JPS5880646A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS5880646A JPS5880646A JP17917781A JP17917781A JPS5880646A JP S5880646 A JPS5880646 A JP S5880646A JP 17917781 A JP17917781 A JP 17917781A JP 17917781 A JP17917781 A JP 17917781A JP S5880646 A JPS5880646 A JP S5880646A
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- JP
- Japan
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- layer
- photoconductive layer
- photoreceptor
- heat
- insulating layer
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14717—Macromolecular material obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/14721—Polyolefins; Polystyrenes; Waxes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14717—Macromolecular material obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/14726—Halogenated polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14717—Macromolecular material obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/14743—Polymers derived from conjugated double bonds containing monomers, e.g. polybutadiene; Rubbers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体に関するもので、特には、特性
および機械的耐久性の良好な光導電層に対し、表面被覆
層に不都合が生じた場合は再生しく夛返し使用出来る感
光体に関する′ものである。
および機械的耐久性の良好な光導電層に対し、表面被覆
層に不都合が生じた場合は再生しく夛返し使用出来る感
光体に関する′ものである。
電子写真感光体は所定の４Ｉ性を得る丸めあるいは適用
される電子写真プロセスの種類に応じて糧種Ｏ構成會と
るｔのである・電子写真感光体の代表的なものとして支
持体上Ｋｍ保持層として光導電層が形成されている感光
体および像保持層として光導電層とその上の表面被覆層
でもある絶縁層との積層を備え喪感光体があり広く用い
られてｂる・支持体と光導電層から構成される感光体は
最も一体的な電子写真プロセスによる、即ち帯電、画像
露光および現像、更に必要に応じて転写にょるｉｉｒ＊
形成に用いられる。ｔた絶縁層管備えた感光体について
この絶縁層は光導電層の保護感光体の機械的強度の改善
、暗揮衰特性の改曽、または、特定の電子写真プロセス
に適用されるため、勢の目的の友めに設けられるもので
ある。このような絶縁層を有する感光体または、絶縁層
を有する感光体を用いる電子写真プロセスの代表的な例
は、例えば、米国特許第２８６００４８号公報、特公昭
４１−１６４２９号公報、特公昭３８−１５４４６号公
報、特公昭４６−３７１３号会報、特公昭４２−２３９
１０号公報、Ｉｆ！Ｉ公紹４３−２４７４８号公報。
される電子写真プロセスの種類に応じて糧種Ｏ構成會と
るｔのである・電子写真感光体の代表的なものとして支
持体上Ｋｍ保持層として光導電層が形成されている感光
体および像保持層として光導電層とその上の表面被覆層
でもある絶縁層との積層を備え喪感光体があり広く用い
られてｂる・支持体と光導電層から構成される感光体は
最も一体的な電子写真プロセスによる、即ち帯電、画像
露光および現像、更に必要に応じて転写にょるｉｉｒ＊
形成に用いられる。ｔた絶縁層管備えた感光体について
この絶縁層は光導電層の保護感光体の機械的強度の改善
、暗揮衰特性の改曽、または、特定の電子写真プロセス
に適用されるため、勢の目的の友めに設けられるもので
ある。このような絶縁層を有する感光体または、絶縁層
を有する感光体を用いる電子写真プロセスの代表的な例
は、例えば、米国特許第２８６００４８号公報、特公昭
４１−１６４２９号公報、特公昭３８−１５４４６号公
報、特公昭４６−３７１３号会報、特公昭４２−２３９
１０号公報、Ｉｆ！Ｉ公紹４３−２４７４８号公報。
特公昭４２−１９７４７号公報、４Ｉ公昭３６−４１２
１号公報などに記載されている。
１号公報などに記載されている。
電子写真感光体には所定の電子写真７ｓａセスに適用さ
れて、静電像が形成され、この静電像は現像されて可視
化される。
れて、静電像が形成され、この静電像は現像されて可視
化される。
感光体を用いて複写機を構成する場合は、平板状のもの
を使用する往復動型よシも円筒状のものを使用したドラ
ム型の方が装置構成の簡素小形化及び高速化勢の面から
有利であることは論を偵たない、この場合円筒状のもの
としてはシート状の絶縁層を光導電層等の表面に貼シ付
けたものでなく、継ぎ目の全くないものが輪転式の複写
機の構成には最も望ましいものである。
を使用する往復動型よシも円筒状のものを使用したドラ
ム型の方が装置構成の簡素小形化及び高速化勢の面から
有利であることは論を偵たない、この場合円筒状のもの
としてはシート状の絶縁層を光導電層等の表面に貼シ付
けたものでなく、継ぎ目の全くないものが輪転式の複写
機の構成には最も望ましいものである。
そこで継ぎ目のない円筒状感光体を得る良めに、熱収縮
性の円筒の樹脂フィルムを円筒状基体にかぶせて加熱に
よ〉形成した絶縁層を持つ感光体が提案されている・こ
の絶縁層は樹脂を塗布して形成される絶縁層と違い、塗
布による場合に指″摘されるような塵の混入中付着が殆
んどなく従って、塵の原因による絶縁破壊（ピンホール
の発生）を受けにくいし、壕九、さらに１光導電層又は
基体の凹凸があっても絶縁層の厚さが不均一にならない
、など良好１に特性を有するものである。
性の円筒の樹脂フィルムを円筒状基体にかぶせて加熱に
よ〉形成した絶縁層を持つ感光体が提案されている・こ
の絶縁層は樹脂を塗布して形成される絶縁層と違い、塗
布による場合に指″摘されるような塵の混入中付着が殆
んどなく従って、塵の原因による絶縁破壊（ピンホール
の発生）を受けにくいし、壕九、さらに１光導電層又は
基体の凹凸があっても絶縁層の厚さが不均一にならない
、など良好１に特性を有するものである。
しかしながら、円筒形の熱収縮性フィルムの加熱収縮時
の熱によ）光導電層の特性がそこなわれることがある・
その１っに初期画像の安定性の低下がある・これは、例
えば、１枚目のコピーと連続１００＆目のコピーの画像
濃度に差が生ずることである。このような場合、１枚目
の画像を適正−ＩＲＰｃ、設定すると１００＆目社濃す
ぎることになる。
の熱によ）光導電層の特性がそこなわれることがある・
その１っに初期画像の安定性の低下がある・これは、例
えば、１枚目のコピーと連続１００＆目のコピーの画像
濃度に差が生ずることである。このような場合、１枚目
の画像を適正−ＩＲＰｃ、設定すると１００＆目社濃す
ぎることになる。
而して本発明は、表面被覆層には熱収縮性フィルムを用
い、光導電層にはアモルファスシリコン（＆−１と略記
する）を用いえものである。
い、光導電層にはアモルファスシリコン（＆−１と略記
する）を用いえものである。
この様に光導電層を＊ −８１で構成することにょ夛＆
−ｇｉが耐熱性に優れている為にその上に設けられる熱
収縮性フィルムもそ０％長を最大限に利用され得る一又
、１１量から成る光導電層は機械的強度およびくシ返し
の帯電による耐久性に優れ喪ものであるに対して、円筒
形熱収縮性フィルムは潜像形成上電気的特性に優れたも
のであるが、〈）返じのクリーニングによｐ４１！械的
耐久性が不十分である。特に高耐久性が望まれる電子写
真感光体ではコストの絡みでその再生使用も非常Ｋ１１
ｌ’求されるものであるが、本発明の感光体に於いては
、ａ−８１から成る光導電層が上記し九特長を有する為
に光導電層の高耐久性管生かし、絶縁層に不都合が生じ
えら表面被覆層を再生して感光体の再使用を可能ならし
めるものである。
−ｇｉが耐熱性に優れている為にその上に設けられる熱
収縮性フィルムもそ０％長を最大限に利用され得る一又
、１１量から成る光導電層は機械的強度およびくシ返し
の帯電による耐久性に優れ喪ものであるに対して、円筒
形熱収縮性フィルムは潜像形成上電気的特性に優れたも
のであるが、〈）返じのクリーニングによｐ４１！械的
耐久性が不十分である。特に高耐久性が望まれる電子写
真感光体ではコストの絡みでその再生使用も非常Ｋ１１
ｌ’求されるものであるが、本発明の感光体に於いては
、ａ−８１から成る光導電層が上記し九特長を有する為
に光導電層の高耐久性管生かし、絶縁層に不都合が生じ
えら表面被覆層を再生して感光体の再使用を可能ならし
めるものである。
本発明に於いては、光導電層はａ−８１の中でも、水素
を含有した所謂水素化アモルファスシリコン（ａ−８１
：Ｈと記す）ｆＩ好適に採用され、高抵抗化或いは光導
電特性の改良の為ＫＢ等の周期律長第厘族ムの元素中〇
、 Ｃ、Ｎ％が混入されても良い。
を含有した所謂水素化アモルファスシリコン（ａ−８１
：Ｈと記す）ｆＩ好適に採用され、高抵抗化或いは光導
電特性の改良の為ＫＢ等の周期律長第厘族ムの元素中〇
、 Ｃ、Ｎ％が混入されても良い。
表面被覆層を形成する熱収縮性の円筒樹脂フィルムとし
ては、Ｉり塩化ビニル、ぼりプロピレン、４リエステル
、？リスチレン、４り塩化ビニリデン、４リエチレン、
塩化が五など絶縁層としての性質を有する樹脂フィルム
であれば適宜選択して用いられる。光導電層上に設けら
れる絶、縁層等の表面被覆層を構成する円筒状Ｏ熱収縮
性フィルムは、光導電層上を被覆する様に設けられ友後
に、熱収縮されて光導電層の全表面に強固に圧着される
。この熱収縮方法としては、通常行われている方法を適
宜採用することが出来、例えば、輻射線加熱、ヒータ加
熱、水蒸気加熱、熱湯加熱等の方法が用いられる。感光
体を特定の電子写真プロセスに用いる場合に設けられる
絶縁層は比較的厚く設定される・通常、絶縁層の厚さは
５〜７０μ、特には、１０〜５０ｘＫ設定される。ａ−
ｓｉは通常、グロー放電法、スノ臂ツ！−リング法、イ
オンブレーティング法、真空蒸着法等の堆積法によって
支持体上に堆積される。グロー放電法、スバ。
ては、Ｉり塩化ビニル、ぼりプロピレン、４リエステル
、？リスチレン、４り塩化ビニリデン、４リエチレン、
塩化が五など絶縁層としての性質を有する樹脂フィルム
であれば適宜選択して用いられる。光導電層上に設けら
れる絶、縁層等の表面被覆層を構成する円筒状Ｏ熱収縮
性フィルムは、光導電層上を被覆する様に設けられ友後
に、熱収縮されて光導電層の全表面に強固に圧着される
。この熱収縮方法としては、通常行われている方法を適
宜採用することが出来、例えば、輻射線加熱、ヒータ加
熱、水蒸気加熱、熱湯加熱等の方法が用いられる。感光
体を特定の電子写真プロセスに用いる場合に設けられる
絶縁層は比較的厚く設定される・通常、絶縁層の厚さは
５〜７０μ、特には、１０〜５０ｘＫ設定される。ａ−
ｓｉは通常、グロー放電法、スノ臂ツ！−リング法、イ
オンブレーティング法、真空蒸着法等の堆積法によって
支持体上に堆積される。グロー放電法、スバ。
り、リング法およびイオンブレーティング法は放電現象
を利用する堆積法であ）、堆積室内においてガスグッズ
マ雰囲気を所定時間維持して必要な量のａ−８１ｊｉｌ
ｔ−堆積させる方法であシ、特に有効である・ａ−１！
ｉの形成用物質としては、シリコン単体の外、堆積中に
分解してシリコンを生ずるケイ素化合物が用いられる。
を利用する堆積法であ）、堆積室内においてガスグッズ
マ雰囲気を所定時間維持して必要な量のａ−８１ｊｉｌ
ｔ−堆積させる方法であシ、特に有効である・ａ−１！
ｉの形成用物質としては、シリコン単体の外、堆積中に
分解してシリコンを生ずるケイ素化合物が用いられる。
このようなシリコン化合物として代表的なのは、８１Ｍ
４，８１２Ｈ４などのシリコン水素化合物であるｅ ａ
−８１の形成については、必要に応じてａ−ＳｔＯ光電
利得の制御のために１必要に応じて水素■、酸素、窒素
およびまたは炭素などを加えることも有効である。ａ−
８１へのＨの含有の代表的な方法は、ａ−８１の堆積層
管形成する際、堆積装置系内Ｋ ８ｉＨ４，８１，Ｈ，
等の化合物および又はＨ，Ｃ）形で導入し、気体放電に
よってそれらの化合物又はＨ２を分解して、堆積され九
ａ−８１中に、堆積の成長に併せて含有させる。堆積さ
れるａ−８１に酸素、窒素おｌよび炭素を含有させる場
合についても、水素を含有させる場合と同様な手法で行
なうことができる。ａ−８１に酸素、窒素および炭素を
含有させるに用いられるものとしては、これらの単体お
よびこれの元素の化合物である。
４，８１２Ｈ４などのシリコン水素化合物であるｅ ａ
−８１の形成については、必要に応じてａ−ＳｔＯ光電
利得の制御のために１必要に応じて水素■、酸素、窒素
およびまたは炭素などを加えることも有効である。ａ−
８１へのＨの含有の代表的な方法は、ａ−８１の堆積層
管形成する際、堆積装置系内Ｋ ８ｉＨ４，８１，Ｈ，
等の化合物および又はＨ，Ｃ）形で導入し、気体放電に
よってそれらの化合物又はＨ２を分解して、堆積され九
ａ−８１中に、堆積の成長に併せて含有させる。堆積さ
れるａ−８１に酸素、窒素おｌよび炭素を含有させる場
合についても、水素を含有させる場合と同様な手法で行
なうことができる。ａ−８１に酸素、窒素および炭素を
含有させるに用いられるものとしては、これらの単体お
よびこれの元素の化合物である。
このような酸素化合物としては、８１０． ＃ ａｔ、
Ｎ４゜ｃｏ 、 ｃｏ、など窒素化合物としてはＮｏ
、 Ｎｏ２．洲。
Ｎ４゜ｃｏ 、 ｃｏ、など窒素化合物としてはＮｏ
、 Ｎｏ２．洲。
など、炭素化合物としては、炭素数１〜４の飽和炭化水
素、炭素数１〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のデセチレン系炭北本素婢が挙げられる０例えば、飽和
炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ４
） ｅプロパン（Ｃ，Ｈ，）。
素、炭素数１〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のデセチレン系炭北本素婢が挙げられる０例えば、飽和
炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ４
） ｅプロパン（Ｃ，Ｈ，）。
ｎ−ブタン（ｎ −Ｃ４Ｈ１゜）＃エチレン系炭化水素
としては、エチレン（Ｃ，Ｈ４）＃プロピレン（Ｃ３Ｈ
４） ＋ブテンー１ （Ｃ４Ｈ，）、 ｆテン−２（０
４Ｍ、） 、インブチレン（０４Ｈ＠ ） ｅアセチレ
ン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２） ｅメ
チルアセチレン（Ｃ２Ｈ４）＃挙げられる。 ａ−ｇｌ
の形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物、炭化
物等の化合物のガスをａ−８１を形成する原料ガスと共
に内部を減圧にし得る堆積室内に導入して該堆積室内で
ダルー放電を生起させれば良い、又、例えばａ−８１！
−ス／ヤツタリング法で形成する場合には、所望の例え
ば、（８１＋Ｃ）、 （８１＋８１０．）、（８１＋８
１．Ｎ４’）なる成分で混合成形したスフツタ−用のタ
ーグットを使用するか、Ｓ量つェハーと８１０２又は８
１２Ｎ４ウエハーの二枚のターグットを使用して、スパ
ッターリングを行うか、又は酸素ガスや窒素ガス又は炭
素、酸素、又は窒素を含んだ化合物の、ｆｘを、例えば
ムｒガス等のス／豐ツター用の（スと共に堆積室内に導
入して、８量のターグツ）を使用してスパッターリング
を行ってａ−８１ｔ−形成すれば良い、酸素、窒素又は
炭素のａ−８１への含有量は、適宜設定されるものであ
るが、通常の場合０．１〜３ Ｏａｔｏ重量ｅ９ｇ、好
適には０．１〜２０ ａｔｏｍｉｃ ｌ！ 、最適には
、０．２〜１５ ａｔｏｍｌ・襲とされるのが望ましい
、 ａ−１１１會放電現象を利用する堆積法によって形
成する場合には、所望のグツズ！雰囲気管形成するに有
効な放電現象を堆積室内に生起させるに、放電電流密度
を１通常は０．１〜１０ ｍＡ／ａｍとし７（ＡＣ又は
ＤＣ電流とするのが曳く、又充分なパワーを得る為には
、通常１００〜５００Ｖ、好適には３００〜５００ｖの
電圧に調整され、投入される電力としては、通常０．１
〜５０Ｗｑ好適、には０．５〜１０Ｗとされるのが良い
、又、更には、ＡＣの場合その周波数は、通常０．２〜
３０ ＭＨｚ 、好適には５〜２０ ＭＨｚとされるの
が望ましい、ａ−８１は、製造時の不純物のドーピング
によって真性にし得、又その伝導型を制御することがで
きる。ａ−８１中にドーピングされる不純物としては、
ａ−８１をｐ型にするには、周期律表第厘族ムの元素、
例えばＢ。
としては、エチレン（Ｃ，Ｈ４）＃プロピレン（Ｃ３Ｈ
４） ＋ブテンー１ （Ｃ４Ｈ，）、 ｆテン−２（０
４Ｍ、） 、インブチレン（０４Ｈ＠ ） ｅアセチレ
ン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２） ｅメ
チルアセチレン（Ｃ２Ｈ４）＃挙げられる。 ａ−ｇｌ
の形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物、炭化
物等の化合物のガスをａ−８１を形成する原料ガスと共
に内部を減圧にし得る堆積室内に導入して該堆積室内で
ダルー放電を生起させれば良い、又、例えばａ−８１！
−ス／ヤツタリング法で形成する場合には、所望の例え
ば、（８１＋Ｃ）、 （８１＋８１０．）、（８１＋８
１．Ｎ４’）なる成分で混合成形したスフツタ−用のタ
ーグットを使用するか、Ｓ量つェハーと８１０２又は８
１２Ｎ４ウエハーの二枚のターグットを使用して、スパ
ッターリングを行うか、又は酸素ガスや窒素ガス又は炭
素、酸素、又は窒素を含んだ化合物の、ｆｘを、例えば
ムｒガス等のス／豐ツター用の（スと共に堆積室内に導
入して、８量のターグツ）を使用してスパッターリング
を行ってａ−８１ｔ−形成すれば良い、酸素、窒素又は
炭素のａ−８１への含有量は、適宜設定されるものであ
るが、通常の場合０．１〜３ Ｏａｔｏ重量ｅ９ｇ、好
適には０．１〜２０ ａｔｏｍｉｃ ｌ！ 、最適には
、０．２〜１５ ａｔｏｍｌ・襲とされるのが望ましい
、 ａ−１１１會放電現象を利用する堆積法によって形
成する場合には、所望のグツズ！雰囲気管形成するに有
効な放電現象を堆積室内に生起させるに、放電電流密度
を１通常は０．１〜１０ ｍＡ／ａｍとし７（ＡＣ又は
ＤＣ電流とするのが曳く、又充分なパワーを得る為には
、通常１００〜５００Ｖ、好適には３００〜５００ｖの
電圧に調整され、投入される電力としては、通常０．１
〜５０Ｗｑ好適、には０．５〜１０Ｗとされるのが良い
、又、更には、ＡＣの場合その周波数は、通常０．２〜
３０ ＭＨｚ 、好適には５〜２０ ＭＨｚとされるの
が望ましい、ａ−８１は、製造時の不純物のドーピング
によって真性にし得、又その伝導型を制御することがで
きる。ａ−８１中にドーピングされる不純物としては、
ａ−８１をｐ型にするには、周期律表第厘族ムの元素、
例えばＢ。
Ａｔ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 ＴＬ等が好適なものと
して挙げられ、ｎ型にする場合には、周期律表第ＶＩＡ
の元素、例えば、Ｎｔ ’ ＃ Ａ” ｔＮｂ ＃ Ｂ
ｉ勢が好適なものとして挙げられる。ａ−１中にドビン
グされる不純物の量は、所望される電気的、光学的特性
に応じて適宜決定されるが、周期律表第厘族Ａの不純物
の場合には通常１０〜１０ ａｔｏｍｌｇ嚢、好適に
は１０１〜１０−’ ａｔｏｍｉ＠％、周期律表第Ｖ族
＊’ｏ不純物の場合には、通常１０−６〜１０−’ ａ
ｔｏｍｉ・チ、好適には１Ｏ−ｓ〜１６ ａｔｏｍｌ
ｇ−とされるのが望ましい、これ郷不純物のａ−ａｔ中
へのドーピング方法は、 ａ−ｆｉｉ層を形成する際に
採用される製造方法によって各々異なるものである。光
導電層の膜厚としては０．１〜４０μ、好壕しくは５〜
３０＃である。
して挙げられ、ｎ型にする場合には、周期律表第ＶＩＡ
の元素、例えば、Ｎｔ ’ ＃ Ａ” ｔＮｂ ＃ Ｂ
ｉ勢が好適なものとして挙げられる。ａ−１中にドビン
グされる不純物の量は、所望される電気的、光学的特性
に応じて適宜決定されるが、周期律表第厘族Ａの不純物
の場合には通常１０〜１０ ａｔｏｍｌｇ嚢、好適に
は１０１〜１０−’ ａｔｏｍｉ＠％、周期律表第Ｖ族
＊’ｏ不純物の場合には、通常１０−６〜１０−’ ａ
ｔｏｍｉ・チ、好適には１Ｏ−ｓ〜１６ ａｔｏｍｌ
ｇ−とされるのが望ましい、これ郷不純物のａ−ａｔ中
へのドーピング方法は、 ａ−ｆｉｉ層を形成する際に
採用される製造方法によって各々異なるものである。光
導電層の膜厚としては０．１〜４０μ、好壕しくは５〜
３０＃である。
感光体の製造に用いる支持体としては、例えば、ステン
Ｌ／ス、Ａｊ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 Ａｕ 、 Ｉ
ｒ 、 Ｎｂ 。
Ｌ／ス、Ａｊ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 Ａｕ 、 Ｉ
ｒ 、 Ｎｂ 。
Ｔａ 、 Ｖ 、 Ｔｉ 、 Ｐｔ 、Ｐｄ等の金属又
はこれ等の合金勢の導電性支持体、或いは、合成樹脂の
フィルム又はシート、又＃′ｊ：ｆンス、セラ建ツク等
の電気絶縁性支持体であ、１、支持体上に光導電層が堆
積される前に１必要に応じて一連の清浄処理が施される
・なお電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じて、そ
の表面を導電処理される・ 例えば、ガラスであれば、Ｉｎ２ｏ、 、 ８ｎＯ，勢
でその表面が導電処理され、或いは４リイイＰフイルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ａｊ 、 Ａｇ 。
はこれ等の合金勢の導電性支持体、或いは、合成樹脂の
フィルム又はシート、又＃′ｊ：ｆンス、セラ建ツク等
の電気絶縁性支持体であ、１、支持体上に光導電層が堆
積される前に１必要に応じて一連の清浄処理が施される
・なお電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じて、そ
の表面を導電処理される・ 例えば、ガラスであれば、Ｉｎ２ｏ、 、 ８ｎＯ，勢
でその表面が導電処理され、或いは４リイイＰフイルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ａｊ 、 Ａｇ 。
Ｐｄ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、ムｕ ｅ Ｃｒ ＊ Ｍ
ｅ ｅ Ｉｒ ｅ Ｎｂ ａ Ｔ”＋Ｖ 、 ＴＩ 、
Ｐｔ等の金属を以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パッタリング等で処理し、又は前記金属でう電ネート処
還して、その表面が導電処理される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状尋、任意の形状とし得、
所望によって、その形状は決定されるが、連続高速複写
の場合には無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。
ｅ ｅ Ｉｒ ｅ Ｎｂ ａ Ｔ”＋Ｖ 、 ＴＩ 、
Ｐｔ等の金属を以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パッタリング等で処理し、又は前記金属でう電ネート処
還して、その表面が導電処理される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状尋、任意の形状とし得、
所望によって、その形状は決定されるが、連続高速複写
の場合には無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。
実施例！
Ａｔドラムの表面に第１図に示す装置を用いて光導電層
を形成し九・即ち、Ａｔドラム１ｔダロー放電堆積室２
内の所定位置にある固定部材３０所定位置にヒーター４
とは約１０ｅｍＱ度離して堅固に固定した。−次いで、
メインパルプ５ｔ−全開して堆積室２内の空気を排気し
、約５Ｘ１０ｔｏｒｒの真空度にし良、その後ヒータ−
４ｔ一点火してＡｔドラム【均一に加熱して４５℃に上
昇させ、この温度に保−）友、その後、パルｆ６を全開
し、引続いて一ンペ７のパルプ６、−ンペ９のパルｆ１
０に一全ｌｆ！した後、流量調節／ｆルｆ１１及び１２
會徐々に開い”ｃ、ｚンペ７よりムｒｆスｔ％がンペ９
！ ｊＤ ８１Ｈ。
を形成し九・即ち、Ａｔドラム１ｔダロー放電堆積室２
内の所定位置にある固定部材３０所定位置にヒーター４
とは約１０ｅｍＱ度離して堅固に固定した。−次いで、
メインパルプ５ｔ−全開して堆積室２内の空気を排気し
、約５Ｘ１０ｔｏｒｒの真空度にし良、その後ヒータ−
４ｔ一点火してＡｔドラム【均一に加熱して４５℃に上
昇させ、この温度に保−）友、その後、パルｆ６を全開
し、引続いて一ンペ７のパルプ６、−ンペ９のパルｆ１
０に一全ｌｆ！した後、流量調節／ｆルｆ１１及び１２
會徐々に開い”ｃ、ｚンペ７よりムｒｆスｔ％がンペ９
！ ｊＤ ８１Ｈ。
ガスを堆積室２内に導入した。この時、メインパルプ５
を調節して堆積室２内の真空度が約０．７５ｔｏｒｒに
保持される様にし九。
を調節して堆積室２内の真空度が約０．７５ｔｏｒｒに
保持される様にし九。
続いて、高周波電源１３のスイッチｆ ｏｎにして、電
極１４ 、１４’間に１３．５６戚２の高周波を印加し
てグロー放電を起し、ムｔｙラム上に畠−８１ｔ−２０
μ堆積させた・得られた光導電層上に円筒形熱収縮性フ
ィルム（２０声）（−リエステル、へ命ス）ＩＩＩ）ｔ
−かぶせ９５Ｃの熱湯に３０秒浸漬し収縮させ感光体と
した。
極１４ 、１４’間に１３．５６戚２の高周波を印加し
てグロー放電を起し、ムｔｙラム上に畠−８１ｔ−２０
μ堆積させた・得られた光導電層上に円筒形熱収縮性フ
ィルム（２０声）（−リエステル、へ命ス）ＩＩＩ）ｔ
−かぶせ９５Ｃの熱湯に３０秒浸漬し収縮させ感光体と
した。
この−光体に関し一次Φ帯電、次いで除電同時像露光、
全面照射で漕像を形成した後、現像転写りＩＪ−ニンダ
を〈ル返し実施する電子写真法で耐久ｔ−奥施した結果
４万枚で画像にりＩＪ 、ング傷が発生し良、辷れは
絶縁層０４リエステルフイルムにクリーニング／トナー
の摺擦傷が生じ九為で、この絶縁層を剥離し、再び上述
した円筒形熱収縮性フィルムを被覆して耐久した。光導
電層の耐久性は良好で絶縁層再生後は再び良好な画像が
得られた。絶縁層として４リエステルフイルムの替りに
Ｉリエチレン、ナト２フルオルエチレンＹｔ用いても同
様の操作処置で感光体の寿命を嬌ばすことが出来た。光
導電層は高耐久性であるがコストが高い為安価な絶縁層
交換で全体のコストダウンに和尚するものである。
全面照射で漕像を形成した後、現像転写りＩＪ−ニンダ
を〈ル返し実施する電子写真法で耐久ｔ−奥施した結果
４万枚で画像にりＩＪ 、ング傷が発生し良、辷れは
絶縁層０４リエステルフイルムにクリーニング／トナー
の摺擦傷が生じ九為で、この絶縁層を剥離し、再び上述
した円筒形熱収縮性フィルムを被覆して耐久した。光導
電層の耐久性は良好で絶縁層再生後は再び良好な画像が
得られた。絶縁層として４リエステルフイルムの替りに
Ｉリエチレン、ナト２フルオルエチレンＹｔ用いても同
様の操作処置で感光体の寿命を嬌ばすことが出来た。光
導電層は高耐久性であるがコストが高い為安価な絶縁層
交換で全体のコストダウンに和尚するものである。
図面は本発明実施例の実施態様を示す説明図である。
１：Ａｔドラム ２：ダルー放電堆積室３：固定部
材 ４：ヒーター ５：メインパルプ ６：パルプ ７：がンペ ８：パルプ ９：ｌンペ ９：パルプ １１．１２：流量調節パルプ １３：高周波電源 １４：電極。
材 ４：ヒーター ５：メインパルプ ６：パルプ ７：がンペ ８：パルプ ９：ｌンペ ９：パルプ １１．１２：流量調節パルプ １３：高周波電源 １４：電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 支持体、光導電層シｎ表面被覆層から成る感光体に
おいて、光導電層がアモル７テスシリコン層からな〕、
表面被覆層が円筒形熱収縮性フィルムから構成され光導
電層と絶縁層間Ｋｗ！！着層がないことを特徴とする電
子写真感光体。 ２ 円筒形熱収縮性フィルムが一すエステルフイルムで
あること會特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17917781A JPS5880646A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17917781A JPS5880646A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880646A true JPS5880646A (ja) | 1983-05-14 |
Family
ID=16061279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17917781A Pending JPS5880646A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642062A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of electrophotographic sensitive body |
| EP0356933A2 (en) * | 1988-08-29 | 1990-03-07 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic member and process for producing the same |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP17917781A patent/JPS5880646A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642062A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of electrophotographic sensitive body |
| EP0356933A2 (en) * | 1988-08-29 | 1990-03-07 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic member and process for producing the same |
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