JP2902509B2 - 電子写真用光受容部材の形成方法 - Google Patents
電子写真用光受容部材の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性基体上にシリコ
ン原子を母体とする光受容部層を形成した電子写真用光
受容部材の形成方法に関する。本発明により形成される
電子写真用光受容部材は電子写真複写機、レーザービー
ムプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、レ
ーザー製版機等、電子写真技術応用分野に広く用いるこ
とができる。
ン原子を母体とする光受容部層を形成した電子写真用光
受容部材の形成方法に関する。本発明により形成される
電子写真用光受容部材は電子写真複写機、レーザービー
ムプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、レ
ーザー製版機等、電子写真技術応用分野に広く用いるこ
とができる。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Ｉd）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Ｉd）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。
【０００３】このような観点に立脚して、最近注目され
ている光導電材料にアモルファスシリコン（以下、「Ａ
−Ｓｉ」と表記する）があり、例えばドイツ公開特許第
2746967号公報、同第2855718号公報等には電子写真用光
受容部材としての応用が記載されている。
ている光導電材料にアモルファスシリコン（以下、「Ａ
−Ｓｉ」と表記する）があり、例えばドイツ公開特許第
2746967号公報、同第2855718号公報等には電子写真用光
受容部材としての応用が記載されている。
【０００４】図３は従来の電子写真用光受容部材２０の
層構成を模式的に示す断面図であって、２１は導電性支
持体、２２はＡ−Ｓｉからなる光受容層である。こうし
た電子写真用光受容部材は、一般的には、導電性支持体
２１を50〜400℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりＡ
−Ｓｉからなる光受容層２２を作製する。なかでもプラ
ズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波
あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体
上にＡ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして
実用に付されている。
層構成を模式的に示す断面図であって、２１は導電性支
持体、２２はＡ−Ｓｉからなる光受容層である。こうし
た電子写真用光受容部材は、一般的には、導電性支持体
２１を50〜400℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりＡ
−Ｓｉからなる光受容層２２を作製する。なかでもプラ
ズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波
あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体
上にＡ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして
実用に付されている。
【０００５】特開昭56-83746号公報においては、導電性
支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。該公報においては、Ａ−Ｓｉにハロゲン原子を1〜4
0原子％含有させることにより、ダングリングボンドを
補償してエネルギーギャップ内の局在準位密度を低減
し、電子写真用光受容部材の光受容層として好適な電気
的、光学的特性を得ることができるとしている。
支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。該公報においては、Ａ−Ｓｉにハロゲン原子を1〜4
0原子％含有させることにより、ダングリングボンドを
補償してエネルギーギャップ内の局在準位密度を低減
し、電子写真用光受容部材の光受容層として好適な電気
的、光学的特性を得ることができるとしている。
【０００６】一方、アモルファス炭化シリコン（以下、
「Ａ−ＳｉＣ」と表記する）について、耐熱性や表面硬
度が高いこと、Ａ−Ｓｉと比較して高い暗抵抗率を有す
ること、炭素の含有量により光学的バンドギャップが1.
6〜2.8 eVの範囲にわたって変えられること等が知られ
ている。このようなＡ−ＳｉＣによって光導電層を構成
する電子写真用光受容部材が、特開昭54-145540号公報
において提案されている。当該公報においては、炭素を
化学修飾物質として0.1〜30原子％含むＡ−Ｓｉを電子
写真用光受容部材の光導電層として使用することによ
り、暗抵抗が高く、光感度の良好な優れた電子写真特性
を示すことが開示されている。
「Ａ−ＳｉＣ」と表記する）について、耐熱性や表面硬
度が高いこと、Ａ−Ｓｉと比較して高い暗抵抗率を有す
ること、炭素の含有量により光学的バンドギャップが1.
6〜2.8 eVの範囲にわたって変えられること等が知られ
ている。このようなＡ−ＳｉＣによって光導電層を構成
する電子写真用光受容部材が、特開昭54-145540号公報
において提案されている。当該公報においては、炭素を
化学修飾物質として0.1〜30原子％含むＡ−Ｓｉを電子
写真用光受容部材の光導電層として使用することによ
り、暗抵抗が高く、光感度の良好な優れた電子写真特性
を示すことが開示されている。
【０００７】さらに、特公昭63-35026号公報において
は、導電性支持体上に炭素原子と水素原子及び／または
弗素原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ（以下、Ａ−Ｓ
ｉＣ（Ｈ，Ｆ）と表記する）中間層と、Ａ−Ｓｉ光導電
層とを形成した電子写真感光体が提案されており、少な
くとも水素原子及び／または弗素原子を含むＡ−ＳｉＣ
（Ｈ，Ｆ）中間層によって、光導電特性を損なうことな
く、Ａ−Ｓｉ光導電層のクラックや剥離の低減が図られ
るとされている。
は、導電性支持体上に炭素原子と水素原子及び／または
弗素原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ（以下、Ａ−Ｓ
ｉＣ（Ｈ，Ｆ）と表記する）中間層と、Ａ−Ｓｉ光導電
層とを形成した電子写真感光体が提案されており、少な
くとも水素原子及び／または弗素原子を含むＡ−ＳｉＣ
（Ｈ，Ｆ）中間層によって、光導電特性を損なうことな
く、Ａ−Ｓｉ光導電層のクラックや剥離の低減が図られ
るとされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ａ−Ｓｉ材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
特性、光学的特性、光導電特性、及び使用環境特性の
点、さらには経時安定性及び耐久性の点において、各々
個々には特性の向上が図られているが、総合的な特性向
上を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情
である。
Ａ−Ｓｉ材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
特性、光学的特性、光導電特性、及び使用環境特性の
点、さらには経時安定性及び耐久性の点において、各々
個々には特性の向上が図られているが、総合的な特性向
上を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情
である。
【０００９】近年、特に、電子写真装置はさらに高画
質、高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写
真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更
なる向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあら
ゆる環境下で大幅に耐久性能を延ばすことが求められて
いる。
質、高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写
真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更
なる向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあら
ゆる環境下で大幅に耐久性能を延ばすことが求められて
いる。
【００１０】例えば、Ａ−Ｓｉ材料を電子写真用光受容
部材に適用した場合に、高感度化、高暗抵抗化を同時に
図ろうとすると、従来においては、その使用時において
電位が残留する場合が度々観測され、この種の光受容部
材は長期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労の
蓄積が起こって、残像が生ずる、いわゆる「ゴースト」
現象を引き起こすようになる等の不都合な点が少なくな
かった。また、従来は、高帯電能と画像流れの防止とを
高いレベルで両立させることが難しかった。
部材に適用した場合に、高感度化、高暗抵抗化を同時に
図ろうとすると、従来においては、その使用時において
電位が残留する場合が度々観測され、この種の光受容部
材は長期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労の
蓄積が起こって、残像が生ずる、いわゆる「ゴースト」
現象を引き起こすようになる等の不都合な点が少なくな
かった。また、従来は、高帯電能と画像流れの防止とを
高いレベルで両立させることが難しかった。
【００１１】さらに、Ａ−Ｓｉ材料を電子写真用光受容
部材に適用した場合に、室温の変化や、あるいは静電潜
像の安定化を図るよう光受容部材を加熱するための装置
の立ち上がりや温度制御のバラツキによって、光受容部
材の温度が変化するために暗抵抗が変化し、その結果、
連続してコピー画像を得る場合に画像間で画像濃度にむ
らが生じるという不都合な点があった。さらに従来は長
期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労のため
に、前述の画像間の画像濃度のむらがより顕著になる場
合が度々観測された。
部材に適用した場合に、室温の変化や、あるいは静電潜
像の安定化を図るよう光受容部材を加熱するための装置
の立ち上がりや温度制御のバラツキによって、光受容部
材の温度が変化するために暗抵抗が変化し、その結果、
連続してコピー画像を得る場合に画像間で画像濃度にむ
らが生じるという不都合な点があった。さらに従来は長
期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労のため
に、前述の画像間の画像濃度のむらがより顕著になる場
合が度々観測された。
【００１２】また、Ａ−Ｓｉ材料で光受容層を構成する
場合には、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子（Ｈ）、あるいは弗素原子（Ｆ）や塩素原
子（Ｃｌ）等のハロゲン原子（Ｘ）、及び電気的伝導型
の制御のためにほう素原子（Ｂ）や燐原子（Ｐ）など
が、あるいはその他の特性改良のために他の原子が各々
構成原子として光導電層中に含有されるが、これらの構
成原子の含有のさせ方如何によっては、形成した層の電
気的あるいは光導電的特性やその均一性に問題が生じる
場合があった。すなわち、光導電層の電荷輸送能力に不
均一な部分があると、画像濃度にむらが生じ、特にハー
フトーン画像においてそれが顕著に現われるため、組織
構造的、電気的、光学的な膜質の高度な均一性が求めら
れている。また、近年の電子写真複写機には、より高画
質、高機能が望まれていることから、写真などのハーフ
トーンを含む原稿を忠実に再現できることも必要不可欠
になっている。そのため、電子写真感光体には、特にハ
ーフトーンのむらの低減が切望されている。特に近年普
及してきたフルカラー複写機においては、このむらは色
の微妙なむらとなり、視覚的に明らかなものとなるた
め、大きな問題となっている。
場合には、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子（Ｈ）、あるいは弗素原子（Ｆ）や塩素原
子（Ｃｌ）等のハロゲン原子（Ｘ）、及び電気的伝導型
の制御のためにほう素原子（Ｂ）や燐原子（Ｐ）など
が、あるいはその他の特性改良のために他の原子が各々
構成原子として光導電層中に含有されるが、これらの構
成原子の含有のさせ方如何によっては、形成した層の電
気的あるいは光導電的特性やその均一性に問題が生じる
場合があった。すなわち、光導電層の電荷輸送能力に不
均一な部分があると、画像濃度にむらが生じ、特にハー
フトーン画像においてそれが顕著に現われるため、組織
構造的、電気的、光学的な膜質の高度な均一性が求めら
れている。また、近年の電子写真複写機には、より高画
質、高機能が望まれていることから、写真などのハーフ
トーンを含む原稿を忠実に再現できることも必要不可欠
になっている。そのため、電子写真感光体には、特にハ
ーフトーンのむらの低減が切望されている。特に近年普
及してきたフルカラー複写機においては、このむらは色
の微妙なむらとなり、視覚的に明らかなものとなるた
め、大きな問題となっている。
【００１３】また、電子写真装置の画像特性向上のため
に電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装置等
の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材において
も、従来以上の画像特性の向上が求められるようになっ
た。特に、画像の解像力が向上した結果、俗に「ガサツ
キ」と呼ばれる画像濃度の微細な領域における不均一性
の減少や、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点
状の画像欠陥の減少、特には従来あまり問題視されてい
なかった微小な大きさの「ポチ」の減少が求められるよ
うになってきた。
に電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装置等
の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材において
も、従来以上の画像特性の向上が求められるようになっ
た。特に、画像の解像力が向上した結果、俗に「ガサツ
キ」と呼ばれる画像濃度の微細な領域における不均一性
の減少や、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点
状の画像欠陥の減少、特には従来あまり問題視されてい
なかった微小な大きさの「ポチ」の減少が求められるよ
うになってきた。
【００１４】特に「ポチ」に関しては、その原因のほと
んどが球状突起と呼ばれる膜の異常成長であり、その発
生数を減らすことが重要である。また、連続して大量に
画像形成を行った場合に、初期画像より「ポチ」が増加
する現象が見られることがあり、このような長期間の使
用による「ポチ」の増加も低減させることが求められて
いる。この原因の一つとして、連続して画像形成を行う
ことによって転写紙の紙粉の一部が分離帯電器の帯電ワ
イヤーに堆積して異常放電を誘発し、光受容部材の一部
が絶縁破壊されることによって発生する。いわゆる「リ
ークポチ」が挙げられる。さらに、光受容部材の表面に
異常成長が存在することにより、連続して画像形成を繰
り返すうちにクリーニングブレードを傷つけ、クリーニ
ング不良を起こして画像品質を低下させることになると
ともに、分離帯電器への残留トナーの飛散により分離帯
電器の帯電ワイヤーにトナーが堆積して異常放電を誘発
し易くなって、これも「リークポチ」の発生の原因とな
る。さらに、光受容部材が転写紙やクリーニングブレー
ドと摺擦することによって、比較的大きな異常成長部が
欠落することも「ポチ」が増加する原因となる。このよ
うにいくつかの原因から発生する「ポチ」を低減させる
ために、電子写真用光受容部材の材料特性の向上ととも
に、製造工程までを含めた「ポチ」対策が求められるよ
うになっている。
んどが球状突起と呼ばれる膜の異常成長であり、その発
生数を減らすことが重要である。また、連続して大量に
画像形成を行った場合に、初期画像より「ポチ」が増加
する現象が見られることがあり、このような長期間の使
用による「ポチ」の増加も低減させることが求められて
いる。この原因の一つとして、連続して画像形成を行う
ことによって転写紙の紙粉の一部が分離帯電器の帯電ワ
イヤーに堆積して異常放電を誘発し、光受容部材の一部
が絶縁破壊されることによって発生する。いわゆる「リ
ークポチ」が挙げられる。さらに、光受容部材の表面に
異常成長が存在することにより、連続して画像形成を繰
り返すうちにクリーニングブレードを傷つけ、クリーニ
ング不良を起こして画像品質を低下させることになると
ともに、分離帯電器への残留トナーの飛散により分離帯
電器の帯電ワイヤーにトナーが堆積して異常放電を誘発
し易くなって、これも「リークポチ」の発生の原因とな
る。さらに、光受容部材が転写紙やクリーニングブレー
ドと摺擦することによって、比較的大きな異常成長部が
欠落することも「ポチ」が増加する原因となる。このよ
うにいくつかの原因から発生する「ポチ」を低減させる
ために、電子写真用光受容部材の材料特性の向上ととも
に、製造工程までを含めた「ポチ」対策が求められるよ
うになっている。
【００１５】また、アモルファスシリコン感光体が本来
持つ高耐久特性によって、感光体を消耗品としてみるの
ではなく、複写機の部品の一部と見なし、感光体の交換
といったメンテナンスから開放される可能性が見え始め
ている。そこで、さらなる新製品には複写機本体と同レ
ベルの、若しくはそれ以上の耐久性が要求されるように
なってきており、電子写真用光受容部材においては電気
的特性や光導電特性を高い状態で維持しつつ耐久性もさ
らに大幅に延ばすことが望まれている。
持つ高耐久特性によって、感光体を消耗品としてみるの
ではなく、複写機の部品の一部と見なし、感光体の交換
といったメンテナンスから開放される可能性が見え始め
ている。そこで、さらなる新製品には複写機本体と同レ
ベルの、若しくはそれ以上の耐久性が要求されるように
なってきており、電子写真用光受容部材においては電気
的特性や光導電特性を高い状態で維持しつつ耐久性もさ
らに大幅に延ばすことが望まれている。
【００１６】さらに近年、電子写真用光受容部材の製造
コストの低減化を図るために、例えば、後述のマイクロ
波プラズマＣＶＤ法等の堆積膜作製方法によって堆積速
度を速くした状態で電子写真用光受容部材の光導電層を
形成すると、膜質に不均一性が生じたり、膜内部の応力
によりＡ−Ｓｉ膜に微小なクラックやはがれが生じ、生
産性における歩留まりが減少するという問題点があっ
た。
コストの低減化を図るために、例えば、後述のマイクロ
波プラズマＣＶＤ法等の堆積膜作製方法によって堆積速
度を速くした状態で電子写真用光受容部材の光導電層を
形成すると、膜質に不均一性が生じたり、膜内部の応力
によりＡ−Ｓｉ膜に微小なクラックやはがれが生じ、生
産性における歩留まりが減少するという問題点があっ
た。
【００１７】従って、Ａ−Ｓｉ材料そのものの特性改良
が図られる一方で、電子写真用光受容部材を設計する際
に、上記したような問題が解決されるように層構成、各
層の化学的組成、及び電子写真用光受容部材の製造工程
までをも含めた総合的な観点からの改良を図ることが必
要とされている。
が図られる一方で、電子写真用光受容部材を設計する際
に、上記したような問題が解決されるように層構成、各
層の化学的組成、及び電子写真用光受容部材の製造工程
までをも含めた総合的な観点からの改良を図ることが必
要とされている。
【００１８】本発明は、上記の点に鑑みなされたもので
あって、上述の如きシリコン原子を母体とする材料で構
成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。すなわち本発明の主たる目的は、電気的、光学的、
光導電的特性が使用環境にほとんど依存することなく実
質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使
用に際しても劣化現象を起こさず、長期の使用において
画像欠陥や画像流れの変化が全くなく、濃度も高く、特
に耐久性、耐湿性に非常に優れ、残留電位がほとんど観
測されない、シリコン原子を母体とする材料で構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材を歩留まりよ
く提供することにある。
あって、上述の如きシリコン原子を母体とする材料で構
成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。すなわち本発明の主たる目的は、電気的、光学的、
光導電的特性が使用環境にほとんど依存することなく実
質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使
用に際しても劣化現象を起こさず、長期の使用において
画像欠陥や画像流れの変化が全くなく、濃度も高く、特
に耐久性、耐湿性に非常に優れ、残留電位がほとんど観
測されない、シリコン原子を母体とする材料で構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材を歩留まりよ
く提供することにある。
【００１９】本発明の他の目的は、支持体上に設けられ
る層と支持体との間や、積層される層の各層間における
密着性に優れ、均一で層品質の高いシリコン原子を母体
とする材料で構成された光受容層を有する電子写真用光
受容部材を提供することにある。
る層と支持体との間や、積層される層の各層間における
密着性に優れ、均一で層品質の高いシリコン原子を母体
とする材料で構成された光受容層を有する電子写真用光
受容部材を提供することにある。
【００２０】本発明の更に他の目的は、電子写真用光受
容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯電
処理の際の電荷保持能力が充分であり、ハーフトーンが
鮮明に出て、かつ解像度の高い高品質画像を容易に得る
ことができる、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る優れた電子写真特性を示すシリコン原子を母体と
する材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受
容部材を提供することにある。
容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯電
処理の際の電荷保持能力が充分であり、ハーフトーンが
鮮明に出て、かつ解像度の高い高品質画像を容易に得る
ことができる、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る優れた電子写真特性を示すシリコン原子を母体と
する材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受
容部材を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の電子写真用光受
容部材の形成方法は、導電性支持体上に、光導電層及び
表面層を順次積層して成る電子写真用光受容部材の形成
方法において、前記光導電層が、シリコン原子を母体と
し、全層にわたって少なくとも炭素原子と水素原子を含
有し、前記炭素原子を層厚方向に不均一に分布させ、か
つその含有量が前記導電性支持体側で多く、前記表面層
側で少なくなるように前記炭素原子を分布させた非単結
晶材料で構成され、前記表面層が、シリコン原子を母体
とするとともに、炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、
酸素原子及び窒素原子を同時に含有する非単結晶材料で
構成され、かつ前記光導電層の堆積膜形成速度を層厚方
向に変化させ、前記導電性支持体側で速く、前記表面層
側で遅くなるようにして前記光導電層を形成することを
特徴とする。
容部材の形成方法は、導電性支持体上に、光導電層及び
表面層を順次積層して成る電子写真用光受容部材の形成
方法において、前記光導電層が、シリコン原子を母体と
し、全層にわたって少なくとも炭素原子と水素原子を含
有し、前記炭素原子を層厚方向に不均一に分布させ、か
つその含有量が前記導電性支持体側で多く、前記表面層
側で少なくなるように前記炭素原子を分布させた非単結
晶材料で構成され、前記表面層が、シリコン原子を母体
とするとともに、炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、
酸素原子及び窒素原子を同時に含有する非単結晶材料で
構成され、かつ前記光導電層の堆積膜形成速度を層厚方
向に変化させ、前記導電性支持体側で速く、前記表面層
側で遅くなるようにして前記光導電層を形成することを
特徴とする。
【００２２】また本発明は前記光導電層が、前記導電性
支持体側に形成される光導電層第２領域と、前記表面層
側に形成される光導電層第１領域からなり、前記光導電
層第２領域が全層にわたって少なくとも炭素原子と水素
原子とを含有し、前記炭素原子を層厚方向に不均一に分
布させ、かつその含有量が前記導電性支持体側で多く、
前記光導電層第１領域側で少なくなるように前記炭素原
子を分布させた非単結晶材料で構成され、前記光導電層
第１領域が、水素原子を1〜40原子％含有する非単結晶
材料で構成されることも特徴とする。
支持体側に形成される光導電層第２領域と、前記表面層
側に形成される光導電層第１領域からなり、前記光導電
層第２領域が全層にわたって少なくとも炭素原子と水素
原子とを含有し、前記炭素原子を層厚方向に不均一に分
布させ、かつその含有量が前記導電性支持体側で多く、
前記光導電層第１領域側で少なくなるように前記炭素原
子を分布させた非単結晶材料で構成され、前記光導電層
第１領域が、水素原子を1〜40原子％含有する非単結晶
材料で構成されることも特徴とする。
【００２３】本発明の実施態様として以下が挙げられ
る。
る。
【００２４】１．前記光導電層（または光導電層第２領
域、以下同様）の前記表面層（光導電層第２領域の場合
は光導電層第１領域、以下同様）側の表面または表面近
傍の堆積膜形成速度を前記導電性支持体側の表面または
表面近傍の堆積膜形成速度に対して30〜90％としてもよ
い。
域、以下同様）の前記表面層（光導電層第２領域の場合
は光導電層第１領域、以下同様）側の表面または表面近
傍の堆積膜形成速度を前記導電性支持体側の表面または
表面近傍の堆積膜形成速度に対して30〜90％としてもよ
い。
【００２５】２．前記光導電層中の前記炭素原子の含有
量を前記導電性支持体側の表面または表面近傍で0.5〜5
0原子％、前記表面層側の表面または表面近傍で実質的
に0％とし、前記光導電層中の前記水素原子の含有量を1
〜40原子％としてもよい。
量を前記導電性支持体側の表面または表面近傍で0.5〜5
0原子％、前記表面層側の表面または表面近傍で実質的
に0％とし、前記光導電層中の前記水素原子の含有量を1
〜40原子％としてもよい。
【００２６】３．前記光導電層に弗素原子を含有させて
もよい。
もよい。
【００２７】４．前記光導電層中の前記弗素原子を層厚
方向に不均一に分布させてもよい。
方向に不均一に分布させてもよい。
【００２８】５．前記光導電層中にさらに酸素原子を同
時に含有させてもよい。
時に含有させてもよい。
【００２９】６．前記光導電層中の前記酸素原子を層厚
方向に不均一に分布させてもよい。
方向に不均一に分布させてもよい。
【００３０】７．前記表面層を、前記表面層中の炭素原
子、酸素原子及び窒素原子の含有量の和が、前記シリコ
ン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有量の和
に対して４０〜９０原子％であり、ハロゲン原子の含有
量が２０原子％以下、かつ水素原子とハロゲン原子の含
有量の和が３０〜７０原子％となるように形成してもよ
い。
子、酸素原子及び窒素原子の含有量の和が、前記シリコ
ン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有量の和
に対して４０〜９０原子％であり、ハロゲン原子の含有
量が２０原子％以下、かつ水素原子とハロゲン原子の含
有量の和が３０〜７０原子％となるように形成してもよ
い。
【００３１】８．前記表面層を、前記表面層中の前記酸
素原子及び窒素原子の含有量の和が１０原子％以下とな
るように形成してもよい。
素原子及び窒素原子の含有量の和が１０原子％以下とな
るように形成してもよい。
【００３２】９．前記光導電層が光導電層第２領域と光
導電層第１領域の２つの領域から構成される場合、該光
導電層第１領域の膜厚を0.5〜15μmとしても良い。
導電層第１領域の２つの領域から構成される場合、該光
導電層第１領域の膜厚を0.5〜15μmとしても良い。
【００３３】
【作用】本発明においては、光導電層を、炭素原子の分
布が導電性支持体側から層厚方向に連続的に変化するよ
うに形成させることによって、電荷（フォトキャリア）
の発生と、該発生した電荷の輸送という電子写真用光受
容部材にとって重要な機能を滑らかに接続させることが
可能となり、従来の電荷発生層と電荷輸送層を分離し
た、いわゆる機能分離型光受容部材において問題となっ
ていた電荷発生層と電荷輸送層の間の光学的エネルギー
ギャップの差による電荷の走行不良を防ぎ、光感度の向
上及び残留電位の低減に貢献する。また特に、光導電層
が前記の２つの領域から構成される場合、表面層側に炭
素原子を含まない光導電層第１領域を設けることによ
り、長波長光の吸収率が向上し、さらなる光感度の向上
が達成できる。
布が導電性支持体側から層厚方向に連続的に変化するよ
うに形成させることによって、電荷（フォトキャリア）
の発生と、該発生した電荷の輸送という電子写真用光受
容部材にとって重要な機能を滑らかに接続させることが
可能となり、従来の電荷発生層と電荷輸送層を分離し
た、いわゆる機能分離型光受容部材において問題となっ
ていた電荷発生層と電荷輸送層の間の光学的エネルギー
ギャップの差による電荷の走行不良を防ぎ、光感度の向
上及び残留電位の低減に貢献する。また特に、光導電層
が前記の２つの領域から構成される場合、表面層側に炭
素原子を含まない光導電層第１領域を設けることによ
り、長波長光の吸収率が向上し、さらなる光感度の向上
が達成できる。
【００３４】また光導電層に炭素原子が含有されている
ことにより光受容層の誘電率を小さくすることができる
ため、層厚当りの静電容量を減少させることができ、高
い帯電能を実現し、光感度において著しい改善が見ら
れ、さらに高電圧に対する耐圧性も向上する。
ことにより光受容層の誘電率を小さくすることができる
ため、層厚当りの静電容量を減少させることができ、高
い帯電能を実現し、光感度において著しい改善が見ら
れ、さらに高電圧に対する耐圧性も向上する。
【００３５】また、炭素を多く含む層を支持体側に設置
することにより支持体からの電荷の注入が阻止できるた
め、帯電能が改善され、さらに支持体と光導電層との密
着性が向上し、膜の剥離や微小な欠陥の発生を抑制する
ことができる。
することにより支持体からの電荷の注入が阻止できるた
め、帯電能が改善され、さらに支持体と光導電層との密
着性が向上し、膜の剥離や微小な欠陥の発生を抑制する
ことができる。
【００３６】さらに本発明においては、光導電層の堆積
膜形成速度を支持体側で速く、表面層側で遅くすること
により、光導電層中の炭素原子の含有量が層厚方向に変
化することによって生じる堆積膜中のストレスが効果的
に緩和され、かつ堆積膜形成速度の変化と炭素含有量の
変化との相乗効果により堆積膜の緻密性が向上されるた
め、堆積膜の均一性が向上され、また堆積膜中の欠陥が
減少させられる。その結果、とりわけハーフトーンむら
等の画像欠陥を改善することができ、また表面層側から
の電荷の注入をより効果的に阻止することが可能とな
り、さらに高い帯電能を得ることができる。またさら
に、堆積膜の剥離や微小な欠陥の発生を大幅に抑制する
ことができる。
膜形成速度を支持体側で速く、表面層側で遅くすること
により、光導電層中の炭素原子の含有量が層厚方向に変
化することによって生じる堆積膜中のストレスが効果的
に緩和され、かつ堆積膜形成速度の変化と炭素含有量の
変化との相乗効果により堆積膜の緻密性が向上されるた
め、堆積膜の均一性が向上され、また堆積膜中の欠陥が
減少させられる。その結果、とりわけハーフトーンむら
等の画像欠陥を改善することができ、また表面層側から
の電荷の注入をより効果的に阻止することが可能とな
り、さらに高い帯電能を得ることができる。またさら
に、堆積膜の剥離や微小な欠陥の発生を大幅に抑制する
ことができる。
【００３７】また、この効果は、前記表面層側の表面又
は表面近傍の堆積膜形成速度を、前記導電性支持体側の
表面又は表面近傍の堆積膜形成速度に対して３０〜９０
％とすることでより顕著に現われる。
は表面近傍の堆積膜形成速度を、前記導電性支持体側の
表面又は表面近傍の堆積膜形成速度に対して３０〜９０
％とすることでより顕著に現われる。
【００３８】更に本発明においては光導電層に弗素原子
を含有させることも有効である。弗素原子は光導電層に
含有される炭素原子及び水素原子の凝集を抑制し、バン
ドギャップ内の局在準位密度を減少させる効果があり、
ゴーストやハーフトーンむらなどが更に改善される。
を含有させることも有効である。弗素原子は光導電層に
含有される炭素原子及び水素原子の凝集を抑制し、バン
ドギャップ内の局在準位密度を減少させる効果があり、
ゴーストやハーフトーンむらなどが更に改善される。
【００３９】更に、本発明においては少なくとも光導電
層中に含有される弗素原子を層厚方向に不均一に分布さ
せることも有効である。弗素原子を層厚方向に不均一に
分布させることにより、炭素原子の含有量が層厚方向に
変化するのに伴い発生する支持体側と表面層側での内部
応力の変化を一層緩和するため、堆積膜中の欠陥が減少
し膜質が向上する。その結果、光受容部材の使用環境の
温度変化に従って光受容部材の特性が変化する、いわゆ
る温度特性を向上させることが可能となり、帯電能、及
びコピー画像間の画像濃度むらを改善することができ
る。
層中に含有される弗素原子を層厚方向に不均一に分布さ
せることも有効である。弗素原子を層厚方向に不均一に
分布させることにより、炭素原子の含有量が層厚方向に
変化するのに伴い発生する支持体側と表面層側での内部
応力の変化を一層緩和するため、堆積膜中の欠陥が減少
し膜質が向上する。その結果、光受容部材の使用環境の
温度変化に従って光受容部材の特性が変化する、いわゆ
る温度特性を向上させることが可能となり、帯電能、及
びコピー画像間の画像濃度むらを改善することができ
る。
【００４０】更に本発明においては、前記光導電層中に
更に酸素原子を含有させることも可能であり、この場
合、弗素原子との相乗効果によって、堆積膜のストレス
をより効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制する。この
ため、Ａ−ＳｉＣ系の光導電層で問題となる電位シフト
が改善される。
更に酸素原子を含有させることも可能であり、この場
合、弗素原子との相乗効果によって、堆積膜のストレス
をより効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制する。この
ため、Ａ−ＳｉＣ系の光導電層で問題となる電位シフト
が改善される。
【００４１】更に加えて、本発明においては、少なくと
も前記光導電層中に含有される酸素原子を層厚方向に不
均一に分布させることにより、堆積膜のストレスを更に
効果的に緩和でき、膜の構造欠陥を大幅に改善すること
が可能となる。このため、特に長期間使用し続けること
による光導電層の劣化を抑制するため、長期間使用後の
感度、残留電位、及び電位シフト等の電子写真特性を大
幅に改善することができる。
も前記光導電層中に含有される酸素原子を層厚方向に不
均一に分布させることにより、堆積膜のストレスを更に
効果的に緩和でき、膜の構造欠陥を大幅に改善すること
が可能となる。このため、特に長期間使用し続けること
による光導電層の劣化を抑制するため、長期間使用後の
感度、残留電位、及び電位シフト等の電子写真特性を大
幅に改善することができる。
【００４２】本発明により、高帯電能、高感度、低残留
電位で、ゴーストやガサツキ、及びコピー画像間での画
像濃度むらがなく、優れた電気特性を維持したままで耐
久性が飛躍的に向上された電子写真用光受容部材を得る
ことができ、かつ生産性における歩留まりを大幅に改善
することができる。
電位で、ゴーストやガサツキ、及びコピー画像間での画
像濃度むらがなく、優れた電気特性を維持したままで耐
久性が飛躍的に向上された電子写真用光受容部材を得る
ことができ、かつ生産性における歩留まりを大幅に改善
することができる。
【００４３】以上のような効果は、例えばマイクロ波Ｃ
ＶＤ法のように堆積速度を速くして層形成を行った時に
特に顕著に現われる。
ＶＤ法のように堆積速度を速くして層形成を行った時に
特に顕著に現われる。
【００４４】また、本発明においては、表面層に炭素原
子、酸素原子、窒素原子を同時に含有させることによ
り、従来の表面層にはない、緻密で機械的強度の高い膜
質を得ることができる。また、ハロゲン原子を２０原子
％以下で含有させることにより、光受容体表面の撥水性
が高められるために耐湿性が向上し、高温、多湿の環境
下においても画像流れが発生し難い。さらに膜質が緻密
となるため、帯電処理を受けた際に表面より電荷が注入
されるのを効果的に阻止でき、帯電能、使用環境特性、
耐久性及び電気的耐圧性を向上させることができる。ま
た、表面層中での光の吸収が減少するために感度の向上
を図ることができる。さらに、光導電層と表面層との界
面におけるキャリアの蓄積が減少させることができるた
めに、帯電能を高い状態に維持させても画像流れを抑制
することができる。
子、酸素原子、窒素原子を同時に含有させることによ
り、従来の表面層にはない、緻密で機械的強度の高い膜
質を得ることができる。また、ハロゲン原子を２０原子
％以下で含有させることにより、光受容体表面の撥水性
が高められるために耐湿性が向上し、高温、多湿の環境
下においても画像流れが発生し難い。さらに膜質が緻密
となるため、帯電処理を受けた際に表面より電荷が注入
されるのを効果的に阻止でき、帯電能、使用環境特性、
耐久性及び電気的耐圧性を向上させることができる。ま
た、表面層中での光の吸収が減少するために感度の向上
を図ることができる。さらに、光導電層と表面層との界
面におけるキャリアの蓄積が減少させることができるた
めに、帯電能を高い状態に維持させても画像流れを抑制
することができる。
【００４５】以下、図面にしたがって本発明における電
子写真用光受容部材について具体例を挙げて詳細に説明
する。
子写真用光受容部材について具体例を挙げて詳細に説明
する。
【００４６】図１及び図２は、本発明における電子写真
用光受容部材の好適な層構成を説明するために模式的に
示した構成図である。図１に示す電子写真用光受容部材
１０は、電子写真用光受容部材用としての導電性支持体
１１の上に、光導電層１２と、表面層１３からなる層構
成を有し、自由表面１４を有する構成のものである。ま
た図２は、図１における光導電層１２が光導電層第２領
域１５と光導電層第１領域１６から構成される例を示す
ものである。
用光受容部材の好適な層構成を説明するために模式的に
示した構成図である。図１に示す電子写真用光受容部材
１０は、電子写真用光受容部材用としての導電性支持体
１１の上に、光導電層１２と、表面層１３からなる層構
成を有し、自由表面１４を有する構成のものである。ま
た図２は、図１における光導電層１２が光導電層第２領
域１５と光導電層第１領域１６から構成される例を示す
ものである。
【００４７】本発明において使用される導電性支持体１
１としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，
Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、及
びこれらの合金、例えばステンレス等を挙げることがで
きる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂の
フィルムまたはシート、あるいはガラスやセラミック
ス、等の電気絶縁性支持体の少なくとも光導電層を形成
する側の表面を導電処理した支持体も用いることができ
る。電気絶縁性支持体を用いる場合、光導電層を形成す
る側とは反対側の表面に対しても導電処理を施すこして
おくことはさらに好ましい。
１としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，
Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、及
びこれらの合金、例えばステンレス等を挙げることがで
きる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂の
フィルムまたはシート、あるいはガラスやセラミック
ス、等の電気絶縁性支持体の少なくとも光導電層を形成
する側の表面を導電処理した支持体も用いることができ
る。電気絶縁性支持体を用いる場合、光導電層を形成す
る側とは反対側の表面に対しても導電処理を施すこして
おくことはさらに好ましい。
【００４８】導電性支持体１１の形状は平滑表面あるい
は凹凸表面を有する円筒状または板状無端ベルト状とす
ることができ、その厚さは、所望の通りの電子写真用光
受容部材１０を形成し得るように適宜決定するが、電子
写真用光受容部材１０としての可とう性が要求される場
合には、導電性支持体１１としての機能が充分発揮でき
る範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしな
がら、導電性支持体１１の製造上及び取り扱い上、ある
いは機械的強度の点から、通常は10μm以上必要とされ
る。
は凹凸表面を有する円筒状または板状無端ベルト状とす
ることができ、その厚さは、所望の通りの電子写真用光
受容部材１０を形成し得るように適宜決定するが、電子
写真用光受容部材１０としての可とう性が要求される場
合には、導電性支持体１１としての機能が充分発揮でき
る範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしな
がら、導電性支持体１１の製造上及び取り扱い上、ある
いは機械的強度の点から、通常は10μm以上必要とされ
る。
【００４９】また、特にレーザー光などの可干渉性光を
用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われ
る、いわゆる干渉縞模様による画像不良を解消する目的
で、導電性支持体１１の表面に凹凸を設けてもよい。こ
のような凹凸は、特開昭60-168156号公報、同60-178457
号公報、同60-225854号公報に記載された公知の方法に
より形成される。また前記の干渉縞模様による画像不良
を解消する別の方法としては、導電性支持体１１の表面
に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。
すなわち、導電性支持体１１の表面にその電子写真用光
受容部材に要求される解像力よりも微小な前記球状痕跡
窪みによる凹凸を設けることである。このような凹凸は
特開昭61-231561号公報に記載された方法により形成す
ることができる。
用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われ
る、いわゆる干渉縞模様による画像不良を解消する目的
で、導電性支持体１１の表面に凹凸を設けてもよい。こ
のような凹凸は、特開昭60-168156号公報、同60-178457
号公報、同60-225854号公報に記載された公知の方法に
より形成される。また前記の干渉縞模様による画像不良
を解消する別の方法としては、導電性支持体１１の表面
に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。
すなわち、導電性支持体１１の表面にその電子写真用光
受容部材に要求される解像力よりも微小な前記球状痕跡
窪みによる凹凸を設けることである。このような凹凸は
特開昭61-231561号公報に記載された方法により形成す
ることができる。
【００５０】本発明おける光導電層１２（２つの領域か
ら構成される場合は光導電層第２領域１５、以下同様）
は、シリコン原子を母体とする、炭素原子、水素原子を
含む非単結晶材料からなり、所望の光導電特性、特に電
荷保持特性、電荷発生特性、及び電荷輸送特性を有する
ものである。
ら構成される場合は光導電層第２領域１５、以下同様）
は、シリコン原子を母体とする、炭素原子、水素原子を
含む非単結晶材料からなり、所望の光導電特性、特に電
荷保持特性、電荷発生特性、及び電荷輸送特性を有する
ものである。
【００５１】光導電層１２に含有される炭素原子は分布
を成し、該分布が層の厚み方向には不均一であって、膜
厚方向の各点において前記導電性支持体１１側で含有率
が高く、導電性支持体から離れるにしたがって低くなる
ように分布している。炭素原子の含有量としては、前記
導電性支持体１１の設けてある側の表面又は表面近傍
で、0.5原子％未満では、前述の導電性支持体１１との
密着性向上及び電荷の注入阻止の機能が悪化し、更に静
電容量の減少による帯電能向上の効果が無くなる。また
50原子％を越えると、残留電位が発生してしまう。この
ため、実用的には0.．5〜50原子％、好ましくは1〜40原
子％であり、最適には1〜30原子％とされるのが望まし
い。また、本発明において光導電層１２中に水素原子が
含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の
未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性及び電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからで
ある。特に炭素原子が含有されることにより、その膜質
を維持するためにより多くの水素原子が必要となるた
め、炭素含有量に従って含有される水素原子量が調整さ
れることが望ましい。よって、導電性支持体１１側の表
面又は表面近傍における水素原子の含有量は1〜40原子
％、より好ましくは5〜35原子％、最適には10〜30原子
％とされるのが望ましい。
を成し、該分布が層の厚み方向には不均一であって、膜
厚方向の各点において前記導電性支持体１１側で含有率
が高く、導電性支持体から離れるにしたがって低くなる
ように分布している。炭素原子の含有量としては、前記
導電性支持体１１の設けてある側の表面又は表面近傍
で、0.5原子％未満では、前述の導電性支持体１１との
密着性向上及び電荷の注入阻止の機能が悪化し、更に静
電容量の減少による帯電能向上の効果が無くなる。また
50原子％を越えると、残留電位が発生してしまう。この
ため、実用的には0.．5〜50原子％、好ましくは1〜40原
子％であり、最適には1〜30原子％とされるのが望まし
い。また、本発明において光導電層１２中に水素原子が
含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の
未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性及び電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからで
ある。特に炭素原子が含有されることにより、その膜質
を維持するためにより多くの水素原子が必要となるた
め、炭素含有量に従って含有される水素原子量が調整さ
れることが望ましい。よって、導電性支持体１１側の表
面又は表面近傍における水素原子の含有量は1〜40原子
％、より好ましくは5〜35原子％、最適には10〜30原子
％とされるのが望ましい。
【００５２】本発明においては、光導電層１２の堆積膜
形成速度を層厚方向に変化させ、導電性支持体１１側で
速く、表面層１３側で遅くすることによって、堆積膜の
ストレスをより一層効果的に緩和し、かつ堆積膜の緻密
性を向上させて、とりわけハーフトーンむら等の画像特
性をより一層改善し、かつ堆積膜の剥離や微小な欠陥の
発生を大幅に抑制することができる。更に帯電能等の電
気的特性を更に向上させることができる。
形成速度を層厚方向に変化させ、導電性支持体１１側で
速く、表面層１３側で遅くすることによって、堆積膜の
ストレスをより一層効果的に緩和し、かつ堆積膜の緻密
性を向上させて、とりわけハーフトーンむら等の画像特
性をより一層改善し、かつ堆積膜の剥離や微小な欠陥の
発生を大幅に抑制することができる。更に帯電能等の電
気的特性を更に向上させることができる。
【００５３】また、この効果は、前記表面層１３側の表
面又は表面近傍の堆積膜形成速度を前記導電性支持体１
１側の表面又は表面近傍の堆積膜形成速度に対して30〜
90％とすることでより顕著に現われる。30％よりも低い
場合、堆積膜のストレスの緩和が充分には行われず、堆
積膜の剥離や欠陥の抑制効果が充分でなくなり、また、
90％を越えた場合には堆積膜の緻密化、及び堆積膜のス
トレスの緩和が充分ではなくハーフトーンむら等の画像
特性及び帯電能等の電気的特性の改善が充分ではなくな
る。
面又は表面近傍の堆積膜形成速度を前記導電性支持体１
１側の表面又は表面近傍の堆積膜形成速度に対して30〜
90％とすることでより顕著に現われる。30％よりも低い
場合、堆積膜のストレスの緩和が充分には行われず、堆
積膜の剥離や欠陥の抑制効果が充分でなくなり、また、
90％を越えた場合には堆積膜の緻密化、及び堆積膜のス
トレスの緩和が充分ではなくハーフトーンむら等の画像
特性及び帯電能等の電気的特性の改善が充分ではなくな
る。
【００５４】更に本発明の光導電層１２には弗素原子を
含有させることも有効である。弗素原子は光導電層１２
中に含有される炭素原子及び水素原子の凝集を抑制し、
バンドギャップ内の局在準位密度を減少させる効果があ
り、ゴーストやハーフトーンむらなどが更に改善され
る。光導電層１２中の弗素原子の含有量は１原子ppmよ
り少なくすると、弗素原子によるゴースト、ハーフトー
ンむらの改善効果が充分発揮されず、また95原子ppmを
越えると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じるよう
になってしまう。従って、弗素原子の含有量を、実用的
には1〜95原子ppm、より好ましくは3〜80原子ppm、最適
には5〜50原子ppmとするのが望ましい。
含有させることも有効である。弗素原子は光導電層１２
中に含有される炭素原子及び水素原子の凝集を抑制し、
バンドギャップ内の局在準位密度を減少させる効果があ
り、ゴーストやハーフトーンむらなどが更に改善され
る。光導電層１２中の弗素原子の含有量は１原子ppmよ
り少なくすると、弗素原子によるゴースト、ハーフトー
ンむらの改善効果が充分発揮されず、また95原子ppmを
越えると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じるよう
になってしまう。従って、弗素原子の含有量を、実用的
には1〜95原子ppm、より好ましくは3〜80原子ppm、最適
には5〜50原子ppmとするのが望ましい。
【００５５】特に、光導電層１２に前述のごとき範囲で
炭素原子を含有せしめた時に、弗素原子の含有量を上記
の範囲に設定することにより、光導電特性、画像特性及
び耐久性が著しく向上することが確認された。
炭素原子を含有せしめた時に、弗素原子の含有量を上記
の範囲に設定することにより、光導電特性、画像特性及
び耐久性が著しく向上することが確認された。
【００５６】更に本発明においては、少なくとも光導電
層１２中に含有される弗素原子を層厚方向に不均一に分
布させることも有効である。弗素原子を層厚方向に不均
一に分布させることにより、炭素原子の含有量の層厚方
向に対する変化に伴い発生する導電性支持体１１側と表
面層１３側での内部応力の変化を緩和できるため、堆積
膜中の欠陥が減少し膜質が向上する。その結果、使用環
境の温度変化に従って電子写真用光受容部材１０の特性
が変化する、いわゆる温度特性を向上させることが可能
となり、帯電能、及びコピー画像間の画像濃度むらを改
善することができる。
層１２中に含有される弗素原子を層厚方向に不均一に分
布させることも有効である。弗素原子を層厚方向に不均
一に分布させることにより、炭素原子の含有量の層厚方
向に対する変化に伴い発生する導電性支持体１１側と表
面層１３側での内部応力の変化を緩和できるため、堆積
膜中の欠陥が減少し膜質が向上する。その結果、使用環
境の温度変化に従って電子写真用光受容部材１０の特性
が変化する、いわゆる温度特性を向上させることが可能
となり、帯電能、及びコピー画像間の画像濃度むらを改
善することができる。
【００５７】また、本発明においては、前記光導電層１
２中に酸素原子を含有させることも可能であり、この場
合、弗素原子との相乗効果によって堆積膜のストレスを
より効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このた
め、Ａ−ＳｉＣ系の光導電層で問題となる電位シフトが
改善される。
２中に酸素原子を含有させることも可能であり、この場
合、弗素原子との相乗効果によって堆積膜のストレスを
より効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このた
め、Ａ−ＳｉＣ系の光導電層で問題となる電位シフトが
改善される。
【００５８】光導電層中の酸素原子含有量は、10原子pp
mより少なくすると、更なる膜の密着性向上及び異常成
長の発生の抑制を図ることが充分にはできず、電位シフ
トも大きくなる。5000原子ppmを越えると、電子写真の
高速化に対応するための電気特性が充分ではなくなる。
従って、酸素原子の含有量としては、10〜5000原子ppm
とするのが好ましい。
mより少なくすると、更なる膜の密着性向上及び異常成
長の発生の抑制を図ることが充分にはできず、電位シフ
トも大きくなる。5000原子ppmを越えると、電子写真の
高速化に対応するための電気特性が充分ではなくなる。
従って、酸素原子の含有量としては、10〜5000原子ppm
とするのが好ましい。
【００５９】更に加えて、本発明においては、少なくと
も前記光導電層１２中に含有される酸素原子を層厚方向
に不均一に分布させることにより、堆積膜のストレスを
更に効果的に緩和でき、膜の構造欠陥を大幅に抑制する
ことが可能となる。このため、特に長期間使用し続ける
ことによる光導電層の劣化が抑制され、長期間使用後の
感度、残留電位、及び電位シフト等の電子写真特性を大
幅に改善することができる。
も前記光導電層１２中に含有される酸素原子を層厚方向
に不均一に分布させることにより、堆積膜のストレスを
更に効果的に緩和でき、膜の構造欠陥を大幅に抑制する
ことが可能となる。このため、特に長期間使用し続ける
ことによる光導電層の劣化が抑制され、長期間使用後の
感度、残留電位、及び電位シフト等の電子写真特性を大
幅に改善することができる。
【００６０】本発明において、光導電層１２は真空堆積
膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成
膜パラメーターの数値条件を設定して作製される。具体
的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波
ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ
法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写
真用光受容部材に要求される特性等の要因によって適宜
選択されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部
材を製造するに当っての条件の制御が比較的容易である
ことから、グロー放電法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法が好適である。そしてこれらの方法を同
一装置系内で併用して薄膜堆積形成を行ってもよい。例
えば、グロー放電法によってＡ−ＳｉＣ（Ｈ）の光導電
層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を
供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供
給し得るＨ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反
応容器内へ所望のガス状態で導入して、該反応容器内に
グロー放電を生起させ、予め所定の位置に設置されてあ
る所定の導電性支持体の表面上にＡ−ＳｉＣ（Ｈ）から
なる層を形成すればよい。
膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成
膜パラメーターの数値条件を設定して作製される。具体
的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波
ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ
法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写
真用光受容部材に要求される特性等の要因によって適宜
選択されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部
材を製造するに当っての条件の制御が比較的容易である
ことから、グロー放電法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法が好適である。そしてこれらの方法を同
一装置系内で併用して薄膜堆積形成を行ってもよい。例
えば、グロー放電法によってＡ−ＳｉＣ（Ｈ）の光導電
層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を
供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供
給し得るＨ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反
応容器内へ所望のガス状態で導入して、該反応容器内に
グロー放電を生起させ、予め所定の位置に設置されてあ
る所定の導電性支持体の表面上にＡ−ＳｉＣ（Ｈ）から
なる層を形成すればよい。
【００６１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ
8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、なかでも層作製時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。またこれらのＳｉ供給用の原料ガスは必要に
応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して
使用しても良い。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ
8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、なかでも層作製時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。またこれらのＳｉ供給用の原料ガスは必要に
応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して
使用しても良い。
【００６２】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の、また
は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の、また
は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。
【００６３】炭素原子（Ｃ）導入用の原料物質として
は、ＣとＨを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。具体
的には、飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロ
パン、n-ブタン、ペンタンなどであり、エチレン系炭化
水素としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、２
−ブテン、イソブチレン、ペンテン、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン、メチルアセチレン、ブチン
等が挙げられる。
は、ＣとＨを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。具体
的には、飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロ
パン、n-ブタン、ペンタンなどであり、エチレン系炭化
水素としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、２
−ブテン、イソブチレン、ペンテン、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン、メチルアセチレン、ブチン
等が挙げられる。
【００６４】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ3）4、Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）4等のケ
イ化アルキルを挙げることができる。
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ3）4、Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）4等のケ
イ化アルキルを挙げることができる。
【００６５】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ4，Ｃ2
Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，Ｃ4Ｆ10等のフッ化炭素化合物、ＣＨＦ3
等の弗素置換炭化水素も使用できる。
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ4，Ｃ2
Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，Ｃ4Ｆ10等のフッ化炭素化合物、ＣＨＦ3
等の弗素置換炭化水素も使用できる。
【００６６】水素原子（Ｈ）を光導電層１２中に構造的
に導入するには、上記の他に、Ｈ2、あるいはＳｉＨ4，
Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10等の水素化珪素と、Ｓ
ｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを
反応容器中に共存させて放電を生起させることでも行う
ことができる。
に導入するには、上記の他に、Ｈ2、あるいはＳｉＨ4，
Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10等の水素化珪素と、Ｓ
ｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを
反応容器中に共存させて放電を生起させることでも行う
ことができる。
【００６７】本発明において使用される弗素供給用ガス
として有効なのは、例えば、弗素ガス、弗素化物、弗素
を含むハロゲン間化合物、弗素で置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得る弗素化合物が好まし
く挙げれる。また、更にはシリコン原子と弗素原子とを
構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、弗素原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明おいて好適に使用し得る弗素化合物と
しては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。
として有効なのは、例えば、弗素ガス、弗素化物、弗素
を含むハロゲン間化合物、弗素で置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得る弗素化合物が好まし
く挙げれる。また、更にはシリコン原子と弗素原子とを
構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、弗素原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明おいて好適に使用し得る弗素化合物と
しては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。
【００６８】弗素原子を含む珪素化合物、いわゆる弗素
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
ＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。このような弗素原子を含む珪素
化合物を採用してグロー放電等によって本発明の特徴的
な電子写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供給
用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくても、所定
の導電性支持体１１上に弗素原子を含むｎｃ−ＳｉＣ
（Ｈ，Ｆ）からなる光導電層１２を形成することができ
るが、形成される光導電層１２中に導入される水素原子
の導入割合の制御を一層容易にするために、これらのガ
スにさらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物の
ガスも所望量混合して層形成することが好ましい。ま
た、各ガスは単独種のみではなく所定の混合比で複数種
混合しても差し支えない。
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
ＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。このような弗素原子を含む珪素
化合物を採用してグロー放電等によって本発明の特徴的
な電子写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供給
用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくても、所定
の導電性支持体１１上に弗素原子を含むｎｃ−ＳｉＣ
（Ｈ，Ｆ）からなる光導電層１２を形成することができ
るが、形成される光導電層１２中に導入される水素原子
の導入割合の制御を一層容易にするために、これらのガ
スにさらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物の
ガスも所望量混合して層形成することが好ましい。ま
た、各ガスは単独種のみではなく所定の混合比で複数種
混合しても差し支えない。
【００６９】本発明において、弗素原子供給用ガスとし
て上記されたフッ化物あるいは弗素を含む珪素化合物が
有効なものとして使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ，ＳｉＨ3Ｆ，ＳｉＨ2Ｆ2，ＳｉＨＦ3等の弗素置換
水素化珪素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物
質も有効な光導電層形成用の原料物質として挙げること
ができる。これらの物質のうち、水素原子を含む弗素化
物は、光導電層形成の際に層中に弗素原子の導入と同時
に、電気的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適な弗素
原子供給用ガスとして使用される。
て上記されたフッ化物あるいは弗素を含む珪素化合物が
有効なものとして使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ，ＳｉＨ3Ｆ，ＳｉＨ2Ｆ2，ＳｉＨＦ3等の弗素置換
水素化珪素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物
質も有効な光導電層形成用の原料物質として挙げること
ができる。これらの物質のうち、水素原子を含む弗素化
物は、光導電層形成の際に層中に弗素原子の導入と同時
に、電気的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適な弗素
原子供給用ガスとして使用される。
【００７０】本発明において酸素原子（Ｏ）導入用のガ
スとなり得るものとして有効に使用される出発物質は、
例えば、酸素、オゾン、一酸化窒素、二酸化窒素、一二
酸化窒素、三二酸化窒素、四三酸化窒素、五二酸化窒素
等を挙げることができる。
スとなり得るものとして有効に使用される出発物質は、
例えば、酸素、オゾン、一酸化窒素、二酸化窒素、一二
酸化窒素、三二酸化窒素、四三酸化窒素、五二酸化窒素
等を挙げることができる。
【００７１】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、酸素原子（Ｏ）の導入も行えるという点から、Ｃ
Ｏ，ＣＯ2等を挙げることができる。
て、酸素原子（Ｏ）の導入も行えるという点から、Ｃ
Ｏ，ＣＯ2等を挙げることができる。
【００７２】光導電層１２中に含有させる水素原子及び
／又は弗素原子の量を制御するには、例えば導電性支持
体１１の温度、水素原子あるいは弗素原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内への導入量、放
電電力等を制御すればよい。更に本発明においては、光
導電層１２には必要に応じて伝導性を制御する原子
（Ｍ）を含有させることが好ましい。伝導性を制御する
原子（Ｍ）は光導電層１２中に万遍無く均一に分布した
状態で含有させてもよいし、あるいは層厚方向に不均一
な分布状態で含有している部分があってもよい。
／又は弗素原子の量を制御するには、例えば導電性支持
体１１の温度、水素原子あるいは弗素原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内への導入量、放
電電力等を制御すればよい。更に本発明においては、光
導電層１２には必要に応じて伝導性を制御する原子
（Ｍ）を含有させることが好ましい。伝導性を制御する
原子（Ｍ）は光導電層１２中に万遍無く均一に分布した
状態で含有させてもよいし、あるいは層厚方向に不均一
な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００７３】上記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第３Ｂ族に属す
る元素（以後「第３Ｂ族元素」と略記する）又はｎ型伝
導特性を与える周期律表第５Ｂ族に属する元素（以後
「第５Ｂ族元素」と略記する）を用いることができる。
第３Ｂ族元素としては、具体的には、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適であ
る。第５Ｂ族元素としては、具体的にはＰ，Ａｓ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第３Ｂ族に属す
る元素（以後「第３Ｂ族元素」と略記する）又はｎ型伝
導特性を与える周期律表第５Ｂ族に属する元素（以後
「第５Ｂ族元素」と略記する）を用いることができる。
第３Ｂ族元素としては、具体的には、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適であ
る。第５Ｂ族元素としては、具体的にはＰ，Ａｓ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【００７４】光導電層１２に含有させる伝導性を制御す
る原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０-3
〜５×１０4原子ppm、より好ましくは１×１０-2〜１×
１０4原子ppm、最適には１×１０-1〜５×１０3原子ppm
とするのが望ましい。特に光導電層１２において炭素原
子（Ｃ）の含有量が１×１０3原子ppm以下の場合、光導
電層１２に含有される原子（Ｍ）の含有量としては、好
ましくは１×１０-3〜１×１０3原子ppmとするのが望ま
しく、炭素原子含有量が１×１０3原子ppmを越える場合
は、原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０
-1〜５×１０4原子ppmとするのが望ましい。
る原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０-3
〜５×１０4原子ppm、より好ましくは１×１０-2〜１×
１０4原子ppm、最適には１×１０-1〜５×１０3原子ppm
とするのが望ましい。特に光導電層１２において炭素原
子（Ｃ）の含有量が１×１０3原子ppm以下の場合、光導
電層１２に含有される原子（Ｍ）の含有量としては、好
ましくは１×１０-3〜１×１０3原子ppmとするのが望ま
しく、炭素原子含有量が１×１０3原子ppmを越える場合
は、原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０
-1〜５×１０4原子ppmとするのが望ましい。
【００７５】光導電層１２中に伝導性を制御する原子、
例えば、第３Ｂ族元素あるいは第５Ｂ族元素を構造的に
導入するには、層形成の際に、第３Ｂ族元素導入用の原
料物質あるいは第５Ｂ族元素導入用の原料物質ガス状態
で反応容器中に光導電層１２を形成するための他のガス
と共に導入してやればよい。第３Ｂ族元素導入用の原料
物質あるいは第５Ｂ族元素導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のあるいは少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。
例えば、第３Ｂ族元素あるいは第５Ｂ族元素を構造的に
導入するには、層形成の際に、第３Ｂ族元素導入用の原
料物質あるいは第５Ｂ族元素導入用の原料物質ガス状態
で反応容器中に光導電層１２を形成するための他のガス
と共に導入してやればよい。第３Ｂ族元素導入用の原料
物質あるいは第５Ｂ族元素導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のあるいは少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。
【００７６】第３Ｂ族元素導入用の原料物質としては、
具体的には、例えばホウ素原子導入用としては、Ｂ
2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、
Ｂ6Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3等
のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。その他の第３Ｂ族
元素導入用の原料物質としては、ＡｌＣｌ3、ＧａＣ
ｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、ＴｌＣｌ3等を挙げ
ることができる。
具体的には、例えばホウ素原子導入用としては、Ｂ
2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、
Ｂ6Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3等
のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。その他の第３Ｂ族
元素導入用の原料物質としては、ＡｌＣｌ3、ＧａＣ
ｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、ＴｌＣｌ3等を挙げ
ることができる。
【００７７】第５Ｂ族元素導入用の原料物質として、本
発明において有効に使用されるものは、例えばリン原子
導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化リン、ＰＨ4
Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢ
ｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化リンが挙げられる。その他の
第５Ｂ族元素導入用の原料物質として、ＡｓＨ3、Ａｓ
Ｆ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、Ｓｂ
Ｆ3、ＳｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、Ｂｉ
Ｃｌ3、ＢｉＢｒ3等を挙げることができる。
発明において有効に使用されるものは、例えばリン原子
導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化リン、ＰＨ4
Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢ
ｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化リンが挙げられる。その他の
第５Ｂ族元素導入用の原料物質として、ＡｓＨ3、Ａｓ
Ｆ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、Ｓｂ
Ｆ3、ＳｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、Ｂｉ
Ｃｌ3、ＢｉＢｒ3等を挙げることができる。
【００７８】尚、これらの伝導性を制御する原子（Ｍ）
導入用の原料物質は、必要に応じて、Ｈ2、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスで希釈して使用してもよい。
導入用の原料物質は、必要に応じて、Ｈ2、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスで希釈して使用してもよい。
【００７９】更に本発明においては、光導電層１２中に
周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８族から選
択される少なくとも１種の元素を0.1〜10000ppm程度含
有させてもよい。前記元素は前記光導電層１２中に万遍
無く均一に分布されていてもよいし、あるいは前記光導
電層１２中に万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に
対し不均一に分布する状態で含有している部分があって
も差し支えない。
周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８族から選
択される少なくとも１種の元素を0.1〜10000ppm程度含
有させてもよい。前記元素は前記光導電層１２中に万遍
無く均一に分布されていてもよいし、あるいは前記光導
電層１２中に万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に
対し不均一に分布する状態で含有している部分があって
も差し支えない。
【００８０】第１Ａ族元素としては、具体的にはＬｉ，
Ｎａ，Ｋを挙げることができ、第２Ａ族元素としては、
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａを挙げることができる。
また第６Ａ族元素としては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを挙げるこ
とができ、第８族元素としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を
挙げることができる。
Ｎａ，Ｋを挙げることができ、第２Ａ族元素としては、
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａを挙げることができる。
また第６Ａ族元素としては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを挙げるこ
とができ、第８族元素としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を
挙げることができる。
【００８１】本発明において、光導電層１２の層厚は所
望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点
から適宜所望に従って決定され、好ましくは5〜50μm、
より好ましくは10〜40μm、最適には15〜30μmとするの
が望ましい。
望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点
から適宜所望に従って決定され、好ましくは5〜50μm、
より好ましくは10〜40μm、最適には15〜30μmとするの
が望ましい。
【００８２】本発明の目的を達成し得る特性を有するＡ
−ＳｉＣ（Ｈ）からなる光導電層１２を形成するには、
導電性支持体１１の表面温度、反応容器内のガス圧を所
望に従って適宜設定する必要がある。
−ＳｉＣ（Ｈ）からなる光導電層１２を形成するには、
導電性支持体１１の表面温度、反応容器内のガス圧を所
望に従って適宜設定する必要がある。
【００８３】導電性支持体１１の表面温度（Ｔｓ）は、
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは20〜500℃、より好ましくは50〜480
℃、最適には100〜450℃とするのが望ましい。
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは20〜500℃、より好ましくは50〜480
℃、最適には100〜450℃とするのが望ましい。
【００８４】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは1×10-5〜10Torr、より好ましくは5×10-5〜3 To
rr、最適には1×10-4〜1 Torrとするのが望ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは1×10-5〜10Torr、より好ましくは5×10-5〜3 To
rr、最適には1×10-4〜1 Torrとするのが望ましい。
【００８５】本発明においては、層作製ファクターとし
て上記の導電性支持体１１の表面温度、ガス圧の数値範
囲が挙げられるが、これらのファクターは通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
光導電層１２を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基
づいて、これらのファクターの最適値を決めるのが望ま
しい。
て上記の導電性支持体１１の表面温度、ガス圧の数値範
囲が挙げられるが、これらのファクターは通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
光導電層１２を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基
づいて、これらのファクターの最適値を決めるのが望ま
しい。
【００８６】尚、本発明において、光導電層１２の前記
導電性支持体１１側に、少なくともアルミニウム原子、
シリコン原子、炭素原子及び水素原子が層厚方向に不均
一な分布状態で含有される層領域を有することが望まし
い。
導電性支持体１１側に、少なくともアルミニウム原子、
シリコン原子、炭素原子及び水素原子が層厚方向に不均
一な分布状態で含有される層領域を有することが望まし
い。
【００８７】本発明においては、光導電層１２は光導電
層第２領域１５と光導電層第１領域１６の２つ領域から
構成されてもよい。その場合、光導電層第２領域１５は
上述の光導電層１２と同じ組成を有し、上述の方法によ
り導電性支持体１１上に形成される。光導電層第１領域
１６は、構成要素として、シリコン原子と水素原子を含
むＡ−Ｓｉ（Ｈ）からなり、所望の光導電特性、特に電
荷発生特性、電荷輸送特性を有する。
層第２領域１５と光導電層第１領域１６の２つ領域から
構成されてもよい。その場合、光導電層第２領域１５は
上述の光導電層１２と同じ組成を有し、上述の方法によ
り導電性支持体１１上に形成される。光導電層第１領域
１６は、構成要素として、シリコン原子と水素原子を含
むＡ−Ｓｉ（Ｈ）からなり、所望の光導電特性、特に電
荷発生特性、電荷輸送特性を有する。
【００８８】光導電層第１領域１６は、シリコン原子、
水素原子からなる非単結晶質であり、水素原子を1〜40
原子％含有して形成される。この光導電層第１領域１６
はフォトキャリアを効率よく生成し、長波長の光の吸収
を強め、感度を向上させるために設けられる。また、他
の効果としては、帯電極性と逆の電気極性のキャリアの
走行性が光導電層第２領域１５よりもよいため、ゴース
トが軽減されるという予期せぬ効果も得られる。
水素原子からなる非単結晶質であり、水素原子を1〜40
原子％含有して形成される。この光導電層第１領域１６
はフォトキャリアを効率よく生成し、長波長の光の吸収
を強め、感度を向上させるために設けられる。また、他
の効果としては、帯電極性と逆の電気極性のキャリアの
走行性が光導電層第２領域１５よりもよいため、ゴース
トが軽減されるという予期せぬ効果も得られる。
【００８９】上述の光導電層１２（光導電層第２領域１
５）同様、光導電層第１領域１６も真空堆積膜形成方法
によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメー
ターの数値条件を設定して作製される。具体的には、例
えば、グロー放電法によってＡ−Ｓｉ（Ｈ）の光導電層
第１領域１６を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原
子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスを、内部を減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該
反応容器内にグロー放電を生起させ、予め所定の位置に
設置されている所定の支持体表面上の前記光導電層第２
領域１５の上にＡ−Ｓｉ（Ｈ）からなる層を形成すれば
よい。
５）同様、光導電層第１領域１６も真空堆積膜形成方法
によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメー
ターの数値条件を設定して作製される。具体的には、例
えば、グロー放電法によってＡ−Ｓｉ（Ｈ）の光導電層
第１領域１６を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原
子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスを、内部を減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該
反応容器内にグロー放電を生起させ、予め所定の位置に
設置されている所定の支持体表面上の前記光導電層第２
領域１５の上にＡ−Ｓｉ（Ｈ）からなる層を形成すれば
よい。
【００９０】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ
8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、なかでも層作製時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。またこれらのＳｉ供給用の原料ガスは必要に
応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して
使用しても良い。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ
8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、なかでも層作製時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。またこれらのＳｉ供給用の原料ガスは必要に
応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して
使用しても良い。
【００９１】形成される光導電層第１領域１６中に導入
される水素原子の導入割合の制御を一層容易にするため
には、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含
む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが
好ましい。また各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合しても差し支えないものである。
される水素原子の導入割合の制御を一層容易にするため
には、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含
む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが
好ましい。また各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合しても差し支えないものである。
【００９２】水素原子（Ｈ）を光導電層第１領域１６中
に構造的に導入するには、上記の他に、Ｈ2、あるいは
ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10等の水素化珪
素と、Ｓｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化
合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させること
でも行うことができる。
に構造的に導入するには、上記の他に、Ｈ2、あるいは
ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10等の水素化珪
素と、Ｓｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化
合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させること
でも行うことができる。
【００９３】光導電層第１領域１６中に含有される水素
原子の量を制御するには、例えば導電性支持体１１の温
度、水素原子を含有させるために使用される原料物質の
反応容器内への導入量、放電電力等を制御すればよい。
原子の量を制御するには、例えば導電性支持体１１の温
度、水素原子を含有させるために使用される原料物質の
反応容器内への導入量、放電電力等を制御すればよい。
【００９４】更に本発明においては、光導電層第１領域
１６にも必要に応じて伝導性を制御する前記原子（Ｍ）
を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子
（Ｍ）は、光導電層第１領域１６中に万遍無く均一に分
布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に
対し不均一に分布する状態で含有している部分があって
も差し支えない。
１６にも必要に応じて伝導性を制御する前記原子（Ｍ）
を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子
（Ｍ）は、光導電層第１領域１６中に万遍無く均一に分
布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に
対し不均一に分布する状態で含有している部分があって
も差し支えない。
【００９５】光導電層第１領域１６に含有される伝導性
を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは1
×10-3〜5×104原子ppm、より好ましくは1×10-2〜1×1
04原子ppm、最適には1×10-1〜5×103原子ppmとされる
のが望ましい。光導電層第１領域１６中に伝導性を制御
する原子を構造的に導入するには、上述の光導電層１２
の形成方法で述べた方法がとられる。
を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは1
×10-3〜5×104原子ppm、より好ましくは1×10-2〜1×1
04原子ppm、最適には1×10-1〜5×103原子ppmとされる
のが望ましい。光導電層第１領域１６中に伝導性を制御
する原子を構造的に導入するには、上述の光導電層１２
の形成方法で述べた方法がとられる。
【００９６】更に光導電層第１領域１６中にも前記した
周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８族から選
択される少なくとも１種の元素を0.1〜10000ppm程度含
有させてもよい。前記元素は前記光導電層第１領域１６
中に万遍無く均一に分布されていてもよいし、あるいは
万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に
分布する状態で含有している部分があっても差し支えな
い。
周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８族から選
択される少なくとも１種の元素を0.1〜10000ppm程度含
有させてもよい。前記元素は前記光導電層第１領域１６
中に万遍無く均一に分布されていてもよいし、あるいは
万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に
分布する状態で含有している部分があっても差し支えな
い。
【００９７】本発明において、光導電層第１領域１６の
層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的
効果の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは0.
5〜15μm、より好ましくは1〜10μm、最適には1〜5μm
とするのが望ましい。
層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的
効果の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは0.
5〜15μm、より好ましくは1〜10μm、最適には1〜5μm
とするのが望ましい。
【００９８】本発明の目的を達成し得る特性を有するＡ
−Ｓｉ（Ｈ）からなる光導電層第１領域１６を形成する
には、導電性支持体１１の表面温度、反応容器内のガス
圧を所望に従って適宜設定する必要がある。
−Ｓｉ（Ｈ）からなる光導電層第１領域１６を形成する
には、導電性支持体１１の表面温度、反応容器内のガス
圧を所望に従って適宜設定する必要がある。
【００９９】導電性支持体１１の表面温度（Ｔｓ）は、
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは20〜500℃、より好ましくは50〜480
℃、最適には100〜450℃とするのが望ましい。
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは20〜500℃、より好ましくは50〜480
℃、最適には100〜450℃とするのが望ましい。
【０１００】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは1×10-5〜10 Torr、より好ましくは5×10-5〜3 T
orr、最適には1×10-4〜1 Torrとするのが望ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは1×10-5〜10 Torr、より好ましくは5×10-5〜3 T
orr、最適には1×10-4〜1 Torrとするのが望ましい。
【０１０１】本発明においては、層作製ファクターとし
て上記の導電性支持体１１の表面温度、ガス圧の数値範
囲が挙げられるが、これらのファクターは通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
光導電層第１領域１６を形成すべく相互的かつ有機的関
連性に基づいて、これらのファクターの最適値を決める
のが望ましい。
て上記の導電性支持体１１の表面温度、ガス圧の数値範
囲が挙げられるが、これらのファクターは通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
光導電層第１領域１６を形成すべく相互的かつ有機的関
連性に基づいて、これらのファクターの最適値を決める
のが望ましい。
【０１０２】本発明の電子写真用光受容部材１０におい
ては、光導電層１２と表面層１３との間、光導電層１２
が２つの領域から構成される場合は光導電層第１領域１
６と表面層１３との間に、組成を連続的に変化させた層
領域を設けてもよい。該層領域を設けることにより各層
間での密着性をより向上させることができる。
ては、光導電層１２と表面層１３との間、光導電層１２
が２つの領域から構成される場合は光導電層第１領域１
６と表面層１３との間に、組成を連続的に変化させた層
領域を設けてもよい。該層領域を設けることにより各層
間での密着性をより向上させることができる。
【０１０３】本発明における表面層１３は、構成要素と
してシリコン原子と炭素原子、窒素原子及び酸素原子を
同時に含有し、さらに水素原子及びハロゲン原子とを含
有する非単結晶材料（以下、「ｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，Ｎ
（Ｈ，Ｘ）と表記する）で構成される。
してシリコン原子と炭素原子、窒素原子及び酸素原子を
同時に含有し、さらに水素原子及びハロゲン原子とを含
有する非単結晶材料（以下、「ｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，Ｎ
（Ｈ，Ｘ）と表記する）で構成される。
【０１０４】該表面層１３に含有される、炭素原子、酸
素原子及び窒素原子は、該層中に万遍無く均一に分布し
た状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に対し
不均一に分布する状態で含有している部分があっても差
し支えない。
素原子及び窒素原子は、該層中に万遍無く均一に分布し
た状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に対し
不均一に分布する状態で含有している部分があっても差
し支えない。
【０１０５】該表面層１３の全層領域に含有される、炭
素原子、酸素原子及び窒素原子は、同時に含有される時
に著しい高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。表面
層１３中に含有される炭素原子、酸素原子及び窒素原子
の含有量の和は、シリコン原子、炭素原子、酸素原子及
び窒素原子の含有量の和に対して好適には４０〜９０原
子％、より好適には４５〜８５原子％、最適には５０〜
８０原子％とされるのが望ましい。本発明における効果
をより一層発揮するには、酸素原子と窒素原子の含有量
の和は１０原子％以下が好ましい。
素原子、酸素原子及び窒素原子は、同時に含有される時
に著しい高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。表面
層１３中に含有される炭素原子、酸素原子及び窒素原子
の含有量の和は、シリコン原子、炭素原子、酸素原子及
び窒素原子の含有量の和に対して好適には４０〜９０原
子％、より好適には４５〜８５原子％、最適には５０〜
８０原子％とされるのが望ましい。本発明における効果
をより一層発揮するには、酸素原子と窒素原子の含有量
の和は１０原子％以下が好ましい。
【０１０６】また、本発明における表面層１３に含有さ
れる水素原子およびハロゲン原子はｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，
Ｎ（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し、膜質の向
上に効果を奏し、光導電層１２と表面層１３の界面にト
ラップされるキャリアーを減少させるため、画像流れを
改善する。更にハロゲン原子は表面層１３の撥水性を向
上させるので、水蒸気の吸着による高湿流れをも減少さ
せる。表面層１３中のハロゲン原子の含有量は好適には
２０原子％以下であり、更に水素原子とハロゲン原子の
含有量の和は好適には３０〜７０原子％、より好適には
３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするの
が望ましい。
れる水素原子およびハロゲン原子はｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，
Ｎ（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し、膜質の向
上に効果を奏し、光導電層１２と表面層１３の界面にト
ラップされるキャリアーを減少させるため、画像流れを
改善する。更にハロゲン原子は表面層１３の撥水性を向
上させるので、水蒸気の吸着による高湿流れをも減少さ
せる。表面層１３中のハロゲン原子の含有量は好適には
２０原子％以下であり、更に水素原子とハロゲン原子の
含有量の和は好適には３０〜７０原子％、より好適には
３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするの
が望ましい。
【０１０７】本発明において、酸素原子（Ｏ）導入用の
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質
は、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
例えば、酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）等を挙げることが
できる。
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質
は、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
例えば、酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）等を挙げることが
できる。
【０１０８】本発明において、窒素原子（Ｎ）導入用の
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質
は、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
例えば、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）等を挙げる
ことができる。
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質
は、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
例えば、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）等を挙げる
ことができる。
【０１０９】また、酸素原子と窒素原子とを同時に導入
し得る出発物質としては、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化
窒素（ＮＯ2）、一二酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、三二酸化窒素
（Ｎ2Ｏ3）、四三酸化窒素（Ｎ3Ｏ4）、五二酸化窒素
（Ｎ2Ｏ5）等を挙げることができる。
し得る出発物質としては、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化
窒素（ＮＯ2）、一二酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、三二酸化窒素
（Ｎ2Ｏ3）、四三酸化窒素（Ｎ3Ｏ4）、五二酸化窒素
（Ｎ2Ｏ5）等を挙げることができる。
【０１１０】これらの他に、炭素原子の導入に加えて酸
素原子の導入も行えるという点から、ＣＯ、ＣＯ2等の
化合物も出発物質として挙げることができる。
素原子の導入も行えるという点から、ＣＯ、ＣＯ2等の
化合物も出発物質として挙げることができる。
【０１１１】本発明において使用されるハロゲン供給用
ガスとして有効なものは、例えば、ハロゲンガス、ハロ
ゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得る弗素化
合物が好ましく挙げれる。また、更にはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。
ガスとして有効なものは、例えば、ハロゲンガス、ハロ
ゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得る弗素化
合物が好ましく挙げれる。また、更にはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。
【０１１２】本発明おいて好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。
【０１１３】ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、ＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。このようなハロゲン原
子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって本
発明の特徴的な電子写真用光受容部材を形成する場合に
は、Ｓｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しな
くても、ハロゲン原子を含むｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，Ｎ
（Ｈ，Ｘ）からなる表面層１３を形成することができる
が、形成される表面層１３中に導入される水素原子の導
入割合の制御を一層容易にするために、これらのガスに
さらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガス
も所望量混合して層形成することが好ましい。また、各
ガスは単独種のみではなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えない。
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、ＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。このようなハロゲン原
子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって本
発明の特徴的な電子写真用光受容部材を形成する場合に
は、Ｓｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しな
くても、ハロゲン原子を含むｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，Ｎ
（Ｈ，Ｘ）からなる表面層１３を形成することができる
が、形成される表面層１３中に導入される水素原子の導
入割合の制御を一層容易にするために、これらのガスに
さらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガス
も所望量混合して層形成することが好ましい。また、各
ガスは単独種のみではなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えない。
【０１１４】本発明において、ハロゲン原子供給用ガス
として上記されたハロゲン化物あるいはハロゲンを含む
珪素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、ＨＦ，ＳｉＨ3Ｆ，ＳｉＨ2Ｆ2，ＳｉＨ
Ｆ3等のハロゲン置換水素化珪素、等々のガス状態のあ
るいはガス化し得る物質も有効な表面層形成用の原料物
質として挙げることができる。これらの物質のうち、水
素原子を含むハロゲン化物は、表面層形成の際に層中に
ハロゲン原子の導入と同時に、電気的あるいは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本
発明においては好適なハロゲン原子供給用ガスとして使
用される。
として上記されたハロゲン化物あるいはハロゲンを含む
珪素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、ＨＦ，ＳｉＨ3Ｆ，ＳｉＨ2Ｆ2，ＳｉＨ
Ｆ3等のハロゲン置換水素化珪素、等々のガス状態のあ
るいはガス化し得る物質も有効な表面層形成用の原料物
質として挙げることができる。これらの物質のうち、水
素原子を含むハロゲン化物は、表面層形成の際に層中に
ハロゲン原子の導入と同時に、電気的あるいは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本
発明においては好適なハロゲン原子供給用ガスとして使
用される。
【０１１５】更に本発明においては、表面層１３中にも
前記した周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８
族から選択される少なくとも１種の元素を0.1〜10000pp
m程度含有させてもよい。これらの元素は前記表面層１
３中に万遍無く均一に分布されていてもよいし、あるい
は万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一
に分布する状態で含有している部分があっても差し支え
ない。
前記した周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８
族から選択される少なくとも１種の元素を0.1〜10000pp
m程度含有させてもよい。これらの元素は前記表面層１
３中に万遍無く均一に分布されていてもよいし、あるい
は万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均一
に分布する状態で含有している部分があっても差し支え
ない。
【０１１６】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質及び炭素原子導入用の原料物質として
は、前記光導電層形成の際に挙げた物質が同様に使用さ
れる。本発明において、表面層１３の層厚は所望の電子
写真特性が得られること、及び経済的効果の点から適宜
所望に従って決定され、好ましくは0.01〜30μm、より
好ましくは0.05〜20μm、最適には0.1〜10μmとするの
が望ましい。
となり得る物質及び炭素原子導入用の原料物質として
は、前記光導電層形成の際に挙げた物質が同様に使用さ
れる。本発明において、表面層１３の層厚は所望の電子
写真特性が得られること、及び経済的効果の点から適宜
所望に従って決定され、好ましくは0.01〜30μm、より
好ましくは0.05〜20μm、最適には0.1〜10μmとするの
が望ましい。
【０１１７】本発明において、ｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，Ｎ
（Ｈ，Ｘ）で構成される表面層１３を形成するには、前
述の光導電層１２を形成する方法と同様の真空堆積法が
採用される。
（Ｈ，Ｘ）で構成される表面層１３を形成するには、前
述の光導電層１２を形成する方法と同様の真空堆積法が
採用される。
【０１１８】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１３を形成するには、導電性支持体１１の表面温
度、反応容器内のガス圧が前記表面層の特性を左右する
重要な要因である。
面層１３を形成するには、導電性支持体１１の表面温
度、反応容器内のガス圧が前記表面層の特性を左右する
重要な要因である。
【０１１９】導電性支持体１１の表面温度は適宜最適範
囲が選択されるが、好ましくは20〜500℃、より好まし
くは50〜480℃、最適には100〜450℃とするのが望まし
い。
囲が選択されるが、好ましくは20〜500℃、より好まし
くは50〜480℃、最適には100〜450℃とするのが望まし
い。
【０１２０】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは1×10-5〜10Torr、より好ましく
は5×10-5〜3 Torr、最適には1×10-4〜1 Torrとするの
が望ましい。
されるが、好ましくは1×10-5〜10Torr、より好ましく
は5×10-5〜3 Torr、最適には1×10-4〜1 Torrとするの
が望ましい。
【０１２１】本発明においては、表面層１３を形成する
重要なファクターとして上記の導電性支持体１１の表面
温度、ガス圧の数値範囲が挙げられるが、これらのファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する表面層１３を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて、これらのファクターの最
適値を決めるのが望ましい。
重要なファクターとして上記の導電性支持体１１の表面
温度、ガス圧の数値範囲が挙げられるが、これらのファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する表面層１３を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて、これらのファクターの最
適値を決めるのが望ましい。
【０１２２】以下、高周波プラズマＣＶＤ法及びマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための
装置及び形成方法について詳述する。
ロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための
装置及び形成方法について詳述する。
【０１２３】図４は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ
−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。該装
置の構成は以下の通りである。
−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。該装
置の構成は以下の通りである。
【０１２４】該装置は大別すると、堆積装置４１００、
原料ガスの供給装置４２００、反応容器４１１１内を減
圧にするための排気装置（図示せず）から構成されてい
る。堆積装置４１００中の反応容器４１１１内には導電
性円筒状支持体４１１２、支持体加熱用ヒーター４１１
３、原料ガス導入管４１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス４１１５が接続されている。
原料ガスの供給装置４２００、反応容器４１１１内を減
圧にするための排気装置（図示せず）から構成されてい
る。堆積装置４１００中の反応容器４１１１内には導電
性円筒状支持体４１１２、支持体加熱用ヒーター４１１
３、原料ガス導入管４１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス４１１５が接続されている。
【０１２５】原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ4，
Ｈ2，ＣＨ4，ＮＯ，ＮＨ3，ＳｉＦ4等の原料ガスのボン
ベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３６，４
２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６及びマスフロー
コントローラー４２１１〜４２１６から構成され、各原
料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応容器４１
１１内のガス導入管４１１４に接続されている。
Ｈ2，ＣＨ4，ＮＯ，ＮＨ3，ＳｉＦ4等の原料ガスのボン
ベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３６，４
２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６及びマスフロー
コントローラー４２１１〜４２１６から構成され、各原
料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応容器４１
１１内のガス導入管４１１４に接続されている。
【０１２６】該装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以
下のように行うことができる。
下のように行うことができる。
【０１２７】まず、反応容器４１１１内に円筒状支持体
４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器４１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター４１１３により円筒状支持体４１１
２の温度を２０〜５００℃の所定の温度に制御する。
４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器４１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター４１１３により円筒状支持体４１１
２の温度を２０〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０１２８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４１１
１内に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜
４２３６、反応容器のリークバルブ４１１７が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
４１１８を開いて反応容器４１１１及びガス配管内４１
１６を排気する。
１内に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜
４２３６、反応容器のリークバルブ４１１７が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
４１１８を開いて反応容器４１１１及びガス配管内４１
１６を排気する。
【０１２９】次に真空計４１１９の読みが約５×１０-5
Torrになった時点で補助バルブ４２６０、流出バルブ４
２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ４２２
１〜４２２６より各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を
開いて導入し、圧力調整器４２６１〜４２６６により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に流入バルブ４
２４１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフロー
コントローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
Torrになった時点で補助バルブ４２６０、流出バルブ４
２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ４２２
１〜４２２６より各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を
開いて導入し、圧力調整器４２６１〜４２６６により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に流入バルブ４
２４１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフロー
コントローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
【０１３０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体４１１２上に光導電層、表面層の各層
の形成を行う。
後、円筒状支持体４１１２上に光導電層、表面層の各層
の形成を行う。
【０１３１】円筒状支持体４１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうち所望の
ガスボンベに接続されているバルブ、及び補助バルブ４
２６０を徐々に開き、ガスボンベ４２２１〜４２２６か
ら所望のガスをガス導入管４１１４を介して反応容器４
１１１内に導入する。次にマスフローコントローラー４
２１１〜４２１６によって各原料ガスが所定の流量にな
るように調整する。その際、反応容器４１１１内の圧力
が１Torr以下の所定の圧力になるように真空計４１１９
を見ながらメインバルブ４１１８の開口を調整する。内
圧が安定したところで、ＲＦ電源（不図示）を所定の電
力に設定して、高周波マッチングボックス４１１５を通
じて反応容器４１１１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロ
ー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応
容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体
４１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形
成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた
後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容
器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうち所望の
ガスボンベに接続されているバルブ、及び補助バルブ４
２６０を徐々に開き、ガスボンベ４２２１〜４２２６か
ら所望のガスをガス導入管４１１４を介して反応容器４
１１１内に導入する。次にマスフローコントローラー４
２１１〜４２１６によって各原料ガスが所定の流量にな
るように調整する。その際、反応容器４１１１内の圧力
が１Torr以下の所定の圧力になるように真空計４１１９
を見ながらメインバルブ４１１８の開口を調整する。内
圧が安定したところで、ＲＦ電源（不図示）を所定の電
力に設定して、高周波マッチングボックス４１１５を通
じて反応容器４１１１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロ
ー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応
容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体
４１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形
成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた
後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容
器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１３２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の層が形成される。
て、所望の多層構造の層が形成される。
【０１３３】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うま
でもない。また、それぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるため、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を開
き、さらにメインバルブ４１１８を全開にして系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
ス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うま
でもない。また、それぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるため、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を開
き、さらにメインバルブ４１１８を全開にして系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１３４】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成の間、円筒状支持体４１１２を駆動装置（不図示）に
よって所定の速度で回転させても良い。
成の間、円筒状支持体４１１２を駆動装置（不図示）に
よって所定の速度で回転させても良い。
【０１３５】上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の
作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまで
もない。
作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまで
もない。
【０１３６】円筒状支持体の加熱方法は、真空仕様であ
る発熱体によって行えばよく、そのような真空仕様の発
熱体としては、具体的には、シース状ヒーターの巻き付
けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電
気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放
射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とする熱交換手段
による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質はス
テンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セ
ラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。また、それ以外にも、反応容器４１１１以外に加熱
専用の容器を設け、円筒状支持体４１１２を加熱した
後、反応容器４１１１内に真空中で円筒状支持体を搬送
する等の方法が用いられる。
る発熱体によって行えばよく、そのような真空仕様の発
熱体としては、具体的には、シース状ヒーターの巻き付
けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電
気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放
射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とする熱交換手段
による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質はス
テンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セ
ラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。また、それ以外にも、反応容器４１１１以外に加熱
専用の容器を設け、円筒状支持体４１１２を加熱した
後、反応容器４１１１内に真空中で円筒状支持体を搬送
する等の方法が用いられる。
【０１３７】次に、マイクロ波プラズマＣＶＤ（以下
「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法によって形成される
電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。
「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法によって形成される
電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。
【０１３８】図５（ａ）及び（ｂ）はμＷ−ＰＣＶＤ法
によって電子写真用光受容部材用の堆積膜を形成するた
めの堆積装置５１００の一例を示す模式的な構成図であ
り、（ａ）は側断面を、（ｂ）はＸ−Ｘ’横断面を示
す。図６はμＷ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置全体の説明図である。
によって電子写真用光受容部材用の堆積膜を形成するた
めの堆積装置５１００の一例を示す模式的な構成図であ
り、（ａ）は側断面を、（ｂ）はＸ−Ｘ’横断面を示
す。図６はμＷ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部
材の製造装置全体の説明図である。
【０１３９】図５に示したμＷ−ＰＣＶＤ法による堆積
装置５１００を図４に示す堆積装置４１００と交換し
て、原料ガス供給装置４２００と接続することにより、
図６に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による以下の構成の電子写
真用光受容部材製造装置を得ることができる。
装置５１００を図４に示す堆積装置４１００と交換し
て、原料ガス供給装置４２００と接続することにより、
図６に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による以下の構成の電子写
真用光受容部材製造装置を得ることができる。
【０１４０】該装置５１００は、真空気密化構造を成し
た減圧にし得る反応容器５１１１、原料ガスの供給装置
５２００、及び反応容器内を減圧にするための排気装置
（不図示）から構成されている。反応容器５１１１には
マイクロ波電力を反応容器内に効率良く透過し、かつ、
真空気密を保持し得るような材料（例えば、石英ガラ
ス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波
導入窓５１１２、スタブチューナー（不図示）及びアイ
ソレーター（不図示）を介してマイクロ波電源（不図
示）に接続されているマイクロ波の導波管５１１３、堆
積膜を形成すべき円筒状支持体５１１５、支持体加熱用
ヒーター５１１６、原料ガス導入管５１１７、プラズマ
電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための
電極５１１８が設置されており、反応容器５１１１内は
排気管５１２１を通じて不図示の排気装置（例えば拡散
ポンプ等）により排気が行えるようになっている。原料
ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｎ
Ｏ，ＮＨ3，ＳｉＦ4等の原料ガスのボンベ４２２１〜４
２２６とバルブ４２３１〜４２３６，４２４１〜４２４
６，４２５１〜４２５６及びマスフローコントローラー
４２１１〜４２１６等から構成され、各原料ガスのボン
ベはバルブ４２６０を介して反応容器５１１１内のガス
導入管５１１７に接続されている。また円筒状支持体５
１１５によって取り囲まれた空間が放電空間５１３０を
形成している。
た減圧にし得る反応容器５１１１、原料ガスの供給装置
５２００、及び反応容器内を減圧にするための排気装置
（不図示）から構成されている。反応容器５１１１には
マイクロ波電力を反応容器内に効率良く透過し、かつ、
真空気密を保持し得るような材料（例えば、石英ガラ
ス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波
導入窓５１１２、スタブチューナー（不図示）及びアイ
ソレーター（不図示）を介してマイクロ波電源（不図
示）に接続されているマイクロ波の導波管５１１３、堆
積膜を形成すべき円筒状支持体５１１５、支持体加熱用
ヒーター５１１６、原料ガス導入管５１１７、プラズマ
電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための
電極５１１８が設置されており、反応容器５１１１内は
排気管５１２１を通じて不図示の排気装置（例えば拡散
ポンプ等）により排気が行えるようになっている。原料
ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｎ
Ｏ，ＮＨ3，ＳｉＦ4等の原料ガスのボンベ４２２１〜４
２２６とバルブ４２３１〜４２３６，４２４１〜４２４
６，４２５１〜４２５６及びマスフローコントローラー
４２１１〜４２１６等から構成され、各原料ガスのボン
ベはバルブ４２６０を介して反応容器５１１１内のガス
導入管５１１７に接続されている。また円筒状支持体５
１１５によって取り囲まれた空間が放電空間５１３０を
形成している。
【０１４１】μＷ−ＰＣＶＤ法による該装置での堆積膜
の形成は、以下のようにして行うことができる。
の形成は、以下のようにして行うことができる。
【０１４２】まず、反応容器５１１１内に円筒状支持体
５１１５を設置し、支持体回転用モーター５１２０によ
って支持体５１１５を回転させ、不図示の排気装置によ
り反応容器５１１１内を排気管５１２１を介して排気
し、反応容器５１１１内の圧力を１×１０-5Torr以下に
調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター５１１６によ
り円筒状支持体５１１５の温度を20〜500℃の所定の温
度に加熱保持する。
５１１５を設置し、支持体回転用モーター５１２０によ
って支持体５１１５を回転させ、不図示の排気装置によ
り反応容器５１１１内を排気管５１２１を介して排気
し、反応容器５１１１内の圧力を１×１０-5Torr以下に
調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター５１１６によ
り円筒状支持体５１１５の温度を20〜500℃の所定の温
度に加熱保持する。
【０１４３】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器５１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器５１１１及びガス配管５１
２２内を排気する。
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器５１１１及びガス配管５１
２２内を排気する。
【０１４４】次に真空計（不図示）の読みが約5×10-5T
orrになった時点で補助バルブ４２６０、流出バルブ４
２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ４２２
１〜４２２６より各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を
開いて導入し、圧力調整器４２６１〜４２６６により各
ガス圧を2Kg/cm2に調整する。次に流入バルブ４２４１
〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコント
ローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
orrになった時点で補助バルブ４２６０、流出バルブ４
２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ４２２
１〜４２２６より各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を
開いて導入し、圧力調整器４２６１〜４２６６により各
ガス圧を2Kg/cm2に調整する。次に流入バルブ４２４１
〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコント
ローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
【０１４５】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体５１１５上に光導電層、表面層の各層
の形成を行う。
後、円筒状支持体５１１５上に光導電層、表面層の各層
の形成を行う。
【０１４６】円筒状支持体５１１５が所定の温度になっ
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうち所望の
ガスボンベに接続されているバルブ、及び補助バルブ４
２６０を徐々に開き、ガスボンベ４２２１〜４２２６か
ら所望のガスをガス導入管５１１４を介して反応容器５
１１１内の放電空間５１３０に導入する。次にマスフロ
ーコントローラー４２１１〜４２１６によって各原料ガ
スが所定の流量になるように調整する。その際、反応容
器５１１１内の圧力が１Torrｒ以下の所定の圧力になる
ように真空計（不図示）を見ながらメインバルブ（不図
示）の開口を調整する。内圧が安定したところで、マイ
クロ波電源（不図示）により周波数500MHz以上の、好ま
しくは2.45GHzのマイクロ波を発生させ、マイクロ波導
入窓５１１２を介して放電空間５１３０にマイクロ波エ
ネルギーを導入して、マイクロ波グロー放電を生起させ
る。それと同時併行的に、電源５１１９から電極５１１
８に例えば直流等の電気バイアスを印加する。かくして
放電空間５１３０において導入された原料ガスは、マイ
クロ波エネルギーにより励起されて解離し、円筒状支持
体５１１５上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が
形成されるところとなる。この時、層形成の均一化を図
るため、支持体回転用モーター５１２０によって円筒状
支持体５１１５は所望の回転速度で回転させられる。
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうち所望の
ガスボンベに接続されているバルブ、及び補助バルブ４
２６０を徐々に開き、ガスボンベ４２２１〜４２２６か
ら所望のガスをガス導入管５１１４を介して反応容器５
１１１内の放電空間５１３０に導入する。次にマスフロ
ーコントローラー４２１１〜４２１６によって各原料ガ
スが所定の流量になるように調整する。その際、反応容
器５１１１内の圧力が１Torrｒ以下の所定の圧力になる
ように真空計（不図示）を見ながらメインバルブ（不図
示）の開口を調整する。内圧が安定したところで、マイ
クロ波電源（不図示）により周波数500MHz以上の、好ま
しくは2.45GHzのマイクロ波を発生させ、マイクロ波導
入窓５１１２を介して放電空間５１３０にマイクロ波エ
ネルギーを導入して、マイクロ波グロー放電を生起させ
る。それと同時併行的に、電源５１１９から電極５１１
８に例えば直流等の電気バイアスを印加する。かくして
放電空間５１３０において導入された原料ガスは、マイ
クロ波エネルギーにより励起されて解離し、円筒状支持
体５１１５上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が
形成されるところとなる。この時、層形成の均一化を図
るため、支持体回転用モーター５１２０によって円筒状
支持体５１１５は所望の回転速度で回転させられる。
【０１４７】所望の膜厚の形成が行われた後、マイクロ
波電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器への
ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
波電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器への
ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１４８】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１４９】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うま
でもない。また、それぞれのガスが反応容器５１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器５１１
１に至る配管内に残留することを避けるため、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を開
き、さらにメインバルブを全開にして系内を一旦高真空
に排気する操作を必要に応じて行う。
ス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うま
でもない。また、それぞれのガスが反応容器５１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器５１１
１に至る配管内に残留することを避けるため、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を開
き、さらにメインバルブを全開にして系内を一旦高真空
に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１５０】上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の
作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまで
もない。
作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまで
もない。
【０１５１】円筒状支持体５１１５の加熱方法は、真空
仕様である発熱体によって行えばよく、そのような真空
仕様の発熱体としては、具体的には、シース状ヒーター
の巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒータ
ー等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ
等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とする熱
交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面
材質はステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金
属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用するこ
とができる。また、それ以外にも、反応容器５１１１以
外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体５１１５を加
熱した後、反応容器５１１１内に真空中で円筒状支持体
を搬送する等の方法が用いられる。
仕様である発熱体によって行えばよく、そのような真空
仕様の発熱体としては、具体的には、シース状ヒーター
の巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒータ
ー等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ
等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とする熱
交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面
材質はステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金
属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用するこ
とができる。また、それ以外にも、反応容器５１１１以
外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体５１１５を加
熱した後、反応容器５１１１内に真空中で円筒状支持体
を搬送する等の方法が用いられる。
【０１５２】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは1×10- 3Torr以上1×10-1To
rr以下、より好ましくは3×10-3Torr以上5×10-2Torr以
下、最適には5×10-3Torr以上3×10-2Torr以下に設定す
ることが望ましい。
の圧力としては、好ましくは1×10- 3Torr以上1×10-1To
rr以下、より好ましくは3×10-3Torr以上5×10-2Torr以
下、最適には5×10-3Torr以上3×10-2Torr以下に設定す
ることが望ましい。
【０１５３】放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よ
りも低ければ良いが、放電空間内の圧力が1×10-1Torr
以下、特に5×10-2Torr以下では、放電空間内の圧力が
放電空間外の圧力の３倍以上の時、堆積膜特性向上の効
果が特に大きい。
りも低ければ良いが、放電空間内の圧力が1×10-1Torr
以下、特に5×10-2Torr以下では、放電空間内の圧力が
放電空間外の圧力の３倍以上の時、堆積膜特性向上の効
果が特に大きい。
【０１５４】マイクロ波の反応容器までの導入方法とし
ては、導波管５１１３による方法が挙げられ、反応容器
内へは１または複数のマイクロ波導入窓５１１２から導
入する方法が挙げられる。マイクロ波導入窓５１１２の
材質としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウ
ム、窒化ボロン、窒化珪素、炭化珪素、酸化珪素、酸化
ベリリウム、テフロン（商品名）、ポリスチレン等、マ
イクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。
ては、導波管５１１３による方法が挙げられ、反応容器
内へは１または複数のマイクロ波導入窓５１１２から導
入する方法が挙げられる。マイクロ波導入窓５１１２の
材質としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウ
ム、窒化ボロン、窒化珪素、炭化珪素、酸化珪素、酸化
ベリリウム、テフロン（商品名）、ポリスチレン等、マ
イクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。
【０１５５】電極５１１８と円筒状支持体５１１５間に
発生させる電界は直流電界が好ましく、又、電界の向き
は電極５１１８から円筒状支持体５１１５に向けるのが
好ましい。電界を発生させるための電極５１１８に印加
する直流電圧の平均の大きさは、15V以上300V以下、好
ましくは30V以上200V以下が適する。直流電圧波形とし
ては、特に制限はなく、種々の波形のものが本発明では
有効である。つまり、時間によって電圧の向きが変化し
なければいずれの場合でもよく、例えば時間に対して大
きさの変化しない定電圧はもちろん、パルス状の電圧、
及び整流機により整流された時間によって大きさが変化
する脈動電圧でも有効である。
発生させる電界は直流電界が好ましく、又、電界の向き
は電極５１１８から円筒状支持体５１１５に向けるのが
好ましい。電界を発生させるための電極５１１８に印加
する直流電圧の平均の大きさは、15V以上300V以下、好
ましくは30V以上200V以下が適する。直流電圧波形とし
ては、特に制限はなく、種々の波形のものが本発明では
有効である。つまり、時間によって電圧の向きが変化し
なければいずれの場合でもよく、例えば時間に対して大
きさの変化しない定電圧はもちろん、パルス状の電圧、
及び整流機により整流された時間によって大きさが変化
する脈動電圧でも有効である。
【０１５６】又、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では50Hzまたは60Hz、高周波では13.5
6MHzが適する。交流の波形としてはサイン波でも矩形波
でも、また他のいずれの波形でも良いが、実用的にはサ
イン波が適する。ただし、この時電圧はいずれの場合も
実行値をいう。
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では50Hzまたは60Hz、高周波では13.5
6MHzが適する。交流の波形としてはサイン波でも矩形波
でも、また他のいずれの波形でも良いが、実用的にはサ
イン波が適する。ただし、この時電圧はいずれの場合も
実行値をいう。
【０１５７】電極５１１８の大きさ及び形状は、放電を
乱さないならばいずれのものでも良く、実用的には直径
0.1cm以上5cm以下の円筒状の形状が好ましい。この時、
電極の長さは支持体に電界が均一にかかる長さであれば
特に制限なく設定できる。
乱さないならばいずれのものでも良く、実用的には直径
0.1cm以上5cm以下の円筒状の形状が好ましい。この時、
電極の長さは支持体に電界が均一にかかる長さであれば
特に制限なく設定できる。
【０１５８】電極５１１８の材質としては、表面が導電
性となるものならばいずれのものでも良く、例えば、ス
テンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属又はこれらの
合金、あるいは表面を導電処理したガラス、セラミッ
ク、プラスチック等が通常使用される。
性となるものならばいずれのものでも良く、例えば、ス
テンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属又はこれらの
合金、あるいは表面を導電処理したガラス、セラミッ
ク、プラスチック等が通常使用される。
【０１５９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらによって何等限定されるもの
ではない。
明するが、本発明はこれらによって何等限定されるもの
ではない。
【０１６０】実施例１ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本
実施例では光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図
１３のように変化させるために、光導電層の形成時に導
入するＣＨ4の流量をリニアに変化させた。同時に光導
電層の堆積膜形成速度の変化パターンを図７のように変
化させるため、光導電層の形成時に導入するＳｉＨ4の
流量をリニアに変化させた。この時光導電層の導電性支
持体側の表面での炭素含有量は、約30原子％となるよう
にし、かつ光導電層の導電性支持体側での堆積膜形成速
度（Ｒ1）に対する表面層側での堆積膜形成速度（Ｒ2）
の比率Ｒ2／Ｒ1を約50％とした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本
実施例では光導電層中の炭素含有量の変化パターンを図
１３のように変化させるために、光導電層の形成時に導
入するＣＨ4の流量をリニアに変化させた。同時に光導
電層の堆積膜形成速度の変化パターンを図７のように変
化させるため、光導電層の形成時に導入するＳｉＨ4の
流量をリニアに変化させた。この時光導電層の導電性支
持体側の表面での炭素含有量は、約30原子％となるよう
にし、かつ光導電層の導電性支持体側での堆積膜形成速
度（Ｒ1）に対する表面層側での堆積膜形成速度（Ｒ2）
の比率Ｒ2／Ｒ1を約50％とした。
【０１６１】尚、炭素含有量の測定にはラザフォード後
方散乱法による元素分析により標準サンプルの検量線を
作成し、標準サンプルと作製したサンプルをオージェ分
光法によるシグナル強度の比から絶対量を求めた。また
堆積膜形成速度の測定には、予め光導電層のＳｉＨ4流
量を一定にして堆積膜サンプルを作製し、スタイラス法
により堆積膜の厚さを測定して堆積膜形成速度を求め
た。
方散乱法による元素分析により標準サンプルの検量線を
作成し、標準サンプルと作製したサンプルをオージェ分
光法によるシグナル強度の比から絶対量を求めた。また
堆積膜形成速度の測定には、予め光導電層のＳｉＨ4流
量を一定にして堆積膜サンプルを作製し、スタイラス法
により堆積膜の厚さを測定して堆積膜形成速度を求め
た。
【０１６２】
【表１】 作製した電子写真用光受容部材をキヤノン製複写機ＮＰ
−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむ
ら等の電子写真特性について評価を行った。各項目は、
以下の方法で評価した。
−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーンむ
ら等の電子写真特性について評価を行った。各項目は、
以下の方法で評価した。
【０１６３】帯電能、感度、残留電位： 帯電能：電子写真用光受容部材を実験装置に設置し、帯
電器に＋6kVの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、表
面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表面電位を
測定する。
電器に＋6kVの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、表
面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表面電位を
測定する。
【０１６４】感度：電子写真用光受容部材を一定の暗部
表面電位に帯電させる。そして直ちに光像を照射する。
光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用いて
550nm以下の波長域の光を除いた光を照射した。この
時、表面電位計により電子写真用光受容部材の明部表面
電位を測定する。明部表面電位が所定の電位になるよう
に露光量を調整し、この時の露光量を以て感度とする。
表面電位に帯電させる。そして直ちに光像を照射する。
光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用いて
550nm以下の波長域の光を除いた光を照射した。この
時、表面電位計により電子写真用光受容部材の明部表面
電位を測定する。明部表面電位が所定の電位になるよう
に露光量を調整し、この時の露光量を以て感度とする。
【０１６５】残留電位：電子写真用光受容部材を一定の
暗部表面電位に帯電させ、直ちに一定光量の比較的強い
光を照射する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィ
ルターを用いて550nm以下の波長域の光を除いた光を照
射した。この時、表面電位計により電子写真用光受容部
材の明部表面電位を測定する。
暗部表面電位に帯電させ、直ちに一定光量の比較的強い
光を照射する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィ
ルターを用いて550nm以下の波長域の光を除いた光を照
射した。この時、表面電位計により電子写真用光受容部
材の明部表面電位を測定する。
【０１６６】白ポチ、ハーフトーンむら： 白ポチ：キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９
−９０７３）を原稿台に置き、コピーした時に得られた
コピー画像の同一面積内にある直径0.2mm以下の白ポチ
について評価した。
−９０７３）を原稿台に置き、コピーした時に得られた
コピー画像の同一面積内にある直径0.2mm以下の白ポチ
について評価した。
【０１６７】ハーフトーンむら：キヤノン製中間調チャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、
コピーした時に得られたコピー画像上で0.05mmの円形の
領域を１単位とし、１００点の画像濃度を測定し、その
画像濃度のばらつきを評価した。
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、
コピーした時に得られたコピー画像上で0.05mmの円形の
領域を１単位とし、１００点の画像濃度を測定し、その
画像濃度のばらつきを評価した。
【０１６８】それぞれについて◎は特に良好、○は良
好、△は実用上問題無し、×は実用上問題あり、を表わ
している。
好、△は実用上問題無し、×は実用上問題あり、を表わ
している。
【０１６９】次に作製した電子写真用光受容部材をキヤ
ノン製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、３００万枚相当の加速耐久試験を行
い、上記と同様の評価を行った。結果を表４に示す。
ノン製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、３００万枚相当の加速耐久試験を行
い、上記と同様の評価を行った。結果を表４に示す。
【０１７０】実施例２ 実施例１と同様にして表２に示す作製条件で、導電性支
持体上に、光導電層第２領域、光導電層第１領域、及び
表面層の順で堆積膜形成を行い、電子写真用光受容部材
を作製した。こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例１と同様にして評価した。結果を表４に示す。
持体上に、光導電層第２領域、光導電層第１領域、及び
表面層の順で堆積膜形成を行い、電子写真用光受容部材
を作製した。こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例１と同様にして評価した。結果を表４に示す。
【０１７１】
【表２】 比較例１ 実施例１と同様にして表３に示す作製条件で、導電性支
持体、第２の光導電層、第１の光導電層及び表面層の３
層構成のいわゆる機能分離型電子写真用光受容部材を作
製した。こうして得られた電子写真用光受容部材を実施
例１と同様にして評価した。結果を表４に示す。
持体、第２の光導電層、第１の光導電層及び表面層の３
層構成のいわゆる機能分離型電子写真用光受容部材を作
製した。こうして得られた電子写真用光受容部材を実施
例１と同様にして評価した。結果を表４に示す。
【０１７２】
【表３】
【０１７３】
【表４】 これらの結果から、本発明の方法により電子写真用光受
容部材１０を形成することによって帯電能、感度が向上
し、かつ残留電位が低く抑えられている。さらにハーフ
トーンむらに関して優れた特性を示していることが分か
る。さらに本発明によれば耐久後においても電気的及び
画像特性上、なんの支障もないことが分かる。
容部材１０を形成することによって帯電能、感度が向上
し、かつ残留電位が低く抑えられている。さらにハーフ
トーンむらに関して優れた特性を示していることが分か
る。さらに本発明によれば耐久後においても電気的及び
画像特性上、なんの支障もないことが分かる。
【０１７４】実施例３ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、マイクロ波グロー放電法を用い
る以外は実施例１と同様にして、表５に示す作製条件で
電子写真用光受容部材を作製した。作製した電子写真用
光受容部材に実施例１と同様の評価を行ったところ、実
施例１と同様の結果が得られた。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、マイクロ波グロー放電法を用い
る以外は実施例１と同様にして、表５に示す作製条件で
電子写真用光受容部材を作製した。作製した電子写真用
光受容部材に実施例１と同様の評価を行ったところ、実
施例１と同様の結果が得られた。
【０１７５】
【表５】 実施例４ 実施例３と同様にして表６に示す作製条件で、導電性支
持体上に、光導電層第２領域、光導電層第１領域、及び
表面層の順で堆積膜形成を行い、電子写真用光受容部材
を作製した。作製した電子写真用光受容部材に実施例１
と同様の評価を行ったところ、実施例１と同様の結果が
得られた。
持体上に、光導電層第２領域、光導電層第１領域、及び
表面層の順で堆積膜形成を行い、電子写真用光受容部材
を作製した。作製した電子写真用光受容部材に実施例１
と同様の評価を行ったところ、実施例１と同様の結果が
得られた。
【０１７６】
【表６】 比較例２ 実施例３と同様にして表７に示す作製条件で、導電性支
持体、第２の光導電層、第１の光導電層及び表面層の３
層構成のいわゆる機能分離型電子写真用光受容部材を作
製した。作製した電子写真用光受容部材に実施例１と同
様の評価を行ったところ、比較例１と同様の結果が得ら
れた。
持体、第２の光導電層、第１の光導電層及び表面層の３
層構成のいわゆる機能分離型電子写真用光受容部材を作
製した。作製した電子写真用光受容部材に実施例１と同
様の評価を行ったところ、比較例１と同様の結果が得ら
れた。
【０１７７】
【表７】 実施例５ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表８
に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２の堆積膜形成速度の変
化パターンを図７〜１０のように変化させるために光導
電層１２の形成時に導入するＳｉＨ4の流量を変化さ
せ、４種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。い
ずれのパターンにおいても堆積膜形成速度Ｒの比率Ｒ2
／Ｒ1を約50％となるようにした。このとき、光導電層
１２中の炭素含有量の変化パターンを図１３のように変
化させ、光導電層１２の導電性支持体側表面での炭素含
有量が約10原子％となるようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表８
に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２の堆積膜形成速度の変
化パターンを図７〜１０のように変化させるために光導
電層１２の形成時に導入するＳｉＨ4の流量を変化さ
せ、４種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。い
ずれのパターンにおいても堆積膜形成速度Ｒの比率Ｒ2
／Ｒ1を約50％となるようにした。このとき、光導電層
１２中の炭素含有量の変化パターンを図１３のように変
化させ、光導電層１２の導電性支持体側表面での炭素含
有量が約10原子％となるようにした。
【０１７８】尚、炭素含有量の測定にはラザフォード後
方散乱法による元素分析により標準サンプルの検量線を
作成し、標準サンプルと作製したサンプルをオージェ分
光法によるシグナル強度の比から絶対量を求めた。また
堆積膜形成速度の測定には、予め光導電層のＳｉＨ4流
量を一定にして堆積膜サンプルを作製し、スタイラス法
により堆積膜の厚さを測定して堆積膜形成速度を求め
た。
方散乱法による元素分析により標準サンプルの検量線を
作成し、標準サンプルと作製したサンプルをオージェ分
光法によるシグナル強度の比から絶対量を求めた。また
堆積膜形成速度の測定には、予め光導電層のＳｉＨ4流
量を一定にして堆積膜サンプルを作製し、スタイラス法
により堆積膜の厚さを測定して堆積膜形成速度を求め
た。
【０１７９】作製した電子写真用光受容部材１０をキヤ
ノン製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、
ハーフトーンむら等の電子写真特性について実施例１と
同様に評価を行った。
ノン製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、
ハーフトーンむら等の電子写真特性について実施例１と
同様に評価を行った。
【０１８０】
【表８】 比較例３ 光導電層の堆積膜形成速度の変化パターンを図１１及び
図１２のように変化させた以外は実施例５と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。この時堆積膜
形成速度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1は、図１１は100％、図１２
は120％とした。こうして得られた電子写真用光受容部
材を実施例５と同様に評価を行った。
図１２のように変化させた以外は実施例５と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。この時堆積膜
形成速度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1は、図１１は100％、図１２
は120％とした。こうして得られた電子写真用光受容部
材を実施例５と同様に評価を行った。
【０１８１】実施例５及び比較例３の評価結果を表９に
示す。これらの結果から本発明の光導電層の堆積膜形成
速度の変化パターンでは比較例３に比べ電気的及び画像
特性共に良好な結果が得られることがわかった。
示す。これらの結果から本発明の光導電層の堆積膜形成
速度の変化パターンでは比較例３に比べ電気的及び画像
特性共に良好な結果が得られることがわかった。
【０１８２】
【表９】 実施例６ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
０に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層第２領域１５の堆積膜形成
速度の変化パターンを図７〜１０のように変化させるた
めに光導電層第２領域１５の形成時に導入するＳｉＨ4
の流量を変化させ、４種類の電子写真用光受容部材１０
を作製した。いずれのパターンにおいても堆積膜形成速
度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1を約50％となるようにした。このと
き、光導電層第２領域１５中の炭素含有量の変化パター
ンを図１３のように変化させ、光導電層第２領域１５の
導電性支持体側表面での炭素含有量が約10原子％となる
ようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
０に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層第２領域１５の堆積膜形成
速度の変化パターンを図７〜１０のように変化させるた
めに光導電層第２領域１５の形成時に導入するＳｉＨ4
の流量を変化させ、４種類の電子写真用光受容部材１０
を作製した。いずれのパターンにおいても堆積膜形成速
度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1を約50％となるようにした。このと
き、光導電層第２領域１５中の炭素含有量の変化パター
ンを図１３のように変化させ、光導電層第２領域１５の
導電性支持体側表面での炭素含有量が約10原子％となる
ようにした。
【０１８３】こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例５と同様に評価を行った。
実施例５と同様に評価を行った。
【０１８４】
【表１０】 比較例４ 光導電層第２領域の堆積膜形成速度の変化パターンを図
１１及び図１２のように変化させた以外は実施例６と同
様にして２種の電子写真用光受容部材を作製した。この
時堆積膜形成速度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1は、図１１は100
％、図１２は120％とした。
１１及び図１２のように変化させた以外は実施例６と同
様にして２種の電子写真用光受容部材を作製した。この
時堆積膜形成速度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1は、図１１は100
％、図１２は120％とした。
【０１８５】こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例５と同様に評価を行った。
実施例５と同様に評価を行った。
【０１８６】実施例６及び比較例４の評価結果を表１１
に示す。これらの結果から本発明の光導電層第２領域の
堆積膜形成速度の変化パターンでは比較例４に比べ電気
的及び画像特性共に良好な結果が得られることがわかっ
た。
に示す。これらの結果から本発明の光導電層第２領域の
堆積膜形成速度の変化パターンでは比較例４に比べ電気
的及び画像特性共に良好な結果が得られることがわかっ
た。
【０１８７】
【表１１】 実施例７ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、マイクロ波グロー放電法によ
り、表１２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作
製した。表１２では、光導電層１２の堆積膜形成速度の
変化パターンを図７〜１０のように変化させて４種類の
電子写真用光受容部材１０を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、マイクロ波グロー放電法によ
り、表１２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作
製した。表１２では、光導電層１２の堆積膜形成速度の
変化パターンを図７〜１０のように変化させて４種類の
電子写真用光受容部材１０を作製した。
【０１８８】作製した電子写真用光受容部材に実施例５
と同様の評価を行ったところ、実施例５と同様の結果が
得られた。
と同様の評価を行ったところ、実施例５と同様の結果が
得られた。
【０１８９】
【表１２】 比較例５ 光導電層の堆積膜形成速度の変化パターンを図１１及び
図１２のように変化させた以外は実施例７と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。この時堆積膜
形成速度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1は、図１１は100％、図１２
は120％とした。こうして得られた電子写真用光受容部
材を実施例７と同様に評価を行った。
図１２のように変化させた以外は実施例７と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。この時堆積膜
形成速度Ｒの比率Ｒ2／Ｒ1は、図１１は100％、図１２
は120％とした。こうして得られた電子写真用光受容部
材を実施例７と同様に評価を行った。
【０１９０】比較例５の評価結果は比較例３の評価結果
と全く同じであった。
と全く同じであった。
【０１９１】実施例８ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
３に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の炭素含有量の変化
パターンを図１３〜１５のように変化させるために光導
電層１２の形成時に導入するＣＨ4の流量を変化させ、
３種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。いずれ
のパターンにおいても光導電層１２の導電性支持体１１
側表面での炭素含有量が約10原子％となるようにした。
また、この時の光導電層１２の堆積膜形成速度の変化パ
ターンを図７のように変化させ、堆積膜形成速度Ｒの比
率Ｒ1／Ｒ1を約50％となるようにした。 尚、炭素含有
量、堆積膜形成速度の測定は前記同様にして行った。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
３に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の炭素含有量の変化
パターンを図１３〜１５のように変化させるために光導
電層１２の形成時に導入するＣＨ4の流量を変化させ、
３種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。いずれ
のパターンにおいても光導電層１２の導電性支持体１１
側表面での炭素含有量が約10原子％となるようにした。
また、この時の光導電層１２の堆積膜形成速度の変化パ
ターンを図７のように変化させ、堆積膜形成速度Ｒの比
率Ｒ1／Ｒ1を約50％となるようにした。 尚、炭素含有
量、堆積膜形成速度の測定は前記同様にして行った。
【０１９２】作製した電子写真用光受容部材１０をキヤ
ノン製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、
ハーフトーンむら等の電子写真特性について実施例１と
同様に評価を行った。更に３００万枚程度の加速耐久試
験を行い、各電子写真特性について同様の評価を行っ
た。
ノン製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、
ハーフトーンむら等の電子写真特性について実施例１と
同様に評価を行った。更に３００万枚程度の加速耐久試
験を行い、各電子写真特性について同様の評価を行っ
た。
【０１９３】
【表１３】 比較例６ 光導電層１２の炭素含有量の変化パターンを図１６及び
図１７のように変化させた以外は実施例８と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。
図１７のように変化させた以外は実施例８と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。
【０１９４】こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例８と同様に評価を行った。
実施例８と同様に評価を行った。
【０１９５】実施例８及び比較例６の評価結果を表１４
に示す。これらの結果から本発明の光導電層１２の炭素
含有量の変化パターンでは比較例６に比べ電気的及び画
像特性共に良好な結果が得られることがわかった。
に示す。これらの結果から本発明の光導電層１２の炭素
含有量の変化パターンでは比較例６に比べ電気的及び画
像特性共に良好な結果が得られることがわかった。
【０１９６】
【表１４】 実施例９ 実施例８と同様にして表１５に示す作製条件で、導電性
支持体上に、光導電層第２領域、光導電層第１領域、及
び表面層の順で堆積膜形成を行い、電子写真用光受容部
材を作製した。こうして得られた電子写真用光受容部材
を実施例８と同様にして評価した。結果を表１６に示
す。
支持体上に、光導電層第２領域、光導電層第１領域、及
び表面層の順で堆積膜形成を行い、電子写真用光受容部
材を作製した。こうして得られた電子写真用光受容部材
を実施例８と同様にして評価した。結果を表１６に示
す。
【０１９７】
【表１５】 比較例７ 光導電層第２領域１５の炭素含有量の変化パターンを図
１６及び図１７のように変化させた以外は実施例９と同
様にして２種の電子写真用光受容部材を作製した。
１６及び図１７のように変化させた以外は実施例９と同
様にして２種の電子写真用光受容部材を作製した。
【０１９８】こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例９と同様に評価を行った。
実施例９と同様に評価を行った。
【０１９９】実施例９及び比較例７の評価結果を表１６
に示す。これらの結果から本発明の光導電層第２領域１
５の炭素含有量の変化パターンでは比較例７に比べ電気
的及び画像特性共に良好な結果が得られることがわかっ
た。
に示す。これらの結果から本発明の光導電層第２領域１
５の炭素含有量の変化パターンでは比較例７に比べ電気
的及び画像特性共に良好な結果が得られることがわかっ
た。
【０２００】
【表１６】 実施例１０ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表１７に示す作製条件で行
った以外は実施例８と同様にして電子写真用光受容部材
を作製した。表１５では、光導電層１２の炭素含有量の
変化パターンを実施例８同様に図１３〜１５のように変
化させて３種類の電子写真用光受容部材１０を作製し
た。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表１７に示す作製条件で行
った以外は実施例８と同様にして電子写真用光受容部材
を作製した。表１５では、光導電層１２の炭素含有量の
変化パターンを実施例８同様に図１３〜１５のように変
化させて３種類の電子写真用光受容部材１０を作製し
た。
【０２０１】作製した電子写真用光受容部材に実施例８
と同様の評価を行ったところ、実施例８と同様の結果が
得られた。
と同様の評価を行ったところ、実施例８と同様の結果が
得られた。
【０２０２】
【表１７】 比較例８ 光導電層１２の炭素含有量の変化パターンを図１６及び
図１７のように変化さた以外は実施例１０と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。
図１７のように変化さた以外は実施例１０と同様にして
２種の電子写真用光受容部材を作製した。
【０２０３】こうして得られた電子写真用光受容部材を
実施例１０と同様に評価を行った。比較例８の評価結果
は比較例６の評価結果と全く同じであった。
実施例１０と同様に評価を行った。比較例８の評価結果
は比較例６の評価結果と全く同じであった。
【０２０４】実施例１１ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
８に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２の堆積膜形成速度の変
化パターンを図７のように変化させ、かつ光導電層１２
の堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を変化させるために、
光導電層１２の形成時に導入するＳｉＨ4の流量を変化
させた。このとき、光導電層第２領域１５中の炭素含有
量の変化パターンを図１３のように変化させ、光導電層
第２領域１５の導電性支持体側表面での炭素含有量が約
１０原子％となるようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表１
８に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２の堆積膜形成速度の変
化パターンを図７のように変化させ、かつ光導電層１２
の堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を変化させるために、
光導電層１２の形成時に導入するＳｉＨ4の流量を変化
させた。このとき、光導電層第２領域１５中の炭素含有
量の変化パターンを図１３のように変化させ、光導電層
第２領域１５の導電性支持体側表面での炭素含有量が約
１０原子％となるようにした。
【０２０５】
【表１８】 作製した電子写真用光受容部材１０をキヤノン製複写機
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーン
むら等の電子写真特性について実施例１と同様に評価を
行った。更に３００万枚程度の加速耐久試験を行い、各
電子写真特性について同様の評価を行った。
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーン
むら等の電子写真特性について実施例１と同様に評価を
行った。更に３００万枚程度の加速耐久試験を行い、各
電子写真特性について同様の評価を行った。
【０２０６】評価結果を表１９に示す。この結果から、
光導電層１２の堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を３０〜
９０％とすることで極めて良好な結果が得られることが
わかった。
光導電層１２の堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を３０〜
９０％とすることで極めて良好な結果が得られることが
わかった。
【０２０７】
【表１９】 実施例１２ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
０に示す作製条件で行った以外は実施例１１と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
０に示す作製条件で行った以外は実施例１１と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
【０２０８】作製した電子写真用光受容部材に実施例１
１と同様の評価を行ったところ、実施例１１と同様の結
果が得られた。
１と同様の評価を行ったところ、実施例１１と同様の結
果が得られた。
【０２０９】
【表２０】 実施例１３ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表２１に示す作製条件で行
った以外は実施例１１と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表２１に示す作製条件で行
った以外は実施例１１と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
【０２１０】作製した電子写真用光受容部材に実施例１
１と同様の評価を行ったところ、実施例１１と同様の結
果が得られた。
１と同様の評価を行ったところ、実施例１１と同様の結
果が得られた。
【０２１１】
【表２１】 実施例１４ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
２に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の炭素含有量の変化
パターンを図１３のように変化させ、かつ光導電層１２
の導電性支持体１１側表面の炭素含有量を変化させるた
めに、光導電層１２の形成時に導入するＣＨ4の流量を
変化させた。このとき、光導電層１２の堆積膜形成速度
の変化パターンを図７のように変化させ、かつ堆積膜形
成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を約85％となるようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
２に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の炭素含有量の変化
パターンを図１３のように変化させ、かつ光導電層１２
の導電性支持体１１側表面の炭素含有量を変化させるた
めに、光導電層１２の形成時に導入するＣＨ4の流量を
変化させた。このとき、光導電層１２の堆積膜形成速度
の変化パターンを図７のように変化させ、かつ堆積膜形
成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を約85％となるようにした。
【０２１２】
【表２２】 作製した電子写真用光受容部材１０をキヤノン製複写機
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーン
むら等の電子写真特性について実施例１と同様に評価を
行い、電子写真用光受容部材の表面の球状突起の発生数
について評価を行った。球状突起の発生数についての評
価は、以下の方法にしたがった。
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフトーン
むら等の電子写真特性について実施例１と同様に評価を
行い、電子写真用光受容部材の表面の球状突起の発生数
について評価を行った。球状突起の発生数についての評
価は、以下の方法にしたがった。
【０２１３】作製した電子写真用光受容部材の表面全域
を光学顕微鏡で観察し、100cm2の面積内での直径20μm
以上の球状突起の個数を調べた。各電子写真用光受容部
材について結果を出し、最も球状突起の数の多かったも
のを100％として層対比較した。その結果を以下のよう
に分類した。
を光学顕微鏡で観察し、100cm2の面積内での直径20μm
以上の球状突起の個数を調べた。各電子写真用光受容部
材について結果を出し、最も球状突起の数の多かったも
のを100％として層対比較した。その結果を以下のよう
に分類した。
【０２１４】◎は、60％未満、○は80％未満〜60％以
上、△は100〜80％以上。
上、△は100〜80％以上。
【０２１５】評価結果を表２３に示す。この結果から、
光導電層１２の導電性支持体１１側の炭素含有量として
は、0.5〜50原子％で特性の向上が見られ、更に1〜30原
子％で極めて良好な結果が得られている。
光導電層１２の導電性支持体１１側の炭素含有量として
は、0.5〜50原子％で特性の向上が見られ、更に1〜30原
子％で極めて良好な結果が得られている。
【０２１６】
【表２３】 実施例１５ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
４に示す作製条件で行った以外は実施例１４と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
４に示す作製条件で行った以外は実施例１４と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
【０２１７】作製した電子写真用光受容部材に実施例１
４と同様の評価を行ったところ、実施例１４と同様の結
果が得られた。
４と同様の評価を行ったところ、実施例１４と同様の結
果が得られた。
【０２１８】
【表２４】 実施例１６ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表２５に示す作製条件で行
った以外は実施例１４と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表２５に示す作製条件で行
った以外は実施例１４と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
【０２１９】作製した電子写真用光受容部材に実施例１
４と同様の評価を行ったところ、実施例１４と同様の結
果が得られた。
４と同様の評価を行ったところ、実施例１４と同様の結
果が得られた。
【０２２０】
【表２５】 実施例１７ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
６に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の弗素含有量を図１
８のように層厚方向に一定とし、光導電層１２の形成時
に導入するＳｉＦ4の流量を変化させ、弗素含有量の異
なる電子写真用光受容部材をそれぞれ作製した。このと
き、光導電層１２の堆積膜形成速度の変化パターンを図
７のように変化させ、かつ堆積膜形成速度の比率Ｒ2／
Ｒ1を約85％となるようにした。また、光導電層１２中
の炭素原子含有量の変化パターンを図１３のように変化
させ、光導電層１２の導電性支持体１１側表面での炭素
原子含有量が約３０原子％となるようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
６に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の弗素含有量を図１
８のように層厚方向に一定とし、光導電層１２の形成時
に導入するＳｉＦ4の流量を変化させ、弗素含有量の異
なる電子写真用光受容部材をそれぞれ作製した。このと
き、光導電層１２の堆積膜形成速度の変化パターンを図
７のように変化させ、かつ堆積膜形成速度の比率Ｒ2／
Ｒ1を約85％となるようにした。また、光導電層１２中
の炭素原子含有量の変化パターンを図１３のように変化
させ、光導電層１２の導電性支持体１１側表面での炭素
原子含有量が約３０原子％となるようにした。
【０２２１】尚、光導電層１２中の弗素含有量は、ＳＩ
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
【０２２２】
【表２６】 作製した電子写真用光受容部材１０をキヤノン製複写機
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、白ポチ、ハーフトーンむら等の電子写真特性につ
いて実施例１と同様に評価を行い、さらにゴーストにつ
いて評価を行った。ゴーストについての評価は、以下の
方法にしたがった。
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、白ポチ、ハーフトーンむら等の電子写真特性につ
いて実施例１と同様に評価を行い、さらにゴーストにつ
いて評価を行った。ゴーストについての評価は、以下の
方法にしたがった。
【０２２３】キヤノン製ゴーストテストチャート（部品
番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度1.1、φ5 mmの黒
丸を張り付けたものを原稿台の画像先端部に置き、その
上にキヤノン製中間調チャートを重ねておいた際のコピ
ー画像において中間調コピー上に認められるゴーストチ
ャートのφ5 mmの反射濃度と中間調部分の反射濃度との
差を測定した。最も差の大きかったものを100％として
相対比較した。その結果を以下のように分類した。
番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度1.1、φ5 mmの黒
丸を張り付けたものを原稿台の画像先端部に置き、その
上にキヤノン製中間調チャートを重ねておいた際のコピ
ー画像において中間調コピー上に認められるゴーストチ
ャートのφ5 mmの反射濃度と中間調部分の反射濃度との
差を測定した。最も差の大きかったものを100％として
相対比較した。その結果を以下のように分類した。
【０２２４】◎は、60％未満、○は80％未満〜60％以
上、△は100〜80％以上。
上、△は100〜80％以上。
【０２２５】更に３００万枚程度の加速耐久試験を行
い、各電子写真特性について同様の評価を行った。
い、各電子写真特性について同様の評価を行った。
【０２２６】評価結果を表２７に示す。これらの結果か
ら、光導電層１２の弗素含有量を95原子ppm以下の範囲
に設定することで、画像特性及び耐久性に関しても非常
に優れた電子写真用光受容部材を作製することが可能で
あることが示された。
ら、光導電層１２の弗素含有量を95原子ppm以下の範囲
に設定することで、画像特性及び耐久性に関しても非常
に優れた電子写真用光受容部材を作製することが可能で
あることが示された。
【０２２７】
【表２７】 実施例１８ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
８に示す作製条件で行った以外は実施例１７と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表２
８に示す作製条件で行った以外は実施例１７と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
【０２２８】作製した電子写真用光受容部材に実施例１
７と同様の評価を行ったところ、実施例１７と同様の結
果が得られた。
７と同様の評価を行ったところ、実施例１７と同様の結
果が得られた。
【０２２９】
【表２８】 実施例１９ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表２９に示す作製条件で行
った以外は実施例１７と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表２９に示す作製条件で行
った以外は実施例１７と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
【０２３０】作製した電子写真用光受容部材に実施例１
７と同様の評価を行ったところ、実施例１７と同様の結
果が得られた。
７と同様の評価を行ったところ、実施例１７と同様の結
果が得られた。
【０２３１】
【表２９】 実施例２０ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
０に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の弗素含有量を図１
８〜図２２のように層厚方向に変化させるため、光導電
層１２の形成時に導入するＳｉＦ4の流量を変化させ、
５種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。このと
き、光導電層１２中の弗素含有量は1〜95原子ppmの範囲
内で変化させた。また光導電層１２中に弗素原子を含有
させない試料作製も同時に行った。このとき、光導電層
１２の堆積膜形成速度の変化パターンを図７のように変
化させ、かつ堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を約85％と
なるようにした。また、光導電層１２中の炭素原子含有
量の変化パターンを図１３のように変化させ、光導電層
１２の導電性支持体１１側表面での炭素原子含有量が約
３０原子％となるようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
０に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の弗素含有量を図１
８〜図２２のように層厚方向に変化させるため、光導電
層１２の形成時に導入するＳｉＦ4の流量を変化させ、
５種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。このと
き、光導電層１２中の弗素含有量は1〜95原子ppmの範囲
内で変化させた。また光導電層１２中に弗素原子を含有
させない試料作製も同時に行った。このとき、光導電層
１２の堆積膜形成速度の変化パターンを図７のように変
化させ、かつ堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を約85％と
なるようにした。また、光導電層１２中の炭素原子含有
量の変化パターンを図１３のように変化させ、光導電層
１２の導電性支持体１１側表面での炭素原子含有量が約
３０原子％となるようにした。
【０２３２】尚、光導電層１２中の弗素含有量は、ＳＩ
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
【０２３３】
【表３０】 作製した６種の電子写真用光受容部材１０をキヤノン製
複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置
に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフ
トーンむら、ゴースト等の電子写真特性について実施例
１、１７と同様に評価を行い、さらに温度特性、画像濃
度むらについて評価を行った。温度特性、画像濃度むら
についての評価は、以下の方法にしたがった。
複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置
に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフ
トーンむら、ゴースト等の電子写真特性について実施例
１、１７と同様に評価を行い、さらに温度特性、画像濃
度むらについて評価を行った。温度特性、画像濃度むら
についての評価は、以下の方法にしたがった。
【０２３４】温度特性：作製した電子写真用光受容部材
１０の表面温度を30〜45℃まで変化させ、帯電器に＋6k
Vの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、表面電位計に
より暗部の表面電位を測定する。電子写真用光受容部材
１０の表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で
近似し、その傾きを「温度特性」として、［V/deg］の
単位で表わす。
１０の表面温度を30〜45℃まで変化させ、帯電器に＋6k
Vの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、表面電位計に
より暗部の表面電位を測定する。電子写真用光受容部材
１０の表面温度に対する暗部の表面温度の変化を直線で
近似し、その傾きを「温度特性」として、［V/deg］の
単位で表わす。
【０２３５】評価は次の通り、◎は、「特に良好」、○
は「良好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用上問
題有り」を示す。
は「良好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用上問
題有り」を示す。
【０２３６】画像濃度むら：キヤノン製中間調チャート
（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、連続
して２００枚コピーした時に得られたそれぞれのコピー
画像上で直径0.05mmの円形の領域を１単位として１００
点の画像濃度を測定し、その画像濃度の平均を求める。
評価は得られた２００枚の画像間でその画像濃度の平均
のばらつきについて行った。
（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、連続
して２００枚コピーした時に得られたそれぞれのコピー
画像上で直径0.05mmの円形の領域を１単位として１００
点の画像濃度を測定し、その画像濃度の平均を求める。
評価は得られた２００枚の画像間でその画像濃度の平均
のばらつきについて行った。
【０２３７】評価は次の通り、◎は、「特に良好」、○
は「良好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用上問
題有り」を示す。
は「良好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用上問
題有り」を示す。
【０２３８】更に３００万枚程度の加速耐久試験を行
い、各電子写真特性について同様の評価を行った。
い、各電子写真特性について同様の評価を行った。
【０２３９】評価結果を表３１に示す。これらの結果か
ら、光導電層１２に弗素原子を含有させること、さらに
弗素含有量を層厚方向に変化させることで、画像特性及
び耐久性に関して非常に効果的であることが確認され
た。
ら、光導電層１２に弗素原子を含有させること、さらに
弗素含有量を層厚方向に変化させることで、画像特性及
び耐久性に関して非常に効果的であることが確認され
た。
【０２４０】
【表３１】 実施例２１ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
２に示す作製条件で行った以外は実施例２０と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
２に示す作製条件で行った以外は実施例２０と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
【０２４１】作製した電子写真用光受容部材に実施例２
０と同様の評価を行ったところ、実施例２０と同様の結
果が得られた。
０と同様の評価を行ったところ、実施例２０と同様の結
果が得られた。
【０２４２】
【表３２】 実施例２２ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表３３に示す作製条件で行
った以外は実施例２０と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表３３に示す作製条件で行
った以外は実施例２０と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
【０２４３】作製した電子写真用光受容部材に実施例２
０と同様の評価を行ったところ、実施例２０と同様の結
果が得られた。
０と同様の評価を行ったところ、実施例２０と同様の結
果が得られた。
【０２４４】
【表３３】 実施例２３ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
４に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の酸素含有量を図２
３のように一定とし、光導電層１２の形成時に導入する
ＣＯ2の流量を変化させることにより、酸素含有量を表
３５のように変化させて電子写真用光受容部材１０をそ
れぞれ作製した。このとき、光導電層１２の堆積膜形成
速度の変化パターンを図７のように変化させ、かつ堆積
膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を約85％となるようにした。
また、光導電層１２中の炭素原子含有量の変化パターン
を図１３のように変化させ、光導電層１２の導電性支持
体１１側表面での炭素原子含有量が約３０原子％となる
ようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
４に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の酸素含有量を図２
３のように一定とし、光導電層１２の形成時に導入する
ＣＯ2の流量を変化させることにより、酸素含有量を表
３５のように変化させて電子写真用光受容部材１０をそ
れぞれ作製した。このとき、光導電層１２の堆積膜形成
速度の変化パターンを図７のように変化させ、かつ堆積
膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を約85％となるようにした。
また、光導電層１２中の炭素原子含有量の変化パターン
を図１３のように変化させ、光導電層１２の導電性支持
体１１側表面での炭素原子含有量が約３０原子％となる
ようにした。
【０２４５】尚、光導電層１２中の酸素含有量は、ＳＩ
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
【０２４６】
【表３４】 作製した電子写真用光受容部材１０をキヤノン製複写機
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性につい
て実施例１と同様に評価を行い、さらに電位シフトにつ
いて評価を行った。電位シフトについての評価は、以下
の方法にしたがった。
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性につい
て実施例１と同様に評価を行い、さらに電位シフトにつ
いて評価を行った。電位シフトについての評価は、以下
の方法にしたがった。
【０２４７】作製した電子写真用光受容部材１０を実験
装置に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コ
ロナ帯電を行い、表面電位計により電子写真用光受容部
材１０の暗部の表面電位を測定する。この時、帯電器に
電圧を印加し始めた時の暗部表面温電位をＶd0とし、２
分後の暗部表面電位をＶdとする。そしてＶd0とＶdとの
差を以て電位シフト量とする。
装置に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コ
ロナ帯電を行い、表面電位計により電子写真用光受容部
材１０の暗部の表面電位を測定する。この時、帯電器に
電圧を印加し始めた時の暗部表面温電位をＶd0とし、２
分後の暗部表面電位をＶdとする。そしてＶd0とＶdとの
差を以て電位シフト量とする。
【０２４８】評価は次の通り、◎は、「特に良好」、○
は「良好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用上問
題有り」を示す。
は「良好」、△は「実用上問題なし」、×は「実用上問
題有り」を示す。
【０２４９】評価結果を表３５に示す。これらの結果か
ら、光導電層１２に弗素原子を含有させ、更に酸素原子
を１０〜５０００ｐｐｍの範囲で含有させた場合、電位
シフト等の電子写真特性の改善に関して非常に効果的で
あることが確認された。
ら、光導電層１２に弗素原子を含有させ、更に酸素原子
を１０〜５０００ｐｐｍの範囲で含有させた場合、電位
シフト等の電子写真特性の改善に関して非常に効果的で
あることが確認された。
【０２５０】
【表３５】 実施例２４ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
６に示す作製条件で行った以外は実施例２３と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
６に示す作製条件で行った以外は実施例２３と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
【０２５１】作製した電子写真用光受容部材に実施例２
３と同様の評価を行ったところ、実施例２３と同様の結
果が得られた。
３と同様の評価を行ったところ、実施例２３と同様の結
果が得られた。
【０２５２】
【表３６】 実施例２５ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表３７に示す作製条件で行
った以外は実施例２３と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表３７に示す作製条件で行
った以外は実施例２３と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
【０２５３】作製した電子写真用光受容部材に実施例２
３と同様の評価を行ったところ、実施例２３と同様の結
果が得られた。
３と同様の評価を行ったところ、実施例２３と同様の結
果が得られた。
【０２５４】
【表３７】 実施例２６ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
８に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の酸素含有量を図２
３〜図２７のように層厚方向に変化させるため、光導電
層１２の形成時に導入するＣＯ2の流量を変化させ、５
種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。このと
き、光導電層１２中の酸素含有量は１０〜８００原子pp
mの範囲内で変化させた。また光導電層１２中に酸素原
子を含有させない試料作製も同時に行った。このとき、
光導電層１２の堆積膜形成速度の変化パターンを図７の
ように変化させ、かつ堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を
約85％となるようにした。また、光導電層１２中の炭素
原子含有量の変化パターンを図１３のように変化させ、
光導電層１２の導電性支持体１１側表面での炭素原子含
有量が約３０原子％となるようにした。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表３
８に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、光導電層１２中の酸素含有量を図２
３〜図２７のように層厚方向に変化させるため、光導電
層１２の形成時に導入するＣＯ2の流量を変化させ、５
種類の電子写真用光受容部材１０を作製した。このと
き、光導電層１２中の酸素含有量は１０〜８００原子pp
mの範囲内で変化させた。また光導電層１２中に酸素原
子を含有させない試料作製も同時に行った。このとき、
光導電層１２の堆積膜形成速度の変化パターンを図７の
ように変化させ、かつ堆積膜形成速度の比率Ｒ2／Ｒ1を
約85％となるようにした。また、光導電層１２中の炭素
原子含有量の変化パターンを図１３のように変化させ、
光導電層１２の導電性支持体１１側表面での炭素原子含
有量が約３０原子％となるようにした。
【０２５５】尚、光導電層１２中の酸素含有量は、ＳＩ
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
ＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析に
て行った。
【０２５６】
【表３８】 作製した６種の電子写真用光受容部材１０をキヤノン製
複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置
に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフ
トーンむら、ゴースト、電位シフト等の電子写真特性に
ついて実施例１、１７及び２３と同様に評価を行った。
複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置
に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハーフ
トーンむら、ゴースト、電位シフト等の電子写真特性に
ついて実施例１、１７及び２３と同様に評価を行った。
【０２５７】更に３００万枚程度の加速耐久試験を行
い、各電子写真特性について同様の評価を行った。
い、各電子写真特性について同様の評価を行った。
【０２５８】評価結果を表３９に示す。これらの結果か
ら、光導電層１２に酸素原子を含有させ、より好ましく
はその濃度を層厚方向に変化させることで、電子写真特
性における耐久性が向上することが明らかとなった。
ら、光導電層１２に酸素原子を含有させ、より好ましく
はその濃度を層厚方向に変化させることで、電子写真特
性における耐久性が向上することが明らかとなった。
【０２５９】
【表３９】 実施例２７ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
０に示す作製条件で行った以外は実施例２６と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
０に示す作製条件で行った以外は実施例２６と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。
【０２６０】作製した電子写真用光受容部材に実施例２
６と同様の評価を行ったところ、実施例２６と同様の結
果が得られた。
６と同様の評価を行ったところ、実施例２６と同様の結
果が得られた。
【０２６１】
【表４０】 実施例２８ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表４１に示す作製条件で行
った以外は実施例２６と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表４１に示す作製条件で行
った以外は実施例２６と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。
【０２６２】作製した電子写真用光受容部材に実施例２
６と同様の評価を行ったところ、実施例２６と同様の結
果が得られた。
６と同様の評価を行ったところ、実施例２６と同様の結
果が得られた。
【０２６３】
【表４１】 実施例２９ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
２に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、表面層１３に含有される炭素原子、
酸素原子、窒素原子の含有量の和をシリコン原子、炭素
原子、酸素原子、窒素原子の含有量の和に対し４０原子
％から９０原子％まで、表面層１３形成時に導入するパ
ワー、ＣＨ4流量、ＣＯ2流量、ＮＨ3流量を変化させ
た。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
２に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、表面層１３に含有される炭素原子、
酸素原子、窒素原子の含有量の和をシリコン原子、炭素
原子、酸素原子、窒素原子の含有量の和に対し４０原子
％から９０原子％まで、表面層１３形成時に導入するパ
ワー、ＣＨ4流量、ＣＯ2流量、ＮＨ3流量を変化させ
た。
【０２６４】
【表４２】 作製した電子写真用光受容部材１０をキヤノン製複写機
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性につい
て実施例１と同様に評価を行い、さらに画像流れ、３０
０万枚相当の加速耐久試験前後の画像評価を行った。画
像流れ、画像評価は、以下の方法にしたがった。
ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設置
して、帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性につい
て実施例１と同様に評価を行い、さらに画像流れ、３０
０万枚相当の加速耐久試験前後の画像評価を行った。画
像流れ、画像評価は、以下の方法にしたがった。
【０２６５】画像流れ：白地に全面文字よりなるキヤノ
ン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を
原稿台に置き、通常の露光量の２倍の露光量で露光し、
コピーをとる。こうして得られた画像を観察し、画像上
の細線が途切れずにつながっているか以下の４段階で評
価した。但しこの時画像上でむらがある時は、全画像域
で最も悪い部位で評価した。
ン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を
原稿台に置き、通常の露光量の２倍の露光量で露光し、
コピーをとる。こうして得られた画像を観察し、画像上
の細線が途切れずにつながっているか以下の４段階で評
価した。但しこの時画像上でむらがある時は、全画像域
で最も悪い部位で評価した。
【０２６６】評価は次の通り、◎は、「良好」、○は
「一部途切れあり」、△は「途切れが多いが文字として
判読でき、実用上問題なし」、×は「途切れが多く文字
として判読し難く、実用上問題有り」を示す。
「一部途切れあり」、△は「途切れが多いが文字として
判読でき、実用上問題なし」、×は「途切れが多く文字
として判読し難く、実用上問題有り」を示す。
【０２６７】画像評価：白ポチ、擦傷それぞれについて
５段階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段
階に分類した。◎は「特に良好」、○は「良好」、△は
「実用上問題なし」、×は「実用上問題あり」を示す。
５段階の限度見本を作製し、評価結果の合計を次の４段
階に分類した。◎は「特に良好」、○は「良好」、△は
「実用上問題なし」、×は「実用上問題あり」を示す。
【０２６８】比較例９ 表面層に含有される炭素原子、酸素原子、窒素原子の含
有量の和を４０原子％未満、及び９０原子％より多くし
た以外は実施例２９と同様にして電子写真用光受容部材
を作製し、同様に評価した。
有量の和を４０原子％未満、及び９０原子％より多くし
た以外は実施例２９と同様にして電子写真用光受容部材
を作製し、同様に評価した。
【０２６９】比較例１０ 表面層形成時にＣＨ4を用いず、さらにＣＯ2の代わりに
ＮＯを用いて表面層に含有される酸素原子、窒素原子の
含有量の和を６０原子％とした以外は実施例２９と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に評価し
た。
ＮＯを用いて表面層に含有される酸素原子、窒素原子の
含有量の和を６０原子％とした以外は実施例２９と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に評価し
た。
【０２７０】比較例１１ 表面層形成時にＣＯ2を用いずに、表面層に含有される
炭素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例２９と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
炭素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例２９と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
【０２７１】比較例１２ 表面層形成時にＮＨ3を用いずに、表面層に含有される
炭素原子、酸素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例２９と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
炭素原子、酸素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例２９と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
【０２７２】実施例２９、比較例９〜１２の結果をあわ
せて表４３に示す。これらの結果から、本発明によると
ころの表面層の炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有
量の和が、シリコン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原
子の含有量の和に対して４０〜９０原子％で電子写真特
性、耐久性に著しい改善が見られ、さらに酸素原子及び
窒素原子の含有量の和を１０原子％以下とすることで極
めて良好な結果が得られた。
せて表４３に示す。これらの結果から、本発明によると
ころの表面層の炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有
量の和が、シリコン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原
子の含有量の和に対して４０〜９０原子％で電子写真特
性、耐久性に著しい改善が見られ、さらに酸素原子及び
窒素原子の含有量の和を１０原子％以下とすることで極
めて良好な結果が得られた。
【０２７３】
【表４３】 実施例３０ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
４に示す作製条件で行った以外は実施例２９と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。得られた電子写真
用光受容部材について実施例２９と同様に評価を行っ
た。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
４に示す作製条件で行った以外は実施例２９と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。得られた電子写真
用光受容部材について実施例２９と同様に評価を行っ
た。
【０２７４】
【表４４】 比較例１３ 表面層に含有される炭素原子、酸素原子、窒素原子の含
有量の和を４０原子％未満、及び９０原子％より多くし
た以外は実施例３０と同様にして電子写真用光受容部材
を作製し、同様に評価した。
有量の和を４０原子％未満、及び９０原子％より多くし
た以外は実施例３０と同様にして電子写真用光受容部材
を作製し、同様に評価した。
【０２７５】比較例１４ 表面層形成時にＣＨ4を用いず、さらにＣＯ2の代わりに
ＮＯを用いて表面層に含有される酸素原子、窒素原子の
含有量の和を６０原子％とした以外は実施例３０と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に評価し
た。
ＮＯを用いて表面層に含有される酸素原子、窒素原子の
含有量の和を６０原子％とした以外は実施例３０と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に評価し
た。
【０２７６】比較例１５ 表面層形成時にＣＯ2を用いずに、表面層に含有される
炭素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３０と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
炭素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３０と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
【０２７７】比較例１６ 表面層形成時にＮＨ3を用いずに、表面層に含有される
炭素原子、酸素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３０と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
炭素原子、酸素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３０と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
【０２７８】実施例３０については実施例２９と、比較
例１３〜１６については比較例９〜１２と同様の結果が
得られた。
例１３〜１６については比較例９〜１２と同様の結果が
得られた。
【０２７９】実施例３１図６に示す電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、鏡面加工を施したアルミニウムよ
り成る直径108mm、長さ358mm、肉厚5mmの円筒状導電性
支持体１１の上に、マイクロ波グロー放電法により、表
４５に示す作製条件で行った以外は実施例２９と同様に
して電子写真用光受容部材を作製した。
材の製造装置を用い、鏡面加工を施したアルミニウムよ
り成る直径108mm、長さ358mm、肉厚5mmの円筒状導電性
支持体１１の上に、マイクロ波グロー放電法により、表
４５に示す作製条件で行った以外は実施例２９と同様に
して電子写真用光受容部材を作製した。
【０２８０】
【表４５】 比較例１７ 表面層に含有される炭素原子、酸素原子、窒素原子の含
有量の和を４０原子％未満、及び９０原子％より多くし
た以外は実施例３１と同様にして電子写真用光受容部材
を作製し、同様に評価した。
有量の和を４０原子％未満、及び９０原子％より多くし
た以外は実施例３１と同様にして電子写真用光受容部材
を作製し、同様に評価した。
【０２８１】比較例１８ 表面層形成時にＣＨ4を用いず、さらにＣＯ2の代わりに
ＮＯを用いて表面層に含有される酸素原子、窒素原子の
含有量の和を６０原子％とした以外は実施例３１と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に評価し
た。
ＮＯを用いて表面層に含有される酸素原子、窒素原子の
含有量の和を６０原子％とした以外は実施例３１と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に評価し
た。
【０２８２】比較例１９ 表面層形成時にＣＯ2を用いずに、表面層に含有される
炭素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３１と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
炭素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３１と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
【０２８３】比較例２０ 表面層形成時にＮＨ3を用いずに、表面層に含有される
炭素原子、酸素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３１と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
炭素原子、酸素原子の含有量の和を６０原子％とした以
外は実施例３１と同様にして電子写真用光受容部材を作
製し、同様に評価した。
【０２８４】実施例３１については実施例２９と、比較
例１７〜２０については比較例９〜１２と同様の結果が
得られた。
例１７〜２０については比較例９〜１２と同様の結果が
得られた。
【０２８５】実施例３２ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
６に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、表面層に含有される弗素原子の含有
量を２０原子％以下とし、かつ水素原子及び弗素原子の
含有量の和を３０〜７０原子％の範囲で変化させるため
に、表面層形成時に導入するパワー、Ｈ2及び／または
ＳｉＦ4流量を変えて電子写真用光受容部材をそれぞれ
作製した。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
６に示す作製条件で電子写真用光受容部材１０を作製し
た。本実施例では、表面層に含有される弗素原子の含有
量を２０原子％以下とし、かつ水素原子及び弗素原子の
含有量の和を３０〜７０原子％の範囲で変化させるため
に、表面層形成時に導入するパワー、Ｈ2及び／または
ＳｉＦ4流量を変えて電子写真用光受容部材をそれぞれ
作製した。
【０２８６】作製した電子写真用光受容部材をキヤノン
製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置して、実施例２９と同様にして、残留電位、感
度、画像流れの３項目について評価を行った。
製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置して、実施例２９と同様にして、残留電位、感
度、画像流れの３項目について評価を行った。
【０２８７】
【表４６】 比較例２１ 表面層に含有される水素原子及び弗素原子の含有量の和
を３０原子％未満、及び７０原子％より多くした以外は
実施例３２と同様にして電子写真用光受容部材を作製
し、同様に評価した。
を３０原子％未満、及び７０原子％より多くした以外は
実施例３２と同様にして電子写真用光受容部材を作製
し、同様に評価した。
【０２８８】比較例２２ 表面層に含有される弗素原子の含有量を２０原子％より
多くした以外は実施例３２と同様にして電子写真用光受
容部材を作製し、同様に評価した。
多くした以外は実施例３２と同様にして電子写真用光受
容部材を作製し、同様に評価した。
【０２８９】比較例２３ 表面層形成時にＳｉＦ4を用いなかった以外は実施例３
２と同様にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に
評価した。
２と同様にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に
評価した。
【０２９０】実施例３２、比較例２１〜２３の結果をあ
わせて表４７に示す。表４７より明らかなように、表面
層中の水素原子と弗素原子の含有量の和を３０〜７０原
子％とし、かつ弗素原子の含有量を２０原子％以下の範
囲とすることによって、残留電位、感度のいずれもが良
好な結果を示し、さらに強露光での画像流れを大幅に抑
制できることが分かった。
わせて表４７に示す。表４７より明らかなように、表面
層中の水素原子と弗素原子の含有量の和を３０〜７０原
子％とし、かつ弗素原子の含有量を２０原子％以下の範
囲とすることによって、残留電位、感度のいずれもが良
好な結果を示し、さらに強露光での画像流れを大幅に抑
制できることが分かった。
【０２９１】
【表４７】 実施例３３ 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
８に示す作製条件で行った以外は実施例３２と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。得られた電子写真
用光受容部材について実施例３２と同様に評価を行っ
た。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、先に
詳述した手順に従って、ＲＦグロー放電法により、表４
８に示す作製条件で行った以外は実施例３２と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。得られた電子写真
用光受容部材について実施例３２と同様に評価を行っ
た。
【０２９２】
【表４８】 比較例２４ 表面層に含有される水素原子及び弗素原子の含有量の和
を３０原子％未満、及び７０原子％より多くした以外は
実施例３３と同様にして電子写真用光受容部材を作製
し、同様に評価した。
を３０原子％未満、及び７０原子％より多くした以外は
実施例３３と同様にして電子写真用光受容部材を作製
し、同様に評価した。
【０２９３】比較例２５ 表面層に含有される弗素原子の含有量を２０原子％より
多くした以外は実施例３３と同様にして電子写真用光受
容部材を作製し、同様に評価した。
多くした以外は実施例３３と同様にして電子写真用光受
容部材を作製し、同様に評価した。
【０２９４】比較例２６ 表面層形成時にＳｉＦ4を用いなかった以外は実施例３
３と同様にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に
評価した。
３と同様にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に
評価した。
【０２９５】実施例３３については実施例３２と、比較
例２４〜２６については比較例２１〜２３と同様の結果
が得られた。
例２４〜２６については比較例２１〜２３と同様の結果
が得られた。
【０２９６】実施例３４ 図６に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表４９に示す作製条件で行
った以外は実施例３２と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。得られた電子写真用光受容部材について
実施例３２と同様に評価を行った。
面加工を施したアルミニウムより成る直径108mm、長さ3
58mm、肉厚5mmの円筒状導電性支持体１１の上に、マイ
クロ波グロー放電法により、表４９に示す作製条件で行
った以外は実施例３２と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。得られた電子写真用光受容部材について
実施例３２と同様に評価を行った。
【０２９７】
【表４９】 比較例２７ 表面層に含有される水素原子及び弗素原子の含有量の和
を３０原子％未満、及び７０原子％より多くした以外は
実施例３４と同様にして電子写真用光受容部材を作製
し、同様に評価した。
を３０原子％未満、及び７０原子％より多くした以外は
実施例３４と同様にして電子写真用光受容部材を作製
し、同様に評価した。
【０２９８】比較例２８ 表面層に含有される弗素原子の含有量を２０原子％より
多くした以外は実施例３４と同様にして電子写真用光受
容部材を作製し、同様に評価した。
多くした以外は実施例３４と同様にして電子写真用光受
容部材を作製し、同様に評価した。
【０２９９】比較例２９ 表面層形成時にＳｉＦ4を用いなかった以外は実施例３
４と同様にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に
評価した。
４と同様にして電子写真用光受容部材を作製し、同様に
評価した。
【０３００】実施例３４については実施例３２と、比較
例２７〜２９については比較例２１〜２３と同様の結果
が得られた。
例２７〜２９については比較例２１〜２３と同様の結果
が得られた。
【０３０１】
【発明の効果】本発明の方法によれば、Ａ−Ｓｉで構成
された従来の電子写真用光受容部材における諸問題を解
決することができ、特に、極めて優れた電気的特性、光
学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性及び使用環境
特性を示す電子写真用光受容部材を形成することができ
る。特に本発明においては、光導電層に含まれる炭素原
子を導電性支持体側から表面層側に向かって連続的に減
少させていくことで、電荷（フォトキャリア）の発生と
該発生した電荷の輸送という電子写真用光受容部材にと
っての重要な機能を滑らかに持続でき、光感度の優れた
電子写真用光受容部材が作製できる。また、光導電層に
炭素原子が含有されていることにより、光導電層と表面
層からなる光受容層としての誘電率を小さくすることが
できるため、層厚あたりの静電容量を減少させることが
でき、高い帯電能を実現し、光感度において著しい改善
が見られ、更に高電圧に対する耐圧性も向上し、耐久性
も向上する。
された従来の電子写真用光受容部材における諸問題を解
決することができ、特に、極めて優れた電気的特性、光
学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性及び使用環境
特性を示す電子写真用光受容部材を形成することができ
る。特に本発明においては、光導電層に含まれる炭素原
子を導電性支持体側から表面層側に向かって連続的に減
少させていくことで、電荷（フォトキャリア）の発生と
該発生した電荷の輸送という電子写真用光受容部材にと
っての重要な機能を滑らかに持続でき、光感度の優れた
電子写真用光受容部材が作製できる。また、光導電層に
炭素原子が含有されていることにより、光導電層と表面
層からなる光受容層としての誘電率を小さくすることが
できるため、層厚あたりの静電容量を減少させることが
でき、高い帯電能を実現し、光感度において著しい改善
が見られ、更に高電圧に対する耐圧性も向上し、耐久性
も向上する。
【０３０２】さらに、光導電層の堆積膜形成速度を、支
持体側で速く、表面層側で遅くすることによって、光導
電層中の炭素原子の含有量が層厚方向に変化することに
よる堆積膜中のストレスを効果的に緩和し、かつ堆積膜
形成速度の変化と炭素含有量の変化との相乗効果により
堆積膜の緻密性が向上するため、堆積膜の均一性が向上
し、堆積膜中の欠陥が減少する。その結果、とりわけハ
ーフトーンむら等の画像特性を改善することができ、ま
た表面層側からの電荷の注入をより効果的に阻止するこ
とが可能となり、更に高い帯電能を得ることができる。
また更に、堆積膜の剥離や、微小な欠陥の発生を大幅に
抑制することができる。
持体側で速く、表面層側で遅くすることによって、光導
電層中の炭素原子の含有量が層厚方向に変化することに
よる堆積膜中のストレスを効果的に緩和し、かつ堆積膜
形成速度の変化と炭素含有量の変化との相乗効果により
堆積膜の緻密性が向上するため、堆積膜の均一性が向上
し、堆積膜中の欠陥が減少する。その結果、とりわけハ
ーフトーンむら等の画像特性を改善することができ、ま
た表面層側からの電荷の注入をより効果的に阻止するこ
とが可能となり、更に高い帯電能を得ることができる。
また更に、堆積膜の剥離や、微小な欠陥の発生を大幅に
抑制することができる。
【０３０３】また、光導電層を光導電層第２領域と光導
電層第１領域の２つの領域から構成し、光導電層第１領
域の層厚を0.5〜50μmとすることで、より長波長光の感
度が向上し、帯電極性と逆のキャリアの走行性が向上す
るのでゴーストが良化する。また、本発明による表面層
を設けることにより、撥水性に富み、耐湿性が向上す
る。さらに機械的強度や電気的耐圧性が向上し、また帯
電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるのを効果
的に阻止でき、帯電能、使用環境特性、耐久性及び電気
的耐圧性を向上させることができる。さらに、表面層中
での光の吸収が減少するために感度の向上を図ることが
でき、光導電層と表面層の間でのキャリアの蓄積が減少
するために、帯電能を高い状態に維持したままで画像流
れを抑制することのできる電子写真用光受容部材を提供
することができる。
電層第１領域の２つの領域から構成し、光導電層第１領
域の層厚を0.5〜50μmとすることで、より長波長光の感
度が向上し、帯電極性と逆のキャリアの走行性が向上す
るのでゴーストが良化する。また、本発明による表面層
を設けることにより、撥水性に富み、耐湿性が向上す
る。さらに機械的強度や電気的耐圧性が向上し、また帯
電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるのを効果
的に阻止でき、帯電能、使用環境特性、耐久性及び電気
的耐圧性を向上させることができる。さらに、表面層中
での光の吸収が減少するために感度の向上を図ることが
でき、光導電層と表面層の間でのキャリアの蓄積が減少
するために、帯電能を高い状態に維持したままで画像流
れを抑制することのできる電子写真用光受容部材を提供
することができる。
【図１】本発明による電子写真用光受容部材の好適な実
施態様例の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。
施態様例の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。
【図２】本発明による電子写真用光受容部材の好適な他
の実施態様例の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。
の実施態様例の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。
【図３】従来の電子写真用光受容部材の層構成の一例を
示す模式的構成図である。
示す模式的構成図である。
【図４】本発明における電子写真用光受容部材の光受容
層を形成するための装置の一例を示すものであり、ＲＦ
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
模式的説明図である。
層を形成するための装置の一例を示すものであり、ＲＦ
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
模式的説明図である。
【図５】本発明における電子写真用光受容部材の光受容
層を形成するための装置の一例を示すものであり、μＷ
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
堆積装置部分の模式的説明図であり、（ａ）は装置の側
断面図であり、（ｂ）はＸ−Ｘ’における横断面図であ
る。
層を形成するための装置の一例を示すものであり、μＷ
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
堆積装置部分の模式的説明図であり、（ａ）は装置の側
断面図であり、（ｂ）はＸ−Ｘ’における横断面図であ
る。
【図６】本発明における電子写真用光受容部材の光受容
層を形成するための装置の一例を示すものであり、図４
のＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造
装置の堆積装置を図５の堆積装置に代えた模式的説明図
である。
層を形成するための装置の一例を示すものであり、図４
のＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造
装置の堆積装置を図５の堆積装置に代えた模式的説明図
である。
【図７】本発明における光導電層（光導電層第２領域）
の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフであ
る。
の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図８】本発明における光導電層（光導電層第２領域）
の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフであ
る。
の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図９】本発明における光導電層（光導電層第２領域）
の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフであ
る。
の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図１０】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフで
ある。
域）の堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフで
ある。
【図１１】本発明外の光導電層（光導電層第２領域）の
堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフである。
堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフである。
【図１２】本発明外の光導電層（光導電層第２領域）の
堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフである。
堆積膜形成速度の一変化パターンを示すグラフである。
【図１３】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の炭素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の炭素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図１４】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の炭素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の炭素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図１５】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の炭素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の炭素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図１６】本発明外の光導電層（光導電層第２領域）の
炭素含有量の一変化パターンを示すグラフである。
炭素含有量の一変化パターンを示すグラフである。
【図１７】本発明外の光導電層（光導電層第２領域）の
炭素含有量の一変化パターンを示すグラフである。
炭素含有量の一変化パターンを示すグラフである。
【図１８】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図１９】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２０】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２１】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２２】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の弗素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２３】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２４】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２５】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２６】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
【図２７】本発明における光導電層（光導電層第２領
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
域）の酸素含有量の一変化パターンを示すグラフであ
る。
１０ 電子写真用光受容部材 １１ 導電性支持体 １２ 光導電層 １３ 表面層 １４ 自由表面 １５ 光導電層第２領域 １６ 光導電層第１領域 ４１００ ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置 ４１１１ 反応容器 ４１１２ 円筒状支持体 ４１１３ 支持体加熱用ヒーター ４１１４ 原料ガス導入管 ４１１５ マッチングボックス ４１１６ 原料ガス配管 ４１１７ 反応容器リークバルブ ４１１８ メイン排気バルブ ４１１９ 真空計 ４２００ 原料ガス供給装置 ４２１１〜４２１６ マスフローコントローラー ４２２１〜４２２６ 原料ガスボンベ ４２３１〜４２３６ 原料ガスボンベバルブ ４２４１〜４２４６ ガス流入バルブ ４２５１〜４２５６ ガス流出バルブ ４２６１〜４２６６ 圧力調整器 ５１００ μＷグロー放電法による堆積膜形成装置 ５１１１ 反応容器 ５１１２ マイクロ波導入窓 ５１１３ 導波管 ５１１４ 支持体ホルダー ５１１５ 円筒状支持体 ５１１６ 支持体加熱用ヒーター ５１１７ 原料ガス導入管 ５１１８ バイアス電極 ５１１９ バイアス電源 ５１２０ 支持体回転用モーター ５１２１ 排気管 ５１３０ 放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３０５ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３０５ ３１２ ３１２ ３１３ ３１３ (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−95875（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−218060（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−352167（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16
Claims (17)
- 【請求項１】 導電性支持体と、該導電性支持体上に順
次積層されたシリコン原子を母体とする光導電層及び表
面層からなる光受容層とを含む電子写真用光受容部材の
形成方法において、 前記光導電層が、全層にわたって炭素原子と水素原子と
を少なくとも含有し、該炭素原子の含有量が層厚方向に
不均一に分布し、かつ前記導電性支持体側で多く、前記
表面層側で少なく分布している非単結晶材料で構成さ
れ、 前記表面層が、シリコン原子を母体とするとともに、炭
素原子、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原
子を同時に含有する非単結晶材料で構成され、前記光導
電層の堆積膜形成速度を層厚方向に変化させ、前記導電
性支持体側で速く、前記表面層側で遅くなるようにして
前記光導電層を形成することを特徴とする電子写真用光
受容部材の形成方法。 - 【請求項２】 前記光導電層の、前記表面層側の表面ま
たは表面近傍の堆積膜形成速度を前記導電性支持体側の
表面または表面近傍の堆積膜形成速度に対して３０〜９
０％とすることを特徴とする請求項１記載の電子写真用
光受容部材の形成方法。 - 【請求項３】 前記の光導電層中の前記炭素原子の含有
量を、前記導電性支持体側の表面または表面近傍で０．
５〜５０原子％、前記表面層側の表面または表面近傍で
実質的に０％とし、前記光導電層中の前記水素原子の含
有量を１〜４０原子％とすることを特徴とする請求項１
または２に記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項４】 前記光導電層中に弗素原子を含有させる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項５】 前記光導電層中の前記弗素原子を層厚方
向に不均一に分布させることを特徴とする請求項４記載
の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項６】 前記光導電層中に酸素原子を含有させる
ことを特徴とする請求項１〜５項のいずれか１項に記載
の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項７】 前記光導電層中の前記酸素原子を層厚方
向に不均一に分布させることを特徴とする請求項６に記
載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項８】 前記光導電層が、光導電層第１領域と光
導電層第２領域からなり、 前記光導電層第２領域が、全層にわたって炭素原子と水
素原子とを少なくとも含有し、該炭素原子の含有量が層
厚方向に不均一に分布し、かつ前記導電性支持体側で多
く、前記光導電層第１領域側で少なく分布している非単
結晶材料で構成され、 前記光導電層第１領域が、水素原子を１〜４０原子％含
有する非単結晶材料で構成され、 前記光導電層第２領域の堆積膜形成速度を層厚方向に変
化させ、前記導電性支持体側で速く、前記光導電層第１
領域側で遅くなるようにして前記光導電層第２領域を形
成することを特徴とする請求項１に記載の電子写真用光
受容部材の形成方法。 - 【請求項９】 前記光導電層第２領域の、前記光導電層
第１領域側の表面または表面近傍の堆積膜形成速度を前
記導電性支持体側の表面または表面近傍の堆積膜形成速
度に対して３０〜９０％とすることを特徴とする請求項
８記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１０】 前記の光導電層第２領域中の前記炭素
原子の含有量を、前記導電性支持体側の表面または表面
近傍で０．５〜５０原子％、前記光導電層第１領域側の
表面または表面近傍で実質的に０％とし、前記光導電層
第２領域中の前記水素原子の含有量が１〜４０原子％と
することを特徴とする請求項８または９に記載の電子写
真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１１】 前記光導電層第２領域中に弗素原子を
含有させることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか
１項に記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１２】 前記光導電層第２領域中の前記弗素原
子を層厚方向に不均一に分布させることを特徴とする請
求項１１記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１３】 前記光導電層第２領域中に酸素原子を
含有させることを特徴とする請求項８〜１２項のいずれ
か１項に記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１４】 前記光導電層第２領域中の酸素原子を
層厚方向に不均一に分布させることを特徴とする請求項
１３に記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１５】 前記光導電層第１領域の膜厚を０．５
〜１５μｍとすることを特徴とする請求項８〜１４のい
ずれか１項に記載の電子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１６】 前記表面層を、前記表面層中の炭素原
子、酸素原子及び窒素原子の含有量の和が、前記シリコ
ン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有量の和
に対して４０〜９０原子％であり、ハロゲン原子の含有
量が２０原子％以下、かつ水素原子とハロゲン原子の含
有量の和が３０〜７０原子％となるように形成すること
を特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電
子写真用光受容部材の形成方法。 - 【請求項１７】 前記表面層を、前記表面層中の前記酸
素原子及び窒素原子の含有量の和が１０原子％以下とな
るように形成することを特徴とする請求項１〜１６のい
ずれか１項に記載の電子写真用光受容部材の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29338891A JP2902509B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 電子写真用光受容部材の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29338891A JP2902509B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 電子写真用光受容部材の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134441A JPH05134441A (ja) | 1993-05-28 |
| JP2902509B2 true JP2902509B2 (ja) | 1999-06-07 |
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ID=17794125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29338891A Expired - Fee Related JP2902509B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 電子写真用光受容部材の形成方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2902509B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5479557B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2014-04-23 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
| JP5121785B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29338891A patent/JP2902509B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH05134441A (ja) | 1993-05-28 |
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