形成したところ、得られた電子写真感光
体は、酸化アルミニウム層のクラックに基づく帯電特性
を不均一が生じ、コピー画像には画像欠陥があらわれ
た。
にａ−Si:H膜を形成したところ、得られた電子写真感光
体は、酸化アルミニウム層のクラックに基づく帯電特性
を不均一が生じ、コピー画像には画像欠陥があらわれ
た。
発明の効果 本発明の電子写真感光体は、上記のように、酸化アル
ミニウムよりなる電荷輸送層をIAD法により形成するか
ら、支持体として例えばアルミニウム基体を使用して
も、形成される電荷輸送層にはクラックの発生が全くな
くなる。したがって、本発明の電子写真感光体は、帯電
特性が均一であって、形成されたコピー画像は、画像欠
陥のない優れた画質のものとなる。
ミニウムよりなる電荷輸送層をIAD法により形成するか
ら、支持体として例えばアルミニウム基体を使用して
も、形成される電荷輸送層にはクラックの発生が全くな
くなる。したがって、本発明の電子写真感光体は、帯電
特性が均一であって、形成されたコピー画像は、画像欠
陥のない優れた画質のものとなる。
第１図は本発明に使用するIAD装置の一例の概略構成
図、第２図は、本発明に使用するIDA装置の他の一例の
概略構成図、第３図は、本発明の実施例の酸化アルミニ
ウム層の表面の金属組織を示す顕微鏡写真であり、第４
図は、比較例の酸化アルミニウム層の表面の金属組織を
示す顕微鏡写真である。 １……真空槽、２……るつぼ、３……電子銃、４……シ
ャッター、５……イオンガン、６……基板、７……イオ
ン化電極、８……熱電子放射電極。
図、第２図は、本発明に使用するIDA装置の他の一例の
概略構成図、第３図は、本発明の実施例の酸化アルミニ
ウム層の表面の金属組織を示す顕微鏡写真であり、第４
図は、比較例の酸化アルミニウム層の表面の金属組織を
示す顕微鏡写真である。 １……真空槽、２……るつぼ、３……電子銃、４……シ
ャッター、５……イオンガン、６……基板、７……イオ
ン化電極、８……熱電子放射電極。
Claims (2)
- 【請求項１】支持体上に、酸化アルミニウムよりなる電
荷輸送層を形成し、次いで非晶質ケイ素を主体とする電
荷発生層を形成するか、又は、非晶質ケイ素を主体とす
る電荷発生層を形成し、次いで酸化アルミニウムよりな
る電荷輸送層を形成する工程を含む電子写真感光体の製
造方法において、電荷輸送層をイオン・アシステッド・
デポジション法によって形成することが特徴とする電子
写真感光体の製造方法。 - 【請求項２】イオンソースとして酸素ガスを用いること
を特徴とする請求項（１）記載の電子写真感光体の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63000728A JP2629223B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/293,022 US5098736A (en) | 1988-01-07 | 1989-01-03 | Method for preparing electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63000728A JP2629223B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177555A JPH01177555A (ja) | 1989-07-13 |
| JP2629223B2 true JP2629223B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=11481795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63000728A Expired - Fee Related JP2629223B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5098736A (ja) |
| JP (1) | JP2629223B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810332B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1996-01-31 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH07117761B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1995-12-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| US5258207A (en) * | 1989-08-31 | 1993-11-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Amorphous silicon film, its production and photo semiconductor device utilizing such a film |
| US6335062B1 (en) * | 1994-09-13 | 2002-01-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Reactive oxygen-assisted ion implantation into metals and products made therefrom |
| WO1996032520A1 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-17 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Method for producing dielectric coatings |
| EP0739001B1 (en) * | 1995-04-17 | 2001-02-21 | Read-Rite Corporation | Deposition of insulating thin film by plurality of ion beams |
| FR2764309B1 (fr) * | 1997-06-06 | 1999-08-27 | Corning Inc | Procede de creation d'une couche de silicium sur une surface |
| US20040191559A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Bustamante Anthony T. | Method and apparatus for strengthening steel and cast iron parts |
| TWI363100B (en) * | 2007-10-11 | 2012-05-01 | Nat Applied Res Laboratories | Method for manufacturing substrate emitting far-infrared irradiation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146142A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
| US4403026A (en) * | 1980-10-14 | 1983-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having an electrically insulating oxide layer |
| JPS6115967A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP63000728A patent/JP2629223B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-03 US US07/293,022 patent/US5098736A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01177555A (ja) | 1989-07-13 |
| US5098736A (en) | 1992-03-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |